JPH0629769A - チップ型電子部品 - Google Patents
チップ型電子部品Info
- Publication number
- JPH0629769A JPH0629769A JP20753392A JP20753392A JPH0629769A JP H0629769 A JPH0629769 A JP H0629769A JP 20753392 A JP20753392 A JP 20753392A JP 20753392 A JP20753392 A JP 20753392A JP H0629769 A JPH0629769 A JP H0629769A
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- JP
- Japan
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- thin film
- electrode layer
- film electrode
- electronic component
- chip
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低抵抗で、かつ、セラミックケースへの接着
強度に優れた外部電極、及びさらに半田濡れ性にも優れ
た外部電極を形成する。 【構成】 Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及び
これらの合金のいずれか１種からなる第１薄膜電極層１
をセラミックケースＢ上に形成するとともに、第１薄膜
電極層１上に、Ｎｉ，Ｃｕまたはこれらを含む合金，も
しくは、これらと第１薄膜電極層１を構成する金属材料
との合金などからなり、第１薄膜電極層１と強固に密着
し、かつ、電極の電気抵抗を低下させる第２薄膜電極層
２を形成する。さらに、上記第２薄膜電極層２上に、さ
らに、Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｇ及びこれらを含む合金のいずれ
か１種からなる第３薄膜電極層３を形成する。
強度に優れた外部電極、及びさらに半田濡れ性にも優れ
た外部電極を形成する。 【構成】 Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及び
これらの合金のいずれか１種からなる第１薄膜電極層１
をセラミックケースＢ上に形成するとともに、第１薄膜
電極層１上に、Ｎｉ，Ｃｕまたはこれらを含む合金，も
しくは、これらと第１薄膜電極層１を構成する金属材料
との合金などからなり、第１薄膜電極層１と強固に密着
し、かつ、電極の電気抵抗を低下させる第２薄膜電極層
２を形成する。さらに、上記第２薄膜電極層２上に、さ
らに、Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｇ及びこれらを含む合金のいずれ
か１種からなる第３薄膜電極層３を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、電子部品に関し、詳
しくは、セラミックケースに圧電素子などの電子部品素
子を収納してなるチップ型電子部品に関する。
しくは、セラミックケースに圧電素子などの電子部品素
子を収納してなるチップ型電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップ型電子部品としては、例え
ば、図４及び図５に断面図及び分解斜視図を示すような
チップ型電子部品（この従来例では、チップ型圧電部
品）が知られている。このチップ型電子部品において
は、圧電基板２１の表裏の両主面に振動電極２２ａ，２
２ｂを設けることにより形成された圧電素子（電子部品
素子）３０が、アルミナなどからなるセラミックケース
２３内に収納されている。このセラミックケース２３
は、長手方向に収納凹部２６が形成された素子容器２４
と素子容器２４の開口部を覆う封止基板２５から形成さ
れている。圧電素子（電子部品素子）３０は、上記素子
容器２４の収納凹部２６に収納されており、収納凹部２
６の両端の支持部（段部）２７，２７により収納凹部２
６の中央に水平に支持され、その中央部の振動領域２８
が封止基板２５に接触しないように保持されている（図
４）。
ば、図４及び図５に断面図及び分解斜視図を示すような
チップ型電子部品（この従来例では、チップ型圧電部
品）が知られている。このチップ型電子部品において
は、圧電基板２１の表裏の両主面に振動電極２２ａ，２
２ｂを設けることにより形成された圧電素子（電子部品
素子）３０が、アルミナなどからなるセラミックケース
２３内に収納されている。このセラミックケース２３
は、長手方向に収納凹部２６が形成された素子容器２４
と素子容器２４の開口部を覆う封止基板２５から形成さ
れている。圧電素子（電子部品素子）３０は、上記素子
容器２４の収納凹部２６に収納されており、収納凹部２
６の両端の支持部（段部）２７，２７により収納凹部２
６の中央に水平に支持され、その中央部の振動領域２８
が封止基板２５に接触しないように保持されている（図
４）。
【０００３】また、圧電素子（電子部品素子）３０の振
動電極２２ａ，２２ｂは素子容器２４の内側（支持部２
７，２７を含む）にスパッタなどの方法で形成された引
出し電極（内部電極）２９ａ，２９ｂに導電性ペースト
３１を介して接続されている。そして、素子容器２４の
開口部は、封止基板２５を接着することにより封止され
ている。
動電極２２ａ，２２ｂは素子容器２４の内側（支持部２
７，２７を含む）にスパッタなどの方法で形成された引
出し電極（内部電極）２９ａ，２９ｂに導電性ペースト
３１を介して接続されている。そして、素子容器２４の
開口部は、封止基板２５を接着することにより封止され
ている。
【０００４】また、セラミックケース２３の両端部に
は、セラミックケース２３の外部に引き出された引出し
電極（内部電極）２９ａ，２９ｂを介して振動電極２２
ａ，２２ｂと電気的に接続する外部電極３２ａ，３２ｂ
が形成されている。この外部電極は、Ａｇ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ａｌあるいはこれらの合金などの電気抵抗の
小さい金属材料をスパッタあるいは蒸着することにより
金属薄膜を形成し、さらに、その上にＮｉ，Ｓｎあるい
はその合金などの半田濡れ性に優れた金属材料をメッキ
することにより形成されている。
は、セラミックケース２３の外部に引き出された引出し
電極（内部電極）２９ａ，２９ｂを介して振動電極２２
ａ，２２ｂと電気的に接続する外部電極３２ａ，３２ｂ
が形成されている。この外部電極は、Ａｇ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ａｌあるいはこれらの合金などの電気抵抗の
小さい金属材料をスパッタあるいは蒸着することにより
金属薄膜を形成し、さらに、その上にＮｉ，Ｓｎあるい
はその合金などの半田濡れ性に優れた金属材料をメッキ
することにより形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のチップ型電
子部品においては、外部電極３２ａ，３２ｂは、Ａｇ，
Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌあるいはこれらの合金などの金
属材料をセラミックケース２３の表面にスパッタあるい
は蒸着することにより形成されているが、これらの電極
材料は電気抵抗が小さいことなどに着目して選択された
ものであり、セラミックケース２３への接着強度が必ず
しも十分ではなく、信頼性が低いという問題点がある。
子部品においては、外部電極３２ａ，３２ｂは、Ａｇ，
Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌあるいはこれらの合金などの金
属材料をセラミックケース２３の表面にスパッタあるい
は蒸着することにより形成されているが、これらの電極
材料は電気抵抗が小さいことなどに着目して選択された
ものであり、セラミックケース２３への接着強度が必ず
しも十分ではなく、信頼性が低いという問題点がある。
【０００６】また、上記金属薄膜上にＮｉ，Ｓｎあるい
はその合金などのメッキを施す工程で、本来必ずしも十
分ではない金属薄膜のセラミックケース２３への接着強
度がさらに低下するという問題点がある。
はその合金などのメッキを施す工程で、本来必ずしも十
分ではない金属薄膜のセラミックケース２３への接着強
度がさらに低下するという問題点がある。
【０００７】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、低抵抗で、かつ、セラミックケースへの接着強度
に優れた外部電極、及びさらに半田濡れ性にも優れた外
部電極を有するチップ型電子部品を提供することを目的
とする。
あり、低抵抗で、かつ、セラミックケースへの接着強度
に優れた外部電極、及びさらに半田濡れ性にも優れた外
部電極を有するチップ型電子部品を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願第１の発明のチップ型電子部品は、圧電素子な
どの電子部品素子を収納したセラミックケースの外面
に、内部電極と導通する外部電極を配設してなるチップ
型電子部品において、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ及びこれらの合金のいずれか１種からなる第１薄
膜電極層を前記セラミックケース上に形成するととも
に、前記第１薄膜電極層上に、Ｎｉ，Ｃｕまたはこれら
を含む合金，もしくは、これらと前記第１薄膜電極層を
構成する金属材料との合金などからなり、前記第１薄膜
電極層と強固に密着し、かつ、電極の電気抵抗を低下さ
せる第２薄膜電極層を形成することにより外部電極を形
成したことを特徴とする。
に、本願第１の発明のチップ型電子部品は、圧電素子な
どの電子部品素子を収納したセラミックケースの外面
に、内部電極と導通する外部電極を配設してなるチップ
型電子部品において、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ及びこれらの合金のいずれか１種からなる第１薄
膜電極層を前記セラミックケース上に形成するととも
に、前記第１薄膜電極層上に、Ｎｉ，Ｃｕまたはこれら
を含む合金，もしくは、これらと前記第１薄膜電極層を
構成する金属材料との合金などからなり、前記第１薄膜
電極層と強固に密着し、かつ、電極の電気抵抗を低下さ
せる第２薄膜電極層を形成することにより外部電極を形
成したことを特徴とする。
【０００９】また、本願第２の発明のチップ型電子部品
は、上記のチップ型電子部品の外部電極を構成する第２
薄膜電極層上に、さらに、Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｇ及びこれら
を含む合金のいずれか１種からなる第３薄膜電極層を形
成したことを特徴とする。
は、上記のチップ型電子部品の外部電極を構成する第２
薄膜電極層上に、さらに、Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｇ及びこれら
を含む合金のいずれか１種からなる第３薄膜電極層を形
成したことを特徴とする。
【００１０】
【作用】本願第１の発明のチップ型電子部品において
は、セラミックケース上に形成されたＴｉ，Ｚｒ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びこれらの合金のいずれか１種
からなる第１薄膜電極層が、セラミックケースへの強固
な接着性をもたらし、第１薄膜電極層上に形成されたＮ
ｉ，Ｃｕまたはこれらを含む合金，もしくは、これらと
上記第１薄膜電極層を構成する金属材料との合金などか
らなる第２薄膜電極層が電極の電気抵抗を低下させる。
したがって、低抵抗で、かつ、セラミックケースへの接
着性に優れた信頼性の高い外部電極を有するチップ型電
子部品を得ることができる。
は、セラミックケース上に形成されたＴｉ，Ｚｒ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びこれらの合金のいずれか１種
からなる第１薄膜電極層が、セラミックケースへの強固
な接着性をもたらし、第１薄膜電極層上に形成されたＮ
ｉ，Ｃｕまたはこれらを含む合金，もしくは、これらと
上記第１薄膜電極層を構成する金属材料との合金などか
らなる第２薄膜電極層が電極の電気抵抗を低下させる。
したがって、低抵抗で、かつ、セラミックケースへの接
着性に優れた信頼性の高い外部電極を有するチップ型電
子部品を得ることができる。
【００１１】さらに、本願第２の発明のチップ型電子部
品においては、上記本願第１の発明にかかる外部電極を
構成する第２薄膜電極層上に形成された、Ｎｉ，Ｓｎ，
Ａｇ及びこれらを含む合金のいずれか１種からなる第３
薄膜電極層が外部電極の半田濡れ性を向上させるため、
低抵抗で、かつ、セラミックケースへの接着性に優れ、
しかも、半田付け性にも優れた外部電極を有するチップ
型電子部品を得ることが可能になる。
品においては、上記本願第１の発明にかかる外部電極を
構成する第２薄膜電極層上に形成された、Ｎｉ，Ｓｎ，
Ａｇ及びこれらを含む合金のいずれか１種からなる第３
薄膜電極層が外部電極の半田濡れ性を向上させるため、
低抵抗で、かつ、セラミックケースへの接着性に優れ、
しかも、半田付け性にも優れた外部電極を有するチップ
型電子部品を得ることが可能になる。
【００１２】
【実施例】以下、本願発明の実施例を示してその特徴と
するところをさらに詳しく説明する。なお、この実施例
において、外部電極を形成する対象であるチップ型電子
部品は、前述の従来の技術を説明するために示したチッ
プ型電子部品（図４，５参照）と同様であるため、ここ
ではその説明を省略し、本願発明の特徴部分を中心に説
明を行う。
するところをさらに詳しく説明する。なお、この実施例
において、外部電極を形成する対象であるチップ型電子
部品は、前述の従来の技術を説明するために示したチッ
プ型電子部品（図４，５参照）と同様であるため、ここ
ではその説明を省略し、本願発明の特徴部分を中心に説
明を行う。
【００１３】図１，図２は、本願発明の一実施例にかか
るチップ型電子部品のセラミックケースに外部電極を形
成する工程を示す断面図である。
るチップ型電子部品のセラミックケースに外部電極を形
成する工程を示す断面図である。
【００１４】セラミックケースＢに外部電極４（図２）
を形成するにあたっては、まず、図１に示すように、内
部電極Ａが露出した部分を含むセラミックケースＢの表
面に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びこれ
らの合金のいずれか１種からなる第１薄膜電極層１を形
成する。なお、この第１薄膜電極層１は、スパッタリン
グ法，蒸着法その他の公知の種々の薄膜形成方法を用い
て形成することが可能である。
を形成するにあたっては、まず、図１に示すように、内
部電極Ａが露出した部分を含むセラミックケースＢの表
面に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びこれ
らの合金のいずれか１種からなる第１薄膜電極層１を形
成する。なお、この第１薄膜電極層１は、スパッタリン
グ法，蒸着法その他の公知の種々の薄膜形成方法を用い
て形成することが可能である。
【００１５】それから、図２に示すように、同じくスパ
ッタリング法や蒸着法などの薄膜形成方法により、第１
薄膜電極層１上に、Ｎｉ，Ｃｕまたはこれらを含む合
金，もしくは、これらと上記第１薄膜電極層１を構成す
る金属材料との合金などからなる第２薄膜電極層２を形
成する。この第２薄膜電極層２は、第１薄膜電極層１と
強固に密着し、電極全体の電気抵抗を低下させる。
ッタリング法や蒸着法などの薄膜形成方法により、第１
薄膜電極層１上に、Ｎｉ，Ｃｕまたはこれらを含む合
金，もしくは、これらと上記第１薄膜電極層１を構成す
る金属材料との合金などからなる第２薄膜電極層２を形
成する。この第２薄膜電極層２は、第１薄膜電極層１と
強固に密着し、電極全体の電気抵抗を低下させる。
【００１６】このようにして形成された外部電極４は、
低抵抗であるとともに、セラミックケースＢへの接着性
に優れており、かかる外部電極４を有するチップ型電子
部品の信頼性を向上させる。
低抵抗であるとともに、セラミックケースＢへの接着性
に優れており、かかる外部電極４を有するチップ型電子
部品の信頼性を向上させる。
【００１７】なお、第１薄膜電極層１を構成する上記の
金属材料からなる金属薄膜がセラミックケースＢへの接
着性に優れているのは、これらの金属が酸素と結合しや
すく、セラミック（酸化物セラミック）を構成する酸素
を介してセラミックケースＢ（の表面）に強固に結合す
ることによるものと考えられる。
金属材料からなる金属薄膜がセラミックケースＢへの接
着性に優れているのは、これらの金属が酸素と結合しや
すく、セラミック（酸化物セラミック）を構成する酸素
を介してセラミックケースＢ（の表面）に強固に結合す
ることによるものと考えられる。
【００１８】なお、上記の金属と酸素が結合した金属酸
化物は、生成エンタルピーが極めて大きいため、メッキ
処理を行う場合にも、メッキ処理工程において還元作用
を受けることがなく、メッキ処理後にもセラミックケー
スＢへの大きな接着強度が保持される。
化物は、生成エンタルピーが極めて大きいため、メッキ
処理を行う場合にも、メッキ処理工程において還元作用
を受けることがなく、メッキ処理後にもセラミックケー
スＢへの大きな接着強度が保持される。
【００１９】また、図３は本願第２の発明にかかるチッ
プ型電子部品の外部電極１４を模式的に示す図である。
図３に示すように、この外部電極は、図２の本願第１の
発明の実施例にかかる外部電極４を構成する第２薄膜電
極層２上に、さらに、Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｇ及びこれらを含
む合金のいずれか１種からなる第３薄膜電極層を形成し
たものである。なお、第３薄膜電極層３は、例えば、Ａ
ｇをスパッタすることにより形成することが可能であ
り、また、ＮｉとＳｎをメッキする方法により形成する
ことも可能である。
プ型電子部品の外部電極１４を模式的に示す図である。
図３に示すように、この外部電極は、図２の本願第１の
発明の実施例にかかる外部電極４を構成する第２薄膜電
極層２上に、さらに、Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｇ及びこれらを含
む合金のいずれか１種からなる第３薄膜電極層を形成し
たものである。なお、第３薄膜電極層３は、例えば、Ａ
ｇをスパッタすることにより形成することが可能であ
り、また、ＮｉとＳｎをメッキする方法により形成する
ことも可能である。
【００２０】このようにして形成された外部電極１４
は、セラミックケースＢへの接着性と、低抵抗という電
極に要求される基本的特性の両方の特性を具有している
とともに、優れた半田濡れ性をもあわせ持っている。
は、セラミックケースＢへの接着性と、低抵抗という電
極に要求される基本的特性の両方の特性を具有している
とともに、優れた半田濡れ性をもあわせ持っている。
【００２１】なお、上記実施例では、チップ型圧電部品
について説明したが、本願発明は、チップ型圧電部品に
限らず、素子を収納したセラミックケースの外面に電極
を形成してなる種々のチップ型電子部品に広く適用する
ことが可能である。
について説明したが、本願発明は、チップ型圧電部品に
限らず、素子を収納したセラミックケースの外面に電極
を形成してなる種々のチップ型電子部品に広く適用する
ことが可能である。
【００２２】
【発明の効果】上述のように、本願第１の発明のチップ
型電子部品は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ
及びこれらの合金のいずれか１種からなる第１薄膜電極
層をセラミックケース上に形成するとともに、第１薄膜
電極層上に、Ｎｉ，Ｃｕまたはこれらを含む合金，もし
くは、これらと上記第１薄膜電極層を構成する金属材料
との合金などからなり、第１薄膜電極層と強固に密着
し、電極の電気抵抗を低下させる第２薄膜電極層を形成
することにより外部電極を形成するようにしているの
で、低抵抗で、かつ、セラミックケースへの接着性に優
れた信頼性の高い外部電極を有するチップ型電子部品を
得ることができる。
型電子部品は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ
及びこれらの合金のいずれか１種からなる第１薄膜電極
層をセラミックケース上に形成するとともに、第１薄膜
電極層上に、Ｎｉ，Ｃｕまたはこれらを含む合金，もし
くは、これらと上記第１薄膜電極層を構成する金属材料
との合金などからなり、第１薄膜電極層と強固に密着
し、電極の電気抵抗を低下させる第２薄膜電極層を形成
することにより外部電極を形成するようにしているの
で、低抵抗で、かつ、セラミックケースへの接着性に優
れた信頼性の高い外部電極を有するチップ型電子部品を
得ることができる。
【００２３】また、本願第２の発明のチップ型電子部品
は、上記本願第１の発明のチップ型電子部品の外部電極
を構成する第２薄膜電極層上に、さらに、Ｎｉ，Ｓｎ，
Ａｇ及びこれらを含む合金のいずれか１種からなる第３
薄膜電極層を形成するようにしているので、低抵抗で、
かつ、セラミックケースへの接着性に優れ、さらに半田
濡れ性にも優れた外部電極を得ることができ、結果とし
て、熱的、力学的ストレスに強い外部電極を備えた信頼
性の高いチップ型電子部品を得ることができる。
は、上記本願第１の発明のチップ型電子部品の外部電極
を構成する第２薄膜電極層上に、さらに、Ｎｉ，Ｓｎ，
Ａｇ及びこれらを含む合金のいずれか１種からなる第３
薄膜電極層を形成するようにしているので、低抵抗で、
かつ、セラミックケースへの接着性に優れ、さらに半田
濡れ性にも優れた外部電極を得ることができ、結果とし
て、熱的、力学的ストレスに強い外部電極を備えた信頼
性の高いチップ型電子部品を得ることができる。
【図１】本願第１の発明の一実施例にかかるチップ型電
子部品の外部電極の形成方法を示す断面図である。
子部品の外部電極の形成方法を示す断面図である。
【図２】本願第１の発明の一実施例にかかるチップ型電
子部品の外部電極を示す断面図である。
子部品の外部電極を示す断面図である。
【図３】本願第２の発明の一実施例にかかるチップ型電
子部品の外部電極を示す断面図である。
子部品の外部電極を示す断面図である。
【図４】従来のチップ型電子部品を示す断面図である。
【図５】従来のチップ型電子部品を示す分解斜視図であ
る。
る。
【符号の説明】 Ａ 内部電極 Ｂ セラミックケース １ 第１薄膜電極層 ２ 第２薄膜電極層 ３ 第３薄膜電極層 ４，１４ 外部電極
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電素子などの電子部品素子を収納した
セラミックケースの外面に、内部電極と導通する外部電
極を配設してなるチップ型電子部品において、Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びこれらの合金のいず
れか１種からなる第１薄膜電極層を前記セラミックケー
ス上に形成するとともに、前記第１薄膜電極層上に、Ｎ
ｉ，Ｃｕまたはこれらを含む合金，もしくは、これらと
前記第１薄膜電極層を構成する金属材料との合金などか
らなり、前記第１薄膜電極層と強固に密着し、かつ、電
極の電気抵抗を低下させる第２薄膜電極層を形成するこ
とにより外部電極を形成したことを特徴とするチップ型
電子部品。 - 【請求項２】 請求項１記載のチップ型電子部品の外部
電極を構成する第２薄膜電極層上に、さらに、Ｎｉ，Ｓ
ｎ，Ａｇ及びこれらを含む合金のいずれか１種からなる
第３薄膜電極層を形成したことを特徴とするチップ型電
子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20753392A JPH0629769A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | チップ型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20753392A JPH0629769A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | チップ型電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629769A true JPH0629769A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16541307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20753392A Pending JPH0629769A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | チップ型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629769A (ja) |
Cited By (3)
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| EP1006535B1 (en) * | 1998-12-03 | 2010-02-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic part |
| WO2010103127A1 (de) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | Epcos Ag | Piezoaktor in vielschichtbauweise und verfahren zum befestigen einer aussenelektrode bei einem piezoaktor |
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1992
- 1992-07-09 JP JP20753392A patent/JPH0629769A/ja active Pending
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