JP7056290B2 - 薄膜キャパシタ、及び薄膜キャパシタの製造方法 - Google Patents
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Description
前記交互に近づける工程中に、前記第1ターゲットから金属元素M1を放出させて前記誘電体上に第1金属層を形成する工程と、
前記交互に近づける工程中に、前記2ターゲットから金属元素M2を放出させると共に、前記第1ターゲットから金属元素M1を放出させて、前記第1金属層上に、金属元素M1を主成分とする第1金属サブ層と金属元素M2を主成分とする第2金属サブ層とを有する積層構造を1又は複数形成する工程と、
前記交互に近づける工程中に、前記2ターゲットから金属元素M2を放出させかつ前記第1ターゲットから金属元素M2を放出させないことにより、前記積層構造上に、金属元素M2を主成分とする第2金属層を形成する工程と、を備える。
(薄膜キャパシタ)
第一実施形態の薄膜キャパシタ100は、図1に示すように、第1電極10、第2電極、60及び、第1電極10及び第2電極60の間に設けられた誘電体20と、を備える。
このような薄膜キャパシタ100によれば、第2電極60が、金属元素M1を主成分とする第1金属サブ層40bと、金属元素M2を主成分とする第2金属サブ層40aとの積層構造40mを有する中間層40を有するので、加熱工程に曝された場合でも、第1金属層30と第2金属層50との間での金属元素M1と金属元素M2との相互の拡散を抑制でき、第2電極60の電気抵抗の増大を抑制できる。これにより、信頼性が向上する。
つづいて、図3を参照して、第2実施形態にかかる薄膜キャパシタ200について説明する。本実施形態にかかる薄膜キャパシタ200が、第1実施形態にかかる薄膜キャパシタ100と異なる点は、第1電極10のみである。本実施形態の第1電極10は、誘電体20側から順に、第1金属層30、中間層40、及び、第2金属層50をこの順に有する。
つづいて、図4を参照して、第3実施形態にかかる薄膜キャパシタ300について説明する。本実施形態にかかる薄膜キャパシタ300が、第2実施形態にかかる薄膜キャパシタ200と異なる点は、第1電極10のみである。本実施形態の第1電極10は、第1金属層30と誘電体20との間に、追加金属層5を有する点である。追加金属層5の厚みは、0.1~10μmとすることができる。追加金属層5の構成元素は、Pt、Auなどの貴金属とすることができる。
つづいて、図5を参照して、第4実施形態にかかる薄膜キャパシタ400について説明する。本実施形態にかかる薄膜キャパシタ400が、第1実施形態にかかる薄膜キャパシタ100と異なる点は、第2電極60の上に、さらに、誘電体20、および、第2電極60を含む積層ユニットUが複数積層されている点である。トータルの積層ユニットUの数は、2~20とすることができる。
つづいて、図6を参照して、第5実施形態にかかる薄膜キャパシタ500について説明する。本実施形態にかかる薄膜キャパシタ500が、第4実施形態にかかる薄膜キャパシタ400と異なる点は、第1電極10が、図3に示す第2実施形態の薄膜キャパシタ200の第1電極10のように、誘電体20側から順に、第1金属層30、中間層40、及び、第2金属層50を有する積層体である点である。
続いて、本実施形態に薄膜キャパシタの製造方法の一例を説明する。
第1電極10として厚み28μmのNi箔を用意した。第1電極10の上に、誘電体20として600nmのチタン酸バリウム層を形成した。上述した図7のようなカルーセル型のスパッタリング装置を用いて、第1金属層30、中間層40、および、第2金属層50を有する第2電極60を形成した。
中間層40を形成しない以外は、実施例A1と同様として、比較例1の薄膜キャパシタを得た。
各薄膜キャパシタについて、窒素雰囲気中、ピーク温度260℃、処理時間5秒間でリフロー処理した後、各薄膜キャパシタについて、SRF(自己共振周波数)におけるESR(等価直列抵抗)を測定した。実施例A1のESRは42.34mΩ、比較例A1のESRは55.11mΩであった。
第1金属サブ層40bおよび第2金属サブ層40aの厚みをすべて10nmとし、積層構造40mの数を順に、1、4、8とする以外は、実施例A1と同様とした。
第1金属サブ層40bおよび第2金属サブ層40aの厚みをすべて30nmとし、積層構造40mの数を順に、1、4とする以外は、実施例A1と同様とした。
第1金属サブ層40bおよび第2金属サブ層40aの厚みをすべて50nmとし、積層構造40mの数を順に、4とする以外は、実施例A1と同様とした。
Claims (6)
- 第1電極、第2電極、及び、前記第1電極及び前記第2電極の間に設けられた誘電体と、を備える薄膜キャパシタであって、
前記第2電極は、前記誘電体側から順に、第1金属層、中間層、及び、第2金属層をこの順に有し、
前記第1金属層は金属元素M1を主成分とし、
前記第2金属層は金属元素M1とは異なる金属元素M2を主成分とし、
前記中間層は、前記第1金属層側から第2金属層側に向かって順に金属元素M2を主成分とする第2金属サブ層と金属元素M1を主成分とする第1金属サブ層とを有する積層構造を、1又は複数有し、
金属元素M1は、Ni、Pd、Pt、Au、Ru、Rh及び、Irからなる群から選択されるいずれか1種の金属であり、
金属元素M2は、Cu、Cr、Au、Ru、Rh、Ir、Mo、Ti及び、Wからなる群から選択されるいずれか1種の金属であり、
(ただし、金属元素M1がPt、かつ、金属元素M2がTiである組み合わせを除く)
薄膜キャパシタ。 - 前記中間層は、2~10の前記積層構造を有する、請求項1に記載の薄膜キャパシタ。
- 前記第1金属サブ層及び前記第2金属サブ層の厚みがいずれも10~50nmである、請求項1又は2に記載の薄膜キャパシタ。
- 前記第1電極は、前記誘電体側から順に、前記第1金属層、前記中間層、及び、前記第2金属層をこの順に有する、請求項1~3のいずれか1項記載の薄膜キャパシタ。
- 前記第1電極は、さらに、前記第1金属層と前記誘電体との間に、追加金属層を有する、請求項4記載の薄膜キャパシタ。
- 誘電体を、金属元素M1を主成分とする第1ターゲット、及び、金属元素M2を主成分とする第2ターゲットに交互に近づける工程と、
前記交互に近づける工程中に、前記第1ターゲットから金属元素M1を放出させて前記誘電体上に第1金属層を形成する工程と、
前記交互に近づける工程中に、前記2ターゲットから金属元素M2を放出させると共に、前記第1ターゲットから金属元素M1を放出させて、前記第1金属層上に、金属元素M1を主成分とする第1金属サブ層と金属元素M2を主成分とする第2金属サブ層とを有する積層構造を1又は複数形成する工程と、
前記交互に近づける工程中に、前記2ターゲットから金属元素M2を放出させて、前記1ターゲットから金属元素M1を放出させないことにより、前記積層構造上に、金属元素M2を主成分とする第2金属層を形成する工程と、を備える、請求項1~5のいずれか一項に記載の薄膜キャパシタの製造方法。
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016203585A1 (ja) | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び成膜装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5005102A (en) * | 1989-06-20 | 1991-04-02 | Ramtron Corporation | Multilayer electrodes for integrated circuit capacitors |
JPH0687492B2 (ja) * | 1990-03-07 | 1994-11-02 | 日本電気株式会社 | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
US5262920A (en) * | 1991-05-16 | 1993-11-16 | Nec Corporation | Thin film capacitor |
JP3016353B2 (ja) * | 1996-01-25 | 2000-03-06 | 日本電気株式会社 | 薄膜回路素子およびその製造方法 |
JP4523299B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-08-11 | 学校法人早稲田大学 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
JP4649198B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2011-03-09 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP4952332B2 (ja) | 2006-10-20 | 2012-06-13 | 日立化成工業株式会社 | キャパシタ層形成材およびその製造方法ならびにプリント配線板 |
US20110005817A1 (en) * | 2008-03-31 | 2011-01-13 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Capacitor-forming material and printed wiring board provided with capacitor |
JP2010027948A (ja) | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | キャパシタ、キャパシタ内蔵基板及びキャパシタの製造方法 |
KR101079382B1 (ko) * | 2009-12-22 | 2011-11-02 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
JP6015159B2 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-10-26 | Tdk株式会社 | 薄膜コンデンサ |
JP6520085B2 (ja) * | 2014-12-05 | 2019-05-29 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ |
JP6433592B2 (ja) * | 2015-06-17 | 2018-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 積層フィルムおよび積層フィルムの製造方法 |
JP6641872B2 (ja) * | 2015-10-15 | 2020-02-05 | Tdk株式会社 | 電子デバイスシート |
US10446320B2 (en) * | 2016-04-15 | 2019-10-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor having external electrode including conductive resin layer |
JP2018037473A (ja) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP6750462B2 (ja) * | 2016-11-04 | 2020-09-02 | Tdk株式会社 | 薄膜コンデンサ及び電子部品内蔵基板 |
KR20180056030A (ko) * | 2016-11-18 | 2018-05-28 | 삼성전기주식회사 | 박막 커패시터 |
KR101963283B1 (ko) * | 2017-02-10 | 2019-03-28 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
JP6862886B2 (ja) * | 2017-02-13 | 2021-04-21 | Tdk株式会社 | 電子部品内蔵基板 |
TWI665692B (zh) * | 2017-08-11 | 2019-07-11 | 鈺邦科技股份有限公司 | 多層式堆疊結構的製作設備以及薄膜電容器的製作方法 |
JP7063027B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2022-05-09 | Tdk株式会社 | 薄膜コンデンサおよび薄膜コンデンサの製造方法 |
JP7056290B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2022-04-19 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ、及び薄膜キャパシタの製造方法 |
JP6954208B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2021-10-27 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ |
-
2018
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-
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-
2021
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016203585A1 (ja) | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び成膜装置 |
Also Published As
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