JP2018037473A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】外部電極用の導電性ペーストを焼結する際に生じ得るクラックの発生が抑制された、積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】複数のセラミック層３０と、複数の第１の内部電極層４０ａと、複数の第２の内部電極層４０ｂとが交互に積層されることにより形成された積層体２０と、積層体２０の表面に形成された第１の外部電極５０ａ及び第２の外部電極５０ｂとを備える積層セラミックコンデンサ１０であって、複数の第１の内部電極層４０ａと複数のセラミック層３０との界面において、複数の第１の内部電極層４０ａと第１の外部電極５０ａとが相互拡散することにより形成された第１の拡散部７０ａを含み、且つ複数の第２の内部電極層４０ｂと複数のセラミック層３０との界面において、複数の第２の内部電極層４０ｂと第２の外部電極５０ｂとが相互拡散することにより形成された第２の拡散部７０ｂを含む。【選択図】図４

Description

この発明は、積層セラミックコンデンサに関する。

携帯電話機などに代表される電子機器は、小型化や薄型化が一層進展している。このような現状に応じて、当該電子機器に搭載される積層セラミックコンデンサについても小型化や薄型化が進んでいる。積層セラミックコンデンサは、例えば、内層用セラミック層と内部電極層とが交互に積層され、さらに、積層方向において相対する主面それぞれに外層用セラミック層が積層されることにより直方体状に形成された積層体と、当該積層体の長さ方向において相対する端面それぞれに形成された外部電極とを備える。特許文献１には、製品形状を直方体に整えることなどを目的とした積層セラミックコンデンサが開示されている。

特許文献１の積層セラミックコンデンサは、セラミックなどの燒結体からなる誘電体層、第１の内部電極層、第２の内部電極層及び外部電極から構成されている。積層体は、積層の主面方向に、積層方向において互いに内部電極が最近接しない部分（端面側部分）と、内部電極が最近接する部分（端面側部分それぞれに挟まれた中央部分）とに分けられる。ここで、第２の内部電極層とは、第１の内部電極層の上に、端面側部分において積層形成されている内部電極層のことである。端面側部分の内部電極の厚み（第１の内部電極層の厚み＋第２の内部電極層の厚み）は、中央部分の内部電極の厚み（第１の内部電極層の厚み）より大きい。

特開２００２−３５３０６８号公報

特許文献１の積層セラミックコンデンサは、積層体の端面それぞれに外部電極を備える。このような外部電極は、一般に、積層体の端面に導電性ペーストを塗布して焼結することにより形成される。当該導電性ペーストは、焼結される過程において、内部電極層へと拡散する。これにより、内部電極層の一部（積層体の端面側に位置する部分）が肥大化するため、積層体に撓み応力が発生する。その結果、積層セラミックコンデンサにクラックが生じてしまうという問題があった。特に、特許文献１の積層セラミックコンデンサは、端面側に位置する内部電極層の厚み寸法が大きいため、この問題の発生が顕著になり得る。

それゆえに、この発明の目的は、外部電極用の導電性ペーストを焼結する際に生じ得るクラックの発生が抑制された、積層セラミックコンデンサを提供することである。

この発明に係る積層セラミックコンデンサは、複数のセラミック層と、複数の第１の内部電極層と、複数の第２の内部電極層とが交互に積層されることにより直方体状に形成され、積層方向において相対する第１の主面及び第２の主面と、積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面及び第２の側面と、積層方向及び幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面とを含む積層体と、積層体の第１の端面に形成された第１の外部電極、及び積層体の第２の端面に形成された第２の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、複数の第１の内部電極層それぞれは、積層体の第１の端面側に引き出された引出電極部により第１の外部電極に電気的に接続され、且つ複数の第２の内部電極層それぞれは、積層体の第２の端面側に引き出された引出電極部により第２の外部電極に電気的に接続され、複数の第１の内部電極層と複数のセラミック層との界面において、複数の第１の内部電極層と第１の外部電極とが相互拡散することにより形成された第１の拡散部を含み、且つ複数の第２の内部電極層と複数のセラミック層との界面において、複数の第２の内部電極層と第２の外部電極とが相互拡散することにより形成された第２の拡散部を含むことを特徴とする。

好ましくは、第１の拡散部及び第２の拡散部それぞれがＣｕを含み、第１の内部電極層及び第２の内部電極層それぞれがＮｉを含むことを特徴とする。

さらに好ましくは、第１の拡散部におけるＣｕが第１の内部電極層の引出電極部におけるＮｉに拡散し、且つ第２の拡散部におけるＣｕが第２の内部電極層の引出電極部におけるＮｉに拡散していることを特徴とする。

好ましくは、第１の拡散部及び第２の拡散部それぞれの長さ方向の寸法は、２０μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする。

この発明によれば、外部電極用の導電性ペーストを焼結する際に生じ得るクラックの発生が抑制された、積層セラミックコンデンサを提供し得る。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴及び利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す外観斜視図である。 この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す長さ方向に沿った断面図である。 この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す第１の端面近傍の幅方向に沿った断面図である。 この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す長さ方向に沿った断面図であり、第１の拡散部及びその近傍の拡大図である。 この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す第１の端面近傍の幅方向に沿った断面図であり、第１の拡散部及びその近傍の拡大図である。

１．積層セラミックコンデンサ
以下、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサについて、図１〜３に基づいて説明する。図１は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す外観斜視図である。図２は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す長さ方向に沿った断面図である。図３は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す第１の端面近傍の幅方向に沿った断面図である。

（積層体２０）
積層体２０は、複数のセラミック層３０と、複数の第１の内部電極層４０ａと、複数の第２の内部電極層４０ｂとが交互に積層されることにより直方体状に形成される。すなわち、積層体２０は、積層方向（図１〜３に示すＴ方向）において相対する第１の主面２２ａ及び第２の主面２２ｂと、積層方向に直交する幅方向（図１〜３に示すＷ方向）において相対する第１の側面２４ａ及び第２の側面２４ｂと、積層方向及び幅方向に直交する長さ方向（図１〜３に示すＬ方向）において相対する第１の端面２６ａ及び第２の端面２６ｂとを含む。積層体２０は、その角部及び稜部に丸みを形成されることが好ましい。ここで、積層体２０の角部とは、上記した面のうち３面が交わる部分である。また、積層体２０の稜部とは、上記した面のうち２面が交わる部分である。なお、積層体２０の長さ方向の寸法は、幅方向の寸法より短く形成されてもよい。

積層体２０は、第１の内部電極層４０ａと第２の内部電極層４０ｂとがセラミック層３０を介して対向する領域（すなわち、複数の第１の内部電極層４０ａ及び複数の第２の内部電極層４０ｂの一部である後述する対向電極部が位置する領域。以下単に「対向電極部が位置する領域」という）と第１の側面２４ａとの間に位置する第１の側部３４ａ（Ｗギャップ）、及び対向電極部が位置する領域と第２の側面２４ｂとの間に位置する第２の側部３４ｂ（同上）を含む。また、積層体２０は、対向電極部が位置する領域と第１の端面２６ａとの間に位置する第１の端部３６ａ（Ｌギャップ）、及び対向電極部が位置する領域と第２の端面２６ｂとの間に位置する第２の端部３６ｂ（同上）を含む。

セラミック層３０は、第１の内部電極層４０ａと第２の内部電極層４０ｂとの間に挟まれて積層される。セラミック層３０のセラミック材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、又はＣａＺｒＯ₃などの主成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。また、これらの主成分に、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。なお、副成分は主成分よりも含有量が少ない。

複数のセラミック層３０は、積層体２０の第１の主面２２ａ側及び第２の主面２２ｂ側のそれぞれに位置する外層部と、第１の主面２２ａ側の外層部と第２の主面２２ｂ側の外層部に挟まれた領域に位置する内層部とを含む。ここで、複数のセラミック層３０の外層部とは、積層体２０の第１の主面２２ａと当該第１の主面２２ａに最も近い内部電極層（第１の内部電極層４０ａ又は第２の内部電極層４０ｂ）との間に位置するセラミック層３０、及び積層体２０の第２の主面２２ｂと当該第２の主面２２ｂに最も近い内部電極層（同上）との間に位置するセラミック層３０のことである。

第１の内部電極層４０ａは、セラミック層３０の界面を平板状に延び、その端部が積層体２０の第１の端面２６ａに露出する。一方、第２の内部電極層４０ｂは、セラミック層３０を介して第１の内部電極層４０ａと対向するようにセラミック層３０の界面を平板状に延び、その端部が積層体２０の第２の端面２６ｂに露出する。したがって、第１の内部電極層４０ａは、セラミック層３０を介して第２の内部電極層４０ｂに対向する対向電極部と、当該対向電極部から積層体２０の第１の端面２６ａまでの引出電極部とを有する。同様に、第２の内部電極層４０ｂは、セラミック層３０を介して第１の内部電極層４０ａに対向する対向電極部と、当該対向電極部から積層体２０の第２の端面２６ｂまでの引出電極部とを有する。第１の内部電極層４０ａの対向電極部と、第２の内部電極層４０ｂの対向電極部とがセラミック層３０を介して対向することにより、静電容量が発生する。

第１の内部電極層４０ａ及び第２の内部電極層４０ｂは、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどの金属を含有する。第１の内部電極層４０ａ及び第２の内部電極層４０ｂは、さらに、セラミック層３０に含有される誘電体セラミックと同一組成系の誘電体粒子を含んでもよい。

（第１の外部電極５０ａ及び第２の外部電極５０ｂ）
第１の外部電極５０ａは、積層体２０の第１の端面２６ａに形成されることにより第１の内部電極層４０ａと電気的に接続され、そこから延長されて、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａ及び第２の側面２４ｂそれぞれの一部まで至るように形成される。なお、第１の外部電極５０ａは、積層体２０の第１の端面２６ａにのみ形成されてもよい。一方、第２の外部電極５０ｂは、積層体２０の第２の端面２６ｂに形成されることにより第２の内部電極層４０ｂと電気的に接続され、そこから延長されて、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａ及び第２の側面２４ｂそれぞれの一部まで至るように形成される。なお、第２の外部電極５０ｂは、積層体２０の第２の端面２６ｂにのみ形成されてもよい。

第１の外部電極５０ａは、積層体２０を覆うようにその表面に形成される第１の下地電極層５２ａと、第１の下地電極層５２ａを覆うようにその表面に形成される第１のめっき層６０ａとを有する。同様に、第２の外部電極５０ｂは、積層体２０を覆うようにその表面に形成される第２の下地電極層５２ｂと、第２の下地電極層５２ｂを覆うようにその表面に形成される第２のめっき層６０ｂとを有する。

（第１の下地電極層５２ａ及び第２の下地電極層５２ｂ）
第１の下地電極層５２ａは、積層体２０の第１の端面２６ａを覆うようにその表面に形成され、そこから延長されて、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａ及び第２の側面２４ｂそれぞれの一部まで至るように形成される。なお、第１の下地電極層５２ａは、積層体２０の第１の端面２６ａにのみ形成されてもよい。一方、第２の下地電極層５２ｂは、積層体２０の第２の端面２６ｂを覆うようにその表面に形成され、そこから延長されて、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａ及び第２の側面２４ｂそれぞれの一部まで至るように形成される。なお、第２の下地電極層５２ｂは、積層体２０の第２の端面２６ｂにのみ形成されてもよい。

第１の下地電極層５２ａ及び第２の下地電極層５２ｂそれぞれは、焼付け層、樹脂層、薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、ガラス及び金属を含む。当該ガラスは、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等などから選ばれる少なくとも１つを含む。また、当該金属は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどから選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、ガラス及び金属を含む導電性ペーストを積層体２０に塗布して焼き付けることにより形成される。焼付け層は、第１の内部電極層４０ａ及び第２の内部電極層４０ｂと同時焼成することにより形成されてもよいし、第１の内部電極層４０ａ及び第２の内部電極層４０ｂを焼成した後に焼き付けることにより形成されてもよい。なお、焼付け層は複数層であってもよい。

（第１のめっき層６０ａ及び第２のめっき層６０ｂ）
第１のめっき層６０ａは、積層体２０の第１の端面２６ａに形成された第１の下地電極層５２ａを覆うようにその表面に形成され、そこから延長されて、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａ及び第２の側面２４ｂそれぞれに形成された第１の下地電極層５２ａまでを覆うようにその表面に形成される。なお、第１のめっき層６０ａは、積層体２０の第１の端面２６ａにのみ形成された第１の下地電極層５２ａを覆うようにその表面に形成されてもよい。一方、第２のめっき層６０ｂは、積層体２０の第２の端面２６ｂに形成された第２の下地電極層５２ｂを覆うようにその表面に形成され、そこから延長されて、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａ及び第２の側面２４ｂそれぞれに形成された第２の下地電極層５２ｂまでを覆うようにその表面に形成される。なお、第２のめっき層６０ｂは、積層体２０の第２の端面２６ｂにのみ形成された第２の下地電極層５２ｂを覆うようにその表面に形成されてもよい。

第１のめっき層６０ａ及び第２のめっき層６０ｂは、例えば、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどから選ばれる少なくとも１つを含む。第１のめっき層６０ａ及び第２のめっき層６０ｂは、複数層により形成されてもよい。なお、第１のめっき層６０ａ及び第２のめっき層６０ｂは、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層の２層構造であることが好ましい。Ｎｉめっき層は、積層セラミックコンデンサ１０が実装されるとき、第１の下地電極層５２ａ及び第２の下地電極層５２ｂがはんだにより侵食されることを防止する。また、Ｓｎめっき層は、はんだの濡れ性を向上させるため、積層セラミックコンデンサ１０の実装を容易にする。

（第１の拡散部７０ａ及び第２の拡散部７０ｂ）
第１の拡散部７０ａ及び第２の拡散部７０ｂについて、図４及び図５に基づいて説明する。図４は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す長さ方向に沿った断面図であり、第１の拡散部及びその近傍の拡大図である。図５は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す第１の端面近傍の幅方向に沿った断面図であり、第１の拡散部及びその近傍の拡大図である。

第１の拡散部７０ａは、複数の第１の内部電極層４０ａと複数のセラミック層３０との界面において、複数の第１の内部電極層４０ａと第１の外部電極５０ａとが相互拡散することにより形成される。また、第１の拡散部７０ａは、積層体２０の第１の端面２６ａから長さ方向に沿って延びるように形成される。第１の拡散部７０ａの長さ方向の寸法は、２０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。なお、第１の拡散部７０ａは、第１の内部電極層４０ａの対向電極部まで至らないことが好ましい。すなわち、第１の拡散部７０ａは、積層体２０の第１の端部３６ａにおいてのみ形成されることが好ましい。より好ましくは、第１の拡散部７０ａは、長さ方向において、積層体２０の第１の端面２６ａから第１の端部３６ａの１／２までの部分においてのみ形成される。第１の拡散部７０ａは、長さ方向に沿った断面において、第１の端面２６ａから第２の端面２６ｂに向かうほど、厚さ方向の寸法が小さくなるように形成されることが好ましい。

第１の拡散部７０ａは、内部電極用の導電性ペーストおよび外部電極用の導電性ペーストが、焼結の工程において、第１の内部電極層４０ａの主面側（図４及び図５において底面側）に予め形成された空間部へと相互拡散することにより形成される。すなわち、当該空間部は、外部電極用の導電性ペーストを焼結する際、第１の内部電極層４０ａと第１の外部電極５０ａとが相互拡散するための逃げの空間である。上記のように、第１の拡散部７０ａは、第１の外部電極５０ａと複数の第１の内部電極層４０ａそれぞれとを接合する。

第２の拡散部７０ｂは、内部電極用の導電性ペーストおよび外部電極用の導電性ペーストが、焼結の工程において、第２の内部電極層４０ｂの主面側に予め形成された空間部へと相互拡散することにより形成される。また、第２の拡散部７０ｂは、積層体２０の第２の端面２６ｂから長さ方向に沿って延びるように形成される。第２の拡散部７０ｂの長さ方向の寸法は、２０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。なお、第２の拡散部７０ｂは、第２の内部電極層４０ｂの対向電極部まで至らないことが好ましい。すなわち、第２の拡散部７０ｂは、積層体２０の第２の端部３６ｂにおいてのみ形成されることが好ましい。より好ましくは、第２の拡散部７０ｂは、長さ方向において、積層体２０の第２の端面２６ｂから第２の端部３６ｂの１／２までの部分においてのみ形成される。第２の拡散部７０ｂは、長さ方向に沿った断面において、第２の端面２６ｂから第１の端面２６ａに向かうほど、厚さ方向の寸法が小さくなるように形成されることが好ましい。

第２の拡散部７０ｂは、第２の内部電極層４０ｂの主面側に予め形成された空間部において、第２の内部電極層４０ｂと第２の外部電極５０ｂとが相互拡散することにより形成される。すなわち、当該空間部は、外部電極用の導電性ペーストを焼結する際、第２の内部電極層４０ｂと第２の外部電極５０ｂとが相互拡散するための逃げの空間である。上記のように、第２の拡散部７０ｂは、第２の外部電極５０ｂと複数の第２の内部電極層４０ｂそれぞれとを接合する。

第１の拡散部７０ａ及び第２の拡散部７０ｂそれぞれはＣｕを含み、第１の内部電極層４０ａ及び第２の内部電極層４０ｂそれぞれはＮｉを含むことが好ましい。より好ましくは、第１の拡散部７０ａにおけるＣｕが第１の内部電極層４０ａの引出電極部におけるＮｉに拡散し、且つ第２の拡散部７０ｂにおけるＣｕが第２の内部電極層４０ｂの引出電極部におけるＮｉに拡散している。

（効果）
この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、第１の内部電極層４０ａとセラミック層３０との界面に沿って形成される第１の拡散部７０ａを備える。第１の拡散部７０ａは、焼結の工程において、内部電極用の導電性ペーストおよび外部電極用の導電性ペーストが、第１の内部電極層４０ａの主面側に予め形成された空間部へと相互拡散することにより形成される。これにより、外部電極用の導電性ペーストが焼結される工程において第１の内部電極層４０ａの側に拡散しても、積層体２０に撓み応力が発生しない。その結果、積層セラミックコンデンサ１０は、外部電極用の導電性ペーストを焼結する際に生じ得るクラックの発生が抑制される。また、積層セラミックコンデンサ１０は、第１の拡散部７０ａにより、第１の外部電極５０ａと複数の第１の内部電極層４０ａとが強固に接合されるという効果も奏する。なお、第２の拡散部７０ｂは、第１の拡散部７０ａと同様の効果を奏するため、ここではその説明を繰り返さない。

また、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、第１の拡散部７０ａ及び第２の拡散部７０ｂそれぞれがＣｕを含み、第１の内部電極層４０ａ及び第２の内部電極層４０ｂそれぞれがＮｉを含む。これにより、第１の拡散部７０ａと第１の内部電極層４０ａとが強固に接続され、且つ第２の拡散部７０ｂと第２の内部電極層４０ｂとが強固に接合される。その結果、積層セラミックコンデンサ１０は、第１の外部電極５０ａと複数の第１の内部電極層４０ａとが強固に接続され、且つ第２の外部電極５０ｂと複数の第２の内部電極層４０ｂとが強固に接合されるという効果も奏する。

さらに、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、第１の拡散部７０ａにおけるＣｕが第１の内部電極層４０ａの引出電極部におけるＮｉに拡散し、且つ第２の拡散部７０ｂにおけるＣｕが第２の内部電極層４０ａの引出電極部におけるＮｉに拡散している。これにより、第１の拡散部７０ａと第１の内部電極層４０ａとが強固に接合され、且つ第２の拡散部７０ｂと第２の内部電極層４０ｂとが強固に接合される。その結果、積層セラミックコンデンサ１０は、第１の外部電極５０ａと複数の第１の内部電極層４０ａとが強固に接合され、且つ第２の外部電極５０ｂと複数の第２の内部電極層４０ｂとが強固に接合されるという効果も奏する。

そして、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、第１の拡散部７０ａ及び第２の拡散部７０ｂそれぞれの長さ方向の寸法が、２０μｍ以上３０μｍ以下である。これにより、積層セラミックコンデンサ１０は、第１の外部電極５０ａと複数の第１の内部電極層４０ａとの接続性の低下を抑え、且つ第２の外部電極５０ｂと複数の第２の内部電極層４０ｂとの接続性の低下を抑えつつ、第１の外部電極５０ａと複数の第１の内部電極層４０ａとの過剰拡散を抑えることができ、且つ第２の外部電極５０ｂと複数の第２の内部電極層４０ｂとの過剰拡散を抑えることができる。したがって、第１の外部電極５０ａと複数の第１の内部電極層４０ａとが効果的に接合され、且つ第２の外部電極５０ｂと複数の第２の内部電極層４０ｂとが効果的に接合される。その結果、積層セラミックコンデンサ１０は、クラックの発生が抑制され得る。

２．積層セラミックコンデンサの製造方法
この発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一例について、上記した一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を例にして説明する。

まず、セラミックシート及び内部電極用の導電性ペーストを準備する。セラミックシートや内部電極用の導電性ペーストには、バインダ及び溶剤が含まれる。当該バインダとしては、公知の有機バインダが用いられ得る。また、当該溶剤としては、有機溶剤が用いられ得る。

次に、セラミックシートの表面に、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などによって、所定のパターンで内部電極用の導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。また、内部電極パターンが印刷されていない外層用のセラミックシートも準備する。

さらに、外層用のセラミックシートを所定枚数積層し、その表面に内部電極パターンが印刷されたセラミックシートを順次積層し、その表面に外層用のセラミックシートを所定枚数積層する。このようにして、積層シートを作製する。

そして、内部電極のうち積層シートの端面から引き出された部位に、後述する焼成工程において焼失し得る樹脂などを塗布する。この工程は、内部電極用の導電性ペーストと外部電極用の導電性ペーストとが相互拡散し得る空間を形成するために行われる。なお、当該空間の形成は、他の方法により行われてもよい。

次に、積層シートを静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスし、積層ブロックを作製する。

さらに、積層ブロックを所定のサイズにカットし、積層チップを切り出す。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みを付けてもよい。

そして、積層チップを焼成することにより、積層体を作製する。このときの焼成温度は、誘電体や内部電極の材料にも依るが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。

次に、積層体の両端面に外部電極用の導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより、外部電極の焼き付け層を形成する。このときの焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。

最後に、めっき処理を施し、外部電極の表面にめっき層を形成する。

上記のようにして、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を製造することができる。

３．実験例
最後に、この発明の効果を確認するために発明者らが行った実験例について説明する。実験例では、上記した製造方法により実施例の試料（積層セラミックコンデンサ１０）を作製した。また、従来の製造方法により比較例の試料を作製した。ここで、従来の製造方法とは、上記した製造方法において、内部電極のうち積層シートの端面から引き出された部位に焼成工程で焼失し得る樹脂などを塗布する工程のみ行わない製造方法のことである。

実施例及び比較例の試料をそれぞれ１０個ずつ作製した。試料それぞれに共通のスペックは次の通りである。なお、数値は全て焼成後のものである。
・サイズ（Ｌ寸法×Ｗ寸法×Ｔ寸法）：０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍｍ
・セラミック層の厚み：１．１０μｍ
・内部電極の厚み ：０．７６μｍ
・外層部の厚み ：３７μｍ
・積層枚数：１５５層

外部電極の焼付け後、クラックの発生数を幅方向に沿った断面（ＷＴ断面）を検査することにより確認した。具体的には、積層セラミックコンデンサの第１の側面または第２の側面と平行となるように、幅方向Ｗの１／２の長さ位置になるまで研磨を行い、その断面において、顕微鏡を用いてクラックの発生の有無を確認した。実施例の試料は、１０個中０個であり、クラックは発生しなかった。一方、比較例の試料は、１０個中４個の試料にクラックが発生した。この実験結果により、本発明に係る積層セラミックコンデンサの効果を確認することができた。

なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。

１０ 積層セラミックコンデンサ
２０ 積層体
２２ａ 第１の主面
２２ｂ 第２の主面
２４ａ 第１の側面
２４ｂ 第２の側面
２６ａ 第１の端面
２６ｂ 第２の端面
３０ セラミック層
３４ａ 第１の側部
３４ｂ 第２の側部
３６ａ 第１の端部
３６ｂ 第２の端部
４０ａ 第１の内部電極層
４０ｂ 第２の内部電極層
５０ａ 第１の外部電極
５０ｂ 第２の外部電極
５２ａ 第１の下地電極層
５２ｂ 第２の下地電極層
６０ａ 第１のめっき層
６０ｂ 第２のめっき層
７０ａ 第１の拡散部
７０ｂ 第２の拡散部

Claims (4)

1. 複数のセラミック層と、複数の第１の内部電極層と、複数の第２の内部電極層とが交互に積層されることにより直方体状に形成され、積層方向において相対する第１の主面及び第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面及び第２の側面と、前記積層方向及び前記幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面とを含む積層体と、
   前記積層体の第１の端面に形成された第１の外部電極、及び前記積層体の第２の端面に形成された第２の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、
   前記複数の第１の内部電極層それぞれは、前記積層体の第１の端面側に引き出された引出電極部により前記第１の外部電極に電気的に接続され、且つ前記複数の第２の内部電極層それぞれは、前記積層体の第２の端面側に引き出された引出電極部により前記第２の外部電極に電気的に接続され、
   前記複数の第１の内部電極層と前記複数のセラミック層との界面において、前記複数の第１の内部電極層と前記第１の外部電極とが相互拡散することにより形成された第１の拡散部を含み、且つ前記複数の第２の内部電極層と前記複数のセラミック層との界面において、前記複数の第２の内部電極層と前記第２の外部電極とが相互拡散することにより形成された第２の拡散部を含むことを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
2. 前記第１の拡散部及び前記第２の拡散部それぞれがＣｕを含み、前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層それぞれがＮｉを含むことを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記第１の拡散部におけるＣｕが前記第１の内部電極層の引出電極部におけるＮｉに拡散し、且つ前記第２の拡散部におけるＣｕが前記第２の内部電極層の引出電極部におけるＮｉに拡散していることを特徴とする、請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 前記第１の拡散部及び前記第２の拡散部それぞれの長さ方向の寸法は、２０μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。

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