JPH03180010A - 電子部品の電極構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 童栗よＬ形通公貴 本発明は、高周波チップコイル等の電子部品の電極構造
に関する。

従来の技術と課題 一般に、電子部品の外部電極は、フェライト、アルミナ
、ガラス等の絶縁性基材の表面に、Ａｇペーストを焼き
付ける、Ａｇを電解メツキ又は無電解メツキで着膜する
という方法で形成されている。

しかし、焼付けではペーストの塗布、乾燥、焼付は等の
娼理に時間、手間を要し、高温下で想理するためにポリ
イミド等の耐熱性に劣る成分を含む基材には適用できな
いという問題点を有している。

また、メツキによる場合には、基材をメツキ液に浸漬す
ることによる素子への悪影響が問題となる。

そこで、本発明の課題は、スパッタリング、イオンブレ
ーティング、蒸着等のドライ着膜法を使用することによ
り、基材への密着性が良好で寸法精度よく仕上げること
のできる電極構造を提供することにある。

課題を解決するための手段と作用 以上の課題を解決するため、本発明に係る電子部品の電
極構造は、 （ａ）　　ドライ着膜された電極であって、（ｂ）絶縁
性基材との密着性が良好な第１層と、（Ｃ）半田耐熱性
及び導電性が良好な第２層と、（ｄ）半田付は性及び導
電性が良好な第３層と、から構成したことを特徴とする
。

第１層は専ら基材への密着性を高める作用を奏し、Ｔｉ
、Ｃｒ等が使用できるが特にＴｉを使用することが好ま
しい。第２層は専ら半田耐熱性を保障する作用を奏し、
Ｎｉ−Ｃｕ等が使用できるが特にＮｉＨ７０ｗｔ％、Ｃ
ｕ　：　３０ｗｔ％のものを使用することが好ましい。

第３層は専ら半田付は性を保障する作用を奏し、Ａｇ、
Ｓｎ、Ｐｂ等が使用できるが特にＡｇを使用することが
好ましい。

また、本発明に係る電極構造にあっては、さらに第１層
と第２層との間には第１層組成成分と第２層組成成分と
の混合層が介在し、第２層と第３層との間には第２層組
成成分と第３層組成成分との混合層が介在している。こ
れらの混合層は第１層と第２層との間ないし第２層と第
３層との間の密着性、接触性を向上させる。

実施例 以下、本発明に係る電極構造の一実施例を添付図面に従
って説明する。

第１図は本発明が適用されるチップコイルを示す斜視図
である。このチップコイルＡは、絶縁性基材１と、この
基材１の両端部にその上面縁部から側面さらに底面縁部
に渡って電極３，３と、前記基材１の上面に渦巻き状に
形成されたコイル５とを含む。

コイル５は、その外端が引出し導体７を介して一方の電
極３と導電的に接続され、内端が引出し導体９を介して
他方の電極３と導電的に接続されている。この引出し導
体９は、コイル５との絶縁のために基材１の上面にコイ
ル５を覆うように形成されたポリイミドあるいはポリイ
ミドからなる絶縁膜１１上に形成され、絶縁膜１１に形
成されたスルーホール１３によってフィル５の内端と導
電させている。電極３，３は回路基板上への外部接続電
極として機能する。

電極３は内側から第１層３１、第２層３２、第３層３３
とされ、第１Ｊｉ１３１は厚さ２００人のＴｉ薄膜層、
第２層３２は厚さ２μｍのＮｉ−Ｃｕ　（モネルメタル
、例えばＮｉ　：　７０ｗｔ％、Ｃｕ　：　３０ｗｔ％
）薄膜層、第３層３３は厚さ０．５μｍのＡｇ薄膜層と
して構成されている。

各薄膜層３１　、３２．３３はスパッタリング、イオン
ブレーティング、蒸着等のドライ着膜法で形成される。

スパッタリングによる場合は多ターゲット・スパッタリ
ング装置を用い、電極３以外の不要部分をマスキングし
、まずＴｉ１次にＮｘ−Ｃｕ　、さらにはＡｇを順次ス
パッタリングする。これによって第１〜第３層３１．３
２．３３が所定の形状及び膜厚に寸法精度よく形成され
る。３１ａは第１層３１と第２層３２との間に介在する
ＴｉとＮｉ−Ｃｕとからなる混合層であり、３２ａ辻第
２層３２と第３層３３との間に介在するＮｉ−ＣｕとＡ
ｇとからなる混合層である。これらの混合層３１ａ、３
２ａは第１〜第３層３１．３２．３３の組成成分を同時
にドライ着膜することで形成される。

第１層３１の組成成分であるＴｉはフェライト素地との
密着力が高く、他にＣｒを使用することもできる。第２
層３２の組成成分であるＮｉ−Ｃｕは半田耐熱性、導電
性に優れており、電極本体として機能する。　ＮｉとＣ
ｕの比率は、７０　：　３０〜３０　：　７０ｗｔ％の
範囲から適宜選択すればよい。但し、半田耐熱性の点か
らはＮｉの比率が高い方が好ましい。第３層３３の組成
成分であるＡｇは半田付は性、導電性に優れており、Ｓ
ｎ又はＰｂを使用することもできる。混合層３１ａ、３
２ｂは第１層３１と第２層３２との間ないしは第２層３
２と第３層３３との間の密着性、接触性を良好なものと
する。

なお、本発明に係る電極構造は前記実施例に限定するも
のではなく、その要旨の範囲内において種々に変更でき
る。

特に、高周波チップコイル以外の電子部品に広く適用で
きることは勿論、第１〜第３層３１．３２．３３の厚さ
はそれぞれの機能に応じて任意に設定すればよい。

発明の効果 以上の説明で明らかなように、本発明によれば、ドライ
着膜法にて３層構造の電極としたため、従来の湿式着膜
法において電極形成時に基材や素子に加わっていた悪影
響を排除でき、寸法精度の高い電極とすることができる
。しかも、内側の第１層にて基材への密着性が良好とな
り、第２層、第３層にて半田耐熱性、電気特性が良好と
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る電極構造が適用された高周波チッ
プコイルの斜視図、第２図は第１図の要部拡大断面図で
ある。 １・・・基材、３・・・電極、３１・・・第１層、３２
・・・第２層、３３・・・第３層、３１ａ、　３２ａ・
・・混合層。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．絶縁性基材の表面にドライ着膜された電極であって
   、 前記絶縁性基材との密着性が良好な第１層と、半田耐熱
   性及び導電性が良好な第２層と、 半田付け性及び導電性が良好な第３層と、 から構成したことを特徴とする電子部品の電極構造。
2. ２．第１層と第２層との間に第１層組成成分と第２層組
   成成分との混合層が介在し、第２層と第３層との間に第
   ２層組成成分と第３層組成成分との混合層が介在してい
   ることを特徴とする請求項１記載の電子部品の電極構造
   。
3. ３．第１層がＴｉの薄膜層、第２層がＮｉ−Ｃｕの薄膜
   層、第３層がＡｇの薄膜層から構成したことを特徴とす
   る請求項１又は請求項２記載の電子部品の電極構造。