JP7443636B2 - 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタの斜視図を概略的に示したものであり、図2は図1のI-I'による断面図を概略的に示したものであり、図3は図2におけるAの拡大断面図を概略的に示したものである。
図9~図14は、本発明の他の実施例による積層セラミックキャパシタの製造方法の各段階を概略的に示した斜視図である。
110 本体
111 誘電体層
112 カバー層
121、122 内部電極
131、132 外部電極
131a 第1電極層
131b 第2電極層
Claims (9)
- 互いに対向する第1及び第2面、前記第1及び第2面と連結され、互いに対向する第3及び第4面、前記第1から第4面と連結され、互いに対向する第5及び第6面を有し、
誘電体層と該誘電体層を挟んで前記第3及び第4面から交互に露出するように配置される内部電極を含む本体と、
前記本体の第3及び第4面にそれぞれ形成される接続部、前記接続部から前記本体の第1、第2、第5及び第6面の一部まで延長形成されるバンド部、及び前記接続部と前記バンド部とが接する角部を含む外部電極と、を含み、
前記外部電極の厚さは50nm~2μmであり、
前記接続部の厚さをt1、前記バンド部の厚さをt2、前記角部の厚さをt3としたとき、t2/t1は0.7~1.2を満足し、t3/t1は0.7~1.0を満足し、
前記外部電極は、前記本体に接する第1電極層と、該第1電極層上に形成された第2電極層と、を含み、
前記第1電極層の厚さは10~100nmであり、
前記第1電極層は、Ti、NiCr、TiW、TiN、及びTaNのうち少なくとも一つを含み、
前記第2電極層は、Alを含む、
積層セラミックキャパシタ。 - 前記接続部の厚さバラツキは10%以下である、請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記バンド部の厚さバラツキは10%以下であり、長さバラツキは10%以下である、請求項1又は2に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記外部電極はスパッタリング層である、請求項1から3のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記第1及び第2電極層は、バンド部の端がそれぞれ丸みを帯びた側壁を有するアンダーカット形状である、請求項1から4のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記積層セラミックキャパシタは、前記外部電極上に形成されためっき層をさらに含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 互いに対向する第1及び第2面、前記第1及び第2面と連結され、互いに対向する第3及び第4面、前記第1から第4面と連結され、互いに対向する第5及び第6面を有し、誘電体層と該誘電体層を挟んで前記第3及び第4面から交互に露出するように配置される内部電極を含む本体を設ける段階と、
前記第1から第6面に第1電極層を形成する段階と、
前記第1電極層上に第2電極層を形成する段階と、
前記第2電極層において第1及び第2外部電極が形成される部分の上部に保護層を形成する段階と、
前記保護層が形成された前記本体において前記第2電極層の露出した部分をエッチングして除去した後、前記第1電極層の露出した部分をエッチングして除去する段階と、
前記保護層を除去する段階と、を含み、
前記第1及び第2電極層の厚さは、合計50nm~2μmであり、
前記第1電極層の厚さは10~100nmであり、
前記第1電極層は、Ti、NiCr、TiW、TiN、及びTaNのうち少なくとも一つを含み、
前記第2電極層は、Alを含む、
積層セラミックキャパシタの製造方法。 - 前記第1及び第2電極層を形成する段階は、バレル型スパッタリング工法を用いて行われる、請求項7に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記保護層を除去した後、前記第2電極層上にめっき層を形成する段階をさらに含む、請求項7又は8に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
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