JPH11135352A - インダクタンス素子の製造方法 - Google Patents
インダクタンス素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH11135352A JPH11135352A JP9314572A JP31457297A JPH11135352A JP H11135352 A JPH11135352 A JP H11135352A JP 9314572 A JP9314572 A JP 9314572A JP 31457297 A JP31457297 A JP 31457297A JP H11135352 A JPH11135352 A JP H11135352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite core
- conductor film
- inductance element
- ferrite
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フェライトコアの抵抗の劣化を防止するとと
もに導体膜の密着性を改善して、高いインダクタンスや
Ｑの得られるインダクタンス素子を提供する。 【構成】 円柱または角柱のフェライトコアの側面に下
地層と電極層の二層の導体膜を形成し、この導体膜をレ
ーザで切削して螺旋状の導体パターンを形成する。レー
ザ照射によって金属化して抵抗の下がったフェライトを
酸素雰囲気中で熱処理して酸素と反応させて絶縁体化
し、抵抗を上げる。また、表面の電極層とフェライトと
の密着性を上げる。
もに導体膜の密着性を改善して、高いインダクタンスや
Ｑの得られるインダクタンス素子を提供する。 【構成】 円柱または角柱のフェライトコアの側面に下
地層と電極層の二層の導体膜を形成し、この導体膜をレ
ーザで切削して螺旋状の導体パターンを形成する。レー
ザ照射によって金属化して抵抗の下がったフェライトを
酸素雰囲気中で熱処理して酸素と反応させて絶縁体化
し、抵抗を上げる。また、表面の電極層とフェライトと
の密着性を上げる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インダクタンス素
子の製造方法に係るもので、特に、フェライトコアの周
囲に導体膜のコイル形成用の導体パターンを形成するタ
イプのインダクタンス素子の特性を改善するものであ
る。
子の製造方法に係るもので、特に、フェライトコアの周
囲に導体膜のコイル形成用の導体パターンを形成するタ
イプのインダクタンス素子の特性を改善するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】インダクタンス素子は一般にフェライト
コアに導線を巻き回すものが用いられていたが、加工技
術の進歩等によって、巻線に代えて導体膜を形成する構
造のものが実用化されている。特に、レーザー加工技術
の進歩によって、精度の高い導体パターンが得られるよ
うになり、中高周波用のチップインダクタ等として適し
たものが得られるようになっている。
コアに導線を巻き回すものが用いられていたが、加工技
術の進歩等によって、巻線に代えて導体膜を形成する構
造のものが実用化されている。特に、レーザー加工技術
の進歩によって、精度の高い導体パターンが得られるよ
うになり、中高周波用のチップインダクタ等として適し
たものが得られるようになっている。
【０００３】このタイプのインダクタンス素子は、図２
に示したように、フェライトコア20の周囲に螺旋状の導
体パターン22を形成し、端子電極24を形成したものであ
る。製造する際には、フェライトコアの側面全体に無電
解めっきと電解めっきによってAg層を形成して導体膜を
形成し、この導体膜を切削してフェライト素体を露出さ
せ、螺旋状の導体パターンを残すようにするのが一般的
である。
に示したように、フェライトコア20の周囲に螺旋状の導
体パターン22を形成し、端子電極24を形成したものであ
る。製造する際には、フェライトコアの側面全体に無電
解めっきと電解めっきによってAg層を形成して導体膜を
形成し、この導体膜を切削してフェライト素体を露出さ
せ、螺旋状の導体パターンを残すようにするのが一般的
である。
【０００４】導体膜の切削には、カッターに代えてレー
ザービームを照射して導体膜を除去する方法が採用され
るようになっている。これによって、精度よく導体パタ
ーンを形成できるようになった。
ザービームを照射して導体膜を除去する方法が採用され
るようになっている。これによって、精度よく導体パタ
ーンを形成できるようになった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、レーザー加工
による場合には、フェライトコア素体もレーザー照射に
より加熱されることになる。この加熱によってフェライ
トコアの表面の性質が変化し、絶縁性の高い酸化物が導
体化する問題も生じる。これによって、インダクタンス
素子のインダクタンス、Ｑ等の劣化を生じる。また、銀
電極とフェライトコアの密着性も十分でなく、信頼性の
上でも問題がある。本発明は、このフェライトの特性の
劣化を防止して、特性の良好なインダクタンス素子を得
るものである。
による場合には、フェライトコア素体もレーザー照射に
より加熱されることになる。この加熱によってフェライ
トコアの表面の性質が変化し、絶縁性の高い酸化物が導
体化する問題も生じる。これによって、インダクタンス
素子のインダクタンス、Ｑ等の劣化を生じる。また、銀
電極とフェライトコアの密着性も十分でなく、信頼性の
上でも問題がある。本発明は、このフェライトの特性の
劣化を防止して、特性の良好なインダクタンス素子を得
るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、導体化したフ
ェライトコアを空気中または酸素雰囲気中で熱処理し
て、その本来の組成に戻すことによって絶縁性を取り戻
すとともに下地層を介して密着性を改善することによっ
て、上記の課題を解決するものである。
ェライトコアを空気中または酸素雰囲気中で熱処理し
て、その本来の組成に戻すことによって絶縁性を取り戻
すとともに下地層を介して密着性を改善することによっ
て、上記の課題を解決するものである。
【０００７】すなわち、角柱または円柱形のフェライト
コアの側面に導体膜を形成し、その導体膜の一部をレー
ザー加工によって切削してフェライトコアの周囲に螺旋
状の導体パターンを形成するインダクタンス素子の製造
方法において、フェライトコアに無電解めっきによって
下地電極層を形成し、その表面に電解めっきによって電
極膜を形成して二層の導体膜を形成し、レーザー加工に
よって導体膜の一部を切削した後、フェライトコアを空
気中または酸素雰囲気中で熱処理することに特徴を有す
るものである。
コアの側面に導体膜を形成し、その導体膜の一部をレー
ザー加工によって切削してフェライトコアの周囲に螺旋
状の導体パターンを形成するインダクタンス素子の製造
方法において、フェライトコアに無電解めっきによって
下地電極層を形成し、その表面に電解めっきによって電
極膜を形成して二層の導体膜を形成し、レーザー加工に
よって導体膜の一部を切削した後、フェライトコアを空
気中または酸素雰囲気中で熱処理することに特徴を有す
るものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明によるインダクタンス素子
の製造方法のプロセスを図１に示す。Ni-Zn系またはNi-
Cu-Zn系のフェライトを所定の形状に成形し、焼成して
フェライトコアを得る。このフェライトコアの側面にニ
ッケル合金等の下地電極層を形成し、その上に銀等の導
体膜を形成する。この導体膜をレーザビームを走査させ
ながら所定のパターンで切削して、所定のパターンの導
体膜を残す。その後、このフェライトコアを空気中また
は酸素雰囲気中で所定時間熱処理することによってイン
ダクタンス素子を得る。
の製造方法のプロセスを図１に示す。Ni-Zn系またはNi-
Cu-Zn系のフェライトを所定の形状に成形し、焼成して
フェライトコアを得る。このフェライトコアの側面にニ
ッケル合金等の下地電極層を形成し、その上に銀等の導
体膜を形成する。この導体膜をレーザビームを走査させ
ながら所定のパターンで切削して、所定のパターンの導
体膜を残す。その後、このフェライトコアを空気中また
は酸素雰囲気中で所定時間熱処理することによってイン
ダクタンス素子を得る。
【０００９】
【実施例】通信機器用等の中高周波用のインダクタンス
素子の材料としてはNi-Zn 系あるいはNi-Cu-Zn系等のフ
ェライトが用いられる。これらの材料の酸化物とFe2O3
とを所定の量混合した材料を成形し、焼成してフェライ
トコアを得る。一般的に上記の系のコアは高い抵抗率を
有している。
素子の材料としてはNi-Zn 系あるいはNi-Cu-Zn系等のフ
ェライトが用いられる。これらの材料の酸化物とFe2O3
とを所定の量混合した材料を成形し、焼成してフェライ
トコアを得る。一般的に上記の系のコアは高い抵抗率を
有している。
【００１０】このフェライトコアに、無電解めっきによ
ってニッケルまたはニッケル合金等の導体膜を形成す
る。その表面に更に電解メッキによって銀の導体層を形
成する。この導体膜の材料としては、他に銅を用いたり
することもでき、異なる金属を多層に形成するようにし
てもよい。
ってニッケルまたはニッケル合金等の導体膜を形成す
る。その表面に更に電解メッキによって銀の導体層を形
成する。この導体膜の材料としては、他に銅を用いたり
することもでき、異なる金属を多層に形成するようにし
てもよい。
【００１１】フェライトコアに形成された導体膜は、レ
ーザー加工によって切削される。レーザービームによっ
て導体膜を焼き切るもので、導体膜とともにフェライト
コア素体の表面の一部も焼き切られることになる。この
とき、フェライトコア表面は高温に熱せられることにな
るので、フェライトの粒子もその影響を受けて還元され
導体化することになる。
ーザー加工によって切削される。レーザービームによっ
て導体膜を焼き切るもので、導体膜とともにフェライト
コア素体の表面の一部も焼き切られることになる。この
とき、フェライトコア表面は高温に熱せられることにな
るので、フェライトの粒子もその影響を受けて還元され
導体化することになる。
【００１２】そこで、本発明においては、レーザ加工後
のフェライトコアを空気中または酸素雰囲気中で熱処理
する。この熱処理によって、導体化したフェライトが酸
化されて本来の絶縁体のフェライトに戻される。その際
に、下地導体層となるニッケル合金等の層とフェライト
コアの素体とが熱によって拡散が促進され、それによっ
て密着性も向上する。熱処理の方法としては、空気中で
900°Ｃまで20°Ｃ／min で温度を上げ、 900°Ｃを10
分間保持し、その後冷却する方法などがある。
のフェライトコアを空気中または酸素雰囲気中で熱処理
する。この熱処理によって、導体化したフェライトが酸
化されて本来の絶縁体のフェライトに戻される。その際
に、下地導体層となるニッケル合金等の層とフェライト
コアの素体とが熱によって拡散が促進され、それによっ
て密着性も向上する。熱処理の方法としては、空気中で
900°Ｃまで20°Ｃ／min で温度を上げ、 900°Ｃを10
分間保持し、その後冷却する方法などがある。
【００１３】なお、上記のように処理されたフェライト
コアの導体パターンを外部回路と接続するための端子電
極を形成するが、最初に形成した金属膜をそのまま下地
電極として利用することもできる。端子電極の部分には
半田食われの防止のためにニッケル、半田めっきを施し
ておくとよい。また、フェライトコアの側面に形成され
た導体パターンの表面には樹脂等によって保護膜を形成
することが望ましい。
コアの導体パターンを外部回路と接続するための端子電
極を形成するが、最初に形成した金属膜をそのまま下地
電極として利用することもできる。端子電極の部分には
半田食われの防止のためにニッケル、半田めっきを施し
ておくとよい。また、フェライトコアの側面に形成され
た導体パターンの表面には樹脂等によって保護膜を形成
することが望ましい。
【００１４】本発明は、上記の例に限られるものではな
く、フェライトコアに導体膜を形成してレーザー加工に
よって所定の導体パターンを得るインダクタンス素子全
般に利用できる。
く、フェライトコアに導体膜を形成してレーザー加工に
よって所定の導体パターンを得るインダクタンス素子全
般に利用できる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、フェライトコアの抵抗
の劣化を防止することができるので、インダクタンスや
Ｑが高く、特性の良好なインダクタンス素子が得られ
る。
の劣化を防止することができるので、インダクタンスや
Ｑが高く、特性の良好なインダクタンス素子が得られ
る。
【００１６】また、その熱処理によって、導体膜とフェ
ライトコア素体との密着性が改善されるので、特性が改
善されるとともに信頼性も大幅に高まる。
ライトコア素体との密着性が改善されるので、特性が改
善されるとともに信頼性も大幅に高まる。
【図１】 本発明の工程の説明図
【図２】 インダクタンス素子の正面図
10：フェライトコア 12：導体パターン 14：端子電極
Claims (3)
- 【請求項１】 角柱または円柱形のフェライトコアの側
面に導体膜を形成し、その導体膜の一部をレーザー加工
によって切削してフェライトコアの周囲に螺旋状の導体
パターンを形成するインダクタンス素子の製造方法にお
いて、フェライトコアに無電解めっきによって下地電極
層を形成し、その表面に電解めっきによって電極膜を形
成して二層の導体膜を形成し、レーザー加工によって導
体膜の一部を切削した後、フェライトコアを空気中また
は酸素雰囲気中で熱処理することを特徴とするインダク
タンス素子の製造方法。 - 【請求項２】 角柱または円柱形のフェライトコアの側
面に導体膜を形成し、その導体膜の一部をレーザー加工
によって切削してフェライトコアの周囲に螺旋状の導体
パターンを形成するインダクタンス素子の製造方法にお
いて、フェライトコアに無電解めっきによってNiまたは
Ni合金層を形成し、その表面に電解めっきによってAgま
たはAg合金層を形成して二層の導体膜を形成し、レーザ
ー加工によって導体膜の一部を切削した後、フェライト
コアを空気中または酸素雰囲気中で熱処理することを特
徴とするインダクタンス素子の製造方法。 - 【請求項３】 角柱または円柱形のフェライトコアの側
面に導体膜を形成し、その導体膜の一部をレーザー加工
によって切削してフェライトコアの周囲に螺旋状の導体
パターンを形成するインダクタンス素子の製造方法にお
いて、フェライトコアに無電解めっきによって下地電極
層を形成し、その表面に電解めっきによって電極膜を形
成して二層の導体膜を形成し、レーザー加工によって導
体膜の一部を切削した後、フェライトコアを空気中また
は酸素雰囲気中で熱処理してフェライトの抵抗を上げる
とともに、電極層とフェライトコアの密着性を向上させ
ることを特徴とするインダクタンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9314572A JPH11135352A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | インダクタンス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9314572A JPH11135352A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | インダクタンス素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135352A true JPH11135352A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=18054906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9314572A Pending JPH11135352A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | インダクタンス素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135352A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107225331A (zh) * | 2017-07-07 | 2017-10-03 | 东莞市展鑫电子科技有限公司 | 采用激光层叠方式雕刻手机铝合金外壳3d纹饰的方法 |
-
1997
- 1997-10-31 JP JP9314572A patent/JPH11135352A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107225331A (zh) * | 2017-07-07 | 2017-10-03 | 东莞市展鑫电子科技有限公司 | 采用激光层叠方式雕刻手机铝合金外壳3d纹饰的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040309 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040706 |