JP2011233840A - 電子部品 - Google Patents

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武久 笹林
Takumi Taniguchi
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Abstract

【課題】ESRを低減しつつ、デラミネーションの発生を抑制できる電子部品を提供することである。
【解決手段】積層体12は、複数の絶縁体層16が積層されて構成されている。コンデンサ導体18aは、積層体12に内蔵され、かつ、積層体12の表面において、絶縁体層16間から露出している露出部26aを有している。コンデンサ導体18bは、積層体12に内蔵され、かつ、積層体12の表面において、絶縁体層16間から露出している露出部26bを有している。コンデンサ導体18a,18bは、コンデンサCを構成している。外部電極はそれぞれ、露出部26a,26bを覆うように積層体12の表面に直接めっきにより形成されている。y軸方向から平面視したときに、露出部26a,26bの長さはそれぞれ、絶縁体層16の外縁の長さの35%以上45%以下である。
【選択図】図2

Description

本発明は、電子部品に関し、より特定的には、複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体を備えている電子部品に関する。
従来の電子部品としては、例えば、特許文献1に記載の積層セラミックコンデンサが知られている。特許文献1に記載の積層セラミックコンデンサは、複数の誘電体層、複数の電極及びターミネーションを備えている。複数の誘電体層及び複数の電極は、交互に積層されている。ターミネーションは、複数の誘電体層からなる積層体の底面に設けられている外部電極である。以上のような積層セラミックコンデンサでは、積層体の底面において誘電体層間から電極を露出させ、電極が露出している部分にめっきを施すことによりターミネーションを形成している。
ところで、前記積層セラミックコンデンサでは、ESR(等価直列抵抗)を低減したいという要望がある。ESRを低減する方法としては、例えば、電極が積層体の底面から露出している部分の面積を大きくすることが挙げられる。これにより、電極とターミネーションとが接続されている部分の面積が大きくなり、ESRが低減される。
しかしながら、電極が積層体の底面から露出している面積が大きくなると、誘電体層同士が剥離するデラミネーションが発生しやすくなる。より詳細には、電極と誘電体層とは異なる材料により作製されている。そのため、電極と誘電体層との密着力は、誘電体層同士の密着力に比べて弱い。そして、電極が積層体の底面から大きく露出する積層体にマザー積層体がカットされる場合には、カット時に積層体に加わる力によって、密着力が弱い電極と誘電体層との間にデラミネーションが発生するおそれがある。
特開2007−129224号公報
そこで、本発明の目的は、ESRを低減しつつ、デラミネーションの発生を抑制できる電子部品を提供することである。
本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体と、前記積層体に内蔵され、かつ、該積層体の表面において、前記絶縁体層間から露出している第1の露出部を有している第1のコンデンサ導体と、前記積層体に内蔵され、かつ、該積層体の表面において、前記絶縁体層間から露出している第2の露出部を有している第2のコンデンサ導体であって、前記第1のコンデンサ導体と共にコンデンサを構成している第2のコンデンサ導体と、前記第1の露出部を覆うように前記表面に直接めっきにより形成された第1の外部電極と、前記第2の露出部を覆うように前記表面に直接めっきにより形成された第2の外部電極と、を備えており、積層方向から平面視したときに、前記第1の露出部及び前記第2の露出部の長さはそれぞれ、前記絶縁体層の外縁の長さの35%以上45%以下であること、を特徴とする。
本発明によれば、ESRを低減しつつ、デラミネーションの発生を抑制できる。
電子部品の外観斜視図である。 電子部品の積層体の分解斜視図である。 絶縁体層及びコンデンサ導体を平面視した図である。 その他の実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。
(電子部品の構成)
まず、電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、電子部品10の外観斜視図である。図2は、電子部品10の積層体12の分解斜視図である。以下では、積層体12の積層方向をy軸方向と定義する。積層体12をy軸方向から平面視したときの積層体12の短辺方向をx軸方向と定義する。積層体12をy軸方向から平面視したときの積層体12の長辺方向をz軸方向と定義する。
電子部品10は、チップコンデンサであり、図1及び図2に示すように、積層体12、外部電極14(14a,14b)及びコンデンサC(図1には図示せず)を備えている。積層体12は、直方体状をなしている。ただし、積層体12は、面取りが施されることにより角及び稜線において丸みを帯びた形状をなしている。積層体12の表面は、側面S1,S2、端面S3,S4、上面S5及び下面S6により構成されている。以下では、積層体12において、y軸方向の正方向側の面を側面S1とし、y軸方向の負方向側の面を側面S2とする。また、x軸方向の負方向側の面を端面S3とし、x軸方向の正方向側の面を端面S4とする。また、z軸方向の正方向側の面を上面S5とし、z軸方向の負方向側の面を下面S6とする。
積層体12は、図2に示すように、複数の絶縁体層16が積層されることにより構成されている。絶縁体層16は、長方形状をなしており、誘電体セラミックにより作製されている。誘電体セラミックの例としては、BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等が挙げられる。また、これらの材料が主成分とされ、Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、希土類化合物等が副成分とされていてもよい。絶縁体層16の厚みは、0.4μm以上10μm以下であることが好ましい。以下では、絶縁体層16のy軸方向の正方向側の主面を表面と称し、絶縁体層16のy軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
積層体12の側面S1は、y軸方向の最も正方向側に設けられている絶縁体層16の表面により構成されている。積層体12の側面S2は、y軸方向の最も負方向側に設けられている絶縁体層16の裏面により構成されている。また、端面S3は、複数の絶縁体層16のx軸方向の負方向側の短辺が連なることによって構成されている。端面S4は、複数の絶縁体層16のx軸方向の正方向側の短辺が連なることによって構成されている。上面S5は、複数の絶縁体層16のz軸方向の正方向側の長辺が連なることによって構成されている。下面S6は、複数の絶縁体層16のz軸方向の負方向側の長辺が連なることによって構成されている。
コンデンサCは、図2に示すように、積層体12に内蔵されているコンデンサ導体18(18a,18b)により構成されている。コンデンサ導体18は、例えば、Ni、Cu、Ag、Pd、Ag−Pd合金、Au等の導電性材料により作製されており、0.3μm以上2.0μm以下の厚さを有していることが好ましい。
コンデンサ導体18aは、絶縁体層16の表面上に設けられており、容量部20a及び引き出し部22aを有している。容量部20aは、長方形状をなしており、絶縁体層16の外縁に接していない。引き出し部22aは、容量部20aに接続されており、絶縁体層16の長辺及び短辺に引き出されている。より詳細には、引き出し部22aは、絶縁体層16のx軸方向の負方向側の短辺全体、絶縁体層16のz軸方向の正方向側の長辺の一部、及び、絶縁体層16のz軸方向の負方向側の長辺の一部に引き出されている。これにより、引き出し部22aは、積層体12の端面S3、上面S5及び下面S6において、隣り合う2層の絶縁体層16間から露出しているコ字状の露出部26aを有している。露出部26aは、図2に示すように、連続しており、途中で分断されていない。
コンデンサ導体18bは、コンデンサ導体18aと共にコンデンサCを構成し、かつ、絶縁体層16の表面上に設けられており、容量部20b及び引き出し部22bを有している。容量部20bは、長方形状をなしており、絶縁体層16の外縁に接していない。引き出し部22bは、容量部20bに接続されており、絶縁体層16の長辺及び短辺に引き出されている。より詳細には、引き出し部22bは、絶縁体層16のx軸方向の正方向側の短辺全体、絶縁体層16のz軸方向の正方向側の長辺の一部、及び、絶縁体層16のz軸方向の負方向側の長辺の一部に引き出されている。これにより、引き出し部22bは、積層体12の端面S4、上面S5及び下面S6において、隣り合う2層の絶縁体層16間から露出しているコ字状の露出部26bを有している。露出部26bは、図2に示すように、連続しており、途中で分断されていない。
以上のように構成されたコンデンサ導体18a,18bは、y軸方向に交互に並ぶように複数の絶縁体層16上に設けられている。これにより、コンデンサCは、容量部20aと容量部20bとが絶縁体層16を介して対向する部分において構成されている。そして、コンデンサ導体18が設けられている複数の絶縁体層16が積層されている領域を、内層領域と称す。また、内層領域のy軸方向の正方向側には、コンデンサ導体18が設けられていない複数の絶縁体層16が積層されている。同様に、内層領域のy軸方向の負方向側には、コンデンサ導体18が設けられていない複数の絶縁体層16が積層されている。以下では、これらのコンデンサ導体18が設けられていない複数の絶縁体層16が積層されている2つの領域を外層領域と称す。
外部電極14aは、露出部26aを覆うように、積層体12の端面S3、上面S5及び下面S6上に直接めっきにより形成されている。より詳細には、外部電極14aは、端面S3の略全面を覆っている。更に、外部電極14aは、端面S3から上面S5及び下面S6に対して折り返されている。また、外部電極14bは、露出部26bを覆うように、積層体12の端面S4、上面S5及び下面S6上に直接めっきにより形成されている。より詳細には、外部電極14bは、端面S4の略全面を覆っている。更に、外部電極14bは、端面S4から上面S5及び下面S6に対して折り返されている。以上のように外部電極14が設けられることにより、外部電極14aと外部電極14bとの間にコンデンサCが接続されている。外部電極14の材料としては、例えば、Cuが挙げられる。
ところで、電子部品10は、ESRを低減しつつ、デラミネーションの発生を抑制できる構成を有している。ESRを低減するためには、y軸方向から平面視したときにおける露出部26a,26bの長さを長くすることが望ましい。一方、デラミネーションの発生を抑制するためには、y軸方向から平面視したときにおける露出部26a,26bの長さを短くすることが望ましい。そこで、本願発明者は、以下に説明する実験を行って、y軸方向から平面視したときに、露出部26a,26bの長さL2がそれぞれ、絶縁体層16の外縁の長さL1の35%以上45%以下であることが望ましいことを特定した。以下に、本願発明者が行った実験について説明する。
(実験)
本願発明者は、実施例1ないし実施例3及び比較例1ないし比較例4に係る電子部品を作製した。実施例1ないし実施例3及び比較例1ないし比較例4に係る電子部品はそれぞれ、コンデンサ導体の構造が異なっていることにより、L2/L1が異なっている。以下に、実施例1ないし実施例3及び比較例1ないし比較例4に係る電子部品の構造について説明する。
まず、実施例1ないし実施例3及び比較例1ないし比較例4に係る電子部品に共通の構造を以下に示す。
寸法:0.8mm×0.5mm×1.6mm
絶縁体層の材料:BaTiO3
絶縁体層の層数:420層
内層領域の絶縁体層の層数:330層
外層領域の絶縁体層の層数:各45層
絶縁体層の厚み:3μm
コンデンサ導体の材料:Ni
コンデンサ導体の厚み:1μm
コンデンサの容量:0.47μF
外部電極の材料:Cuめっき/Niめっき/Snめっき(3層構造)
次に、実施例1ないし実施例3及び比較例1ないし比較例4に係る電子部品のコンデンサ導体の構造について説明する。図3は、絶縁体層及びコンデンサ導体を平面視した図である。表1は、実施例1ないし実施例3及び比較例1ないし比較例4に係る電子部品における絶縁体層及びコンデンサ導体の図3に示す各部(a〜f)の寸法及びL2/L1を示した表である。なお、a〜fは、実施例1ないし実施例3及び比較例1ないし比較例4に係る電子部品をカットし、断面を研磨した後、測長顕微鏡によりコンデンサ導体及び絶縁体層の各部位を計測することにより測定した。なお、L1は、2a+2fであり、L2は、b+2c+2dである。
Figure 2011233840
以上のような実施例1ないし実施例3及び比較例1ないし比較例4に係る電子部品の共振点におけるESRを、ネットワークアナライザ(アジレント・テクノロジー株式会社製E5071B)を用いて測定した。また、実施例1ないし実施例3及び比較例1ないし比較例4に係る電子部品をC−SAM(ソニックス株式会社製INSIGHT−200)を用いて検査を行って、デラミネーションの発生率を調べた。表2は、実験結果を示したグラフである。
ここで、表2において、ESR低下率は、比較例1に係る電子部品のESRに対する他の電子部品のESRの低下率を示している。比較例1に係る電子部品では、表1に示すように、c及びdが0mmである。これは、コンデンサ導体が、長方形状をなしており、積層体の端面にのみ引き出されていることを意味している。
Figure 2011233840
表2によれば、L2/L1が0.35以上である実施例1ないし実施例3及び比較例4に係る電子部品では、ESR低下率が10%以上となっている。一方、L2/L1が0.35より小さい比較例1ないし比較例3に係る電子部品では、ESR低下率が10%より小さくなっている。したがって、y軸方向から平面視したときに、露出部26a,26bの長さL2がそれぞれ、絶縁体層16の外縁の長さL1の35%以上であれば、ESRを効果的に低減できることがわかる。
一方、L2/L1が0.45以下である比較例1ないし比較例3及び実施例1ないし実施例3に係る電子部品では、デラミネーションが発生していない。一方、L2/L1が0.45より大きい比較例4に係る電子部品では、デラミネーションが発生している。したがって、y軸方向から平面視したときに、露出部26a,26bの長さL2がそれぞれ、絶縁体層16の外縁の長さL1の45%以下であれば、デラミネーションの発生を抑制できることがわかる。
以上の実験より、y軸方向から平面視したときに、露出部26a,26bの長さL2をそれぞれ、絶縁体層16の外縁の長さL1の35%以上45%以下とすることにより、ESRを低減でき、かつ、デラミネーションの発生を抑制できることがわかる。
次に、本願発明者は、以下に説明する実施例4ないし実施例6及び比較例5ないし比較例8に係る電子部品を作製した。そして、本願発明者は、実施例4ないし実施例6及び比較例5ないし比較例8に係る電子部品を用いて、実施例1ないし実施例3及び比較例1ないし比較例4に係る電子部品と同じ実験を行った。以下に、実施例4ないし実施例6及び比較例5ないし比較例8に係る電子部品の構造について説明する。
まず、実施例4ないし実施例6及び比較例5ないし比較例8に係る電子部品に共通の構造を以下に示す。
寸法:0.5mm×0.3mm×1.0mm
絶縁体層の材料:BaTiO3
絶縁体層の層数:270層
内層領域の絶縁体層の層数:180層
外層領域の絶縁体層の層数:各45層
絶縁体層の厚み:3μm
コンデンサ導体の材料:Ni
コンデンサ導体の厚み:1μm
コンデンサの容量:0.10μF
外部電極の材料:Cuめっき/Niめっき/Snめっき(3層構造)
次に、実施例4ないし実施例6及び比較例5ないし比較例8に係る電子部品のコンデンサ導体の構造について説明する。絶縁体層及びコンデンサ導体の各部の寸法は、図3に示したものを援用する。表3は、実施例4ないし実施例6及び比較例5ないし比較例8に係る電子部品における絶縁体層及びコンデンサ導体の図3に示す各部(a〜f)の寸法及びL2/L1を示した表である。
Figure 2011233840
以上のような実施例4ないし実施例6及び比較例5ないし比較例8に係る電子部品の共振点におけるESRを、ネットワークアナライザを用いて測定した。また、実施例4ないし実施例6及び比較例5ないし比較例8に係る電子部品をC−SAMを用いて検査を行って、デラミネーションの発生率を調べた。表4は、実験結果を示したグラフである。
Figure 2011233840
表4によれば、表2と同様に、y軸方向から平面視したときに、露出部26a,26bの長さL2をそれぞれ、絶縁体層16の外縁の長さL1の35%以上45%以下とすることにより、ESRを低減でき、かつ、デラミネーションの発生を抑制できることがわかる。したがって、電子部品10の絶縁体層16のサイズやコンデンサ導体18のサイズを変更しても、露出部26a,26bの長さL2をそれぞれ、絶縁体層16の外縁の長さL1の35%以上45%以下とすることにより、ESRを低減でき、かつ、デラミネーションの発生を抑制できることがわかる。
(電子部品の製造方法)
次に、電子部品10の製造方法について説明する。なお、図面は、図1及び図2を援用する。
まず、BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等の主成分と、Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、希土類化合物等の副成分とを所定の比率で秤量してボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、誘電体セラミック粉末を得る。
この誘電体セラミック粉末に対して、有機バインダ及び有機溶剤を加えてボールミルで混合を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層16となるべきセラミックグリーンシートを作製する。
次に、絶縁体層16となるべきセラミックグリーンシート上に、導電性材料からなるペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コンデンサ導体18a,18bを形成する。導電性材料からなるペーストは、例えば、金属粉末に、有機バインダ及び有機溶剤が加えられたものである。
次に、絶縁体層16となるべきセラミックグリーンシートを逐次積層して未焼成のマザー積層体を得る。セラミックグリーンシートを逐次圧着する工程では、10kN〜500kNの圧力をセラミックグリーンシートに加える。この後、未焼成のマザー積層体に対して、静水圧プレスにて圧着を施す。
次に、未焼成のマザー積層体を所定寸法にカットして、複数の未焼成の積層体12を得る。そして、積層体12の表面に、バレル研磨加工を施して、積層体12の角部及び稜線の面取りを行う。
次に、未焼成の積層体12を焼成する。焼成温度は、例えば、900℃〜1300℃であることが好ましい。
最後に、直接めっきにより外部電極14を形成する。以上の工程を経て、電子部品10が完成する。
(効果)
以上の電子部品10によれば、前記実験の通り、露出部26a,26bの長さL2をそれぞれ、絶縁体層16の外縁の長さL1の35%以上45%以下とすることにより、ESRを低減でき、かつ、デラミネーションの発生を抑制できる。
(その他の実施形態)
本発明に係る電子部品10は、前記実施形態に示したものに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
電子部品10では、図1に示すように、z軸方向から平面視したときに、y軸方向に長辺が延在し、x軸方向に短辺が延在している。しかしながら、図4に示すその他の実施形態に係る電子部品10aのように、z軸方向から平面視したときに、y軸方向に短辺が延在し、x軸方向に長辺が延在していてもよい。
なお、外部電極14は、前記の通り1回の直接めっきにより形成されるが、2回のめっきにより形成されてもよい。具体的には、1回目の直接めっきにより、下地めっき膜を形成した後に、2回目のめっきにより、下地めっき膜上に上層めっき膜を形成する。下地めっき膜及び上層めっき膜の材料は、Cu,Ni,Sn,Pb,Au,Ag,Pd,Bi又はZnの中から選ばれる1種類の金属又は複数種類の金属からなる合金である。なお、コンデンサ導体18の材料としてNiを用いた場合には、下地めっき膜の材料としてNiと整合性のよいCuを用いることが好ましい。また、上層めっき膜を第1の上層めっき膜及び第2の上層めっき膜からなる2層構造としてもよい。下地めっき膜と接する第1の上層めっき膜の材料としては、はんだにより侵食されにくいNiを用いることが好ましい。また、外部に露出する第2の上層めっき膜の材料としては、はんだ濡れ性の優れたSnやAuを用いることが好ましい。なお、下層めっき膜、第1の上層めっき及び第2の上層めっき膜の厚さはそれぞれ、1μm以上15μm以下であることが好ましい。
以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、ESRを低減しつつ、デラミネーションの発生を抑制できる点において優れている。
C コンデンサ
S1,S2 側面
S3,S4 端面
S5 上面
S6 下面
10,10a 電子部品
12 積層体
14a,14b 外部電極
16 絶縁体層
18a,18b コンデンサ導体
20a,20b 容量部
22a,22b 引き出し部
26a,26b 露出部

Claims (1)

  1. 複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体と、
    前記積層体に内蔵され、かつ、該積層体の表面において、前記絶縁体層間から露出している第1の露出部を有している第1のコンデンサ導体と、
    前記積層体に内蔵され、かつ、該積層体の表面において、前記絶縁体層間から露出している第2の露出部を有している第2のコンデンサ導体であって、前記第1のコンデンサ導体と共にコンデンサを構成している第2のコンデンサ導体と、
    前記第1の露出部を覆うように前記表面に直接めっきにより形成された第1の外部電極と、
    前記第2の露出部を覆うように前記表面に直接めっきにより形成された第2の外部電極と、
    を備えており、
    積層方向から平面視したときに、前記第1の露出部及び前記第2の露出部の長さはそれぞれ、前記絶縁体層の外縁の長さの35%以上45%以下であること、
    を特徴とする電子部品。
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