JP4354475B2 - 積層コンデンサ - Google Patents

Description

本発明は、積層コンデンサに関する。

この種の積層コンデンサとして、互いに対向する長方形状の一対の主面と、一対の主面間を連結するように一対の主面の長辺方向に伸び且つ互いに対向する一対の側面と、一対の主面間を連結するように一対の主面の短辺方向に伸び且つ互いに対向する一対の側面とを有する直方体状のコンデンサ素体と、主面の長辺方向に伸びる一対の側面にそれぞれ配置される複数の端子電極と、を備え、コンデンサ素体が、一対の主面の対向方向に積層された複数の絶縁体層と、複数の絶縁体層のうち少なくとも一つの絶縁体層を挟んで対向するように交互に配置されると共に対応する端子電極に接続される複数の内部電極と、を有するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された積層コンデンサでは、一対の側面にそれぞれ配置される端子電極の間隔が短いことから、該積層コンデンサにおける電流経路が比較的短くなり、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を小さくすることが可能となる。
特開平９−１４８１７４号公報

ところで、積層コンデンサにあっては、その用途により、等価直列抵抗（ＥＳＲ）を大きくしたいという更なる要求がある。例えば、積層コンデンサをデカップリングコンデンサとして用いる場合には、以下のような要求がある。デジタル電子機器に搭載されている中央処理装置（ＣＰＵ）に供給用の電源においては低電圧化が進む一方で負荷電流は増大している。従って、負荷電流の急激な変化に対して電源電圧の変動を許容値内に抑えることが非常に困難になったため、デカップリングコンデンサと呼ばれる積層コンデンサが電源に接続されるようになった。そして、負荷電流の過渡的な変動時にこの積層コンデンサからＣＰＵに電流を供給して、電源電圧の変動を抑えるようにしている。近年、ＣＰＵの動作周波数の更なる高周波数化に伴って、負荷電流は高速でより大きなものとなっており、デカップリングコンデンサに用いられる積層コンデンサには、大容量化と共に等価直列抵抗を大きくしたいという要求がある。

しかしながら、特許文献１に記載された積層コンデンサでは、等価直列抵抗を大きくするための検討は行っていない。

本発明は、等価直列インダクタンスの増加を抑えつつ、等価直列抵抗を大きくすることが可能な積層コンデンサを提供することを課題とする。

本発明に係る積層コンデンサは、直方体状であり、互いに対向する長方形状の第１及び第２の主面と、第１及び第２の主面間を連結するように第1及び第２の主面の長辺方向に伸び且つ互いに対向する第１及び第２の側面と、第1及び第２の主面間を連結するように第1及び第２の主面の短辺方向に伸び且つ互いに対向する第３及び第４の側面とを有する、複数の絶縁体層が第１及び第２の主面の対向方向に積層されたコンデンサ素体と、コンデンサ素体内に配置される複数の第１の内部電極と、複数の絶縁体層のうち少なくとも一層を間に挟んで対向するように、複数の第１の内部電極と交互にコンデンサ素体内に配置される複数の第２の内部電極と、複数の第１の内部電極と電気的に接続される第１の端子電極と、複数の第２の内部電極と電気的に接続される第２の端子電極と、複数の第１の内部電極と電気的に接続される接続導体と、接続導体全域を覆うように、第１の端子電極と接続導体との間に配置される絶縁体と、を備え、第２の端子電極は、コンデンサ素体の第２の側面に配置され、各第１の内部電極は、主電極部と、当該主電極部から第１の側面に端部が露出するように伸びる第１の引き出し部とを含み、複数の第１の内部電極のうち少なくとも１つの第１の内部電極は、主電極部から第１の側面に端部が露出するように伸びる第２の引き出し部をさらに含み、接続導体は、コンデンサ素体の第１の側面に露出する少なくとも１つの第１の内部電極の第２の引き出し部の端部を覆うことなく、第１の側面に露出する複数の第１の内部電極の第１の引き出し部の端部をすべて連続的に覆うと共に、第１の引き出し部の端部に機械的に接続するように、第１の端子電極と第１の側面との間に配置され、絶縁体は、コンデンサ素体の第１の側面に露出する少なくとも１つの第１の内部電極の第２の引き出し部の端部を覆わず、第１の端子電極は、絶縁体全域及び第１の側面に露出する少なくとも１つの第１の内部電極の第２の引き出し部の端部を連続的に覆い、且つ第１の内部電極の第２の引き出し部に電気的に接続されるように、第１の側面に配置されることを特徴とする。

上述の積層コンデンサでは、第１の内部電極は、接続導体を介して互いに電気的に接続される。接続導体は絶縁体で覆われており、第１の端子電極とは電気的に絶縁される。したがって、複数の第１の内部電極のうち第２の引き出し部をさらに含む少なくとも一層の第１の内部電極のみが、他の内部電極を介さずに第１の端子電極に直接電気的に接続される。その結果、上述の積層コンデンサでは、等価直列抵抗を大きくすることが可能となる。さらに、第１及び第２の端子電極はいずれも、第１及び第２の主面の長辺方向に伸び且つ互いに対向する第１及び第２の側面上に配置されている。このように、上述の積層コンデンサでは、第１及び第２の端子電極の間隔が短くなり、当該積層コンデンサにおける電流経路が比較的短くなるため、等価直列インダクタンスを小さくすることが可能となる。また、上述の積層コンデンサは、第１の内部電極を接続する接続導体に対し、当該接続導体を覆う絶縁体を備えている。そのため、上述の積層コンデンサでは、接続導体とランドパターンとの接続関係について配慮することなく、基板等に実装することが可能となり、汎用性を有することができる。

また、第１の側面に露出する少なくとも１つの第１の内部電極の第２の引き出し部の端部に機械的に接続される下地導体をさらに備え、下地導体は、第１の側面上において接続導体とは重なることなく、第１の側面に露出する第１の内部電極の第２の引き出し部の端部を覆うように、第１の側面と第１の端子電極との間に配置されることが好ましい。例えば、金属材料を第１の側面上に焼き付けることで接続導体を形成する場合において、焼き付け時に、第１の側面に露出した第１の内部電極の第２の引き出し部の端部が酸化してしまうことを好適に抑制することが可能となる。

本発明によれば、等価直列インダクタンスの増加を抑えつつ、等価直列抵抗を大きくすることが可能な積層コンデンサを提供することができる。

以下、添付図面を参照して、好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１〜図６を参照して、実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成について説明する。図１は、実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２は、実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。図３は、実施形態に係る積層コンデンサの第１の側面上に配置される接続導体、絶縁体、下地導体、及び第１の端子電極の構成を説明するための図である。図４は、実施形態に係る積層コンデンサの接続導体、絶縁体、下地導体、及び第２の端子電極の構成を説明するための図である。図５は、図１に示した積層コンデンサのV−V矢印断面の構成を説明するための図である。図６は、図１に示した積層コンデンサのVI−VI矢印断面の構成を説明するための図である。

実施形態に係る積層コンデンサＣ１は、図１に示されるように、コンデンサ素体Ｌ１と、コンデンサ素体Ｌ１の外表面に配置される第１及び第２の接続導体１１、２１、第１及び第２の下地導体１２Ａ、１２Ｂ、２２Ａ、２２Ｂ、第１及び第２の絶縁体１３、２３、並びに第１及び第２の端子電極１０、２０と、を備える。

コンデンサ素体Ｌ１は、図１に示されるように、直方体状であり、互いに対向する長方形状の第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂと、第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ間を連結するように第1及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向に伸び且つ互いに対向する第１及び第２の側面Ｌ１ｃ、Ｌ１ｄと、第1及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ間を連結するように第1及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの短辺方向に伸び且つ互いに対向する第３及び第４の側面Ｌ１ｅ、Ｌ１ｆとを有する。

コンデンサ素体Ｌ１は、図２に示されるように、複数（本実施形態では、７層）の絶縁体層３０〜３６が第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの対向方向に積層されて形成された積層体である。各絶縁体層３０〜３６は、例えば絶縁体セラミックを含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。なお、実際の積層コンデンサＣ１では、絶縁体層３０〜３６の間の境界が視認できない程度に一体化されている。

コンデンサ素体Ｌ１内には、複数（本実施形態では、各３層）の第１及び第２の内部電極４０〜４２、５０〜５２が配置されている。第１及び第２の内部電極４０〜４２、５０〜５２は、複数の絶縁体層３０〜３６のうち少なくとも一層を間に挟んで対向するように、交互にコンデンサ素体Ｌ１内に配置される。各内部電極４０〜４２、５０〜５２は、例えば、導電性ペースト（例えばＮｉ、Ａｇ／Ｐｄを主成分とした導体ペースト）の焼結体から構成される。

各第１の内部電極４０〜４２は、コンデンサ素体Ｌ１の第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向を長辺方向とする矩形状の主電極部４０ａ〜４２ａと、主電極部４０ａ〜４２ａから第１の側面Ｌ１ｃに端部が露出するように伸びる第１の引き出し部４０ｂ〜４２ｂとを含む。第１の引き出し部４０ｂ〜４２ｂは、対応する主電極部４０ａ〜４２ａの第１の側面Ｌ１ｃ側の長辺の中心付近から第１の側面Ｌ１ｃに向けて伸びる。

第１の内部電極４０〜４２のうち、１つの第１の内部電極４０は、主電極部４０ａから第１の側面Ｌ１ｃに端部が露出するように伸びる第２の引き出し部４０ｃ、４０ｄをさらに含む。第２の引き出し部４０ｃは、主電極部４０ａの第１の側面Ｌ１ｃ側の長辺の第３の側面Ｌ１ｅ側から、第１の側面Ｌ１ｃに向けて伸びる。第２の引き出し部４０ｄは、主電極部４０ａの第１の側面Ｌ１ｃ側の長辺の第４の側面Ｌ１ｆ側から、第１の側面Ｌ１ｃに向けて伸びる。

第１の内部電極４０では、コンデンサ素体Ｌ１の第３の側面Ｌ１ｅ側から第４の側面Ｌ１ｆ側に向かって、第２の引き出し部４０ｃ、第１の引き出し部４０ｂ、第２の引き出し部４０ｄがこの順で配置されている。

各第２の内部電極５０〜５２は、コンデンサ素体Ｌ１の第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向を長辺方向とする矩形状の主電極部５０ａ〜５２ａと、主電極部５０ａ〜５２ａから第２の側面Ｌ１ｄに端部が露出するように伸びる第３の引き出し部５０ｂ〜５２ｂとを含む。第３の引き出し部５０ｂ〜５２ｂは、対応する主電極部５０ａ〜５２ａの第２の側面Ｌ１ｄ側の長辺の中心付近から第２の側面Ｌ１ｄに向けて伸びる。

第２の内部電極５０〜５２のうち、１つの第２の内部電極５２は、主電極部５２ａから第２の側面Ｌ１ｄに端部が露出するように伸びる第４の引き出し部５２ｃ、５２ｄをさらに含む。第２の引き出し部５２ｃは、主電極部５２ａの第２の側面Ｌ１ｄ側の長辺の第３の側面Ｌ１ｅ側から、第２の側面Ｌ１ｄに向けて伸びる。第４の引き出し部５２ｄは、主電極部５２ａの第２の側面Ｌ１ｄ側の長辺の第４の側面Ｌ１ｆ側から、第２の側面Ｌ１ｄに向けて伸びる。

第２の内部電極５２では、コンデンサ素体Ｌ１の第３の側面Ｌ１ｅ側から第４の側面Ｌ１ｆ側に向かって、第２の引き出し部５２ｃ、第１の引き出し部５２ｂ、第２の引き出し部５２ｄがこの順で配置されている。

第１の内部電極４０の主電極部４０ａと第２の内部電極５０の主電極部５０ａとは、絶縁体層３１を挟んで対向している。第１の内部電極４１の主電極部４１ａと第２の内部電極５０の主電極部５０ａとは、絶縁体層３２を挟んで対向している。第１の内部電極４１の主電極部４１ａと第２の内部電極５１の主電極部５１ａとは、絶縁体層３３を挟んで対向している。第１の内部電極４２の主電極部４２ａと第２の内部電極５１の主電極部５１ａとは、絶縁体層３４を挟んで対向している。第１の内部電極４２の主電極部４２ａと第２の内部電極５２の主電極部５２ａとは、絶縁体層３５を挟んで対向している。

第１の側面Ｌ１ｃ上は、図３に示されるように、第１の接続導体１１、第１の下地導体１２Ａ、１２Ｂ、第１の絶縁体１３、及び第１の端子電極１０が配置される。第１の接続導体１１は、第１の側面Ｌ１ｃに露出する第１の内部電極４０〜４２の第１の引き出し部４０ｂ〜４２ｂの端部をすべて連続的に覆うように、第１の側面Ｌ１ｃ上に配置されている。第１の接続導体１１は、第１の側面Ｌ１ｃと第１の端子電極１０との間に配置される。第１の接続導体１１は、第１の側面Ｌ１ｃに露出する第１の内部電極４０の第２の引き出し部４０ｃ、４０ｄの端部のいずれも覆わない。

第１の下地導体１２Ａは、第１の側面Ｌ１ｃに露出する第２の引き出し部４０ｃの端部を覆うように、第１の側面Ｌ１ｃ上であって且つ第１の端子電極１０下に配置されている。第１の下地導体１２Ｂは、第１の側面Ｌ１ｃに露出する第２の引き出し部４０ｄの端部を覆うように、第１の側面Ｌ１ｃ上であって且つ第１の端子電極１０下に配置されている。すなわち、第１の下地導体１２Ａ、１２Ｂは、第１の側面Ｌ１ｃと第１の端子電極１０との間に配置される。第１の下地導体１２Ａ、１２Ｂはいずれも、第１の側面Ｌ１ｃ上において、互いに重なることなく、さらに第１の接続導体１１と重なることなく配置されている。

第１の絶縁体１３は、第１の側面Ｌ１ｃに露出する第１の内部電極４０の第２の引き出し部４０ｃ、４０ｄの端部を覆うことなく第１の接続導体１１全域を覆うように、第１の接続導体１１上、すなわち第１の接続導体１１と第１の端子電極１０との間に配置されている。第１の端子電極１０は、第１の絶縁体１３全域及び第１の下地導体１２Ａ、１２Ｂ全域を連続的に覆うように配置されている。したがって、第１の端子電極１０は、第１の側面Ｌ１ｃに露出する第１の内部電極４０の第２の引き出し部４０ｃ、４０ｄの端部を覆うことになる。

第２の側面Ｌ１ｄ上には、図４に示されるように、第２の接続導体２１、第２の下地導体２２Ａ、２２Ｂ、第２の絶縁体２３、及び第２の端子電極２０が配置されている。第２の接続導体２１は、第２の側面Ｌ１ｄに露出する第２の内部電極５０〜５２の第３の引き出し部５０ｂ〜５２ｂの端部をすべて連続的に覆うように、第２の側面Ｌ１ｄ上に配置されている。第２の接続導体２１は、第２の側面Ｌ１ｄと第２の端子電極２０との間に配置される。第２の接続導体２１は、第２の側面Ｌ１ｄに露出する第２の内部電極５２の第４の引き出し部５２ｃ、５２ｄの端部をいずれも覆わない。

第２の下地導体２２Ａは、第２の側面Ｌ１ｄに露出する第２の引き出し部５２ｃの端部を覆うように、第２の側面Ｌ１ｄ上であって且つ第２の端子電極２０下に配置されている。第２の下地導体２２Ｂは、第２の側面Ｌ１ｄに露出する第２の引き出し部５２ｄの端部を覆うように、第２の側面Ｌ１ｄ上であって且つ第２の端子電極２０下に配置されている。すなわち、第２の下地導体２２Ａ、２２Ｂは、第２の側面Ｌ１ｄと第２の端子電極２０との間に配置される。第２の下地導体２２Ａ、２２Ｂはいずれも、第２の側面Ｌ１ｄ上において、互いに重なることなく、さらに第２の接続導体２１と重なることなく配置されている。

第２の絶縁体２３は、第２の側面Ｌ１ｄに露出する第２の内部電極５２の第２の引き出し部５２ｃ、５２ｄの端部を覆うことなく第２の接続導体２１全域を覆うように、第２の接続導体２１上、すなわち、第２の接続導体２１と第２の端子電極２０との間に配置される。第２の端子電極２０は、第２の絶縁体２３全域及び第２の下地導体２２Ａ、２２Ｂ全域を連続的に覆うように配置されている。したがって、第２の端子電極２０は、第２の側面Ｌ１ｄに露出する第２の内部電極５２の第２の引き出し部５２ｃ、５２ｄの端部を覆うことになる。

図５に、図１に示した積層コンデンサのV−V矢印断面の構成を説明するための図を示す。図５から理解されるように、第１の内部電極４０〜４２の第１の引き出し部４０ｂ〜４２ｂの端部は、第１の接続導体１１に機械的に接続される。第２の内部電極５０〜５２の第３の引き出し部５０ｂ〜５２ｂの端部は、第２の接続導体２１に機械的に接続される。また、図５から、第１の接続導体１１は、第１の側面Ｌ１ｃと第１の絶縁体１３との間に配置され、第１の絶縁体１３は、第１の接続導体１１と第１の端子電極１０との間に配置されることが理解される。さらに、第２の接続導体２１は、第２の側面Ｌ１ｄと第２の絶縁体２３との間に配置され、第２の絶縁体２３は、第２の接続導体２１と第２の端子電極２０との間に配置されることが理解される。

図６に、図１に示した積層コンデンサのVI−VI矢印断面の構成を説明するための図を示す。図６から理解されるように、第１の内部電極４０の第２の引き出し部４０ｃの端部は、第１の下地導体１２Ａに機械的に接続される。第２の内部電極５２の第４の引き出し部５２ｃの端部は、第２の下地導体２２Ａに機械的に接続される。図示は省略するが、第１の内部電極４０の第２の引き出し部４０ｄの端部は、第１の下地導体１２Ｂに機械的に接続される。第２の内部電極５２の第４の引き出し部５２ｄの端部は、第２の下地導体２２Ｂに機械的に接続される。

また、図６から、第１の下地導体１２Ａは、第１の側面Ｌ１ｃと第１の端子電極１０との間に配置されることが理解される。さらに、第２の下地導体２２Ａは、第２の側面Ｌ１ｄと第２の端子電極２０との間に配置されることが理解される。また、図示は省略するが、第１の下地導体１２Ｂは、第１の側面Ｌ１ｃと第１の端子電極１０との間に配置され、第２の下地導体２２Ｂは、第２の側面Ｌ１ｄと第１の端子電極１０との間に配置される。

したがって、第１の端子電極１０は、第１の内部電極４０の第２の引き出し部４０ｃ、４０ｄに、他の内部電極及び第１の接続導体１１を介することなく電気的に接続される。第２の端子電極２０は、第２の内部電極５２の第４の引き出し部５２ｃ、５２ｄに、他の内部電極及び第２の接続導体２１を介することなく電気的に接続される。

また、第１の端子電極１０は、第１の接続導体１１を介することで、複数の第１の内部電極４０〜４２に電気的に接続される。第２の端子電極２０は、第２の接続導体２１を介することで、複数の第２の内部電極５０〜５２に電気的に接続される。

次に、図７及び図８を参照して、積層コンデンサＣ１のコンデンサ素体Ｌ１に対して第１の接続導体、第１の絶縁体、第１の下地導体、及び第１の端子電極を形成して、積層コンデンサＣ１を製造する方法の一例を説明する。

図７に示されるように、まず、コンデンサ素体Ｌ１の第１の側面Ｌ１ｃ上に第１の接続導体１１及び第１の下地導体１２Ａ、１２Ｂを形成する。第１の接続導体１１の形成は、第１の側面Ｌ１ｃ上において、第１の内部電極４０〜４２の第１の引き出し部４０ｂ〜４２ｂが露出する端部をすべて連続的に覆うように導体ペーストを塗布した後、このペーストに対して加熱（焼き付け）処理を施すことにより行う。第１の下地導体１２Ａの形成は、第１の側面Ｌ１ｃ上において、第１の内部電極４０の第２の引き出し部４０ｃが露出する端部を覆うように導体ペーストを塗布した後、このペーストに対して焼き付け処理を施すことにより行う。第１の下地導体１２Ｂの形成は、第１の側面Ｌ１ｃ上において、第１の内部電極４０の第２の引き出し部４０ｄが露出する端部を覆うように導体ペーストを塗布した後、このペーストに対して焼き付け処理を施すことにより行う。導体ペーストとして、例えばＣｕ、あるいはＮｉ、あるいはＡｇを主成分とした導体ペーストを用いる。このように、焼き付け処理を行うことによって、第１の内部電極４０〜４２の第１の引き出し部４０ｂ〜４２ｂと第１の接続導体１１とが、また、第１の内部電極４０の第２の引き出し部４０ｃ、４０ｄと第１の下地導体１２Ａ、１２Ｂとがそれぞれ合金化するため、これらの引き出し部と接続導体との間の電気的接続がより一層確実になる。

次に、第１の接続導体１１上に第１の絶縁体１３を形成する。第１の絶縁体１３は、第１の接続導体１１全域を覆うように、第１の接続導体１１上に絶縁体ペースト（例えばガラス、あるいはセラミクス、あるいは樹脂を主成分とする）を塗布し、塗布されたペーストを焼き付け（絶縁体ペーストが例えばガラスあるいはセラミクスを主成分とする場合）又は乾燥（絶縁体ペーストが例えば樹脂を主成分とする場合）することで形成される。あるいは、第１の接続導体１１形成のために塗布した導体ペーストの表面を酸化させることによって、第１の絶縁体１３を形成してもよい。

続いて、第１の絶縁体１３及び第１の下地導体１２Ａ、１２Ｂ上に第１の端子電極１０を形成する。第１の端子電極１０は、第１の絶縁体１３及び第１の下地導体１２Ａ、１２Ｂの双方を連続的に覆うように、第１の側面Ｌ１ｃ上に導体ペースト（例えばＣｕ、あるいはＮｉ、あるいはＡｇ、あるいは導電性樹脂を主成分とする）を塗布して焼き付け（導体ペーストが例えばＣｕ、あるいはＮｉ、あるいはＡｇを主成分とする場合）又は乾燥（導体ペーストが例えば樹脂を主成分とする場合）することにより形成される。必要に応じて、焼き付け又は乾燥された第１の端子電極１０の上にめっき層が形成されることもある。以上により、第１の端子電極１０はコンデンサ素体Ｌ１に形成される。

積層コンデンサＣ１では、第１の内部電極４０〜４２の第１の引き出し部４０ｂ〜４２ｂは第１の接続導体１１に機械的に接続されている。したがって、第１の内部電極４０〜４２は第１の接続導体１１を介して互いに電気的に接続される。

第１の接続導体１１は第１の絶縁体１３で覆われている。そのため、第１の接続導体１１は、基板等に形成されたランドパターンに接続される第１の端子電極１０とは電気的に絶縁される。一方、第１の内部電極４０のみが第２の引き出し部４０ｃ、４０ｄを有し、第１の端子電極１０に他の内部電極及び第１の接続導体１１を介さずに電気的に接続される。すなわち、他の第１の内部電極４１、４２は、第１の端子電極１０に第１の内部電極４０及び第１の接続導体１１を介して電気的に接続される。

これらの結果、積層コンデンサＣ１では、等価直列抵抗を大きくすることが可能となる。

さらに、第１及び第２の端子電極１０、２０はいずれも、第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向に伸び且つ互いに対向する第１又は第２の側面Ｌ１ｃ、Ｌ１ｄ上に配置されている。積層コンデンサＣ１ではこのように、第１及び第２の端子電極１０、２０の間隔が短くなり、当該積層コンデンサＣ１における電流経路が比較的短くなる。そのため、積層コンデンサＣ１では等価直列インダクタンスを小さくすることが可能となる。

したがって、積層コンデンサＣ１では、等価直列インダクタンスの増加を抑えつつ、等価直列抵抗を大きくすることが可能となる。

また、積層コンデンサＣ１では、第１の接続導体１１と第１の端子電極１０との間に第１の絶縁体１３が配置されている。そのため、一般的な２端子コンデンサのように、第１及び第２の端子電極１０、２０をそのまま基板等に形成されたランドパターンに接続させるように実装したとしても、上記したような効果（等価直列インダクタンスの増加を抑えつつ、等価直列抵抗を大きくすること）を奏することができる。したがって、積層コンデンサＣ１は、一般的な２端子コンデンサを実装するための、一般的な基板回路等に接続することが可能であり、基板等との関係において汎用性を持つことができる。

また、積層コンデンサＣ１においては、第２の側面Ｌ１ｄと第２の端子電極２０との間に、第２の接続導体２１、第２の下地導体２２Ａ、２２Ｂ、及び第２の絶縁体２３が配置されている。こうした配置によっても、積層コンデンサＣ１は、等価直列インダクタンスの増加を抑えつつ、等価直列抵抗を大きくすることができる。その結果、積層コンデンサＣ１では、より一層等価直列インダクタンスの増加を抑えつつ、等価直列抵抗を大きくすることが可能となる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

例えば、絶縁体層３０〜３６及び各内部電極４０〜４２、５０〜５２の積層数は、上述した実施形態に記載された数に限られない。また、第２の引き出し部を有し、他の内部電極及び接続導体を介さずに第１の端子電極１０に電気的に接続される第１の内部電極の数及び積層方向での位置は、上述した実施形態に記載された数及び位置に限られない。また、第４の引き出し部を有し、他の内部電極及び接続導体を介さずに第２の端子電極２０に電気的に接続される第２の内部電極の数及び積層方向での位置は、上述した実施形態に記載された数及び位置に限られない。

また、第１の内部電極４０が有する第１及び第２の引き出し部の数及び位置は、上述した実施形態に記載された数及び位置に限られない。第２の内部電極５２が有する第１及び第２の引き出し部の数及び位置は、上述した実施形態に記載された数及び位置に限られない。

第１及び第２の接続導体１１、２１はいずれも、上述した実施形態に記載された数に限られず、例えばそれぞれ１つであっても、あるいは２つ以上であってもよい。第１及び第２の接続導体１１、２１は、同じ数でなくてもよい。第１及び第２の絶縁体１３、２３はいずれも、上述した実施形態に記載された数に限られない。

第１及び第２の下地導体１２Ａ、１２Ｂ、２２Ａ、２２Ｂはいずれも、２つでなくてもよく、例えば１つであっても、あるいは３つ以上であってもよい。第１及び第２の下地導体１２Ａ、１２Ｂ、２２Ａ、２２Ｂは、同じ数でなくてもよい。また、第１及び第２の下地導体１２Ａ、１２Ｂ、２２Ａ、２２Ｂの双方又は一方を備えていなくてもよい。また、第２の接続導体２１、第２の絶縁体２３、及び第２の下地導体２２Ａ、２２Ｂを備えていなくてもよい。

実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。 実施形態に係る積層コンデンサの第１の側面上に配置される導体、絶縁体、及び端子電極の構成を説明するための図である。 実施形態に係る積層コンデンサの第１の側面上に配置される導体、絶縁体、及び端子電極の構成を説明するための図である。 図１に示した積層コンデンサのV−V矢印断面の構成を説明するための図である。 図１に示した積層コンデンサのVI−VI矢印断面の構成を説明するための図である。 実施形態に係る積層コンデンサの第１の端子電極部材をコンデンサ素体に対して製造する方法を説明するための図である。 実施形態に係る積層コンデンサの第１の端子電極部材をコンデンサ素体に対して製造する方法を説明するための図である。

符号の説明

Ｃ１…積層コンデンサ、１１…第１の接続導体、１２Ａ、１２Ｂ…第１の下地導体、１３…第１の絶縁体、１０…第１の端子電極、２１…第２の接続導体、２２Ａ、２２Ｂ…第２の下地導体、２３…第２の絶縁体、２０…第２の端子電極、Ｌ１…コンデンサ素体、Ｌ１ａ…第１の主面、Ｌ１ｂ…第２の主面、Ｌ１ｃ…第１の側面、Ｌ１ｄ…第２の側面、Ｌ１ｅ…第３の側面、Ｌ１ｆ…第４の側面、３０〜３６…絶縁体層、４０〜４２…第１の内部電極、５０〜５２…第２の内部電極。

Claims (3)

1. 直方体状であり、互いに対向する長方形状の第１及び第２の主面と、前記第１及び第２の主面間を連結するように前記第1及び第２の主面の長辺方向に伸び且つ互いに対向する第１及び第２の側面と、前記第1及び第２の主面間を連結するように前記第1及び第２の主面の短辺方向に伸び且つ互いに対向する第３及び第４の側面とを有する、複数の絶縁体層が前記第１及び第２の主面の対向方向に積層されたコンデンサ素体と、
   前記コンデンサ素体内に配置される複数の第１の内部電極と、
   前記複数の絶縁体層のうち少なくとも一層を間に挟んで対向するように、前記複数の第１の内部電極と交互に前記コンデンサ素体内に配置される複数の第２の内部電極と、
   前記複数の第１の内部電極と電気的に接続される第１の端子電極と、
   前記複数の第２の内部電極と電気的に接続される第２の端子電極と、
   前記複数の第１の内部電極と電気的に接続される第１の接続導体と、
   前記第１の接続導体全域を覆うように、前記第１の端子電極と前記第１の接続導体との間に配置される第１の絶縁体と、
   前記複数の第２の内部電極と電気的に接続される第２の接続導体と、
   前記第２の接続導体全域を覆うように、前記第２の端子電極と前記第２の接続導体との間に配置される第２の絶縁体と、を備え、
   前記各第１の内部電極は、第１の主電極部と、当該第１の主電極部から前記第１の側面に端部が露出するように伸びる第１の引き出し部とを含み、
   前記複数の第１の内部電極のうち少なくとも１つの第１の内部電極は、前記第１の主電極部から前記第１の側面に端部が露出するように伸びる第２の引き出し部をさらに含み、
   前記各第１の内部電極の第１の引き出し部は、当該第１の内部電極の第１の主電極部の前記第１の側面側の辺の中心付近から前記第１の側面に向けて伸び、
   前記各第２の内部電極は、第２の主電極部と、当該第２の主電極部から前記第２の側面に端部が露出するように伸びる第３の引き出し部とを含み、
   前記複数の第２の内部電極のうち少なくとも１つの第２の内部電極は、前記第２の主電極部から前記第２の側面に端部が露出するように伸びる第４の引き出し部をさらに含み、
   前記各第２の内部電極の第３の引き出し部は、当該第２の内部電極の第２の主電極部の前記第２の側面側の辺の中心付近から前記第２の側面に向けて伸び、
   前記第１の接続導体は、前記コンデンサ素体の前記第１の側面に露出する前記少なくとも１つの第１の内部電極の前記第２の引き出し部の前記端部を覆うことなく、前記第１の側面に露出する複数の前記第１の内部電極の前記第１の引き出し部の前記端部をすべて連続的に覆うと共に、前記第１の引き出し部の前記端部に機械的に接続するように、前記第１の端子電極と前記第１の側面との間に配置され、
   前記第１の絶縁体は、前記コンデンサ素体の前記第１の側面に露出する前記少なくとも１つの第１の内部電極の前記第２の引き出し部の前記端部を覆わず、
   前記第１の端子電極は、前記第１の絶縁体全域及び前記第１の側面に露出する前記少なくとも１つの第１の内部電極の前記第２の引き出し部の前記端部を連続的に覆い、且つ前記第１の内部電極の前記第２の引き出し部に電気的に接続されるように、前記第１の側面に配置され、
   前記第２の接続導体は、前記コンデンサ素体の前記第２の側面に露出する前記少なくとも１つの第２の内部電極の前記第４の引き出し部の前記端部を覆うことなく、前記第２の側面に露出する複数の前記第２の内部電極の前記第３の引き出し部の前記端部をすべて連続的に覆うと共に、前記第３の引き出し部の前記端部に機械的に接続するように、前記第２の端子電極と前記第２の側面との間に配置され、
   前記第２の絶縁体は、前記コンデンサ素体の前記第２の側面に露出する前記少なくとも１つの第２の内部電極の前記第４の引き出し部の前記端部を覆わず、
   前記第２の端子電極は、前記第２の絶縁体全域及び前記第２の側面に露出する前記少なくとも１つの第２の内部電極の前記第４の引き出し部の前記端部を連続的に覆い、且つ前記第２の内部電極の前記第４の引き出し部に電気的に接続されるように、前記第２の側面に配置され、
   前記第１の接続導体と前記第２の接続導体とは、前記第１及び第２の側面の対向方向において対向することを特徴とする積層コンデンサ。
2. 前記第１の側面に露出する前記少なくとも１つの第１の内部電極の前記第２の引き出し部の前記端部に機械的に接続される下地導体をさらに備え、
   前記下地導体は、前記第１の側面上において前記第１の接続導体とは重なることなく、前記第１の側面に露出する前記第１の内部電極の前記第２の引き出し部の前記端部を覆うように、前記第１の側面と前記第１の端子電極との間に配置されることを特徴とする請求項１記載の積層コンデンサ。
3. 前記少なくとも１つの第１の内部電極は、前記第１の主電極部から前記第１の側面に端部が露出するように伸びる第２の引き出し部を複数含み、
   前記少なくとも１つの第２の内部電極は、前記第２の主電極部から前記第２の側面に端部が露出するように伸びる第４の引き出し部を複数含み、
   前記少なくとも１つの第１の内部電極では、前記第１の引き出し部の前記第３の側面側及び前記第４の側面側の双方において前記第２の引き出し部が隣接しており、
   前記少なくとも１つの第２の内部電極では、前記第３の引き出し部の前記第３の側面側及び前記第４の側面側の双方において前記第４の引き出し部が隣接していることを特徴とする請求項１又は２記載の積層コンデンサ。

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