JPH0446411A - 水晶振動子、該振動子を備えた発振器モジュール及び該モジュールの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 目　　　　　次 概　　要（発明の開示内容） 産業上の利用分野 背　　景　　技　　術 発明の開示 実　　施　　例 発明の効果 概　　要（発明の開示内容） 水晶板の表面及び裏面にそれぞれ、へＵパターンを形成
し、これらのＡｕパターンのうちいずれか一方の上にＡ
ｇパターンを形成してなる水晶振動子が開示されている
。この構成によると、Ａｕパターンのみが形成されてい
る場合と比較して高次非調和振動が生じにくい。また、
この振動子をモールド部品とともに気密封止して発振器
モジュールを構成したときに、モールド部品から発生し
たガス等の影響による発振周波数変動が生じにくい。

また、このモジュールの製造に際して、気密封止に先立
って特定のアニーリングを施すことによって、さらに発
振周波数の安定性が増す。

産業上の利用分野 本発明は、水晶振動子とこの水晶振動子を備えた発振器
モジュールとこの発振器モジュールの製造方法とに関す
る。

背　　景　　技　　術 振動子として水晶振動子を備えた電圧制御水晶発振器（
ＶＣＸＯ）においては、周波数の可変範囲は水晶振動子
の容量比の逆数に比例する。そして、その容量比は、水
晶振動子の厚み振動（主として厚み滑り振動）のモード
の次数の二乗に比例する。従って、ｖｃｘｏの周波数可
変範囲を広くするためには、厚み振動の基本波モードを
利用することが有効である。水晶振動子の基本波モード
を利用してＶＨＦ帯（特に４０ＭＨｚ以上の周波数帯）
のｖｃｘｏを実現しようとする場合、厚みが３０μｍ程
度の極めて薄い水晶振動子が要求される。この種の薄い
水晶振動子においては、その両面に形成する励振電極の
材質がＡｕ（ρ＝１９３００ｋｇ／ｒｎ″）等のように
密度が大きいものであると、質量負荷効果に起因して厚
み振動の伝搬方向における高次の非調和振動が副共振と
なって共振点近傍に発生し、その結果発振器が異常発振
し易くなる。このため、薄い水晶振動子においては、そ
の両面に形成される励振電極の材質として、Ａｇ（ρ＝
　１０４９０　ｋｇ／ｍ’）等の密度が小さいものが一
般に使用される。然しなから、Ａｇ等の金属は、Ａｕ等
の金属と比べて活性であるので、発振周波数の安定化を
図るためには、水晶振動子のみを単独に気密封止して使
用することが要求され、その水晶振動子を備えた発振器
モジュール等の装置の大型化を避けることができない。

発明の開示 この発明の目的は、高次の非調和振動が生じにくく然も
発振周波数を安定化する上で振動子のみの気密封止が不
要な４０〜５０ＭＨｚ帯用の水晶振動子を提供すること
である。

この発明の他の目的は、上記水晶振動子を用いて小型化
が容易な発振器モジュールを提供することである。

この発明の更に他の目的は、上記モジュールの製造方法
を確立して、発振周波数のさらなる安定化を図ることで
ある。

この発明のある側面によると、均一な厚みの部分を有す
る水晶板と；該水晶板の少なくとも上記均一な厚みの部
分の表面及び裏面に設けられ、上記水晶板に厚み振動を
生じさせるための第１及び第２のＡｕパターンと；該第
１及び第２のＡｕパターンのいずれか一方の上に設けら
れたＡｇパターンと；を含んでなる水晶振動子が提供さ
れる。

この構成によると、Ａｕのみからなる励振電極を形成し
た場合と比較して高次の非調和振動がすこぶる生じにく
くなる。また、この水晶振動子を気密封止せずに使用し
た場合に、Ａｇのみからなる励振電極を形成したときと
比較して発振周波数が著しく安定化される。

本発明の他の側面によると、本発明の水晶振動子を振動
子とする発振回路と；該発振回路の構成要素が表面実装
されたハイブリッド基板と；該ハイブリッド基板が搭載
され、上記発振回路を外部と接続するためのリード端子
が設けられたベースと；該ベースの上記ハイブリッド基
板の側を気密封止するキャップと；を含んでなる発振器
モジニールが提供される。

本発明の更に他の側面によると、リード端子が設けられ
たベースにハイブリッド基板を搭載してアニーリングを
施す第１のステップと；上記ハイブリッド基板上に水晶
振動子を表面実装して発振回路を構成し、該回路を上記
リード端子に接続する第２のステップと；該第２のステ
ップの生産物についてアニーリングを施す第３のステッ
プと；該第３のステップを経た上記生産物について上記
発振回路の発振周波数の調整を行う第４のステップと；
該第４のステップを経た上記生産物についてアニーリン
グを施す第５のステップと；該第５のステップを経た上
記生産物をキャップにより気密封止する第６のステップ
と；を含んでなる発振器モジュールの製造方法が提供さ
れる。

実　　施　　例 以下、本発明の発想に至った経緯及び本発明の望ましい
実施例を図面に基づいて詳細に説明する。

我々は水晶板についてのポリッシング、エツチング等の
研磨技術を改善して、４０〜５０ＭＨｚ帯に厚みすべり
振動の基本波モードを有する水晶振動子の開発に成功し
た。第１２図は、５１．８Ｍｆｌｚ近傍に基本波モード
を有する水晶振動子のインピーダンス特性図である。同
図において、縦軸はインピーダンス１Ｚ１、横軸は周波
数である。この振動子の厚みは３２μｍ、容量比は２６
０である。

容量比に関しては、３次、５次のオーツイートーンモー
ド等の高次モードを利用した場合と比較して著しく小さ
いので、この振動子を備えたＶ　ＣＸ　Ｏにおいては、
±５０ｐｐｍ／ν以上の周波数可変幅の実現が約束され
る。又、機械的品質係数Ｑは１６５００と大きく、鋭い
共振ピークが得られている。

又、第１３図は、我々が開発に成功した他の水晶振動子
のインピーダンス（アドミタンス）特性スである。同図
において、縦軸はアドミタンス１Ｙ横軸は周波数である
。この振動子の厚みも３０μｍと接絶て薄いものである
。

水晶振動子の励振電極の材質は、当該水晶板の摩みに応
じて使い分けられるのが通例である。即ち、ＨＦ帯（１
〜２　ＱＭＨｚ　）に基本波モードを有する場合には、
水晶板の厚みは約０．１＝１．６０と厚いので励振電極
の材質に対する自由度は大きく、Ａ、　ｕやＡｇ等がそ
の化学的安定性、電気的伝導性の良さから用いろれる。

一方、周波数が高いＶＨＦ帯に基本波モードを有する場
合には、水晶板の厚みが４０μｍ以下と薄くなるので、
質量負荷効果に起因する厚み振動の伝搬方向の高次の非
調和振動が共振ピーク近傍に発生することを防止するた
めに、密度が小さいＡｇが励振電極の材質として一般に
使用される。第１２図及び第１３図に示された特性もＡ
ｇからなる励振電極を用いた場合のものである。

励振電極の材質としてＡｇが用いられている場合、Ａｇ
の活住度はΔＵのそれと比較して大きいので、水晶振動
子のみを葦独で気密封止し、これを基板に実装して発振
器モジュール等の装置が提供される。第１４図はこのよ
うな発振器モジュールの破断側面図である。水晶振動子
２はＣＡＮケース４内に気密封止され、発振回路の他の
構成部品６と共に基板８に実装される。１０はこの発振
回路を外部と接続するためのリード端子である。

各構成部品が実装された基板８はベース１２上に搭載さ
れ、ベース１２の基板８側はキャップ１４により気密封
止されている。

第１４図に示されたモジュールにおいては、水晶振動子
がケース内に気密封止されてしするので、機械的な調整
による周波数調整を行うことができず、周辺回路部品の
バラ−メータを変化させることによる周波数調整を余儀
なくされる結果、発振器の小型化、低背化、低コスト化
が阻害されることになる。又、水晶振動子の気密封止の
ためのケースが必要であることからも発振器モジュール
が大型化する。

このような点に鑑み、水晶振動子をケース内に気密封止
することなく、直接基板にバイブ’Ｊ　ンド実装するこ
とが提案されている。この場合、室温動作時には、発振
周波数の経時的変動はほとんどないが、高温動作時にお
いては、発振周波数の経時的変動が大きく、信頼性に欠
ける士いうことが実験により明りかとなった。

第１２図に示された特性の水晶振動子（励振電極はＡｇ
）を種々の状態で発振させた場合における発振周波数の
経時変化を第１５図に示す。同図において縦軸は発振周
波数の変化量Δｆを実験開始時の発振周波数ｆて除した
値（単位はｐｐｍ　）、横軸は経過日数である。１６で
示されるのは、第１４図に示されたように水晶振動子を
気密封止して７０℃で放置した場合についてのもの、１
８で示されるのは、水晶振動子をそのままハイブリッド
実装して室温で放置したもの、２０で示されるのは、水
晶振動子を同じくそのままハイブリッド実装して７０℃
で放置した場合についてのものである。Ａｇのみからな
る励振電極を備えた水晶振動子にあっては、そのままハ
イブリッド実装して高温下に放置した場合に発振周波数
の経時変動が大きいことが明らかである。

この発振周波数の大きな経時変化の原因としては、発振
回路を構成するための振動子以外の電子部品、例えばチ
ップコイル、トランジスタ、ＩＣ等のモールド部品から
放出されたガス原子又はガス分子が水晶振動子の表面に
吸着した結果、吸着膜の質量負荷効果が現れるからであ
ると考えられる。このような質量負荷効果が現れると発
振周波数は低下する。特に振動子の厚みが３０〜４０μ
ｍと薄い場合には、発振周波数の低下は顕著である。発
振回路の構成部品のうち、ガス放出が大きいと考えられ
るミニモールド型チップコイルを使用しなかった場合に
おける発振周波数の経時変化を測定した。尚、チップコ
イルは、発振周波数の可変幅をより広くするために水晶
振動子に直列に接続する部品である。

チップコイルを使用しなかった場合における７０℃での
発振周波数の経時変化を第１５図に２２で示す。この場
合に経時変化がほとんどないことがわかる。従って、主
としてチップコイルから放出したガスに起因して発振周
波数が経時的に著しく変化していたものと考えられる。

黙しながら、発振周波数の可変幅を大きくするためには
チップコイルの使用は不可欠であるから、周波数可変幅
の大きいｖｃｘｏを提供するためには、チップコイルを
使用せざるを得ない。そこで、チップコイルからのガス
放出についてはある程度許容することとし、いかにして
ガス原子あるいはガス分子が水晶振動子表面に吸着しに
くくなるかを考えることにする。

本発明では、ガス原子あるいはガス分子の水晶振動子へ
の吸着を抑制するために、励振電極の材質としてＡｇと
Ａｕとを混在使用する。ガス原子あるいはガス分子が吸
着しにくいＡｕを全部の励振電極に使用していないのは
、Ａｕの密度が大きいことに起因して、発振周波数を所
要の範囲内に制御し且つ高次の非調和振動による副共振
を主共振点及び反共振点の近傍に生じさせないことが困
難だからである。

第１図は本発明の実施例を示す水晶振動子の斜視図、第
２図はそのＩＩ−Ｉｔ線断面図である。２４は均一な厚
みを有する円板状の水晶板であり、この水晶板２４の表
面及び裏面にはそれぞれ水晶板２４に厚み振動を生じさ
せるための第１及び第２のＡｕパターン２６．２８が設
けられている。第１のＡｕパターン２６は、水晶板２４
の表面の側の概略中央部に形成された円形の励振電極部
２６ａと、この励振電極部２６ａから水晶板２４の縁に
まで延在する外部接続端子部２６ｂとからなる。

第２のＡｕパターン２８も同じように励振電極部２８ａ
と外部接続端子部２８ｂとからなる。水晶板表面側の励
振電極部２６ａの上には、これと同一径の同じく円形の
Ａｇパターン３０が設けられている。

この構成によると励振電極の全てを十分な厚みのＡｕか
ら形成した場合と比較して高次の非調和振動による副共
振が主共振点及び反共振点の近傍に生じにくく、しかも
Ａｇパターン３０における蒸着量を調整することによる
周波数調整が可能になるから、周波数調整が容易である
。又、水晶板２４の裏面側にはＡｕパターン２８のみし
か形成されていないので、この面へのガス分子あるいは
ガス原子の吸着率が低下する。

水晶板２４の表面及び裏面についてポリッ／ング、エツ
チングを施すことによって、各面を鏡面に形成すること
ができ、厚み振動を良好に生じさせることができる。Ｖ
ＨＦ帯用には３０〜４０μｍの厚みの水晶板が適してお
り、この実施例では水晶板２４の厚みは３２μｍである
。第１及び第２のＡｕパターン２６．２８が薄すぎると
導電性がよくなく、厚すぎると副共振の悪影響が出易く
なるので、各、へＵパターン２６．２８の厚みは３００
から６００人であることが望ましい。Ａｕパターン、Ａ
ｇパターンは蒸着により形成することができる。

この実施例では、水晶板の表面及び裏面側の励振電極部
２６ａ、２８ａは互いに対向した位置に形成されている
が、外部接続端子部２６ｂ、２８ｂは水晶板２４の表面
及び裏面において互い違いに設けられている。これによ
り外部接続端子Ｂ２６ｂ、２８ｂの端部を十分に離間す
ることができるので、電気的な接続が容易になる。

第３図を参照すると、水晶板表面側の外部接続端子部９
５ｂに水晶板裏面側にまで延在する導体パターン３２が
接続されている水晶振動子の断面図が示されている。こ
の構成によると、同一平面上−に位置する外部接続端子
部２８ｂ及び導体パターン３２によりこの水晶振動子の
電気的な接続をなすことができるので、この構成は水晶
振動子を表面実装する場合に適している。

第４図を参照すると、第１．第２のＡｕパターン２６．
２８と水晶板２４との聞にＣｒ又はＮｉからなる下地パ
ターン３４．３６が介在している水晶振動子の断面構成
が示されている。この構成によると１、へＵパターンの
密着力を増大させることができる。この場合、副共振の
影響を抑制するたｔに、下地パターン３４．３６をＡｕ
パターン２６．２８よりも薄く形成しておくことが望ま
しい。

第５図を８照すると、第１図乃至第４図により説明し、
た構成を有し、あるいはそれを変形した構成を有する水
晶振動子（以下「本発明の水晶振動子」あるいは単に「
水晶振動子」という。）を構成要素とするｖＣｘ○の回
路図が示さとている。

この回路構成によると、制御７圧ＶＦｌ＋　ＶＦ２を調
整することにより、：：　５０ｐｐｍ／ｖの変化率でも
って広い周波数範囲に渡って発振周波数を可変すること
ができる。

第６図を参照すると、本発明の水晶振動子を備えた発振
器モジュール（ＶＣＸＯモジュール）の断面構成が示さ
れている。４０は本発明の水晶振動子３８を振動子とす
る例えば第５図に示された発振回路の構成要素が表面実
装されたハイブリッド基板である。４２，４４．４６は
トランジスタ、抵抗器、キャパシタ、インダクタ等の発
振回路の構成部品である。水晶振動子３８は、金属小片
の両端を同一の側に直角に折り曲げて形成された弾性変
形可能な二つの台４８．５０を介してバイブＩＪ　、ド
基板４０上に表面実装されており、これにより、水晶振
動子３８に対する電気的な接続がなされると共に、温度
変化に起因する熱ストレスを水晶振動子３８に生じさせ
ることなく水晶振動子３８の固定がなされるようになっ
ている。５２は外部接続用のリード端子５４．５６が設
けられたベースであり、ハイブリッド基板４０はこのベ
ース、５２上に搭載されている。この実施例では、ベス
５２は金属製であり、リード端子５４．５６は、ベース
５２に形成された孔にガラス材５８゜６０を介し、てｔ
通して設けられている。リード端子５４．５６と搭載さ
れた発振回路との接続は、ハイブリッド基板４０の上面
において図示しない導体パターンとリード端子５４．５
６とを半田付けすることにより行うことができる。

６２はベース５２のハイブリッド基板４Ｑの側を気密封
止するキャップであり、この実施例では金属製のキャッ
プ６２がベース５２の縁部に抵抗溶接により固定されて
いる。この実施例のようにリード端子５４．５６をベー
ス５２にガラス材を介して固定し、ベース５２とキャッ
プ６２の接合を抵抗溶接に行うことにより、良好な気密
封止性を得ることができる。又、金属製のベース５２及
びキャップ６２を用いることによって、電磁遮蔽性が向
上し、発振回路のＳ／Ｎ特性が良好になる。

第７図を参照すると、第６図に示されたｖｃＸＯモジュ
ールの７０℃での発振周波数の経時変化の様子が示され
ている。この図において縦軸及び横軸は第１５図におけ
るものと同一である。６８て示されるのは、本発明の発
振器モジュールについてのものであり、２ｏて示される
のは、励振電極の全てをＡｇから形成した水晶振動子を
備えたｖｃｘｏについてのものである。周波数変化量が
経過時間の常用対数に比例するとして変化率を計算する
と、本発明においては約−７ｐｐｍ／ｄｅｃａｄｅとな
っており、従来構成における変化率的−３（ｌｐｐｍ／
ｄｅｃａｄｅと比べて改善されていることが明らかであ
る。

このように水晶振動子の特定の構成を採用することによ
り、比較的短期における発振周波数の経時変化を小さく
抑えることができる。長期的な経時変動を改善するため
には、発振器モジュールを製造するに際して、キャップ
により気密封止するまでの間に不所望なガス分子やガス
原子を構成部品から十分に放出させておくことが有効で
あると考えられる。このような観点にたって第８図に示
されるような製造プロセスが提案される。

第６図の発振器モジュールの断面図及び第８図の製造プ
ロセス図を参照しながら、この製造プロセスを説明する
。まず、第１のステップ１１０ではリード端子５４．５
６が設けられたベース５２ニハイフリツド基板４０を搭
載してアニーリングを施しておく。このとき、水晶振動
子を除いて発振回路の構成部品は既にハイブリッド基板
４０に表面実装されている。次いで第２のステップ１２
０では、ハイブリッド基板４０上に本発明の水晶振動子
３８を表面実装して発振回路を構成し、この発振回路を
リード端子５４．５６に接続する。

このとき、キャップのキャップフレーム６４をベース５
２に固定しておいても良い。しかる後、第３のステップ
１３０では第２のステップの生産物についてアニーリン
グを施す。そして、ステップ１４０ではアニーリングが
施された上記生産物について発振回路の発振周波数の調
整を行う。この場合、発振周波数の調整は、水晶振動子
３８のＡｇパターン上に例えばキャップフレーム６４を
介して蒸着するＡｇの量を調節することにより行うこと
ができる。次いで、第５のステップ１５０では、発振周
波数の調整を施された上記生産物について更にアニーリ
ングを施す。最後に第６のステップ１６０では、第５の
ステップを経た上記生産物を気密封止する。この気密封
止は、上述のようにキャップフレーム６４が既にベース
５２に固定されている場合には、蓋部材６６をキャップ
フレーム６４に接合することにより行われる。

第１のステップ１１０及び第３のステップ１３０におけ
るアニーリング条件としては、１００〜１２０℃の温度
下に６時間以上−回放置するものが採用され得る。又、
第５のステップ１５０におけるアニーリング条件として
は、例えば第９Ａ図乃至第９Ｄ図に示されるものが採用
され得る。各工程のアニーリング条件として、例示され
た条件以外の条件を採用し得ることはもちろんである。

第９Ａ図に示されたアニーリングは、１００〜１２０℃
の温度下に６時間以上−回放置するものである。第９Ｂ
図に示されたアニーリングは、１００〜１２０℃の温度
下に６時間以上放置することを、放冷を介して２回繰り
返すようにしたものである。第９Ｃ図に示されたアニー
リングは、１００〜１２０℃の温度下に６時間以上放置
することを、放冷を介して３回繰り返すようにしたもの
である。第９Ｄ図に示されたアニーリングは、１００〜
１２０℃の温度下に６時間以上放置することを、放冷を
介して３回繰り返した後に、６０〜１００℃の温度下に
１５〜３０分放置するようにしたものである。第９Ｂ図
、第９Ｃ図、第９Ｄ図に示されたアニーリング条件にお
ける放冷は、室温下で窒素雰囲気中に１２時間以上放置
することにより行うことができる。

第８図に示された製造プロセスを採用した場合における
発振周波数の経時変化を第１０図に示す。

同図において、７Ｑで示されるのは第９Ａ図の条件に対
応し、７２で示されるのは第９Ｂ図の条件に対応し、７
４で示されるのは第９Ｃ図の条件に対応し、７６で示さ
れるのは第９Ｄ図の条件に対応する。

以下に示す表は、発振周波数の経時変動が経過日数の常
用対数に比例して変動するものと仮定して、第１０図の
データに基づいて一次回帰直線を求ｔ、傾き（−次係数
）αについての平均値〔α〕、標準偏差σ、最小値Ｍｉ
ｎ、及び最大値Ｍａｘ、を各ケースについて整理して表
したものである。第９Ｄ図における一次回帰曲線を第１
１図に７８で示しておく。−次回帰曲線はΔｆ／ｆをｙ
とし、経過日数をＸとするときに、 ｙ−αｌｏｇ　　ｘ＋β で表される。

表 しておくことを放冷を介して複数回繰り返すことにより
、発振周波数の経時変化が小さくなりその偏差も小さく
なっていることが分かる。又、第９Ｄ図に示されたよう
な低温アニーリングを採用することによっても、この効
果が更に顕著に生じていることが明らかである。

尚、表における単位はｐｐｍ／ｃｌｅｃａｄｅである。

第１０図のグラフ及び表から明らかなように、第５のス
テップにおいて所定温度で所定時間放置発明の詳細 な説明したように、本発明によると、高次の非調和振動
が生じにくく、しかも発振周波数を安定化する上で、振
動子のみの気密封止が不要な水晶振動子の提供が可能に
なるという効果を奏する。

又、この水晶振動子を用いて小型化が容易で然も発振周
波数の経時変動が少ない発振器モジュールの提供が可能
になるという効果もある。

更に、このモジュールの特定な製造プロセスを採用する
ことによって、発振周波数をより安定化することができ
るようになるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す水晶振動子の斜視図、 第２図は■−■線に沿った同振動子の断面図、第３図は
本発明の他の実施例を示す水晶振動子の断面図、 第４図は本発明の更に他の実施例を示す水晶振動子の断
面図、 第５図は本発明の水晶振動子を備えた発振器モジュール
（ＶＣＸＯモジュール）の回路図、第６図は本発明の実
施例を示す発振器モジュールの断面図、 第７図は本発明の発振器モジュールを７０℃に放置した
ときの発振周波数の経時変化を従来例と比較するグラフ
、 第８図は本発明の実施例を示す発振器モジュールの製造
工程図、 第９．へ図、第９Ｂ図、第９Ｃ図、及び第９Ｄ図は第５
のステップにおけるアニーリング条件の説明図、 第１０図は第８図に示された製造工程を採用した場合に
おける発振周波数の経時変化を第９Ａ図から第９Ｄ図で
それぞれ比較した図、 第１１図は一次回帰直線の例を示す図、第１２図及び第
１３図は基本波モードを利用したＶＨＦ帯用０水晶振動
子のインピーダンス（アドミタンス）特性を示す図、 第１４図は従来の発振器モジュールの部分破断側面図、 第１５図は従来技術における発振周波数の経時変化の説
明図である。 ２４・・水晶板、 ２６・　第１のＡｕパターン、 ２８・・・第２のＡ　ｕパターン、 ３０・　Ａｇパターン、

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. １．均一な厚みの部分を有する水晶板と； 該水晶板の少なくとも上記均一な厚みの部分の表面及び
   裏面に設けられ、上記水晶板に厚み振動を生じさせるた
   めの第１及び第２のＡｕパターンと； 該第１及び第２のＡｕパターンのいずれか一方の上に設
   けられたＡｇパターンと； を含んでなる水晶振動子。
2. ２．上記第１及び第２のＡｕパターンは、それぞれ、上
   記水晶板の均一な厚みの部分の上に設けられた励振電極
   部と、該励振電極部から上記水晶板の縁にまで延在する
   外部接続端子部とからなる請求項１に記載の水晶振動子
   。
3. ３．上記外部接続端子部は、上記水晶板の表面及び裏面
   において互い違いに設けられている請求項２に記載の水
   晶振動子。
4. ４．上記外部接続端子部のいずれか一方には、他方の外
   部接続端子部が設けられている上記水晶板の表面又は裏
   面にまで延在する導体パターンが接続されている請求項
   ３に記載の水晶振動子。
5. ５．上記水晶板の均一な厚みの部分の厚みは３０〜４０
   μｍである請求項１に記載の水晶振動子。
6. ６．上記第１及び第２のＡｕパターンの厚みは３００〜
   ６００オングストロームである請求項５に記載の水晶振
   動子。
7. ７．上記第１及び第２のＡｕパターンと上記水晶板との
   間には上記第１及び第２のＡｕパターンよりも薄いＣｒ
   又はＮｉからなる下地パターンが介在している請求項６
   に記載の水晶振動子。
8. ８．請求項１乃至７のいずれかに記載の水晶振動子を振
   動子とする発振回路と； 該発振回路の構成要素が表面実装されたハイブリッド基
   板と； 該ハイブリッド基板が搭載され、上記発振回路を外部と
   接続するためのリード端子が設けられたベースと； 該ベースの上記ハイブリッド基板の側を気密封止するキ
   ャップと； を含んでなる発振器モジュール。
9. ９．上記ベースは金属製であり、上記リード端子は上記
   ベースに形成された孔にガラス材を介して貫通して設け
   られている請求項８に記載の発振器モジュール。
10. １０．上記キャップは金属製であり、該キャップの上記
    ベースへの封止は抵抗溶接によりなされている請求項９
    に記載の発振器モジュール。
11. １１．上記キャップは、上記水晶振動子のＡｇパターン
    に対向した位置に窓が形成されたキャップフレームと、
    該キャップフレームの上記窓を閉塞するフタ部材とから
    なり、上記キャップフレームをマスクとして上記Ａｇパ
    ターン上にＡｇを蒸着し得るようにされた請求項１０に
    記載の発振器モジュール。
12. １２．リード端子が設けられたベースにハイブリッド基
    板を搭載してアニーリングを施す第１のステップと； 上記ハイブリッド基板上に請求項１乃至７のいずれかに
    記載の水晶振動子を表面実装して発振回路を構成し、該
    回路を上記リード端子に接続する第２のステップと； 該第２のステップの生産物についてアニーリングを施す
    第３のステップと； 該第３のステップを経た上記生産物について上記発振回
    路の発振周波数の調整を行う第４のステップと； 該第４のステップを経た上記生産物についてアニーリン
    グを施す第５のステップと； 該第５のステップを経た上記生産物をキャップにより気
    密封止する第６のステップと； を含んでなる発振器モジュールの製造方法。
13. １３．上記第４のステップにおける発振周波数の調整は
    、上記水晶振動子のＡｇパターン上に蒸着するＡｇの量
    を調節することによりなされる請求項１２に記載の発振
    器モジュールの製造方法。
14. １４．上記第１、第３及び第５のステップにおけるアニ
    ーリングは、１００〜１２０℃の温度下に６時間以上放
    置するものである請求項１３に記載の発振器モジュール
    の製造方法。
15. １５．上記第１及び第３のステップにおけるアニーリン
    グは、１００〜１２０℃の温度下に６時間以上放置する
    ものであり、上記第５のステップにおけるアニーリング
    は、１００〜１２０℃の温度下に６時間以上放置するこ
    とを、放冷を介して少なくとも３回繰り返すものである
    請求項１３に記載の発振器モジュールの製造方法。
16. １６．上記放冷は、室温下で窒素雰囲気中に１２時間以
    上放置するものである請求項１５に記載の発振器モジュ
    ールの製造方法。
17. １７．上記第１及び第３のステップにおけるアニーリン
    グは、１００〜１２０℃の温度下に６時間以上放置する
    ものであり、上記第５のステップにおけるアニーリング
    は、１００〜１２０℃の温度下に６時間以上放置するこ
    とを、放冷を介して少なくとも３回繰り返した後に、６
    ０〜１００℃の温度下に１５〜３０分放置するものであ
    る請求項１３に記載の発振器モジュールの製造方法。
18. １８．上記放冷は、室温下で窒素雰囲気中に１２時間以
    上放置するものである請求項１７に記載の発振器モジュ
    ールの製造方法。