JP2003068530A - インダクタンス部品およびその製造方法 - Google Patents

インダクタンス部品およびその製造方法

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JP2003068530A
JP2003068530A JP2001260751A JP2001260751A JP2003068530A JP 2003068530 A JP2003068530 A JP 2003068530A JP 2001260751 A JP2001260751 A JP 2001260751A JP 2001260751 A JP2001260751 A JP 2001260751A JP 2003068530 A JP2003068530 A JP 2003068530A
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JP
Japan
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element body
conductor layer
inductance component
insulating layer
coil portion
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Shinji Nakamura
伸二 中村
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザ照射により形成したコイル部であって
も、素体とコイル部との短絡を防止し、インダクタンス
特性の劣化を抑制したインダクタンス部品およびその製
造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 柱状のNi−Zn系またはMn−Zn系
のフェライトコアからなる素体11と、この素体11の
外周に被覆した導体層13をレーザ照射によって導体層
13を溶融しながらスパイラル状に溝切りして形成した
コイル部12と、このコイル部12と接続した端子15
とを備え、導体層13と素体11との間には非磁性材料
のガラスからなる絶縁層10を設けた構成である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は各種電子機器等に用
いるインダクタンス部品およびその製造方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】以下、従来のインダクタンス部品につい
て図面を参照しながら説明する。
【0003】図4は従来のインダクタンス部品の断面
図、図5は図4における同インダクタンス部品の要部の
拡大図である。
【0004】図4、図5において、従来のインダクタン
ス部品は磁性体からなる素体1と、この素体1の外周に
被覆した導体層3と、この導体層3をレーザ照射によっ
てスパイラル状に溝切りして形成したコイル部2と、こ
のコイル部2を被覆した外装保護部4と、外部電極5と
を備えている。このとき、コイル部2は、レーザ照射に
よって導体層3を溶融しながら溝切りして形成してお
り、この溝の深さは素体1の表面まで達した深さとなっ
ている。このとき、素体1の表面には溶融部6が形成さ
れている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
素体1に被覆した導体層3にレーザ照射してコイル部2
を形成しているが、このレーザ照射にともなって素体1
の表面も溶融し、溶融部6が形成される。溶融状態によ
っては、素体1の特性が変化し、例えば、絶縁抵抗の低
下に起因したコイル部2と素体1との短絡が生じる等し
てインダクタンス特性を劣化させるという問題点を有し
ていた。
【0006】本発明は上記問題点を解決するもので、レ
ーザ照射により形成したコイル部であっても、素体とコ
イル部との短絡を防止し、インダクタンス特性の劣化を
抑制したインダクタンス部品およびその製造方法を提供
することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は以下の構成を有する。
【0008】本発明の請求項1に記載の発明は、特に、
導体層と素体との間に非磁性材料の絶縁層を設けた構成
である。
【0009】上記構成により、レーザ照射によって素体
の特性が変化し、絶縁低下を生じていたとしても、導体
層と素体との間に非磁性材料の絶縁層を設けているの
で、導体層と素体との短絡を防止することができる。
【0010】本発明の請求項2に記載の発明は、請求項
1に記載の発明において、絶縁層はガラスからなる非磁
性材料とした構成である。
【0011】上記構成により、素体と絶縁層との密着強
度および絶縁層と導体層との密着強度を向上させること
ができ、実装時における半田付け等の熱によって、導体
層が素体から剥離するのを防止し、信頼性を向上するこ
とができる。
【0012】本発明の請求項3に記載の発明は、請求項
1に記載の発明において、絶縁層はセラミックとした構
成である。
【0013】上記構成により、素体と絶縁層との密着強
度および絶縁層と導体層との密着強度を向上させること
ができ、実装時における半田付け等の熱によって、導体
層が素体から剥離するのを防止し、信頼性を向上するこ
とができる。
【0014】本発明の請求項4に記載の発明は、請求項
1に記載の発明において、素体はダストコアからなる磁
性材料とした構成である。
【0015】上記構成により、ダストコアは低絶縁抵抗
であるが、大電流対応用の素体として用いることができ
る。
【0016】本発明の請求項5に記載の発明は、請求項
1に記載の発明において、素体はフェライトコアからな
る磁性材料とした構成である。
【0017】上記構成により、フェライトコアは高絶縁
抵抗であり、レーザ照射により素体の表面が溶融して
も、絶縁抵抗が非常に低下してしまうことがなく、短絡
を抑制することができる。
【0018】本発明の請求項6に記載の発明は、柱状の
素体の外周に導体層を被覆する導体層被覆工程と、被覆
した前記導体層をレーザ照射によりスパイラル状に溝切
りし、溝切部と前記溝切部に挟まれた線状導体部とを有
したコイル部を形成するコイル部形成工程と、前記コイ
ル部と接続した端子を形成する端子形成工程とを備え、
前記導体層被覆工程時において前記素体と前記導体層と
の間に絶縁層を形成する絶縁層被覆工程を設けた方法で
ある。
【0019】上記方法により、レーザ照射によって素体
の特性が変化し、絶縁低下を生じていたとしても、導体
層と素体との間に非磁性材料の絶縁層を形成する絶縁被
覆工程を設けているので、導体層と素体との短絡を防止
したインダクタンス部品を製造することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を用
いて、全請求項に記載の発明について図面を参照しなが
ら説明する。
【0021】図1は本発明の一実施の形態におけるイン
ダクタンス部品の断面図、図2は図1における同インダ
クタンス部品の要部の拡大図、図3は同インダクタンス
部品の斜視図である。
【0022】図1〜図3において、本発明の一実施の形
態におけるインダクタンス部品は、柱状のNi−Zn系
またはMn−Zn系のフェライトコアからなる素体11
と、この素体11の外周に被覆した導体層13をレーザ
照射によって導体層13を溶融しながらスパイラル状に
溝切りして形成したコイル部12と、このコイル部12
と接続した端子15とを備えている。また、導体層13
と素体11との間には非磁性材料のガラスからなる絶縁
層10を設けている。
【0023】このとき、コイル部12は線状導体部17
と溝切部18とからなり、この溝切部18の溝の深さは
素体11の表面まで達した深さとなっており、素体11
の表面には溶融部16が形成されている。
【0024】上記インダクタンス部品の製造工程は、柱
状のフェライトコアからなる素体11の外周に絶縁層1
0を形成する絶縁層被覆工程と、この絶縁層10に導体
層13を被覆する導体層被覆工程と、被覆した導体層1
3をレーザ照射によりスパイラル状に溝切りし、溝切部
18とこの溝切部18に挟まれた線状導体部17とを有
したコイル部12を形成するコイル部形成工程と、レー
ザ照射による切削屑や線状導体層17の酸化面をエッチ
ングするエッチング工程と、コイル部12を絶縁樹脂で
被覆し外装保護部14を形成する外装形成工程と、コイ
ル部12と接続した端子15を形成する端子形成工程と
を備えている。
【0025】上記構成のインダクタンス部品について以
下その動作を説明する。
【0026】上記構成により、レーザ照射によって素体
11の特性が変化し、絶縁低下を生じていたとしても、
導体層13と素体11との間に非磁性材料の絶縁層10
を設けているので、導体層13と素体11との短絡を防
止することができる。特に、絶縁層10はガラスからな
る非磁性材料としているので、素体11と絶縁層10と
の密着強度および絶縁層10と導体層13との密着強度
を向上させることができ、実装時における半田付け等の
熱によって、導体層13が素体11から剥離するのを防
止し、信頼性を向上することができる。
【0027】また、素体11はフェライトコアからなる
磁性材料としているので、高絶縁抵抗であり、レーザ照
射により素体11の表面が溶融しても、絶縁抵抗が非常
に低下してしまうことがなく、短絡を抑制することがで
きる。
【0028】さらに、上記製造方法により、特に、導体
層13と素体11との間に非磁性材料の絶縁層10を形
成する絶縁被覆工程を設けているので、導体層13と素
体11との短絡を防止したインダクタンス部品を製造す
ることができる。
【0029】このように本発明の一実施の形態によれ
ば、導体層13と素体11との短絡を防止できるととも
に、実装時における半田付け等の熱に起因した素体11
からの導体層13の剥離を防止し、信頼性を向上するこ
とができる。
【0030】なお、本発明の一実施の形態では、絶縁層
10はガラスとしたが、セラミックでもよく、ガラスと
同様の効果を得ることができる。また、素体11はフェ
ライトコアとしたが、ダストコアでもよく、低絶縁抵抗
ではあるが、大電流対応用として用いることができる。
【0031】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、レーザ照
射によって素体の特性が変化し、絶縁低下を生じていた
としても、導体層と素体との間に非磁性材料の絶縁層を
設けているので、導体層と素体との短絡を防止したイン
ダクタンス部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
部品の断面図
【図2】同インダクタンス部品の要部の拡大図
【図3】同インダクタンス部品の斜視図
【図4】従来のインダクタンス部品の断面図
【図5】同インダクタンス部品の要部の拡大図
【符号の説明】
11 素体 12 コイル部 13 導体層 14 外装保護部 15 端子 16 溶融部 17 線状導体部 18 溝切部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 柱状の素体と、この素体の外周に被覆し
    た導体層をレーザ照射によってスパイラル状に溝切りし
    て形成したコイル部と、このコイル部と接続した端子と
    を備え、前記導体層と前記素体との間に非磁性材料の絶
    縁層を設けたインダクタンス部品。
  2. 【請求項2】 絶縁層はガラスからなる非磁性材料とし
    た請求項1に記載のインダクタンス部品。
  3. 【請求項3】 絶縁層はセラミックからなる非磁性材料
    とした請求項1に記載のインダクタンス部品。
  4. 【請求項4】 素体はダストコアからなる磁性材料とし
    た請求項1に記載のインダクタンス部品。
  5. 【請求項5】 素体はフェライトコアからなる磁性材料
    とした請求項1に記載のインダクタンス部品。
  6. 【請求項6】 柱状の素体の外周に導体層を被覆する導
    体層被覆工程と、被覆した前記導体層をレーザ照射によ
    りスパイラル状に溝切りし、溝切部と前記溝切部に挟ま
    れた線状導体部とを有したコイル部を形成するコイル部
    形成工程と、前記コイル部と接続した端子を形成する端
    子形成工程とを備え、前記導体層被覆工程時において、
    前記素体と前記導体層との間に絶縁層を形成する絶縁層
    被覆工程を設けたインダクタンス部品の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011003637A (ja) * 2009-06-17 2011-01-06 Tdk Corp コイル部品
JP2011014822A (ja) * 2009-07-06 2011-01-20 Tdk Corp コイル部品
CN110364339A (zh) * 2018-04-09 2019-10-22 株式会社村田制作所 线圈部件

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