JP6714840B2 - 積層セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Description
第1の内部電極層16aの一端側には、積層体12の第1の端面12eに引き出された引出電極部18aを有する。第2の内部電極層16bの一端側には、積層体12の第2の端面12fに引き出された引出電極部18bを有する。具体的には、第1の内部電極層16aの一端側の引出電極部18aは、積層体12の第1の端面12eに露出している。また、第2の内部電極層16bの一端側の引出電極部18bは、積層体12の第2の端面12fに露出している。
ここで、積層体12の端部のLギャップ20cの長さは、20μm以上40μm以下であることが好ましい。また、積層体12の側部のWギャップ20bの長さは、15μm以上20μm以下であることが好ましい。
積層体12の第1の端面12e側には、第1の外部電極22aが形成される。第1の外部電極22aは、積層体12の第1の端面12eを覆い、第1の端面12eから延伸して第1の主面12a、第2の主面12b、第1の側面12cおよび第2の側面12dの一部分を覆うように形成される。この場合、第1の外部電極22aは、第1の内部電極層16aの引出電極部18aと電気的に接続される。
積層体12の第2の端面12f側には、第2の外部電極22bが形成される。第2の外部電極22bは、積層体12の第2の端面12fを覆い、第2の端面12fから延伸して第1の主面12a、第2の主面12b、第1の側面12cおよび第2の側面12dの一部分を覆うように形成される。この場合、第2の外部電極22bは、第2の内部電極層16bの引出電極部18bと電気的に接続される。
焼付け層は、Siを含むガラスと、金属としてのCuとを含む。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体12に塗布して焼き付けたものであり、誘電体層14および内部電極層16を焼成した後に焼き付けたものである。焼付け層のうちの最も厚い部分の厚みは、5μm以上25μm以下であることが好ましい。
めっき層26aおよび26bは、複数層によって形成されてもよい。好ましくは、焼付け層上に形成されたNiめっき層と、Niめっき層上に形成されたSnめっき層の2層構造である。Niめっき層は、下地電極層24aおよび24bが積層セラミック電子部品を実装する際のはんだによって侵食されることを防止するために用いられ、Snめっき層は、積層セラミック電子部品を実装する際のはんだの濡れ性を向上させて、容易に実装することができるようにするために用いられる。
めっき層一層あたりの厚みは、1μm以上8μm以下であることが好ましい。
誘電体シート上には、たとえば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより、所定のパターンで内部電極用の導電性ペーストが印刷され、それにより内部電極パターンが形成される。
さらに、内部電極パターンが形成されていない外層用の誘電体シートが所定枚数積層され、その上に内部電極が形成された誘電体シートが順次積層され、その上に外層用の誘電体シートが所定枚数積層されて、積層シートが作製される。
次に、積層ブロックが所定のサイズにカットされ、積層チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより、積層チップの角部および稜線部に丸みがつけられてもよい。
さらに、積層チップを焼成することにより、積層体が作製される。このときの焼成温度は、誘電体や内部電極の材料にもよるが、900℃以上1300℃以下であることが好ましい。
外部電極用の導電性ペーストには、Cu粉が含まれており、このCu粉は液相還元法により形成されている。そして、Cu粉の大きさは、0.2μm以上2μm以下の粒径に分布しているCu粉が全体の50%を占めることで規定されている。Cu粉は、Alの酸化物を含み、Zrなどの酸化物で被覆されていることが好ましい。
導電性ペーストを焼き付ける際には、積層体12の内部電極層16と外部電極内のCu結晶とが接触することにより内部電極層16と外部電極22との電気的接続が得られる。そのため、内部電極層の引出電極部18aおよび18bと外部電極22のCu結晶との接触が容易に行われるためには、外部電極22内のCu結晶は小さいほうが有利である。
外部電極22内のCu結晶を小さくするためには、外部電極用の導電性ペーストの焼結速度は遅いほうがよい。そのために、導電性ペースト内のCu粉の周囲またはCu粉の内側に、酸化物が点在していることが好ましい。このような酸化物としては、Zr、Al、Ti、Siの酸化物であり、特に、Zrの酸化物が好ましい。
さらに、必要に応じて、外部電極用の導電性ペーストの焼付け層の表面に、めっきが施される。なお、外部電極に含まれるZr,Al,TiはDynamic−SIMSにより検出できる。Zrは、Cu結晶同士の結晶界面および、Cu結晶とガラスの界面に存在する。Zrにより焼結速度を遅くすることが可能となり、Cuとガラスの軟化挙動を合わせやすくなる。
まず、積層セラミックコンデンサ10について、外部電極22を含むLT断面が露出するように研磨される。なお、研磨による外部電極22の金属垂れが生じないように、金属垂れを除去しておくことが好ましい。そして、下地電極層24aおよび24bを含む断面を集中イオンビーム(以降、FIB)により薄片として切り出し、走査イオン型電子顕微鏡(以降、SIM)にて撮像される。
上述のような製造方法を用いて、積層セラミックコンデンサを作製した。ここで、外部電極に含まれるCu結晶の長さの平均長さが狙い値として0.3μm以上3μm以下で4パターンの積層セラミックコンデンサをそれぞれ30個作製し、実施例1〜実施例4とした。また、外部電極に含まれるCu結晶の長さの平均長さが狙い値として5μmである積層セラミックコンデンサ、外部電極に含まれるCu結晶の長さの平均長さが狙い値として0.1μmである積層セラミックコンデンサでの2パターンをそれぞれ30個作製し、比較例1、比較例2とした。内部電極層との接続性の評価は、30個の静電容量を測定し、静電容量のCV値を算出し、このCV値が5%以上のものを接続性がNGと評価し、5%未満を接続性がGと評価した。同様に、外部電極に含まれるCu結晶の長さの平均長さが狙い値として0.3μm以上3μm以下で4パターンの積層セラミックコンデンサをそれぞれ100個作製し、実施例1〜実施例4とした。また、外部電極に含まれるCu結晶の長さの平均長さが狙い値として5μmである積層セラミックコンデンサ、外部電極に含まれるCu結晶の長さの平均長さが狙い値として0.1μmである積層セラミックコンデンサである積層セラミックコンデンサの2パターンをそれぞれ100個作製し、比較例1、比較例2とした。同様に、外部電極内部の欠損の評価として、外部電極を外観検査し、外部電極の表面に泡状の膨らみが発生している場合は、外部電極の脱脂が十分でなく、外部電極内部に欠陥がありNGとした。外部電極の表面に泡状の膨らみがない場合は、欠陥がなくGとした。その結果を表1に示した。Cu結晶の平均長さが0.1μmまで小さくなると、外部電極中のCu結晶数が過剰となり、脱脂性が低下し、外部電極中に構造欠陥が生じる。したがって、内部電極層との接続性の評価が行えなかった。
上述のような製造方法を用いて、積層セラミックコンデンサを作製し、別の評価を行った。ここで、外部電極に含まれるガラスが積層体に接触している個数と外部電極に含まれるCu結晶が積層体に接触している個数とが、狙い値として5個以上のパターンと、狙い値として5個未満のパターンとをそれぞれ作製した。作製後、内部電極層との接続性と積層体と外部電極との固着性を評価した。内部電極層の接続性の評価は実験例1と同じ評価である。外部電極との固着性については、以下のようにして評価した。基板上に品名SAC305の千住金属工業株式会社製のはんだを厚みが20μmで印刷した。つぎに、積層セラミックコンデンサを基板上にはんだ実装し、積層セラミックコンデンサの横から基板と平行に押す横押し試験を実施した。横押しの力を0Nから0.5Nまで段階的にあげていき、積層体と外部電極が剥離した積層セラミックコンデンサが10個中1個でもあれば、NGと判断した。その結果を表2に示した。なお、横押し試験により積層体のみが割れ、外部電極と積層体が固着していたものはGとした。
12 積層体
12a 第1の主面
12b 第2の主面
12c 第1の側面
12d 第2の側面
12e 第1の端面
12f 第2の端面
14 誘電体層
14a 外層部
14b 内層部
16 内部電極層
16a 第1の内部電極層
16b 第2の内部電極層
18a、18b 引出電極部
20a 対向電極部
20b Wギャップ
20c Lギャップ
22 外部電極
22a 第1の外部電極
22b 第2の外部電極
24a、24b 下地電極層
26a、26b めっき層
Claims (1)
- 積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを有し、さらに、積層方向に相対する第1の主面および第2の主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第1の側面および第2の側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第1の端面および第2の端面とを有する積層体を準備する工程と、
Zrの酸化物でコーティングされ、液相還元法により形成されたCu粒子およびガラスを含む導電性ペーストを準備する工程と、
前記導電性ペーストを前記積層体の前記第1の端面および前記第2の端面に塗布して焼結することで下地電極層を形成する工程と、を備え、
前記焼結後に前記下地電極層を走査イオン顕微鏡像で観察した場合、複数のCu結晶はそれぞれ異なる結晶方位の異なるCu結晶の平均結晶長が0.3μm以上3μm以下となる、積層セラミック電子部品の製造方法。
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