JPS60100814A - 薄膜構造 - Google Patents
薄膜構造Info
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- JPS60100814A JPS60100814A JP21261284A JP21261284A JPS60100814A JP S60100814 A JPS60100814 A JP S60100814A JP 21261284 A JP21261284 A JP 21261284A JP 21261284 A JP21261284 A JP 21261284A JP S60100814 A JPS60100814 A JP S60100814A
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- thin film
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- gold
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基体の表面に形成する導電性の薄膜ｍ造に関す
る。
る。
従来たとえば圧電振動子等の板面に導電性の薄膜を形成
しこの薄膜、すなわち電極に外部から信号を与えて励振
する場合上記薄膜の材料としてはアルミニクム（Ａ７）
、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）の各単体、クロム（Ｃｒ）、
金の２層構造、ニッケル（Ｎｉ ） 、金の２ノー構造
等が用いられている。
しこの薄膜、すなわち電極に外部から信号を与えて励振
する場合上記薄膜の材料としてはアルミニクム（Ａ７）
、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）の各単体、クロム（Ｃｒ）、
金の２層構造、ニッケル（Ｎｉ ） 、金の２ノー構造
等が用いられている。
−力、この他の薄膜構造では基体に対する付着力および
薄膜の導電性が問題となる。ところでアルミニクム単体
の場合、酸化によってアルミナを形成し他物質との粘合
に導通不安定を生じ易い問題がある。また銀、金単体の
場合は基体に対する付着力が弱いために信頼性が低い欠
点がある。さらにクロム、金の２層構造、ニッケル、金
の２層構造の場合、基体に対するクロム、ニッケルの付
着力は良好であり、このクロム、ニッケルに対する金の
付着力も良好ではあるが金の導電性は銀のそれに比して
劣り、しかもコストが高価な欠点かある。また金は比重
か大きいため、たとえは圧電振動子等のように機械的に
振動するものでは振動特性を損う問題かある０また上記
クロム、ニッケルに対して銀の付着力は弱くはく離し易
いため実用に供し得ないＯ 本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので良好な付着
力と導電性を有１２、しかも買置が軽くコストも安価な
薄膜構造全提供することケ目的とするものである。以下
本発明の−大施例全図面を１照して祥細に説明する。図
は本発明の一実施例を示す裁断面図で図中１は水晶板等
の圧電娠動子素片、シリコンウェーハ等の基体である。
薄膜の導電性が問題となる。ところでアルミニクム単体
の場合、酸化によってアルミナを形成し他物質との粘合
に導通不安定を生じ易い問題がある。また銀、金単体の
場合は基体に対する付着力が弱いために信頼性が低い欠
点がある。さらにクロム、金の２層構造、ニッケル、金
の２層構造の場合、基体に対するクロム、ニッケルの付
着力は良好であり、このクロム、ニッケルに対する金の
付着力も良好ではあるが金の導電性は銀のそれに比して
劣り、しかもコストが高価な欠点かある。また金は比重
か大きいため、たとえは圧電振動子等のように機械的に
振動するものでは振動特性を損う問題かある０また上記
クロム、ニッケルに対して銀の付着力は弱くはく離し易
いため実用に供し得ないＯ 本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので良好な付着
力と導電性を有１２、しかも買置が軽くコストも安価な
薄膜構造全提供することケ目的とするものである。以下
本発明の−大施例全図面を１照して祥細に説明する。図
は本発明の一実施例を示す裁断面図で図中１は水晶板等
の圧電娠動子素片、シリコンウェーハ等の基体である。
そして２は基体ｌの板面に５０〜７００Ａの厚ろに蒸着
したクロムまたはニッケルからなる第一層である。セし
て３は上記あ一層２に１ねて１００〜１０００＾の厚み
に蒸着した金からなる第二層、４は上記第二層３に重ね
て１０００〜２０００Ａの厚みに蒸着した銀からなる第
三層である。
したクロムまたはニッケルからなる第一層である。セし
て３は上記あ一層２に１ねて１００〜１０００＾の厚み
に蒸着した金からなる第二層、４は上記第二層３に重ね
て１０００〜２０００Ａの厚みに蒸着した銀からなる第
三層である。
なお上記第一、第二、第三各層を上記のように限定した
理由は次の通りである。先ず論一層は基体に対する充分
な付着カ全得るために６０〜１００Ａが適当であり、こ
れより薄い場合は伺漕力か低下し、厚い場合は不経済で
あると同時に伺着力が低下する。また第二層は第１層お
よび第三層に同する付着力および経済性から１００〜１
００ＯＡが適当であり、これより薄い場合は付着力か低
下し、膜厚のむらも生じ易く、厚（）合は烏価な会を多
電に使用し不経済である。さらに第二層は充分な導電性
を得るために１０００〜２０００Ａが適当でこれより薄
い場合は導電性が低下し、厚い場合は１量が壇大する。
理由は次の通りである。先ず論一層は基体に対する充分
な付着カ全得るために６０〜１００Ａが適当であり、こ
れより薄い場合は伺漕力か低下し、厚い場合は不経済で
あると同時に伺着力が低下する。また第二層は第１層お
よび第三層に同する付着力および経済性から１００〜１
００ＯＡが適当であり、これより薄い場合は付着力か低
下し、膜厚のむらも生じ易く、厚（）合は烏価な会を多
電に使用し不経済である。さらに第二層は充分な導電性
を得るために１０００〜２０００Ａが適当でこれより薄
い場合は導電性が低下し、厚い場合は１量が壇大する。
このような構成であれば第一層のクロム、ニッケルは水
晶板、シリコンウェーハ等の非金属に対しても付着力が
強（、この第一層に皿ね゛Ｃ蒸着する金に対し又も付着
力か強い。そして第二層の會に幻して第三層の銀の付着
力も良好でこの第三ノーを充分な導電性が得られるよう
に１０００〜２０００Ａの厚みに蒸着させることによっ
℃比較的安価に漬蓋も少なく良好な導電性か得られる。
晶板、シリコンウェーハ等の非金属に対しても付着力が
強（、この第一層に皿ね゛Ｃ蒸着する金に対し又も付着
力か強い。そして第二層の會に幻して第三層の銀の付着
力も良好でこの第三ノーを充分な導電性が得られるよう
に１０００〜２０００Ａの厚みに蒸着させることによっ
℃比較的安価に漬蓋も少なく良好な導電性か得られる。
次に示す表は銀、アルミニクムの谷単体、クロムψ銀、
クロム・金の各２層構造および本発明のりｐム・金・銀
からなる３層構造の薄膜について超音波洗浄およびセロ
テープによるはく離試験、抵抗値、およびこの薄膜によ
って％極を形成した周波数３２．７６８ Ｋｌ−Ｌｚの
時計用水晶振動子のクリスタルインピーダンスを測定し
た結果を示すものである。
クロム・金の各２層構造および本発明のりｐム・金・銀
からなる３層構造の薄膜について超音波洗浄およびセロ
テープによるはく離試験、抵抗値、およびこの薄膜によ
って％極を形成した周波数３２．７６８ Ｋｌ−Ｌｚの
時計用水晶振動子のクリスタルインピーダンスを測定し
た結果を示すものである。
この表からも明らかなように本発明の博＠構造ははく離
することもなく、抵抗も少なく、しかも質量も軽いため
振動子等の電極に用いた場合も振動特性を損うこともな
くそれによってクリスタルインピーダンスも小さい。
することもなく、抵抗も少なく、しかも質量も軽いため
振動子等の電極に用いた場合も振動特性を損うこともな
くそれによってクリスタルインピーダンスも小さい。
晒は本発明の一実施例を示す裁断面図である。
Ｊ・・・基体、２・・・禽↓一層（クロム、二ｙ ）１
／ｌ／ ）、３・・・第二層（金）、４・・・第三層
（銀）。
／ｌ／ ）、３・・・第二層（金）、４・・・第三層
（銀）。
Claims (1)
- 基体表面に蒸着した厚み５０〜７００Ｘのクロムまたは
ニッケルからなる第一層と、この第一層に重ねて蒸着し
た厚み１００−１００ＯＡの金からなる第二層と、この
第二層に重ねて蒸着した厚み１０００〜２０００＾の銀
からなる第三層とを具備する薄膜構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21261284A JPS60100814A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 薄膜構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21261284A JPS60100814A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 薄膜構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100814A true JPS60100814A (ja) | 1985-06-04 |
Family
ID=16625562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21261284A Pending JPS60100814A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 薄膜構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100814A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231044A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Suzuki Motor Co Ltd | エンジンのクランクバランサ装置 |
| JPH0446411A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-17 | Fujitsu Ltd | 水晶振動子、該振動子を備えた発振器モジュール及び該モジュールの製造方法 |
| US5233261A (en) * | 1991-12-23 | 1993-08-03 | Leybold Inficon Inc. | Buffered quartz crystal |
| JPH0629769A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-04 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品 |
| EP1187323A1 (en) * | 2000-03-03 | 2002-03-13 | Daishinku Corporation | Crystal vibration device |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP21261284A patent/JPS60100814A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231044A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Suzuki Motor Co Ltd | エンジンのクランクバランサ装置 |
| JPH0446411A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-17 | Fujitsu Ltd | 水晶振動子、該振動子を備えた発振器モジュール及び該モジュールの製造方法 |
| US5233261A (en) * | 1991-12-23 | 1993-08-03 | Leybold Inficon Inc. | Buffered quartz crystal |
| JPH0629769A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-04 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品 |
| EP1187323A1 (en) * | 2000-03-03 | 2002-03-13 | Daishinku Corporation | Crystal vibration device |
| EP1187323A4 (en) * | 2000-03-03 | 2005-04-06 | Daishinku Corp | CRYSTAL VIBRATION DEVICE |
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