JP2004312023A - めっきターミネーション - Google Patents
めっきターミネーション Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004312023A JP2004312023A JP2004113445A JP2004113445A JP2004312023A JP 2004312023 A JP2004312023 A JP 2004312023A JP 2004113445 A JP2004113445 A JP 2004113445A JP 2004113445 A JP2004113445 A JP 2004113445A JP 2004312023 A JP2004312023 A JP 2004312023A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- termination
- exposed
- electronic component
- tabs
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 29
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 22
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 15
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 14
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 claims description 7
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 6
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims 2
- 238000001540 jet deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 75
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 199
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 29
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 4
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000009970 fire resistant effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/008—Thermistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
【解決手段】 主題のめっきターミネーションは、多層コンポーネントのカバー層に選択的に延在させることができる露出内部電極タブと追加のアンカータブによってガイドされ固定される。このようなアンカータブはチップ構造の内部または外部に配置され、追加のメタライゼーションがなされためっき材の核を形成する。モノリシック構造の頂面および底面の両方に配置された外部アンカータブは、選択的なラップアラウンドめっきターミネーションの形成を容易にする。開示技術は、インタディジテイティドキャパシタ、多層キャパシタアレイ、集積受動コンポーネントを含んでおり、複数のモノリシック多層コンポーネントで用いることができる。種々の異なるめっき技術およびターミネーション材料が、主題の自己決定めっきターミネーションの形成に使用することができる。
【選択図】 図2B
Description
14 電極タブ
16 インタディジテイティドキャパシタ構成
18 誘電体本体
22、24 誘電層
26、28 電極層
30 電極タブ
32、34 内部電極層
36 誘電体本体
38 多層コンポーネント
42 側面
44 キャパシタアレイ
46 電極タブ
48 誘電体
50 めっきターミネーション
52、53、54 電極層
56 電極タブ
58 内部アンカータブ
60 多層コンポーネント
64、66 誘電体カバー層
68 内部アンカータブ
70 外部アンカータブ
74、74′ 多層コンポーネント
76 銅の層
78 抵抗ポリマー材料
82 内部アンカータブ
84 追加の内部アンカータブ
86 外部アンカータブ
88 多層コンポーネント
90 コンポーネント
92 電極タブ
94、96 内部アンカータブ
98 外部アンカータブ
100、102 電極層
104 電極タブ
106 アンカータブ
108 コンポーネント
110 集積受動コンポーネント
112 電極タブ
114 内部アンカータブ
116 外部アンカータブ
118 側面ターミネーション
120 ラップアラウンドめっきターミネーション
130、132 電極層
134 電極タブ
136 アンカータブ
138 デバイス
140、142 電極層
144 電極タブ
146 アンカータブ
148 デバイス
150 多層電子コンポーネント
152 第1の電極
154 第2の電極
156、158 アンカータブ
157 角部
159a、159b I字形状のターミネーション
160 多層コンポーネント
162 第1の電極
164 第2の電極
165 外部アンカータブ
166、168 アンカータブ
169a J字形状のターミネーション
169b J字形状のターミネーション
170 多層電子コンポーネント
172 第1の電極
174 第2の電極
175 外部アンカータブ
176、178 アンカータブ
179a、179b U字形状のターミネーション
Claims (41)
- 電子コンポーネント用の無電解めっきターミネーションを形成する方法であって、
複数の内部電極要素と選択的にインタリーブされた複数のセラミック基板層を含む複数の電子コンポーネントを提供するステップであって、前記内部電極要素の選択部分を前記電子コンポーネントの側面の選択ロケーションに露出させるステップと、
無電解浴溶液を用意するステップと、
ターミネーション材料を前記複数の電子コンポーネント上にデポジットして、露出内部電極要素間にそれぞれブリッジドターミネーションを形成するため、前記複数の電子コンポーネントを前記無電解浴溶液中に予め定めた時間浸漬するステップと
を備えたことを特徴とする方法。 - 請求項1において、前記予め定めた時間は、約15分未満であることを特徴とする方法。
- 請求項1において、前記予め定めた時間は、約1ミクロンを超える厚さにターミネーション材料をデポジットするのに必要な時間に基き定めた時間であることを特徴とする方法。
- 請求項1において、前記複数の電子コンポーネントは、それぞれ約2から約4ミクロンまでの間の厚さを有するブリッジドターミネーションを得るように、前記無電解浴溶液の中に予め定めた時間浸漬することを特徴とする方法。
- 請求項1において、前記無電解浴溶液は、ニッケルまたは銅イオン溶液を備えたことを特徴とする方法。
- 請求項1において、前記電子コンポーネントを前記無電解浴溶液中に浸漬する前に、前記複数の電子コンポーネントの選択した面を洗浄するステップをさらに備えたことを特徴とする方法。
- 請求項6において、前記電子コンポーネントの前記内部電極要素は、ニッケルを備え、前記洗浄ステップは、それぞれの電子コンポーネント側面の酸化ニッケルのデポジションも実質的に除去する化学研磨ステップを備えたことを特徴とする方法。
- 請求項1において、前記複数の電子コンポーネントを加熱して、それぞれのブリッジドターミネーションの前記電子コンポーネントへの付着性を向上させるステップをさらに備えたことを特徴とする方法。
- 請求項1において、露出内部電極をアクティベートして、前記複数の電子コンポーネント上へのターミネーション材料のデポジションを容易にするステップをさらに備えたことを特徴とする方法。
- 請求項9において、前記アクティベートするステップは、金属塩への浸漬、有機金属前駆物質のフォトパターン形成、金属化合物のスクリーン印刷またはインクジェットデポジション、または電気泳動によるメタライゼーションのデポジションよりなるグループから選択して、アクティベーション材料を適用するステップをさらに備えたことを特徴とする方法。
- 請求項9において、前記電子コンポーネントの前記内部電極要素は、ニッケルを備え、前記アクティベートステップは、パラジウム塩への浸漬、パラジウム有機金属前駆物質のフォトパターン形成、パラジウム化合物のスクリーン印刷またはインクジェットデポジション、および電気泳動によるパラジウムデポジションよりなるグループから選択して、アクティベーション材料を適用するステップをさらに備えたことを特徴とする方法。
- 電子コンポーネント用の無電解めっきターミネーションを形成する方法であって、
複数の内部電極要素と選択的にインタリーブした複数のセラミック基板層を備えた複数の電子コンポーネントを提供するステップであって、前記内部電極要素の選択部分を電子コンポーネントの側面の選択ロケーションに露出させるステップと、
複数の電子コンポーネントの表面を洗浄するステップと、
アクティベーション材料を各電子コンポーネントの露出内部電極に適用するステップと、
ターミネーション材料を前記複数の電子コンポーネント上にデポジットして、露出内部電極要素の選択部分の間にブリッジドターミネーションを形成するため、前記複数の電子コンポーネントを前記無電解浴溶液中に予め定めた時間浸漬するステップと
を備えたことを特徴とする方法。 - 請求項12において、前記予め定めた時間は、約15分未満であることを特徴とする方法。
- 請求項12において、前記予め定めた時間は、約1ミクロンを超える厚さにターミネーション材料をデポジットするのに必要な時間に基き定めた時間であることを特徴とする方法。
- 請求項12において、前記複数の電子コンポーネントは、それぞれ約2から約4ミクロンまでの間の厚さを有するブリッジドターミネーションを得るため、前記無電解浴溶液の中に予め定めた時間浸漬されることを特徴とする方法。
- 請求項12において、前記無電解浴溶液は、ニッケルまたは銅イオン溶液を備えたことを特徴とする方法。
- 請求項12において、前記電子コンポーネントの前記内部電極要素は、ニッケルを備え、前記洗浄ステップは、それぞれの電子コンポーネントの側面の酸化ニッケルのデポジションも実質的に除去する化学研磨ステップを備えたことを特徴とする方法。
- 請求項12において、前記複数の電子コンポーネントを加熱して、それぞれのブリッジドターミネーションの前記電子コンポーネントへの付着性を向上させるステップをさらに備えたことを特徴とする方法。
- 請求項12において、前記アクティベーション材料を適用するステップは、金属塩への浸漬、有機金属前駆物質のフォトパターン形成、金属化合物のスクリーン印刷またはインクジェットデポジション、および電気泳動によるデポジションメタライゼーションよりなるグループから選択して適用することを特徴とする方法。
- 請求項12において、前記電子コンポーネントの前記内部電極要素は、ニッケルを備え、前記アクティベートするステップは、パラジウム塩への浸漬、パラジウム有機金属前駆物質のフォトパターン形成、パラジウム化合物のスクリーン印刷またはインクジェットデポジション、および電気泳動によるパラジウムデポジションよりなるグループから選択して、アクティベーション材料を適用するステップをさらに備えたことを特徴とする方法。
- 複数の横長のセラミック層を有する第1セラミック層群を複数有する複数第1セラミック層群と、
前記第1セラミック層群の間に複数の電極をインタリーブしてなる内部アセンブリであって、頂面と底面を特徴とする内部アセンブリであり、前記電極が、前記複数の電極を前記複数の第1セラミック層群の少なくとも1つの端部に延在させ露出させてなるタブを有する内部アセンブリと、
横長の第2セラミック層であって、前記内部アセンブリの頂面および底面のうちの選択した面に、当該多層電子コンポーネント用の少なくとも1つのカバー層として設けた第2セラミック層であり、前記内部アセンブリととともに、頂面および底面を有するモノリシックコンポーネントアセンブリを形成する第2セラミック層と、
めっきターミネーション材料の少なくとも1つの層であって、前記露出タブが前記めっきターミネーション材料の核形成およびガイド点となるように予め定めた間隔にある前記露出タブのうちの選択した露出タブを接続するための層と
を備えたことを特徴とする多層電子コンポーネント。 - 請求項21において、前記電極の前記露出タブは、前記内部アセンブリの選択された端部において列に整列し、前記列はそれぞれの幅を特徴とし、めっきターミネーション材料の少なくとも1つの層は、整列した列と実質的に同じ幅に形成されることを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項21において、前記第1および第2セラミック層の選択した端部に露出させた複数の内部アンカータブをさらに備えたことを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項21において、前記露出タブと、前記内部アンカータブの露出部分とは、前記モノリシックコンポーネントアセンブリの予め定めた端部において列状に整列することを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項24において、前記めっきターミネーション材料の少なくとも1つの層は、前記モノリシックコンポーネントアセンブリの最上位層から、前記列状に整列した露出タブと内部アンカータブに沿って、最下位層に至るように延在させたことを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項24において、前記モノリシックコンポーネントアセンブリの頂面および底面のうちの選択した面に設けた複数の外部アンカータブをさらに備え、
前記めっきターミネーション材料の少なくとも1つの層は、前記モノリシックコンポーネントアセンブリの最上位層から、前記列状に整列した露出タブと内部アンカータブに沿って、最下位層に至るようにラップアラウンドさせた
ことを特徴とする多層電子コンポーネント。 - 請求項26において、前記外部アンカータブは、前記モノリシックコンポーネントアセンブリの頂面および底面のうちのいずれかの面と実質的にフラッシュするように埋め込まれることを特徴とする多層素子。
- 請求項24において、前記モノリシックコンポーネントアセンブリの頂面および底面のうちの選択した面に設けた複数の外部アンカータブをさらに備え、
前記めっきターミネーション材料の少なくとも1つの層は、前記モノリシックコンポーネントアセンブリの最上位層から、前記列状に整列した露出タブと内部アンカータブに沿って、最下位層に至るようにラップアラウンドさせた
ことを特徴とする多層電子コンポーネント。 - 請求項28において、前記外部アンカータブは、前記モノリシックコンポーネントアセンブリの頂面および底面にこれら面と実質的にフラッシュするように埋め込まれることを特徴とする多層素子。
- 請求項24において、前記列状に整列した露出電極タブと露出内部アンカータブは、前記モノリシックコンポーネントアセンブリの側面において、互いに10ミクロン未満の間隔で露出することを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 横長で頂面および底面を有する複数の絶縁基板と、
該複数の絶縁基板とインタリーブした複数の電極であって、該複数の電極を前記複数の絶縁基板の少なくとも1つの端部まで延在させ露出させてなる露出電極タブを有する電極と、
前記露出電極タブに接続するための無電解めっきターミネーション材料の少なくとも1つの層であって、前記露出電極タブが前記めっきターミネーション材料の核形成およびガイド点となるように予め定めた間隔にある前記露出電極タブのうち選択した露出電極タブを接続するための層と
を備えたことを特徴とする多層電子コンポーネント。 - 請求項31において、前記複数の電極と露出電極タブは、全体的にJ字形状になるように構成したことを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項31において、前記複数の電極と露出電極タブは、全体的にT字形状になるように構成したことを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項31において、前記複数の電極と露出電極タブは、前記無電解めっきターミネーション材料の少なくとも1つの層が、前記多層電子コンポーネントの予め定めた側部に形成できるように、インタディジテイティド構成にしたことを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項31において、前記複数の電極と露出電極タブは、前記無電解めっきターミネーション材料の少なくとも2つの層を前記多層電子コンポーネントの予め定めた2つの側部にそれぞれ形成できるように、インタディジテイティド構成にしたことを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項31において、前記複数の電極と露出電極タブは、前記無電解めっきターミネーション材料の少なくとも4つの層が前記多層電子コンポーネントの予め定めた4つの側部にそれぞれ形成できるように、インタディジテイティド構成にしたことを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項31において、前記電極は、ニッケルを備えたことを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項37において、前記電極は、パラジウムドーパントをさらに備えたことを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項31において、無電解めっきターミネーション材料の少なくとも1つの層は、銅を備えたことを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項31において、無電解めっきターミネーション材料の少なくとも1つの層は、その層上に追加のターミネーション層をさらに備えたことを特徴とする多層電子コンポーネント。
- 請求項40において、無電解めっきターミネーション材料の少なくとも1つの層は、銅を備え、前記追加のターミネーション層は、ニッケル層およびスズ層を備えたことを特徴とする多層電子コンポーネント。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/409,023 US7152291B2 (en) | 2002-04-15 | 2003-04-08 | Method for forming plated terminations |
US10/632,514 US6960366B2 (en) | 2002-04-15 | 2003-08-01 | Plated terminations |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009156725A Division JP2009224802A (ja) | 2003-04-08 | 2009-07-01 | 無電解めっきターミネーションを形成する方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004312023A true JP2004312023A (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=46205142
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004113445A Pending JP2004312023A (ja) | 2003-04-08 | 2004-04-07 | めっきターミネーション |
JP2004114450A Expired - Lifetime JP4425688B2 (ja) | 2003-04-08 | 2004-04-08 | めっきターミネーション |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004114450A Expired - Lifetime JP4425688B2 (ja) | 2003-04-08 | 2004-04-08 | めっきターミネーション |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2004312023A (ja) |
KR (1) | KR20040087934A (ja) |
CN (1) | CN1540692B (ja) |
GB (1) | GB2400493B (ja) |
TW (1) | TWI368923B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007129224A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-24 | Avx Corp | 内部電流キャンセル機能および底面端子を有する積層セラミックコンデンサ |
JP2008047907A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Avx Corp | めっき終端および電解めっきを使用する形成方法 |
JP2010016101A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品の製造方法 |
JP2015142126A (ja) * | 2014-01-27 | 2015-08-03 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミックキャパシタ及びその実装基板 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006147901A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Murata Mfg Co Ltd | 積層電子部品、その製造方法およびその特性測定方法 |
JP2006253371A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Tdk Corp | 多端子型積層コンデンサ及びその製造方法 |
JP4539440B2 (ja) * | 2005-06-01 | 2010-09-08 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサの実装構造 |
JP4873007B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2012-02-08 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ |
US20090154056A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | General Electric Company | Low inductance capacitor and method of manufacturing same |
JP5239731B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2013-07-17 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
US8194391B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component and manufacturing method thereof |
JP4743222B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2011-08-10 | ソニー株式会社 | 可変容量素子及び、電子機器 |
JP5217677B2 (ja) | 2008-06-20 | 2013-06-19 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP5282634B2 (ja) | 2008-06-25 | 2013-09-04 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP5217692B2 (ja) | 2008-07-02 | 2013-06-19 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
JP2010118499A (ja) | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
KR101069989B1 (ko) | 2009-09-10 | 2011-10-04 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 및 회로 기판 장치 |
JP2012156315A (ja) | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP2012253245A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Tdk Corp | 積層電子部品及び積層電子部品の製造方法 |
JP2013021300A (ja) | 2011-06-16 | 2013-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP2013021299A (ja) | 2011-06-16 | 2013-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP2013051392A (ja) | 2011-08-02 | 2013-03-14 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP5794222B2 (ja) | 2012-02-03 | 2015-10-14 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
JP5796568B2 (ja) | 2012-02-03 | 2015-10-21 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
JP5799948B2 (ja) | 2012-02-03 | 2015-10-28 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
JP5971236B2 (ja) | 2013-03-26 | 2016-08-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びガラスペースト |
WO2015146814A1 (ja) | 2014-03-27 | 2015-10-01 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
JP6610663B2 (ja) | 2015-05-21 | 2019-11-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
CN107731524A (zh) * | 2016-08-10 | 2018-02-23 | 钰邦电子(无锡)有限公司 | 薄膜电容器及其制作方法 |
CN107768142A (zh) * | 2016-08-19 | 2018-03-06 | 钰邦电子(无锡)有限公司 | 用于提升介电常数的薄膜电容器及其制作方法 |
CN106960882B (zh) * | 2017-03-20 | 2018-06-15 | 河北盛平电子科技有限公司 | 一种表面金属化陶瓷立方体和制作方法 |
JP7151769B2 (ja) * | 2018-07-26 | 2022-10-12 | 株式会社Ihi | 金属部材の接合方法及び金属部材接合体 |
RU194681U1 (ru) * | 2019-09-02 | 2019-12-19 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации | Высоковольтный конденсатор |
JP2022085502A (ja) | 2020-11-27 | 2022-06-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
KR20220081632A (ko) * | 2020-12-09 | 2022-06-16 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
JP7400758B2 (ja) | 2021-03-16 | 2023-12-19 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01293503A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Murata Mfg Co Ltd | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
JPH02294007A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-05 | Tdk Corp | セラミック電子部品の電極形成方法 |
JPH09129476A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
JP2001155953A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Tdk Corp | 三次元搭載用多端子積層セラミックコンデンサ |
JP2001167969A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Tdk Corp | 三次元搭載用多端子積層セラミックコンデンサ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4064606A (en) * | 1975-07-14 | 1977-12-27 | Trw Inc. | Method for making multi-layer capacitors |
US4811162A (en) * | 1987-04-27 | 1989-03-07 | Engelhard Corporation | Capacitor end termination composition and method of terminating |
US4831494A (en) * | 1988-06-27 | 1989-05-16 | International Business Machines Corporation | Multilayer capacitor |
US5576053A (en) * | 1993-05-11 | 1996-11-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming an electrode on an electronic part |
-
2004
- 2004-03-17 GB GB0405993A patent/GB2400493B/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-07 JP JP2004113445A patent/JP2004312023A/ja active Pending
- 2004-04-08 JP JP2004114450A patent/JP4425688B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-08 TW TW093109808A patent/TWI368923B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-08 CN CN2004100325480A patent/CN1540692B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-08 KR KR1020040023937A patent/KR20040087934A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01293503A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Murata Mfg Co Ltd | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
JPH02294007A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-05 | Tdk Corp | セラミック電子部品の電極形成方法 |
JPH09129476A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
JP2001155953A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Tdk Corp | 三次元搭載用多端子積層セラミックコンデンサ |
JP2001167969A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Tdk Corp | 三次元搭載用多端子積層セラミックコンデンサ |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007129224A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-24 | Avx Corp | 内部電流キャンセル機能および底面端子を有する積層セラミックコンデンサ |
JP2008047907A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Avx Corp | めっき終端および電解めっきを使用する形成方法 |
JP2010016101A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品の製造方法 |
US8383195B2 (en) | 2008-07-02 | 2013-02-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Production method for laminated electronic component |
JP2015142126A (ja) * | 2014-01-27 | 2015-08-03 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミックキャパシタ及びその実装基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2400493A (en) | 2004-10-13 |
GB2400493B (en) | 2005-11-09 |
JP4425688B2 (ja) | 2010-03-03 |
TW200503010A (en) | 2005-01-16 |
JP2004327983A (ja) | 2004-11-18 |
CN1540692B (zh) | 2011-04-27 |
KR20040087934A (ko) | 2004-10-15 |
CN1540692A (zh) | 2004-10-27 |
TWI368923B (en) | 2012-07-21 |
GB0405993D0 (en) | 2004-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004312023A (ja) | めっきターミネーション | |
JP4996036B2 (ja) | めっき端子 | |
US6960366B2 (en) | Plated terminations | |
US6972942B2 (en) | Plated terminations | |
US7177137B2 (en) | Plated terminations | |
US7576968B2 (en) | Plated terminations and method of forming using electrolytic plating | |
JP2009224802A (ja) | 無電解めっきターミネーションを形成する方法 | |
JP2004040085A (ja) | メッキ技術によるコンポーネント形成 | |
JP2004282005A (ja) | 多層電子デバイス及び多層コンデンサ | |
JP5223148B2 (ja) | 電気コンポーネント、ならびに電気コンポーネントの外側接触部 | |
JP5707710B2 (ja) | 積層型チップ部品 | |
JP2006041320A (ja) | 積層型インダクタ | |
GB2406714A (en) | Multilayer electronic component with tab portions |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080129 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080430 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080507 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080528 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080602 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080630 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090601 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20090602 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090602 |