JPH04278508A - チップ型積層セラミックコンデンサ - Google Patents
チップ型積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH04278508A JPH04278508A JP6551291A JP6551291A JPH04278508A JP H04278508 A JPH04278508 A JP H04278508A JP 6551291 A JP6551291 A JP 6551291A JP 6551291 A JP6551291 A JP 6551291A JP H04278508 A JPH04278508 A JP H04278508A
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は面実装用のチップ型積層
セラミックコンデンサに関する。更に詳しくはチップ形
状が比較的大きな積層セラミックコンデンサの端子電極
に関するものである。
セラミックコンデンサに関する。更に詳しくはチップ形
状が比較的大きな積層セラミックコンデンサの端子電極
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】チップ型積層セラミックコンデンサは、
基板等の表面に直接実装される面実装用電子部品として
広く用いられている。この種のコンデンサはチップの両
端面に内部電極が取出され、この取出し部の上から外部
接続用の端子電極が形成されている。この方法は、小型
チップの場合、端子電極の形成が容易であって、しかも
チップを基板に搭載したときに端子電極に接続する外部
回路の線幅を広く確保できる等の利点を有する。このた
め、この種のコンデンサの多くは特殊用を除いて上記端
子電極構造になっている。一方、近年積層セラミックコ
ンデンサの技術開発が進み、従来はタンタルコンデンサ
や電解コンデンサが用いられた分野にまで積層セラミッ
クコンデンサが使用され始めている。例えばスイッチン
グ電源の平滑用コンデンサ等が挙げられる。このような
用途ではコンデンサは大容量で高耐圧であることが要求
され、これに従ってチップ形状が大きくかつ厚くなって
きている。この大型のコンデンサにおいても内部電極の
取出し部及び端子電極部は小型チップと同様な形状にな
っている。
基板等の表面に直接実装される面実装用電子部品として
広く用いられている。この種のコンデンサはチップの両
端面に内部電極が取出され、この取出し部の上から外部
接続用の端子電極が形成されている。この方法は、小型
チップの場合、端子電極の形成が容易であって、しかも
チップを基板に搭載したときに端子電極に接続する外部
回路の線幅を広く確保できる等の利点を有する。このた
め、この種のコンデンサの多くは特殊用を除いて上記端
子電極構造になっている。一方、近年積層セラミックコ
ンデンサの技術開発が進み、従来はタンタルコンデンサ
や電解コンデンサが用いられた分野にまで積層セラミッ
クコンデンサが使用され始めている。例えばスイッチン
グ電源の平滑用コンデンサ等が挙げられる。このような
用途ではコンデンサは大容量で高耐圧であることが要求
され、これに従ってチップ形状が大きくかつ厚くなって
きている。この大型のコンデンサにおいても内部電極の
取出し部及び端子電極部は小型チップと同様な形状にな
っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、大型の積層セ
ラミックコンデンサではチップの長さは数ｍｍ〜数１０
ｍｍと大きくなるため、端子電極をチップの両端面に形
成すると、このチップを搭載したときの回路の線幅もチ
ップの長さに相応した広い間隔が必要となり、いたずら
に回路面積が大きくなる不具合があった。またチップの
直下に回路を形成する場合でもチップ両端面が接続部分
であるため、回路形成の自由度が低くなる問題点があっ
た。
ラミックコンデンサではチップの長さは数ｍｍ〜数１０
ｍｍと大きくなるため、端子電極をチップの両端面に形
成すると、このチップを搭載したときの回路の線幅もチ
ップの長さに相応した広い間隔が必要となり、いたずら
に回路面積が大きくなる不具合があった。またチップの
直下に回路を形成する場合でもチップ両端面が接続部分
であるため、回路形成の自由度が低くなる問題点があっ
た。
【０００４】本発明の目的は、チップ形状が比較的大き
くても面実装したときの回路面積を大きく占有せず、か
つ回路形成の自由度が高いチップ型積層セラミックコン
デンサを提供することにある。
くても面実装したときの回路面積を大きく占有せず、か
つ回路形成の自由度が高いチップ型積層セラミックコン
デンサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型積層セ
ラミックコンデンサは、図１〜図３に示すように層表面
に内部電極１４が印刷形成されたセラミック誘電体層１
３を複数個積層することにより前記内部電極同士が対向
してなるベアチップ１１の１つの端面１１ａに一対の端
子電極１２ａ，１２ｂが設けられる。一対の端子電極の
一方１２ａは複数のセラミック誘電体層の奇数番目の層
表面に形成されかつベアチップの端面１１ａに取出され
た第１内部電極１４ｃ，１４ｅ，１４ｇに接続され、一
対の端子電極の他方１２ｂは複数のセラミック誘電体層
の偶数番目の層表面に形成されかつベアチップの端面１
１ａに取出された第２内部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｆ
に接続される。
ラミックコンデンサは、図１〜図３に示すように層表面
に内部電極１４が印刷形成されたセラミック誘電体層１
３を複数個積層することにより前記内部電極同士が対向
してなるベアチップ１１の１つの端面１１ａに一対の端
子電極１２ａ，１２ｂが設けられる。一対の端子電極の
一方１２ａは複数のセラミック誘電体層の奇数番目の層
表面に形成されかつベアチップの端面１１ａに取出され
た第１内部電極１４ｃ，１４ｅ，１４ｇに接続され、一
対の端子電極の他方１２ｂは複数のセラミック誘電体層
の偶数番目の層表面に形成されかつベアチップの端面１
１ａに取出された第２内部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｆ
に接続される。
【０００６】
【作用】ベアチップ１１の１つの端面１１ａに一対の端
子電極１２ａ，１２ｂを設けることにより、面実装した
ときの回路面積が大きくならず、かつ回路形成の自由度
が高くなる。
子電極１２ａ，１２ｂを設けることにより、面実装した
ときの回路面積が大きくならず、かつ回路形成の自由度
が高くなる。
【０００７】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳しく
説明する。図１〜図３に示すように、チップ型積層セラ
ミックコンデンサ１０はベアチップ１１とこのベアチッ
プ１１の１つの端面１１ａに一対の端子電極１２ａ，１
２ｂとを備える。この例ではベアチップ１１は７つのチ
タン酸バリウム系のセラミック誘電体層１３ａ〜１３ｇ
を積層することにより形成される。６つのセラミック誘
電体層１３ｂ〜１３ｇの層表面には貴金属のＰｄからな
る内部電極１４ｂ〜１４ｇがそれぞれ印刷形成される。 これらの内部電極１４ｂ〜１４ｇのうちセラミック誘電
体層１３ａ〜１３ｇの奇数番目の内部電極１４ｃ，１４
ｅ，１４ｇは誘電体層１３ｃ，１３ｅ，１３ｇの端部の
右側に引出される。またセラミック誘電体層１３ａ〜１
３ｇの偶数番目の内部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｆは誘
電体層１３ｂ，１３ｄ，１３ｆの端部の左側に引出され
る。
説明する。図１〜図３に示すように、チップ型積層セラ
ミックコンデンサ１０はベアチップ１１とこのベアチッ
プ１１の１つの端面１１ａに一対の端子電極１２ａ，１
２ｂとを備える。この例ではベアチップ１１は７つのチ
タン酸バリウム系のセラミック誘電体層１３ａ〜１３ｇ
を積層することにより形成される。６つのセラミック誘
電体層１３ｂ〜１３ｇの層表面には貴金属のＰｄからな
る内部電極１４ｂ〜１４ｇがそれぞれ印刷形成される。 これらの内部電極１４ｂ〜１４ｇのうちセラミック誘電
体層１３ａ〜１３ｇの奇数番目の内部電極１４ｃ，１４
ｅ，１４ｇは誘電体層１３ｃ，１３ｅ，１３ｇの端部の
右側に引出される。またセラミック誘電体層１３ａ〜１
３ｇの偶数番目の内部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｆは誘
電体層１３ｂ，１３ｄ，１３ｆの端部の左側に引出され
る。
【０００８】このように１層毎に内部電極１４ｂ〜１４
ｇの印刷形状を変更したセラミック誘電体層１３ｂ〜１
３ｇは所定の大きさに打抜かれ、最上層の誘電体層１３
ａとともに圧着される。圧着された所定のチップのサイ
ズに切断された後、焼成されてベアチップ１１となる。 図２に示すように、ベアチップ１１の１つの端面１１ａ
には誘電体層１層毎に内部電極が左右に分れて配列され
る。このベアチップ１１の端面１１ａは次に述べる端子
電極１２ａ，１２ｂと確実に接続するためにバレル研磨
される。研磨後、端面１１ａの左側部分と右側部分にＡ
ｇ／Ｐｄペーストが別々に塗布される。このペーストが
端面１１ａの左側部分と右側部分とを共通に塗布しない
ように、中央に絶縁材料、例えば絶縁ペーストを介在さ
せてもよい。
ｇの印刷形状を変更したセラミック誘電体層１３ｂ〜１
３ｇは所定の大きさに打抜かれ、最上層の誘電体層１３
ａとともに圧着される。圧着された所定のチップのサイ
ズに切断された後、焼成されてベアチップ１１となる。 図２に示すように、ベアチップ１１の１つの端面１１ａ
には誘電体層１層毎に内部電極が左右に分れて配列され
る。このベアチップ１１の端面１１ａは次に述べる端子
電極１２ａ，１２ｂと確実に接続するためにバレル研磨
される。研磨後、端面１１ａの左側部分と右側部分にＡ
ｇ／Ｐｄペーストが別々に塗布される。このペーストが
端面１１ａの左側部分と右側部分とを共通に塗布しない
ように、中央に絶縁材料、例えば絶縁ペーストを介在さ
せてもよい。
【０００９】塗布されたペーストはベアチップ１１の端
面１１ａに焼付けられる。これにより図１に示すように
ベアチップ１１の端面１１ａには一対の端子電極１２ａ
，１２ｂが形成される。端子電極１２ａには内部電極１
４ｃ，１４ｅ，１４ｇが接続され、端子電極１２ｂには
内部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｆが接続される。これら
の端子電極１２ａ，１２ｂの表面には図示しないが、必
要に応じて電気めっき層、例えばＮｉめっき層、Ｓｎ／
Ｐｂめっき層が形成される。
面１１ａに焼付けられる。これにより図１に示すように
ベアチップ１１の端面１１ａには一対の端子電極１２ａ
，１２ｂが形成される。端子電極１２ａには内部電極１
４ｃ，１４ｅ，１４ｇが接続され、端子電極１２ｂには
内部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｆが接続される。これら
の端子電極１２ａ，１２ｂの表面には図示しないが、必
要に応じて電気めっき層、例えばＮｉめっき層、Ｓｎ／
Ｐｂめっき層が形成される。
【００１０】なお、上記例ではセラミック誘電体として
チタン酸バリウム系を挙げたが、本発明はこれに限らず
鉛系その他の誘電体を用いることができる。また、セラ
ミック誘電体層の数及び内部電極の形状、材質は一例で
あって、本発明はこれらに限るものではない。内部電極
としては公知のＰｔ，Ａｇ／Ｐｄ等の貴金属、或いはＮ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ等の卑金属を用いてもよい。更に、端子
電極用のペーストは上記例の他にＡｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃ
ｕを１種又は２種以上を含むものでもよい。
チタン酸バリウム系を挙げたが、本発明はこれに限らず
鉛系その他の誘電体を用いることができる。また、セラ
ミック誘電体層の数及び内部電極の形状、材質は一例で
あって、本発明はこれらに限るものではない。内部電極
としては公知のＰｔ，Ａｇ／Ｐｄ等の貴金属、或いはＮ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ等の卑金属を用いてもよい。更に、端子
電極用のペーストは上記例の他にＡｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃ
ｕを１種又は２種以上を含むものでもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、チ
ップ形状と端子電極に接続する回路の線幅とは無関係に
なるため、大型化したチップ型積層セラミックコンデン
サを使用しても、基板上の回路の線幅は従来通りの仕様
で済む。またチップ直下に回路を形成する場合でも、チ
ップの１つの端面部分が基板を占有するが、それ以外は
基板の実装面を占有しないため、自由に回路設計するこ
とができる。
ップ形状と端子電極に接続する回路の線幅とは無関係に
なるため、大型化したチップ型積層セラミックコンデン
サを使用しても、基板上の回路の線幅は従来通りの仕様
で済む。またチップ直下に回路を形成する場合でも、チ
ップの１つの端面部分が基板を占有するが、それ以外は
基板の実装面を占有しないため、自由に回路設計するこ
とができる。
【図１】本発明のチップ型積層セラミックコンデンサの
斜視図。
斜視図。
【図２】その端子電極を焼付ける前のベアチップの斜視
図。
図。
【図３】そのセラミック誘電体層の積層状況を示す斜視
図。
図。
１０ チップ型積層セラミックコンデンサ１１ ベ
アチップ １１ａ ベアチップの１つの端面 １２ａ，１２ｂ 一対の端子電極
アチップ １１ａ ベアチップの１つの端面 １２ａ，１２ｂ 一対の端子電極
Claims (1)
- 【請求項１】 層表面に内部電極（１４）が印刷形成
されたセラミック誘電体層（１３）を複数個積層するこ
とにより前記内部電極同士が対向してなるベアチップ（
１１）と、このベアチップの１つの端面（１１ａ）に設
けられた一対の端子電極（１２ａ，１２ｂ）とを備えた
チップ型積層セラミックコンデンサであって、前記一対
の端子電極の一方（１２ａ）は前記複数のセラミック誘
電体層の奇数番目の層表面に形成されかつ前記ベアチッ
プの端面（１１ａ）に取出された第１内部電極（１４ｃ
，１４ｅ，１４ｇ）に接続され、前記一対の端子電極の
他方（１２ｂ）は前記複数のセラミック誘電体層の偶数
番目の層表面に形成されかつ前記ベアチップの端面（１
１ａ）に取出された第２内部電極（１４ｂ，１４ｄ，１
４ｆ）に接続されたことを特徴とするチップ型積層セラ
ミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6551291A JPH04278508A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | チップ型積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6551291A JPH04278508A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | チップ型積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278508A true JPH04278508A (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=13289177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6551291A Withdrawn JPH04278508A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | チップ型積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04278508A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008059010A1 (de) * | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Epcos Ag | Vielschicht-kondensator mit smd-kontakten |
| WO2008058531A1 (de) * | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Epcos Ag | Bauelement-anordnung |
| JP2009147338A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | General Electric Co <Ge> | 低インダクタンスコンデンサおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP6551291A patent/JPH04278508A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008059010A1 (de) * | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Epcos Ag | Vielschicht-kondensator mit smd-kontakten |
| WO2008058531A1 (de) * | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Epcos Ag | Bauelement-anordnung |
| JP2009147338A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | General Electric Co <Ge> | 低インダクタンスコンデンサおよびその製造方法 |
| GB2455866B (en) * | 2007-12-17 | 2012-04-11 | Gen Electric | Low inductance capacitor and method of manufacturing same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |