JPH06112081A - コンデンサの製造方法 - Google Patents
コンデンサの製造方法Info
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- JPH06112081A JPH06112081A JP26160492A JP26160492A JPH06112081A JP H06112081 A JPH06112081 A JP H06112081A JP 26160492 A JP26160492 A JP 26160492A JP 26160492 A JP26160492 A JP 26160492A JP H06112081 A JPH06112081 A JP H06112081A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各種電気機器・電子機器の電子回路などに使
用するコンデンサにおいて小形化・高性能化の要望がま
すます強くなっている。この要望を解決し、小形で大容
量、漏れ電流の小さい、耐電圧の大きい、無極性で高周
波特性の優れたコンデンサの製造方法を実現する。 【構成】 多孔質化した導電体表面上に、ポリアミック
酸塩を含む溶液にポリアミック酸の貧溶媒を添加し電着
液として直流電圧にリップル電圧を付加して電着を行い
前記導電体表面上に前記ポリアミック酸の薄膜を形成し
た後、加熱脱水して、ポリイミドの皮膜を形成し、さら
にポリピロ−ル膜を積層し導電体層を形成したコンデン
サを実現したものである。
用するコンデンサにおいて小形化・高性能化の要望がま
すます強くなっている。この要望を解決し、小形で大容
量、漏れ電流の小さい、耐電圧の大きい、無極性で高周
波特性の優れたコンデンサの製造方法を実現する。 【構成】 多孔質化した導電体表面上に、ポリアミック
酸塩を含む溶液にポリアミック酸の貧溶媒を添加し電着
液として直流電圧にリップル電圧を付加して電着を行い
前記導電体表面上に前記ポリアミック酸の薄膜を形成し
た後、加熱脱水して、ポリイミドの皮膜を形成し、さら
にポリピロ−ル膜を積層し導電体層を形成したコンデン
サを実現したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気機器・電子機器の
電子回路などに使用するコンデンサに関するものであ
る。
電子回路などに使用するコンデンサに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】機器の小形・軽量化志向、高集積回路の
採用による電子回路の高密度化、あるいは自動挿入の普
及などに伴い、電子部品に対する小形化・高性能化の要
望がますます強くなっている。その中にあって、コンデ
ンサも同様に小形で高周波特性の優れた大容量コンデン
サの開発が種々試みられている。高周波特性のすぐれた
コンデンサには、フイルム・マイカ・セラミック等を誘
電体としたコンデンサがあるが、１μＦ以上の静電容量
を得ようとすると形状が大きくなり、価格も高くなるた
め実用上不向きである。
採用による電子回路の高密度化、あるいは自動挿入の普
及などに伴い、電子部品に対する小形化・高性能化の要
望がますます強くなっている。その中にあって、コンデ
ンサも同様に小形で高周波特性の優れた大容量コンデン
サの開発が種々試みられている。高周波特性のすぐれた
コンデンサには、フイルム・マイカ・セラミック等を誘
電体としたコンデンサがあるが、１μＦ以上の静電容量
を得ようとすると形状が大きくなり、価格も高くなるた
め実用上不向きである。
【０００３】大容量コンデンサとして知られているアル
ミ電解コンデンサでは、高周波特性が劣るため、高周波
特性の優れたコンデンサとして固体電解質に導電性高分
子を用いた固体電解コンデンサが最近出現してきてい
る。(特開昭63−158829号、特開昭63-173313号)
ミ電解コンデンサでは、高周波特性が劣るため、高周波
特性の優れたコンデンサとして固体電解質に導電性高分
子を用いた固体電解コンデンサが最近出現してきてい
る。(特開昭63−158829号、特開昭63-173313号)
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら固体電解
質に導電性高分子を用いたアルミ固体電解コンデンサ
は、小形で大容量を得るために巻回した際、誘電体酸化
皮膜が巻回時の応力によりクラックがはいりやすいとい
う欠点や、電解コンデンサに特有の有極性のため、実装
時に正負の方向を間違えてはならないという欠点を有し
ていた。
質に導電性高分子を用いたアルミ固体電解コンデンサ
は、小形で大容量を得るために巻回した際、誘電体酸化
皮膜が巻回時の応力によりクラックがはいりやすいとい
う欠点や、電解コンデンサに特有の有極性のため、実装
時に正負の方向を間違えてはならないという欠点を有し
ていた。
【０００５】また、多孔質化した導電体上に、ポリアミ
ック酸塩を含む溶液にポリアミック酸の貧溶媒を添加し
電着液として直流電着を行った際、多孔質化した導電体
の細孔内は電着液の循環が困難なため濃度勾配が大き
く、得られるポリアミック酸の薄膜の膜厚が異なったり
細孔を塞いだ状態で形成される。この部分的に膜厚が異
なったり細孔を塞いだ状態を含んだポリアミック酸の薄
膜を加熱脱水した際、収縮してポリイミド膜となるがポ
リアミック酸の膜厚の薄い部分は欠陥部となり漏れ電流
の増加、耐電圧の低下を招く原因となり、細孔を塞いだ
部分は容量を低下させる原因となる。本発明は上記従来
の課題を解決するもので、小形・大容量で、漏れ電流が
小さく、耐電圧の大きい、高周波特性の優れた無極性の
コンデンサの製造方法を提供することを目的とするもの
である。
ック酸塩を含む溶液にポリアミック酸の貧溶媒を添加し
電着液として直流電着を行った際、多孔質化した導電体
の細孔内は電着液の循環が困難なため濃度勾配が大き
く、得られるポリアミック酸の薄膜の膜厚が異なったり
細孔を塞いだ状態で形成される。この部分的に膜厚が異
なったり細孔を塞いだ状態を含んだポリアミック酸の薄
膜を加熱脱水した際、収縮してポリイミド膜となるがポ
リアミック酸の膜厚の薄い部分は欠陥部となり漏れ電流
の増加、耐電圧の低下を招く原因となり、細孔を塞いだ
部分は容量を低下させる原因となる。本発明は上記従来
の課題を解決するもので、小形・大容量で、漏れ電流が
小さく、耐電圧の大きい、高周波特性の優れた無極性の
コンデンサの製造方法を提供することを目的とするもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明のコンデンサの製造方法は、多孔質化した導
電体を電極とし、ポリアミック酸塩を含む溶液にポリア
ミック酸の貧溶媒を添加し電着液とし、直流電圧にリッ
プル電圧を付加して電着を行い、前記多孔質化した導電
体の表面上にポリアミック酸の薄膜を形成した後、前記
ポリアミック酸の薄膜を加熱脱水することにより前記多
孔質化した導電体表面上にポリイミドの皮膜を形成し、
さらに前記ポリイミドの皮膜上に対極となる導電体層を
形成したコンデンサの構成を有しているものである。
めに本発明のコンデンサの製造方法は、多孔質化した導
電体を電極とし、ポリアミック酸塩を含む溶液にポリア
ミック酸の貧溶媒を添加し電着液とし、直流電圧にリッ
プル電圧を付加して電着を行い、前記多孔質化した導電
体の表面上にポリアミック酸の薄膜を形成した後、前記
ポリアミック酸の薄膜を加熱脱水することにより前記多
孔質化した導電体表面上にポリイミドの皮膜を形成し、
さらに前記ポリイミドの皮膜上に対極となる導電体層を
形成したコンデンサの構成を有しているものである。
【０００７】
【作用】したがって本発明によれば、多孔質化した導電
体上に、ポリアミック酸塩を含む溶液にポリアミック酸
の貧溶媒を添加し電着液として電着を行う際、直流電圧
にリップル電圧を付加して電着を行うと、リップル電圧
が負方向となる間はポリアミック酸の薄膜が多孔質化し
た導電体上に形成されず、電着液が循環・供給されるた
め細孔内の濃度勾配がなくなり、均一なポリアミック酸
の薄膜が形成され、このポリアミック酸の薄膜を加熱脱
水することにより欠陥部の極めて少ない均一なポリイミ
ドの皮膜が多孔質化した導電体の表面上に得られる。さ
らに、このポリイミド皮膜上に対極となる導電体層を形
成することにより、小形・大容量で漏れ電流の小さい、
耐電圧の大きい、高周波特性のすぐれた無極性のコンデ
ンサが得れる。
体上に、ポリアミック酸塩を含む溶液にポリアミック酸
の貧溶媒を添加し電着液として電着を行う際、直流電圧
にリップル電圧を付加して電着を行うと、リップル電圧
が負方向となる間はポリアミック酸の薄膜が多孔質化し
た導電体上に形成されず、電着液が循環・供給されるた
め細孔内の濃度勾配がなくなり、均一なポリアミック酸
の薄膜が形成され、このポリアミック酸の薄膜を加熱脱
水することにより欠陥部の極めて少ない均一なポリイミ
ドの皮膜が多孔質化した導電体の表面上に得られる。さ
らに、このポリイミド皮膜上に対極となる導電体層を形
成することにより、小形・大容量で漏れ電流の小さい、
耐電圧の大きい、高周波特性のすぐれた無極性のコンデ
ンサが得れる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例について説明す
る。約50倍に粗面化した細孔の平均孔径１μmのエッチ
ング箔を５mm×20mmに切断した後、かしめ付けによりア
ルミリ−ドを接合して金属電極を得た。一方、ｐ−フェ
ニレンジアミン3.3部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド9
0部に溶解しピロメリット酸二無水物6.7部を加えて室温
で10時間反応させてポリアミック酸とした後、トリエチ
ルアミン1.8部を加えて室温で１時間反応させて、ポリ
アミック酸中のカルボキシル基の半分を中和したポリア
ミック酸塩溶液とした。この溶液60部にニトロメタン40
部を加えて電着液とした。
る。約50倍に粗面化した細孔の平均孔径１μmのエッチ
ング箔を５mm×20mmに切断した後、かしめ付けによりア
ルミリ−ドを接合して金属電極を得た。一方、ｐ−フェ
ニレンジアミン3.3部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド9
0部に溶解しピロメリット酸二無水物6.7部を加えて室温
で10時間反応させてポリアミック酸とした後、トリエチ
ルアミン1.8部を加えて室温で１時間反応させて、ポリ
アミック酸中のカルボキシル基の半分を中和したポリア
ミック酸塩溶液とした。この溶液60部にニトロメタン40
部を加えて電着液とした。
【０００９】この電着液をステンレス容器に入れ、多孔
質化した導電体をこの電着液中に浸漬し、ステンレス容
器を陰極、多孔質化した導電体の金属電極を陽極とし、
50Vの直流電圧に30V・100Hzのリップル電圧を付加して3
0分間電着を行い、金属電極表面にポリアミック酸の薄
膜を形成させた。つづいて表面にポリアミック酸の薄膜
を形成させた金属電極を250℃の恒温槽中で２時間加熱
脱水して表面にポリイミド皮膜を形成し素子とした。
質化した導電体をこの電着液中に浸漬し、ステンレス容
器を陰極、多孔質化した導電体の金属電極を陽極とし、
50Vの直流電圧に30V・100Hzのリップル電圧を付加して3
0分間電着を行い、金属電極表面にポリアミック酸の薄
膜を形成させた。つづいて表面にポリアミック酸の薄膜
を形成させた金属電極を250℃の恒温槽中で２時間加熱
脱水して表面にポリイミド皮膜を形成し素子とした。
【００１０】この素子を２mol／リットルのピロ−ル／
エタノ−ル溶液に５分間浸漬した後、さらに0.5mol／リ
ットル過硫酸アンモニウム水溶液に５分間浸漬して、化
学酸化重合によるポリピロ−ル膜を形成した。つづいて
この素子をピロ−ル１mol／リットルおよび支持電解質
としてパラトルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウ
ム１mol／リットルを含むアセトニトリル溶液中に浸漬
し、化学酸化重合をしたポリピロ−ル膜を陽極として外
部電極との間に、電解重合を電流密度１mA／cm2にて30
分間行い電解重合によるポリピロ−ル膜を形成した。
エタノ−ル溶液に５分間浸漬した後、さらに0.5mol／リ
ットル過硫酸アンモニウム水溶液に５分間浸漬して、化
学酸化重合によるポリピロ−ル膜を形成した。つづいて
この素子をピロ−ル１mol／リットルおよび支持電解質
としてパラトルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウ
ム１mol／リットルを含むアセトニトリル溶液中に浸漬
し、化学酸化重合をしたポリピロ−ル膜を陽極として外
部電極との間に、電解重合を電流密度１mA／cm2にて30
分間行い電解重合によるポリピロ−ル膜を形成した。
【００１１】この素子をコロイダルカ−ボンに浸漬し、
さらに銀ペ−ストを塗布して導電性塗膜を形成し、その
一部から対極を取り出し、エポキシ樹脂により外装して
コンデンサを完成させた。得られたコンデンサの特性を
表１の第１の実施例の欄に示す。
さらに銀ペ−ストを塗布して導電性塗膜を形成し、その
一部から対極を取り出し、エポキシ樹脂により外装して
コンデンサを完成させた。得られたコンデンサの特性を
表１の第１の実施例の欄に示す。
【００１２】第２の実施例は第１の実施例において、30
V・10Hzのリップル電圧に変更した以外は上記の第１の
実施例に準じてコンデンサを完成させた。得られたコン
デンサの特性を表１の第２の実施例の欄に示す。
V・10Hzのリップル電圧に変更した以外は上記の第１の
実施例に準じてコンデンサを完成させた。得られたコン
デンサの特性を表１の第２の実施例の欄に示す。
【００１３】第３の実施例は第１の実施例において、30
V・200Hzのリップル電圧に変更した以外は上記第１の実
施例に準じてコンデンサを完成させた。得られたコンデ
ンサの特性を表１の第３の実施例の欄に示す。
V・200Hzのリップル電圧に変更した以外は上記第１の実
施例に準じてコンデンサを完成させた。得られたコンデ
ンサの特性を表１の第３の実施例の欄に示す。
【００１４】一方、比較例として第１の実施例におい
て、50Vの直流電圧で電着を行った以外は上記第１の実
施例に準じてコンデンサを完成させた。得られたコンデ
ンサの特性を表１の比較例の欄に示す。
て、50Vの直流電圧で電着を行った以外は上記第１の実
施例に準じてコンデンサを完成させた。得られたコンデ
ンサの特性を表１の比較例の欄に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１から明らかなように、直流電圧にリッ
プル電圧を付加して電着した第１の実施例ないし第３の
実施例は、直流電圧で電着を行った比較例に比し、静電
容量，誘電損失(tanδ)，漏れ電流，耐電圧の点で優れ
ている。
プル電圧を付加して電着した第１の実施例ないし第３の
実施例は、直流電圧で電着を行った比較例に比し、静電
容量，誘電損失(tanδ)，漏れ電流，耐電圧の点で優れ
ている。
【００１７】
【発明の効果】上記実施例から明らかなように、本発明
によるコンデンサの製造方法は、多孔質化した導電体表
面上に、ポリアミック酸塩を含む溶液にポリアミック酸
の貧溶媒を添加し電着液として電着を行い、前記多孔質
化した導電体表面上にポリアミック酸の薄膜を形成した
後、前記ポリアミック酸の薄膜を加熱脱水することによ
り前記多孔質化した導電体の表面上にポリイミドの皮膜
を形成し、さらに前記ポリイミドの皮膜上に対極となる
導電体層を形成した小形、大容量で、高周波特性の優れ
た無極性のコンデンサにおいて、直流電圧にリップル電
圧を付加した電圧で電着を行うことにより多孔質化した
導電体の細孔にポリアミック酸塩を含む溶液が供給され
るため細孔に膜厚が均一なポリアミック酸の薄膜がで
き、漏れ電流の小さい、耐電圧の大きいコンデンサを実
現できるという効果を有する。
によるコンデンサの製造方法は、多孔質化した導電体表
面上に、ポリアミック酸塩を含む溶液にポリアミック酸
の貧溶媒を添加し電着液として電着を行い、前記多孔質
化した導電体表面上にポリアミック酸の薄膜を形成した
後、前記ポリアミック酸の薄膜を加熱脱水することによ
り前記多孔質化した導電体の表面上にポリイミドの皮膜
を形成し、さらに前記ポリイミドの皮膜上に対極となる
導電体層を形成した小形、大容量で、高周波特性の優れ
た無極性のコンデンサにおいて、直流電圧にリップル電
圧を付加した電圧で電着を行うことにより多孔質化した
導電体の細孔にポリアミック酸塩を含む溶液が供給され
るため細孔に膜厚が均一なポリアミック酸の薄膜がで
き、漏れ電流の小さい、耐電圧の大きいコンデンサを実
現できるという効果を有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/18 ３２４ Ｚ 8019−5Ｅ // Ｃ０８Ｇ 73/10 ＮＴＦ 9285−4Ｊ (72)発明者 寺西 加寿代 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大島 雅史 群馬県渋川市半田2470番地 日本カーリッ ト株式会社中央研究所内 (72)発明者 山本 秀雄 群馬県渋川市半田2470番地 日本カーリッ ト株式会社中央研究所内 (72)発明者 伊佐 功 群馬県渋川市半田2470番地 日本カーリッ ト株式会社中央研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 多孔質化した導電体表面上に、ポリアミ
ック酸塩を含む溶液にポリアミック酸の貧溶媒を添加し
電着液として電着を行いポリアミック酸の薄膜を形成し
た後、前記ポリアミック酸の薄膜を加熱脱水することに
より前記多孔質化した導電体表面上にポリイミドの皮膜
を形成し、さらに前記ポリイミドの皮膜上に対極となる
導電体層を形成したコンデンサにおいて、直流電圧にリ
ップル電圧を付加して電着を行うことを特徴とするコン
デンサの製造方法。 - 【請求項２】 対極となる導電体層が、化学酸化重合に
よる導電性高分子膜と電解重合による導電性高分子膜を
順次積層して形成されることを特徴とする請求項１記載
のコンデンサの製造方法。 - 【請求項３】 導電性高分子膜がポリピロ−ルであるこ
とを特徴とする請求項２記載のコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26160492A JPH06112081A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26160492A JPH06112081A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112081A true JPH06112081A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17364216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26160492A Pending JPH06112081A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112081A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7592626B2 (en) | 2005-12-12 | 2009-09-22 | Tdk Corporation | Capacitor and method of manufacturing same |
| US9564270B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-07 | Tdk Corporation | Thin film capacitor |
| US9620291B2 (en) | 2014-07-16 | 2017-04-11 | Tdk Corporation | Thin film capacitor |
| US9818539B2 (en) | 2014-10-15 | 2017-11-14 | Tdk Corporation | Thin film capacitor with improved resistance to dielectric breakdown |
| US10014113B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-07-03 | Tdk Corporation | Electronic device sheet having insulation patch member on dielectric layer |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP26160492A patent/JPH06112081A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7592626B2 (en) | 2005-12-12 | 2009-09-22 | Tdk Corporation | Capacitor and method of manufacturing same |
| US9564270B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-07 | Tdk Corporation | Thin film capacitor |
| US9620291B2 (en) | 2014-07-16 | 2017-04-11 | Tdk Corporation | Thin film capacitor |
| US9818539B2 (en) | 2014-10-15 | 2017-11-14 | Tdk Corporation | Thin film capacitor with improved resistance to dielectric breakdown |
| US10014113B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-07-03 | Tdk Corporation | Electronic device sheet having insulation patch member on dielectric layer |
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