JPH03145706A - チップコイル - Google Patents
チップコイルInfo
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- JPH03145706A JPH03145706A JP28568189A JP28568189A JPH03145706A JP H03145706 A JPH03145706 A JP H03145706A JP 28568189 A JP28568189 A JP 28568189A JP 28568189 A JP28568189 A JP 28568189A JP H03145706 A JPH03145706 A JP H03145706A
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- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
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- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
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Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、インダクタンス素子として機能するチップコ
イル、特にその電極層の構造に関する。
イル、特にその電極層の構造に関する。
従迷！棲ｌ屹ζ皿届
一般に、チップコイルは、第２図に示す如く、ソエシイ
１〜製のボビン１にコイル線材を巻回してコイル５を形
成する一方、ボビン１の下鍔部２にその側面から底面に
かけて電極３，３を形成し、コイル５の端末を電極３．
３へ半田付けしたものが知られている。
１〜製のボビン１にコイル線材を巻回してコイル５を形
成する一方、ボビン１の下鍔部２にその側面から底面に
かけて電極３，３を形成し、コイル５の端末を電極３．
３へ半田付けしたものが知られている。
電極部分は、具体的には、第３図に示す様に、Ａｇペー
ストあるいはＡｇ −Ｐｄペーストを塗布して焼付げた
厚膜電極Ｐｉ！ｌ３１−＼コイル端末５ａを半田付けす
ると共に、半田層３５で厚膜電極層３１がコーティング
されている。また、他の構成としては、第４図に示す様
に、Ａｇペーストの厚膜焼付げ電極層３１上へＮｉ電解
メツキ層３２さらにＳｎ電解メツキ層３３を施し、その
上へコイル端末５ａを半田付けすると共に、半田層３５
で全体をコーティングしたものも知られている。
ストあるいはＡｇ −Ｐｄペーストを塗布して焼付げた
厚膜電極Ｐｉ！ｌ３１−＼コイル端末５ａを半田付けす
ると共に、半田層３５で厚膜電極層３１がコーティング
されている。また、他の構成としては、第４図に示す様
に、Ａｇペーストの厚膜焼付げ電極層３１上へＮｉ電解
メツキ層３２さらにＳｎ電解メツキ層３３を施し、その
上へコイル端末５ａを半田付けすると共に、半田層３５
で全体をコーティングしたものも知られている。
しかし、前者の電極構造においては１．電極３自体がＡ
ｇあるいはＡｇ −Ｐｄとされているため、基板への実
装時に半田による銀くわれが発生し、固着力が劣化する
問題点を有している。この対策としては、Ａｇあるいは
Ａｇ−Ｐｄをさらに厚く付けることが挙げられる力釈大
幅なコストアップとなり、実際的ではない。しかも、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄの如く導電性が良好な材料がボビン１に
密接１゛るとう１゛電流ｔ（ｉによるＱの劣化が大きく
なるという問題点をも有している。
ｇあるいはＡｇ −Ｐｄとされているため、基板への実
装時に半田による銀くわれが発生し、固着力が劣化する
問題点を有している。この対策としては、Ａｇあるいは
Ａｇ−Ｐｄをさらに厚く付けることが挙げられる力釈大
幅なコストアップとなり、実際的ではない。しかも、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄの如く導電性が良好な材料がボビン１に
密接１゛るとう１゛電流ｔ（ｉによるＱの劣化が大きく
なるという問題点をも有している。
後者の電極構造においては、Ａｇの厚膜焼付（り電極層
３１上にＮｉメツキ層３２が施されているため、銀くわ
れは大幅に防止されるが、第１ＪｖＩがＡｇ層℃あるこ
と、第２層のＮｉメツキ層は強磁性体で導電性が良好で
あること、電解メツキにはバレルメッキ方式を用いるこ
とからメッキ厚のばらつきが大きく希望のメッキ厚を得
るにはかなり厚めとなることより、コイルのＱが大幅に
劣化するという問題点は何ら解消されていない。
３１上にＮｉメツキ層３２が施されているため、銀くわ
れは大幅に防止されるが、第１ＪｖＩがＡｇ層℃あるこ
と、第２層のＮｉメツキ層は強磁性体で導電性が良好で
あること、電解メツキにはバレルメッキ方式を用いるこ
とからメッキ厚のばらつきが大きく希望のメッキ厚を得
るにはかなり厚めとなることより、コイルのＱが大幅に
劣化するという問題点は何ら解消されていない。
そこで、本発明の課題は、銀くわれが生じることなく、
ボビンの固着力が高く、半田付は性が良好で、Ｑの劣化
のない電極層構造を備えたチップコイルを提供すること
にある。
ボビンの固着力が高く、半田付は性が良好で、Ｑの劣化
のない電極層構造を備えたチップコイルを提供すること
にある。
課題を解決するだめの手段と作用
以上の課題を解決するため、本発明に係るチップコイル
は、電極が、 （８）ボビン素地との密着性が良好で、非磁性かつ高抵
抗の第１層と、 （ｂ）半田耐熱性が良好な第２層と、 （Ｃ）導電性及び半］１コ付げ性が良好な第３層と、か
ら構成されていることを特徴とする。
は、電極が、 （８）ボビン素地との密着性が良好で、非磁性かつ高抵
抗の第１層と、 （ｂ）半田耐熱性が良好な第２層と、 （Ｃ）導電性及び半］１コ付げ性が良好な第３層と、か
ら構成されていることを特徴とする。
以上の電極層構造によれは、第１層によってボビンへの
固着力が高められ、第２層によって半１１１耐熱性が向
上し、第３層によって導電性及び半田付は性が確保され
る。しかも、導電性の良好な材料は第３層としてボビン
表面から極力離して設置されており、うず電流積による
Ｑの劣化が抑えられる。
固着力が高められ、第２層によって半１１１耐熱性が向
上し、第３層によって導電性及び半田付は性が確保され
る。しかも、導電性の良好な材料は第３層としてボビン
表面から極力離して設置されており、うず電流積による
Ｑの劣化が抑えられる。
具体的には、第１層としては、Ｎｉ −Ｃｒの薄膜層と
することでボビンへの高い固着力が得られ、半田耐熱性
が大きく、非磁性、高抵抗であることによってＱの劣化
も大きく減少する。第２層としては、ＮｉあるいはＮｉ
−Ｃｕの薄膜層とすることで半田耐熱性が大きく、Ｑの
劣化もなくなる。第３層としては、Ａｇ 、 Ｃｕ又は
Ｓｎの薄膜層とすることで導電性、半田付は性が確保さ
れ、ボビン表面から離れることでうず電流積も少なくな
る。
することでボビンへの高い固着力が得られ、半田耐熱性
が大きく、非磁性、高抵抗であることによってＱの劣化
も大きく減少する。第２層としては、ＮｉあるいはＮｉ
−Ｃｕの薄膜層とすることで半田耐熱性が大きく、Ｑの
劣化もなくなる。第３層としては、Ａｇ 、 Ｃｕ又は
Ｓｎの薄膜層とすることで導電性、半田付は性が確保さ
れ、ボビン表面から離れることでうず電流積も少なくな
る。
また、前記各薄膜層をスパッタリング法にて形成ずれ番
」１工程で安価に形成でき、他には蒸着法、イオンブレ
ーティング法、ブラスマＣＶＤ法、放電溶着法による乾
式メツキ法で形成可能である。
」１工程で安価に形成でき、他には蒸着法、イオンブレ
ーティング法、ブラスマＣＶＤ法、放電溶着法による乾
式メツキ法で形成可能である。
夫施倒
以下、本発明に係るチップコイルの一実施例を添付図面
に従って説明する。
に従って説明する。
第１図は本発明の一実施例であるチップコイルの電極部
分を示し、電極１０はソエライト製ボビン１の下鍔部２
に、従来と同様の位置に、即し側面から底面にかげて形
成されている。電極１０は内側（ボビン素地に近い方）
から、第１Ｒ１１、第２層１２、第３層１３とされ、第
１層１１はＮｉ−Ｃｒの薄膜層、第２層１２はＮ１又は
Ｎｉ−Ｃｕあるいはその両者からなる薄膜Ｊ１″・７、
第３層１３はＡｇ ｒ Ｃｕ又はＳｎからなる薄膜層で
ある。各薄膜層１１，１２．１３の膜厚はそれぞれ３μ
ｍ以下が好ましく、乾式メツキ法、とりわけスパッタリ
ング法で形成することが好ましい。
分を示し、電極１０はソエライト製ボビン１の下鍔部２
に、従来と同様の位置に、即し側面から底面にかげて形
成されている。電極１０は内側（ボビン素地に近い方）
から、第１Ｒ１１、第２層１２、第３層１３とされ、第
１層１１はＮｉ−Ｃｒの薄膜層、第２層１２はＮ１又は
Ｎｉ−Ｃｕあるいはその両者からなる薄膜Ｊ１″・７、
第３層１３はＡｇ ｒ Ｃｕ又はＳｎからなる薄膜層で
ある。各薄膜層１１，１２．１３の膜厚はそれぞれ３μ
ｍ以下が好ましく、乾式メツキ法、とりわけスパッタリ
ング法で形成することが好ましい。
スパックリング法によれば、多ターゲッ）・・スパッタ
リング装置を用い、電極１０以外の不要部分をマスキン
グし、まずＮｉ−Ｃｒ、次にＮｉあるいはＮｌＣｕ、さ
らにＡｇ 、 Ｃｕ又はＳｎを順次スパックリングする
。これによって、各薄膜層１１．１２．１３が所定の形
状及び膜厚に精度良く形成される。特に、膜厚を必要最
小限に薄くでき、導電性の良好な第３層１３が外側に位
置し、ボビン表面に近い第１層１１、第２）￥！２１２
は非磁性、高抵抗であることから、うず′電流積が極め
てノ卦さくＱの劣化がない。
リング装置を用い、電極１０以外の不要部分をマスキン
グし、まずＮｉ−Ｃｒ、次にＮｉあるいはＮｌＣｕ、さ
らにＡｇ 、 Ｃｕ又はＳｎを順次スパックリングする
。これによって、各薄膜層１１．１２．１３が所定の形
状及び膜厚に精度良く形成される。特に、膜厚を必要最
小限に薄くでき、導電性の良好な第３層１３が外側に位
置し、ボビン表面に近い第１層１１、第２）￥！２１２
は非磁性、高抵抗であることから、うず′電流積が極め
てノ卦さくＱの劣化がない。
また、第１層１１を構成するＮｉ −Ｃｒはフェライト
素地との密着力が高く、半田耐熱性、非磁性、高抵抗と
いう観点から約３〜２５ｗｔ％のＣｒを含有するＮｉ−
Ｃｒ合金が最適である。第２層１２を構成するＮｉ又は
Ｎｉ−Ｃｕは半田耐熱性及びＱの劣化を少なくするとい
う観点から選択され、Ｑに関しては約２０〜９０％のＣ
ｕを含有するＮｉ−Ｃｕ合金を用いることが好ましい。
素地との密着力が高く、半田耐熱性、非磁性、高抵抗と
いう観点から約３〜２５ｗｔ％のＣｒを含有するＮｉ−
Ｃｒ合金が最適である。第２層１２を構成するＮｉ又は
Ｎｉ−Ｃｕは半田耐熱性及びＱの劣化を少なくするとい
う観点から選択され、Ｑに関しては約２０〜９０％のＣ
ｕを含有するＮｉ−Ｃｕ合金を用いることが好ましい。
第３層１３を構成するＡｇ 、 Ｃｕ 、 Ｓｎは専ら
コイル端末５８との電気的接続を図るために高導電性、
高半田付は性の材料として選択された。
コイル端末５８との電気的接続を図るために高導電性、
高半田付は性の材料として選択された。
以上の構成からなる電極１０上には、コイル端末５ａが
半田（＝Ｊげられると共に、半田層１４にて全体的にコ
ーティングきれ、この状態で基板（図示せず）上に半１
１」付Ｉ−）にて実装きれる。
半田（＝Ｊげられると共に、半田層１４にて全体的にコ
ーティングきれ、この状態で基板（図示せず）上に半１
１」付Ｉ−）にて実装きれる。
発明の効果
以上の説明で明らかな様に、本発明によれば、内側の第
１層にボビン素地との密着性が良好で非磁性かつ高抵抗
の材料を設けたため、ボビンへの固着力が高く、うず電
流積によるＱの劣化を低く抑えることができる。また、
第２層に半田耐熱性が良好な材料を、第３層に導電性及
び半田付は性が良好な電極材料を設けたため、コイル端
末との電気的接続が十分に確保きれる。
１層にボビン素地との密着性が良好で非磁性かつ高抵抗
の材料を設けたため、ボビンへの固着力が高く、うず電
流積によるＱの劣化を低く抑えることができる。また、
第２層に半田耐熱性が良好な材料を、第３層に導電性及
び半田付は性が良好な電極材料を設けたため、コイル端
末との電気的接続が十分に確保きれる。
特に、各材料をスパッタリング法等の乾式メツキ法で薄
膜に形成すれば、安価に付くと共にＱもより向」ニする
。
膜に形成すれば、安価に付くと共にＱもより向」ニする
。
第１図は本発明に係るチップコイルの一実施例の要部を
示す拡大断面図である。第２図は従来のチップコイルの
部分断面図、第３図はその電極の拡大断面図、第４図は
従来の他の電極の拡大断面図である。 ２・・・下鍔部、５ａ・・・コイル端末、１０・・・電
極、１１・・・第１薄膜層、１２・・・第２薄膜層、１
３・・・第３薄膜層、１４・・・半田層。
示す拡大断面図である。第２図は従来のチップコイルの
部分断面図、第３図はその電極の拡大断面図、第４図は
従来の他の電極の拡大断面図である。 ２・・・下鍔部、５ａ・・・コイル端末、１０・・・電
極、１１・・・第１薄膜層、１２・・・第２薄膜層、１
３・・・第３薄膜層、１４・・・半田層。
Claims (2)
- １．磁性体からなるボビンにコイル線材を巻回し、コイ
ルの端末をボビンの鍔部に設けた電極に半田付けしたチ
ップコイルにおいて、 前記電極が、ボビン素地との密着性が良好で、非磁性か
つ高抵抗の第１層と、半田耐熱性が良好な第２層と、導
電性及び半田付け性が良好な第３層とから構成されてい
ること、 を特徴とするチップコイル。 - ２．前記第１層がＮｉ−Ｃｒの薄膜層、前記第２層が少
なくともＮｉ又はＮｉ−Ｃｕの薄膜層、前記第３層が少
なくともＡｇ、Ｃｕ又はＳｎの薄膜層からなることを特
徴とする請求項１記載のチップコイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1285681A JP2598826B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | チップコイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1285681A JP2598826B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | チップコイル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145706A true JPH03145706A (ja) | 1991-06-20 |
| JP2598826B2 JP2598826B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=17694671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1285681A Expired - Lifetime JP2598826B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | チップコイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2598826B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6552642B1 (en) | 1997-05-14 | 2003-04-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic device having electric wires and method of producing same |
| US20180158591A1 (en) * | 2016-12-01 | 2018-06-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wire-wound coil component and method for producing wire-wound coil component |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220506A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | チツプ型インダクタ |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP1285681A patent/JP2598826B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220506A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | チツプ型インダクタ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6552642B1 (en) | 1997-05-14 | 2003-04-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic device having electric wires and method of producing same |
| US20180158591A1 (en) * | 2016-12-01 | 2018-06-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wire-wound coil component and method for producing wire-wound coil component |
| US10998117B2 (en) * | 2016-12-01 | 2021-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wire-wound coil component and method for producing wire-wound coil component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2598826B2 (ja) | 1997-04-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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