JP7166847B2 - 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の一実施例に係る積層セラミックキャパシタの斜視図を概略的に示したものである。図2は図1のI-I'による断面図を概略的に示したものである。図3は図2におけるA部分の拡大断面図を概略的に示したものである。図4は図2におけるB部分の拡大断面図を概略的に示したものである。
図7~図10は、本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法の各段階を概略的に示した斜視図である。
110 本体
111 誘電体層
112 カバー層
121、122 内部電極
130、140 外部電極
131 第1電極層
132 第2電極層
Claims (14)
- 誘電体層及び内部電極を含む本体と、該本体の一面に配置される外部電極と、を含み、
前記外部電極は、
前記本体の一面に配置され、前記内部電極と接触し窒化チタン(TiN)を含む第1電極層と、該第1電極層上に配置される第2電極層と、を含み、前記第1電極層の厚さは10~500nmであり、前記第2電極層はガラス及び樹脂のうち一つ以上を含む積層セラミックキャパシタ。 - 前記本体は、互いに対向する第1及び第2面と、前記第1及び第2面と連結され、互いに対向する第3及び第4面と、前記第1及び第2面と連結され、かつ前記第3及び第4面と連結され、互いに対向する第5及び第6面と、を含み、
前記内部電極は、前記誘電体層を挟んで一端が前記第3及び第4面から交互に露出するように配置される第1及び第2内部電極を含み、
前記外部電極は、前記本体の第3及び第4面に配置され、前記第1及び第2内部電極とそれぞれ接続される第1及び第2外部電極を含む、請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。 - 前記第1及び第2外部電極は、前記本体の第3及び第4面にそれぞれ形成される接続部と、前記接続部から前記本体の第1、第2、第5、及び第6面の一部まで延びるように形成されるバンド部と、前記接続部及びバンド部が接する角部と、を含み、
前記第1電極層の接続部の厚さをt1、前記第1電極層の角部の厚さをt2としたとき、t2/t1が0.9以上である、請求項2に記載の積層セラミックキャパシタ。 - 前記第2電極層は、導電性金属及びガラスを含む焼成電極である、請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記導電性金属はCuである、請求項4に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記第2電極層は、複数の金属粒子及びベース樹脂を含む樹脂系電極である、請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記金属粒子は、Cu、Ni、及びAgのいずれか1種以上である、請求項6に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記第2電極層は、複数の金属粒子と、該複数の金属粒子を取り囲む導電性連結部と、ベース樹脂と、前記第1電極層及び前記導電性連結部が接する界面に形成された金属間化合物と、を含む、請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記金属粒子は、Cu、Ni、Ag、AgがコーティングされたCu、及びSnがコーティングされたCuのいずれか1種以上である、請求項8に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記外部電極は、前記第2電極層上に形成されためっき層をさらに含む、請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 誘電体層及び内部電極を含む本体を準備する段階と、
前記本体の全面に原子層蒸着(Atomic Layer Deposition)工法によって窒化チタン(TiN)を含む第1電極層を形成する段階と、
前記第1電極層が形成された本体において、第1及び第2外部電極が形成される部分の上部に第2電極層を形成する段階と、
前記第2電極層が形成された本体において、前記第1電極層の露出した部分をエッチングして除去する段階と、を含み、
前記第1電極層の厚さは10~500nmであり、前記第2電極層はガラス及び樹脂のうち一つ以上を含む積層型キャパシタの製造方法。 - 前記第2電極層は、導電性金属及びガラスを含むペーストを塗布及び焼成することによって形成される、請求項11に記載の積層型キャパシタの製造方法。
- 前記第2電極層は、ベース樹脂に金属粒子が分散されたペーストを塗布した後、乾燥及び硬化することによって形成される、請求項11に記載の積層型キャパシタの製造方法。
- 前記第2電極層は、ベース樹脂に金属粒子及びベース樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する低融点金属が分散されたペーストを塗布した後、乾燥及び硬化することによって形成される、請求項11に記載の積層型キャパシタの製造方法。
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