JP2000353931A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents
電子部品及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000353931A JP2000353931A JP16590899A JP16590899A JP2000353931A JP 2000353931 A JP2000353931 A JP 2000353931A JP 16590899 A JP16590899 A JP 16590899A JP 16590899 A JP16590899 A JP 16590899A JP 2000353931 A JP2000353931 A JP 2000353931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- base film
- electrode base
- tungsten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックスとの密着強度等に優れ、かつ、
膜厚精度が高い電極下地膜を有する電子部品及びその製
造方法を得る。 【解決手段】 振動電極膜２ａは、圧電セラミックス基
板１の表面に、電極下地膜２１を介して形成される。電
極下地膜２１及び振動電極膜２ａは、スパッタリング法
によって形成される。電極下地膜２１はタングステンを
１９〜２０重量％含有したニッケル−タングステン系合
金からなる。そして、電極下地膜２１の膜厚は、０．１
〜０．３μｍの範囲内に入るように設定される。
膜厚精度が高い電極下地膜を有する電子部品及びその製
造方法を得る。 【解決手段】 振動電極膜２ａは、圧電セラミックス基
板１の表面に、電極下地膜２１を介して形成される。電
極下地膜２１及び振動電極膜２ａは、スパッタリング法
によって形成される。電極下地膜２１はタングステンを
１９〜２０重量％含有したニッケル−タングステン系合
金からなる。そして、電極下地膜２１の膜厚は、０．１
〜０．３μｍの範囲内に入るように設定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品、特に、
セラミックス表面に電極膜を設けた電子部品及びその製
造方法に関する。
セラミックス表面に電極膜を設けた電子部品及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品において、一般に、セラミック
ス表面に電極膜を設ける場合、電極膜の材料としてＡｇ
やＣｕ等の貴金属が用いられる。このとき、電極膜とセ
ラミックスとの密着強度の向上及び電極膜の耐はんだ喰
れ性の向上等を目的として、通常、セラミックス表面と
電極膜との間に電極下地膜を配設する。従来、この電極
下地膜の材料としては、例えば、ニッケルを主成分とす
る卑金属粉末に、硼化物粉末や炭化物粉末等を含有させ
た電極ペースト、あるいは、薄膜用にはニッケル−クロ
ム系合金やニッケル−銅系合金が用いられていた。
ス表面に電極膜を設ける場合、電極膜の材料としてＡｇ
やＣｕ等の貴金属が用いられる。このとき、電極膜とセ
ラミックスとの密着強度の向上及び電極膜の耐はんだ喰
れ性の向上等を目的として、通常、セラミックス表面と
電極膜との間に電極下地膜を配設する。従来、この電極
下地膜の材料としては、例えば、ニッケルを主成分とす
る卑金属粉末に、硼化物粉末や炭化物粉末等を含有させ
た電極ペースト、あるいは、薄膜用にはニッケル−クロ
ム系合金やニッケル−銅系合金が用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電極下地膜の材料のうち、ニッケルを主成分とする卑金
属粉末に硼化物粉末や炭化物粉末等を含有させた電極ペ
ーストは、塗布法で成膜するため、電極下地膜の膜厚精
度が低いという問題があった。また、ニッケル−クロム
系合金等はエッチング性が劣り、特に環境問題の観点か
らもクロムは使用しない方が好ましい。また、ニッケル
−銅系合金は密着強度がやや弱かった。
電極下地膜の材料のうち、ニッケルを主成分とする卑金
属粉末に硼化物粉末や炭化物粉末等を含有させた電極ペ
ーストは、塗布法で成膜するため、電極下地膜の膜厚精
度が低いという問題があった。また、ニッケル−クロム
系合金等はエッチング性が劣り、特に環境問題の観点か
らもクロムは使用しない方が好ましい。また、ニッケル
−銅系合金は密着強度がやや弱かった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、セラミックスと
の密着強度等に優れ、かつ、膜厚精度が高い電極下地膜
を有する電子部品及びその製造方法を提供することにあ
る。
の密着強度等に優れ、かつ、膜厚精度が高い電極下地膜
を有する電子部品及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するため、本発明に係る電子部品は、セラミックス表面
に、タングステンを１９〜２０重量％含有したニッケル
−タングステン系合金からなる電極下地膜を介して電極
膜を設けている。そして、信頼性の観点から、電極下地
膜の膜厚は、０．１〜０．３μｍであることが好まし
い。以上の構成において、ニッケル−タングステン系合
金は、セラミックスとの密着強度が強く、耐はんだ喰れ
性にも優れている。
するため、本発明に係る電子部品は、セラミックス表面
に、タングステンを１９〜２０重量％含有したニッケル
−タングステン系合金からなる電極下地膜を介して電極
膜を設けている。そして、信頼性の観点から、電極下地
膜の膜厚は、０．１〜０．３μｍであることが好まし
い。以上の構成において、ニッケル−タングステン系合
金は、セラミックスとの密着強度が強く、耐はんだ喰れ
性にも優れている。
【０００６】また、本発明に係る電子部品の製造方法
は、セラミックス表面に、タングステンを１９〜２０重
量％含有したニッケル−タングステン系合金からなる電
極下地膜をスパッタリング法で形成する。以上の方法に
より、膜厚精度が高い電極下地膜が形成される。
は、セラミックス表面に、タングステンを１９〜２０重
量％含有したニッケル−タングステン系合金からなる電
極下地膜をスパッタリング法で形成する。以上の方法に
より、膜厚精度が高い電極下地膜が形成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電子部品及び
その製造方法の一実施形態について添付図面を参照して
説明する。本実施形態では、圧電部品を例にして説明す
るが、コンデンサやインダクタ等のように、セラミック
ス表面に電極膜を設ける電子部品であれば種類は問わな
い。
その製造方法の一実施形態について添付図面を参照して
説明する。本実施形態では、圧電部品を例にして説明す
るが、コンデンサやインダクタ等のように、セラミック
ス表面に電極膜を設ける電子部品であれば種類は問わな
い。
【０００８】［圧電部品の構成］図１に示すように、圧
電部品１８は、振動電極膜２ａ，２ｂを表裏面に設けた
圧電セラミックス基板１と、２枚の外装セラミックス基
板１２，１３とで構成されている。圧電セラミックス基
板１にはＰＺＴ等のセラミックス基板が使用され、外装
セラミックス基板１２，１３には、アルミナ等のセラミ
ックス基板が使用される。振動電極膜２ａ，２ｂは厚み
すべり振動モードを利用して振動する。
電部品１８は、振動電極膜２ａ，２ｂを表裏面に設けた
圧電セラミックス基板１と、２枚の外装セラミックス基
板１２，１３とで構成されている。圧電セラミックス基
板１にはＰＺＴ等のセラミックス基板が使用され、外装
セラミックス基板１２，１３には、アルミナ等のセラミ
ックス基板が使用される。振動電極膜２ａ，２ｂは厚み
すべり振動モードを利用して振動する。
【０００９】圧電セラミックス基板１は外装セラミック
ス基板１２，１３にて挟まれ、接着剤を利用して積層体
とされる。振動電極膜２ａ，２ｂが振動するための空間
は、接着剤の厚みを利用して確保される。
ス基板１２，１３にて挟まれ、接着剤を利用して積層体
とされる。振動電極膜２ａ，２ｂが振動するための空間
は、接着剤の厚みを利用して確保される。
【００１０】図２に示すように、この積層体の左右にそ
れぞれ、外部電極膜１４，１５が形成される。外部電極
膜１４には振動電極膜２ｂの引出し部３ｂが電気的に接
続され、外部電極膜１５には振動電極２ａの引出し部３
ａが電気的に接続される。こうして、圧電部品１８が得
られる。
れぞれ、外部電極膜１４，１５が形成される。外部電極
膜１４には振動電極膜２ｂの引出し部３ｂが電気的に接
続され、外部電極膜１５には振動電極２ａの引出し部３
ａが電気的に接続される。こうして、圧電部品１８が得
られる。
【００１１】［電極膜の形成］以上の構成からなる圧電
部品１８において、振動電極膜２ａ，２ｂ及び外部電極
膜１４，１５の形成について以下に詳説する。なお、以
下の説明では、振動電極膜２ａを圧電セラミックス基板
１の表面に形成する場合を例にして説明するが、他の電
極膜２ｂ，１４，１５についても同様である。
部品１８において、振動電極膜２ａ，２ｂ及び外部電極
膜１４，１５の形成について以下に詳説する。なお、以
下の説明では、振動電極膜２ａを圧電セラミックス基板
１の表面に形成する場合を例にして説明するが、他の電
極膜２ｂ，１４，１５についても同様である。
【００１２】図３に示すように、振動電極膜２ａは、圧
電セラミックス基板１の表面に、ニッケル−タングステ
ン系合金からなる電極下地膜２１を介して形成される。
タングステンは優れた親和性と活性化エネルギー特性を
有しており、セラミックスに含有する酸素と強い化学結
合をする。また、耐はんだ喰れ性にも優れている。電極
下地膜２１及び振動電極膜２ａは、膜厚精度が高い成膜
工法として知られる、スパッタリング法によって形成さ
れる。両者の膜形成工程は、真空状態を維持したまま、
連続した工程とされる。電極下地膜２１のニッケル−タ
ングステン系合金表面を大気に晒すと、表面が酸化して
振動電極膜２ａとの密着強度が不安定になるおそれがあ
るからである。
電セラミックス基板１の表面に、ニッケル−タングステ
ン系合金からなる電極下地膜２１を介して形成される。
タングステンは優れた親和性と活性化エネルギー特性を
有しており、セラミックスに含有する酸素と強い化学結
合をする。また、耐はんだ喰れ性にも優れている。電極
下地膜２１及び振動電極膜２ａは、膜厚精度が高い成膜
工法として知られる、スパッタリング法によって形成さ
れる。両者の膜形成工程は、真空状態を維持したまま、
連続した工程とされる。電極下地膜２１のニッケル−タ
ングステン系合金表面を大気に晒すと、表面が酸化して
振動電極膜２ａとの密着強度が不安定になるおそれがあ
るからである。
【００１３】ここに、電極下地膜２１の特性として、エ
ッチングスピードが速く、かつ、比抵抗の小さいものが
好ましいため、電極下地膜２１はタングステンを１９〜
２０重量％含有したニッケル−タングステン系合金から
なるように設定する。この合金組成は、従来のニッケル
−クロム系合金と比較して、良好なエッチング性及び比
抵抗を有する。また、この合金組成は、クロムを７重量
％含有したニッケル−クロム系合金と同等の飽和磁化の
値を有し、電極下地膜２１を強磁性体としないため、本
実施形態の成膜装置として用いた非磁性用のマグネトロ
ンスパッタリング装置に好適の合金組成である。
ッチングスピードが速く、かつ、比抵抗の小さいものが
好ましいため、電極下地膜２１はタングステンを１９〜
２０重量％含有したニッケル−タングステン系合金から
なるように設定する。この合金組成は、従来のニッケル
−クロム系合金と比較して、良好なエッチング性及び比
抵抗を有する。また、この合金組成は、クロムを７重量
％含有したニッケル−クロム系合金と同等の飽和磁化の
値を有し、電極下地膜２１を強磁性体としないため、本
実施形態の成膜装置として用いた非磁性用のマグネトロ
ンスパッタリング装置に好適の合金組成である。
【００１４】図４は、ニッケル−タングステン系合金の
Ｏｅ−ｋＧ曲線を示すグラフである。図４において、曲
線３１はタングステンの含有量が２０重量％の場合、曲
線３２はタングステンの含有量が１９．５重量％の場
合、曲線３３はタングステンの含有量が１９重量％の場
合である。非磁性用のマグネトロンスパッタリング装置
に適した飽和磁化の値は経験上７Ｏｅにおいて略０．８
ｋＧ以下が好ましいといわれている。従って、タングス
テンの含有量は２０重量％以下にした。一方、電極下地
膜２１の密着強度は、タングステンの含有量が多いほう
が良くなるため、１９重量％以上にした。
Ｏｅ−ｋＧ曲線を示すグラフである。図４において、曲
線３１はタングステンの含有量が２０重量％の場合、曲
線３２はタングステンの含有量が１９．５重量％の場
合、曲線３３はタングステンの含有量が１９重量％の場
合である。非磁性用のマグネトロンスパッタリング装置
に適した飽和磁化の値は経験上７Ｏｅにおいて略０．８
ｋＧ以下が好ましいといわれている。従って、タングス
テンの含有量は２０重量％以下にした。一方、電極下地
膜２１の密着強度は、タングステンの含有量が多いほう
が良くなるため、１９重量％以上にした。
【００１５】従って、電極下地膜２１用のスパッタリン
グターゲットとしてタングステンを１９〜２０重量％含
有したニッケル−タングステン系合金材を使用する。ス
パッタリング法は、ターゲット組成と略同様の組成の膜
を容易に形成することができるからである。その他のス
パッタリング条件は、例えば、以下に示すとおりであ
る。 スパッタリングガス ：Ａｒ（１００％） スパッタリングガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ
グターゲットとしてタングステンを１９〜２０重量％含
有したニッケル−タングステン系合金材を使用する。ス
パッタリング法は、ターゲット組成と略同様の組成の膜
を容易に形成することができるからである。その他のス
パッタリング条件は、例えば、以下に示すとおりであ
る。 スパッタリングガス ：Ａｒ（１００％） スパッタリングガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ
【００１６】なお、スパッタリングの際、圧電セラミッ
クス基板１を加熱すれば、電極下地膜２１と圧電セラミ
ックス基板１との密着強度をさらにアップさせることが
できる。しかし、圧電セラミックス基板１を加熱する
と、圧電特性への影響が避けられないため、この点を考
慮して基板１を加熱するかどうかを決める。
クス基板１を加熱すれば、電極下地膜２１と圧電セラミ
ックス基板１との密着強度をさらにアップさせることが
できる。しかし、圧電セラミックス基板１を加熱する
と、圧電特性への影響が避けられないため、この点を考
慮して基板１を加熱するかどうかを決める。
【００１７】以上のスパッタリング条件の下で、圧電セ
ラミックス基板１の表面全面に電極下地膜２１を形成す
る。電極下地膜２１の膜厚は、機械的強度や電気的特性
等の信頼性（さらに、リード端子を振動電極膜２ａ，２
ｂの引出し部３ａ，３ｂにはんだ付けする場合、あるい
は、外部電極膜１４，１５の電極下地膜の場合は、耐は
んだ喰れ性の観点から、使用するはんだ材料等）を考慮
して所定の値に設定される。本実施形態の場合、図５及
び図６にそれぞれ示した高温放置（１５０℃）及びはん
だ付け（３５０℃）による電極下地膜２１のはんだ喰れ
量の変化のグラフから、電極下地膜２１の膜厚を０．１
〜０．３μｍにした。
ラミックス基板１の表面全面に電極下地膜２１を形成す
る。電極下地膜２１の膜厚は、機械的強度や電気的特性
等の信頼性（さらに、リード端子を振動電極膜２ａ，２
ｂの引出し部３ａ，３ｂにはんだ付けする場合、あるい
は、外部電極膜１４，１５の電極下地膜の場合は、耐は
んだ喰れ性の観点から、使用するはんだ材料等）を考慮
して所定の値に設定される。本実施形態の場合、図５及
び図６にそれぞれ示した高温放置（１５０℃）及びはん
だ付け（３５０℃）による電極下地膜２１のはんだ喰れ
量の変化のグラフから、電極下地膜２１の膜厚を０．１
〜０．３μｍにした。
【００１８】こうして形成された電極下地膜２１の表面
全面に、さらに、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなる振
動電極膜２ａがスパッタリング法により形成される。こ
の後、圧電セラミックス基板１はスパッタリング装置か
ら取り出され、電極下地膜２１と振動電極膜２ａがエッ
チング処理される。こうして、引出し部３ａを有した円
形の振動電極膜２ａが、圧電セラミックス基板１の表面
に電極下地膜２１を介して形成される。
全面に、さらに、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなる振
動電極膜２ａがスパッタリング法により形成される。こ
の後、圧電セラミックス基板１はスパッタリング装置か
ら取り出され、電極下地膜２１と振動電極膜２ａがエッ
チング処理される。こうして、引出し部３ａを有した円
形の振動電極膜２ａが、圧電セラミックス基板１の表面
に電極下地膜２１を介して形成される。
【００１９】以上のように、電極下地膜２１の材料とし
て、タングステンを１９〜２０重量％含有したニッケル
−タングステン系合金を用いることにより、セラミック
スとの密着強度が強く、エッチング性や電気特性や耐は
んだ喰れ性に優れた振動電極膜２ａが得られる。
て、タングステンを１９〜２０重量％含有したニッケル
−タングステン系合金を用いることにより、セラミック
スとの密着強度が強く、エッチング性や電気特性や耐は
んだ喰れ性に優れた振動電極膜２ａが得られる。
【００２０】なお、本発明に係る電子部品及びその製造
方法は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨
の範囲内で種々に変更することができる。前記実施形態
は、圧電セラミックス基板１の表面全面に電極下地膜２
１や振動電極膜２ａを形成した後、必要な部分を残して
エッチングで取り除く方法である。しかし、スパッタリ
ングの際に、所望の形状の開口部を有したマスキング材
を圧電セラミックス基板１の表面に被せ、必要な部分に
のみ電極下地膜２１や振動電極膜２ａを形成する方法で
あってもよい。
方法は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨
の範囲内で種々に変更することができる。前記実施形態
は、圧電セラミックス基板１の表面全面に電極下地膜２
１や振動電極膜２ａを形成した後、必要な部分を残して
エッチングで取り除く方法である。しかし、スパッタリ
ングの際に、所望の形状の開口部を有したマスキング材
を圧電セラミックス基板１の表面に被せ、必要な部分に
のみ電極下地膜２１や振動電極膜２ａを形成する方法で
あってもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、セラミックス表面に、タングステンを１９〜２
０重量％含有したニッケル−タングステン系合金からな
る電極下地膜を介して電極膜を設けたので、セラミック
スとの密着強度が強く、耐はんだ喰れ性やエッチング性
や電気特性に優れた電極膜を得ることができる。また、
タングステンを１９〜２０重量％含有したニッケル−タ
ングステン系合金からなる電極下地膜をスパッタリング
法で形成することにより、膜厚精度が高い電極下地膜を
形成することができる。
よれば、セラミックス表面に、タングステンを１９〜２
０重量％含有したニッケル−タングステン系合金からな
る電極下地膜を介して電極膜を設けたので、セラミック
スとの密着強度が強く、耐はんだ喰れ性やエッチング性
や電気特性に優れた電極膜を得ることができる。また、
タングステンを１９〜２０重量％含有したニッケル−タ
ングステン系合金からなる電極下地膜をスパッタリング
法で形成することにより、膜厚精度が高い電極下地膜を
形成することができる。
【図１】本発明に係る電子部品の一実施形態である圧電
部品の構成を示す分解斜視図。
部品の構成を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した圧電部品の外観を示す斜視図。
【図３】セラミックス表面に電極膜を形成する方法を示
す一部拡大断面図。
す一部拡大断面図。
【図４】ニッケル−タングステン系合金のＯｅ−ｋＧ曲
線を示すグラフ。
線を示すグラフ。
【図５】高温放置による電極下地膜のはんだ喰れ量の変
化を示すグラフ。
化を示すグラフ。
【図６】はんだ付けによる電極下地膜のはんだ喰れ量の
変化を示すグラフ。
変化を示すグラフ。
１…圧電セラミックス基板 ２ａ，２ｂ…振動電極膜 １２，１３…外装セラミックス基板 １４，１５…外部電極膜 １８…圧電部品 ２１…電極下地膜
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックス表面に、タングステンを１
９〜２０重量％含有したニッケル−タングステン系合金
からなる電極下地膜を介して、電極膜を設けたことを特
徴とする電子部品。 - 【請求項２】 前記電極下地膜の膜厚が０．１〜０．３
μｍであることを特徴とする請求項１記載の電子部品。 - 【請求項３】 セラミックス表面に、タングステンを１
９〜２０重量％含有したニッケル−タングステン系合金
からなる電極下地膜をスパッタリング法で形成したこと
を特徴とする電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16590899A JP2000353931A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16590899A JP2000353931A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 電子部品及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353931A true JP2000353931A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=15821302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16590899A Pending JP2000353931A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000353931A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046365A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 水晶振動子用２層電極膜 |
| US6674336B2 (en) | 2001-04-13 | 2004-01-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reciprocal circuit element and communication device |
| JP2011250390A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-12-08 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス |
-
1999
- 1999-06-11 JP JP16590899A patent/JP2000353931A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6674336B2 (en) | 2001-04-13 | 2004-01-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reciprocal circuit element and communication device |
| JP2003046365A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 水晶振動子用２層電極膜 |
| JP2011250390A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-12-08 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000353931A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP3489002B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP2000353932A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JPH08222402A (ja) | 電子部品の電極構造及び圧電共振素子の振動電極構造 | |
| JP3037672B2 (ja) | インクジェットプリンタのヘッドにおけるアクチュエ―タの製造方法 | |
| JP2000353933A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JPH10208906A (ja) | 温度センサ | |
| JP3427038B2 (ja) | 圧電装置の製造方法 | |
| JPS63172401A (ja) | チツプ抵抗器、その集合体及びチツプ抵抗器の製造方法 | |
| JP3944401B2 (ja) | フレキシブルプリント基板及びその製造方法 | |
| JPH0629769A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JP5346408B2 (ja) | 電気抵抗膜を備えた金属箔及びその製造方法 | |
| JPS6132752A (ja) | セラミツクス回路板の製法 | |
| JPS60211068A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPS63219181A (ja) | 圧電セラミクスの電極及びその形成方法 | |
| JP2976048B2 (ja) | チップ型セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP2003147573A (ja) | 電子部品の製造方法、及び電子部品 | |
| JPH04277607A (ja) | 電子部品 | |
| JP2002252390A (ja) | 圧電部品の電極形成方法 | |
| JP4953112B2 (ja) | 導電性セラミックと電極端子の接合構造およびその製造方法 | |
| JPH0783172B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPH047082B2 (ja) | ||
| JPH02222188A (ja) | 抵抗体内蔵の回路基板及びその製造方法 | |
| JP3061090B2 (ja) | 電気接点材料の製造方法 | |
| JP2002343668A (ja) | 電子部品と回路基板および電子部品の実装体 |