JPH04277607A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
- Publication number
- JPH04277607A JPH04277607A JP3963191A JP3963191A JPH04277607A JP H04277607 A JPH04277607 A JP H04277607A JP 3963191 A JP3963191 A JP 3963191A JP 3963191 A JP3963191 A JP 3963191A JP H04277607 A JPH04277607 A JP H04277607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film layer
- electrode
- chip
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
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Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チップコイルやチップ
コンデンサ等の電子部品、特に外部接続用の端子として
機能する電極の構造に関する。
コンデンサ等の電子部品、特に外部接続用の端子として
機能する電極の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、セラミックを基体とするチップタ
イプの電子部品、例えば、チップコイルの外部接続用電
極は、導電性(Ag,Ag−Pd)ペーストを塗布して
焼き付けた厚膜電極上にNiの電解めっき層さらにはS
nの電解めっき層を設けたものが実用に供されていた。 しかし、このような電極にあっては、導電性ペーストの
厚みを正確にコントロールすることが困難であり、小型
のチップタイプとして必要な寸法精度が得られず、しか
も製造工程がいくつかに分断されてしまうという問題点
を有している。
イプの電子部品、例えば、チップコイルの外部接続用電
極は、導電性(Ag,Ag−Pd)ペーストを塗布して
焼き付けた厚膜電極上にNiの電解めっき層さらにはS
nの電解めっき層を設けたものが実用に供されていた。 しかし、このような電極にあっては、導電性ペーストの
厚みを正確にコントロールすることが困難であり、小型
のチップタイプとして必要な寸法精度が得られず、しか
も製造工程がいくつかに分断されてしまうという問題点
を有している。
【0003】そこで、最近では、それぞれの電極層を無
電解めっき、スパッタリング、イオンプレーティング、
蒸着等で薄膜形成することが試みられている。いずれの
形成方法においても半田耐熱性に優れた材料としてNi
が使用される。しかし、Niを使用するとしても、通常
必要とされる耐熱特性を得るには1μmの膜厚を必要と
し、この程度の膜厚を高速で安定して形成することは極
めて困難である。
電解めっき、スパッタリング、イオンプレーティング、
蒸着等で薄膜形成することが試みられている。いずれの
形成方法においても半田耐熱性に優れた材料としてNi
が使用される。しかし、Niを使用するとしても、通常
必要とされる耐熱特性を得るには1μmの膜厚を必要と
し、この程度の膜厚を高速で安定して形成することは極
めて困難である。
【0004】
【発明の目的、構成、作用】本発明の目的は、成膜工程
を効率的に処理でき、安定した特性を有し、信頼性の高
い薄膜電極を備えた電子部品を提供することにある。以
上の目的を達成するため、本発明に係る電子部品は、電
子部品の基体表面に形成された外部接続用端子として機
能する電極が、約7〜35wt%のCrを含むNi−C
rからなる第1薄膜層と、その上に形成されたAgから
なる第2薄膜層とを備えている。
を効率的に処理でき、安定した特性を有し、信頼性の高
い薄膜電極を備えた電子部品を提供することにある。以
上の目的を達成するため、本発明に係る電子部品は、電
子部品の基体表面に形成された外部接続用端子として機
能する電極が、約7〜35wt%のCrを含むNi−C
rからなる第1薄膜層と、その上に形成されたAgから
なる第2薄膜層とを備えている。
【0005】以上の薄膜電極構造は、第1薄膜層及び第
2薄膜層を、例えばスパッタリングによって連続的に形
成でき、大きさ、厚みを精度良くコントロール可能であ
る。Ni−Crからなる第1薄膜層は電子部品の基体(
例えば、フェライト、セラミック)との固着力が強く、
半田耐熱性が大きい。Agからなる第2薄膜層は半田付
け性が良好であり、ハロゲン含有量の少ないフラックス
を使用しても半田付けが可能である。
2薄膜層を、例えばスパッタリングによって連続的に形
成でき、大きさ、厚みを精度良くコントロール可能であ
る。Ni−Crからなる第1薄膜層は電子部品の基体(
例えば、フェライト、セラミック)との固着力が強く、
半田耐熱性が大きい。Agからなる第2薄膜層は半田付
け性が良好であり、ハロゲン含有量の少ないフラックス
を使用しても半田付けが可能である。
【0006】
【実施例】以下、本発明に係る電子部品の実施例につき
添付図面に従って説明する。 [第1実施例、図1参照]第1実施例は本発明をチップ
コイルに適用したもので、フェライト製のボビン1にコ
イル5を巻回し、下鍔部2にその側面から底面にわたっ
て一対の電極3,3が形成されている。コイル5の端末
は、図示されていないが、電極3,3へ半田付けされて
いる。
添付図面に従って説明する。 [第1実施例、図1参照]第1実施例は本発明をチップ
コイルに適用したもので、フェライト製のボビン1にコ
イル5を巻回し、下鍔部2にその側面から底面にわたっ
て一対の電極3,3が形成されている。コイル5の端末
は、図示されていないが、電極3,3へ半田付けされて
いる。
【0007】電極3は第1薄膜層3aとその上に形成し
た第2薄膜層3bにて構成されている。第1薄膜層3a
は約7〜35wt%のCrを含むNi−Crによる真空
中のスパッタリングにて形成されている。第2薄膜層3
bはAgによる真空中のスパッタリングにて形成されて
いる。スパッタリングにおいては、多ターゲット・スパ
ッタリング装置を用い、電極3以外の部分をマスキング
し、Ni−Cr、Agの順序でスパッタリングを連続的
に行なう。スパッタリング終了後は装置内において10
−7〜10−2torrで放置し、温度が約120℃に
下がったとき取り出した。これによって、第1薄膜層3
a及び第2薄膜層3bが所定の形状及び膜厚に精度良く
形成される。
た第2薄膜層3bにて構成されている。第1薄膜層3a
は約7〜35wt%のCrを含むNi−Crによる真空
中のスパッタリングにて形成されている。第2薄膜層3
bはAgによる真空中のスパッタリングにて形成されて
いる。スパッタリングにおいては、多ターゲット・スパ
ッタリング装置を用い、電極3以外の部分をマスキング
し、Ni−Cr、Agの順序でスパッタリングを連続的
に行なう。スパッタリング終了後は装置内において10
−7〜10−2torrで放置し、温度が約120℃に
下がったとき取り出した。これによって、第1薄膜層3
a及び第2薄膜層3bが所定の形状及び膜厚に精度良く
形成される。
【0008】第1薄膜層3aを構成するNi−Crはフ
ェライト素地との密着力が強く、半田耐熱性、非磁性、
高抵抗という優れた特性を有し、渦電流損が極めて小さ
く、チップコイルのQの変化がない。第2薄膜層3bを
構成するAgはコイル5の端末との半田付け及び回路基
板への半田付けを良好なものとする機能を有する。第1
薄膜層3aを4000オングストロームの膜厚、第2薄
膜層3bを2000オングストロームの膜厚とした場合
、3kg/mm2以上のボビン素地への固着力が得られ
、270℃の半田(Sn:Pb=60:40)中に30
秒浸漬しても不良品の発生はなかった。第1薄膜層3a
をNiのみで形成すると、4000オングストローム程
度の膜厚では固着力の不足等の不良が発生し、第1薄膜
層3aとしてはCrが少なくとも7wt%含有されてい
ることが好ましい。また、Ni−Crからなる第1薄膜
層3aのみでは、ハロゲン含有量の多い高活性フラック
スを使用しなければ半田付けが不可能であるが、Agを
第2薄膜層3bとして形成することにより、ハロゲン含
有量が0.01wt%以下のフラックスであっても半田
付けが可能となる。
ェライト素地との密着力が強く、半田耐熱性、非磁性、
高抵抗という優れた特性を有し、渦電流損が極めて小さ
く、チップコイルのQの変化がない。第2薄膜層3bを
構成するAgはコイル5の端末との半田付け及び回路基
板への半田付けを良好なものとする機能を有する。第1
薄膜層3aを4000オングストロームの膜厚、第2薄
膜層3bを2000オングストロームの膜厚とした場合
、3kg/mm2以上のボビン素地への固着力が得られ
、270℃の半田(Sn:Pb=60:40)中に30
秒浸漬しても不良品の発生はなかった。第1薄膜層3a
をNiのみで形成すると、4000オングストローム程
度の膜厚では固着力の不足等の不良が発生し、第1薄膜
層3aとしてはCrが少なくとも7wt%含有されてい
ることが好ましい。また、Ni−Crからなる第1薄膜
層3aのみでは、ハロゲン含有量の多い高活性フラック
スを使用しなければ半田付けが不可能であるが、Agを
第2薄膜層3bとして形成することにより、ハロゲン含
有量が0.01wt%以下のフラックスであっても半田
付けが可能となる。
【0009】[第2実施例、図2参照]第2実施例は本
発明をチップコンデンサに適用したもので、セラミック
素体10内に、図示されていないが、内部電極が埋設さ
れている。電極13,13はセラミック素体10の両端
部に形成され、内部電極と電気的に接続されている。電
極13は第1薄膜層13aと第2薄膜層13bにて構成
され、その形成方法、作用、効果とも前記第1実施例に
示した第1薄膜層3a、第2薄膜層3bと同じである。
発明をチップコンデンサに適用したもので、セラミック
素体10内に、図示されていないが、内部電極が埋設さ
れている。電極13,13はセラミック素体10の両端
部に形成され、内部電極と電気的に接続されている。電
極13は第1薄膜層13aと第2薄膜層13bにて構成
され、その形成方法、作用、効果とも前記第1実施例に
示した第1薄膜層3a、第2薄膜層3bと同じである。
【0010】[他の実施例]なお、本発明に係る電子部
品は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範
囲内で種々に変更することができる。特に、第1薄膜層
、第2薄膜層の形成方法としては、真空スパッタリング
以外に、蒸着、イオンプレーティング、プラズマCVD
、放電溶着によることもできる。また、本発明はインダ
クタ、コンデンサ以外に種々のチップタイプの電子部品
に広く適用可能である。
品は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範
囲内で種々に変更することができる。特に、第1薄膜層
、第2薄膜層の形成方法としては、真空スパッタリング
以外に、蒸着、イオンプレーティング、プラズマCVD
、放電溶着によることもできる。また、本発明はインダ
クタ、コンデンサ以外に種々のチップタイプの電子部品
に広く適用可能である。
【0011】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、外部電極を約7〜35wt%のCrを含むNi
−Crからなる第1薄膜層とAgからなる第2薄膜層と
で構成したため、2つの層を同じ方法で、連続的に、か
つ、所定の形状、厚さに精度良く形成できる。また、こ
のような薄膜電極は、半田耐熱性に優れ、安定した性能
を発揮する。
よれば、外部電極を約7〜35wt%のCrを含むNi
−Crからなる第1薄膜層とAgからなる第2薄膜層と
で構成したため、2つの層を同じ方法で、連続的に、か
つ、所定の形状、厚さに精度良く形成できる。また、こ
のような薄膜電極は、半田耐熱性に優れ、安定した性能
を発揮する。
【図1】第1実施例としてのチップコイルを示す正面図
で、コイルは切り欠かれている。
で、コイルは切り欠かれている。
【図2】第2実施例としてのチップコンデンサを示す正
面図。
面図。
3,13…電極
3a,13a…第1薄膜層
3b,13b…第2薄膜層
Claims (1)
- 【請求項1】 電子部品の基体表面に形成された外部
接続用端子として機能する電極が、約7〜35wt%の
Crを含むNi−Crからなる第1薄膜層と、その上に
形成されたAgからなる第2薄膜層とを備えていること
を特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3963191A JPH04277607A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3963191A JPH04277607A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04277607A true JPH04277607A (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=12558446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3963191A Pending JPH04277607A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04277607A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015115341A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | インダクタンス素子及びインダクタンス素子の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60195917A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-04 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
JPS63220506A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | チツプ型インダクタ |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP3963191A patent/JPH04277607A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60195917A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-04 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
JPS63220506A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | チツプ型インダクタ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015115341A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | インダクタンス素子及びインダクタンス素子の製造方法 |
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