JP6641872B2 - 電子デバイスシート - Google Patents
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Description
100mm×100mmの大きさのNi金属箔上に誘電体層(BaTiO3系誘電体)をスパッタリング法により800nmの厚みで成膜した。その後、誘電体層が成膜されたNi金属箔をアニールし、Ni金属箔上の誘電体層を結晶化させて積層体を得た。絶縁体パッチ材を形成する前処理として、超音波洗浄により、上記積層体の誘電体層から異物などを除去した。次いで、誘電体層上に中核部を作製するために、平均粒径0.25μmのアルミナ粒子をIPA中に分散した分散液を用意した。当該分散液をインクジェット法により誘電体層上に吐出した。その後、IPAを蒸発させ、誘電体表面に、アルミナ粒子の突出部(中核部としては、アルミナ粒子との衝突により形成された誘電体層の凹部)を有する積層体を得た。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を10個、絶縁体パッチ材の総面積を1000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を4000μmにした以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、93%(93/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を30個、絶縁体パッチ材の総面積を3000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を3000μmにした以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、97%(97/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を60個、絶縁体パッチ材の総面積を5000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を2500μmにした以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、99%(99/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を100個、絶縁体パッチ材の総面積を10000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を2000μmにした以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、96%(96/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を200個、絶縁体パッチ材の総面積を20000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を1500μmにした以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、93%(93/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を300個、絶縁体パッチ材の総面積を100000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を1000μmにし、絶縁体パッチ材をマスクスパッタリング法により形成した以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、94%(94/100pcs)の良品が得られた。なお、マスクスパッタリングの条件は、ターゲットに酸化ケイ素を用い、電源から13.56MHzの高周波を投入するものであった。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を500個、絶縁体パッチ材の総面積を500000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を500μmにした以外は実施例7と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、91%(91/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を1000個、絶縁体パッチ材の総面積を800000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を150μmにした以外は実施例7と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、90%(90/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を1000個、絶縁体パッチ材の総面積を1100000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を100μmにした以外は実施例7と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、90%(90/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を700個、絶縁体パッチ材の総面積を1200000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を6000μmにした以外は実施例7と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、83%(83/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を7個、絶縁体パッチ材の総面積を1200000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を6000μmにした以外は実施例7と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、82%(82/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を800個、絶縁体パッチ材の総面積を1200000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を6000μmにし、中核部を形成しなかったこと以外は実施例7と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、76%(76/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を1000個、絶縁体パッチ材の総面積を1200000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を6000μmにした以外は実施例13と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、74%(74/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を6個、絶縁体パッチ材の総面積を1200000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を6000μmにした以外は実施例13と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、75%(75/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を900個、絶縁体パッチ材の総面積を1200000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を6000μmにした以外は実施例13と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、73%(73/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を1個、絶縁体パッチ材の総面積を1200000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を7000μmにした以外は実施例7と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、63%(63/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を3個、絶縁体パッチ材の総面積を8μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を6000μmにした以外は実施例13と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、わずか7%(7/100pcs)しか良品が得られなかった。これは、隣接する絶縁体パッチ材が離れすぎて、共同的な作用が困難となり、短絡またはリーク電流が生じたことが影響したためと考えられる。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を100個、絶縁体パッチ材の総面積を3004000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を82μmにした以外は実施例13と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、わずか5%(5/100pcs)しか良品が得られなかった。これは、隣接する絶縁体パッチ材が離れすぎて、共同的な作用が困難となり、短絡またはリーク電流が生じたことが影響したためと考えられる。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を1100個、絶縁体パッチ材の総面積を2000000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を70μmにした以外は実施例13と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、わずか4%(4/100pcs)しか良品が得られなかった。これは、多数の絶縁体パッチ材に蓄積されたストレス・電荷の総量が増えることから、大きなエネルギーの存在が急激な開放を誘発し絶縁破壊を生じさせたことが影響したためと考えられる。
誘電体層の主面1cm2当たりの絶縁体パッチ材の個数を800個、絶縁体パッチ材の総面積を4000000μm2、絶縁体パッチ材間の最近接距離を70μmにした以外は実施例13と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、わずか3%(3/100pcs)しか良品が得られなかった。これは、多数の絶縁体パッチ材に蓄積されたストレス・電荷の総量が増えることから、大きなエネルギーの存在が急激な開放を誘発し絶縁破壊を生じさせたことが影響したためと考えられる。
絶縁体パッチ材を形成せず、中核部を形成しなかったこと以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシートを作製し、同様の評価条件で、電子デバイスシート素子について容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、わずか1%(1/100pcs)しか良品が得られなかった。これは、絶縁体パッチ材が存在しないことから、大きなエネルギーの存在が急激な開放を誘発し絶縁破壊を生じさせたことが影響したと考えられる。
Claims (3)
- 一対の電極層と、前記一対の電極層の間に設けられた誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面上に設けられた絶縁体パッチ材とを備え、
前記絶縁体パッチ材の個数は、前記主面1cm2あたり、1個以上1000個以下であり、
前記絶縁体パッチ材の総面積は、前記主面1cm2あたり、10μm2以上1200000μm2以下であり、
前記誘電体層は、中核部を有し、前記中核部が前記絶縁体パッチ材に覆われており、
前記中核部がリークバルブ粒子を含まない、電子デバイスシート。 - 前記中核部は、前記誘電体層表面の凹部若しくは凸部、または前記誘電体層を貫通する穴である、請求項1に記載の電子デバイスシート。
- 前記主面上に2個以上の前記絶縁体パッチ材を有し、前記絶縁体パッチ材間の最近接距離は、100μm以上5mm以下である、請求項1又は2に記載の電子デバイスシート。
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