JPH04155810A - コンデンサの製造方法 - Google Patents
コンデンサの製造方法Info
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- JPH04155810A JPH04155810A JP28120090A JP28120090A JPH04155810A JP H04155810 A JPH04155810 A JP H04155810A JP 28120090 A JP28120090 A JP 28120090A JP 28120090 A JP28120090 A JP 28120090A JP H04155810 A JPH04155810 A JP H04155810A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電気機器、電子機器の電子回路など・ に
使用するコンデンサの製造方法に関する。
使用するコンデンサの製造方法に関する。
従来の技術
機器の小形軽量化志向、高集積回路の採用による電子回
路の高密度化、あるいは自動挿入の普及などに伴い、電
子部品に対する小形化、高性能化の要望がますます強く
なってきている。その中にあたって、コンデンサも同様
に小形で高周波特性の優れた大容量コンデンサの開発が
種々試みられている。高周波特性の優れたコンデンサに
は。
路の高密度化、あるいは自動挿入の普及などに伴い、電
子部品に対する小形化、高性能化の要望がますます強く
なってきている。その中にあたって、コンデンサも同様
に小形で高周波特性の優れた大容量コンデンサの開発が
種々試みられている。高周波特性の優れたコンデンサに
は。
フィルム、マイカ、セラミック等を誘電体としたコンデ
ンサがあるが、ｌμＦ以上の静電容量を得ようとすると
形状が大きくなり、価格も高くなるため実用上不向きで
ある。
ンサがあるが、ｌμＦ以上の静電容量を得ようとすると
形状が大きくなり、価格も高くなるため実用上不向きで
ある。
大容量コンデンサとして知られているアルミ電解コンデ
ンサは高周波特性が劣るため、高周波特性の優れたコン
デンサとして固体電解質に導電性高分子を用いた固体電
解コンデンサが最近出現してきている（特開昭６３−１
５８８２９号公報。
ンサは高周波特性が劣るため、高周波特性の優れたコン
デンサとして固体電解質に導電性高分子を用いた固体電
解コンデンサが最近出現してきている（特開昭６３−１
５８８２９号公報。
特開昭６３−１７３３１３号公報参照）。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の固体電解質に導電性高分子を用いた
固体電解コンデンサは、小形で大容量を得るために巻回
すると、誘電体酸化皮膜に応力によりクラックが入りや
すいという欠点や、電解コンデンサ特有の有極性のため
、実装時に正負の方向を違えてはならないという欠点を
有していた。
固体電解コンデンサは、小形で大容量を得るために巻回
すると、誘電体酸化皮膜に応力によりクラックが入りや
すいという欠点や、電解コンデンサ特有の有極性のため
、実装時に正負の方向を違えてはならないという欠点を
有していた。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、小形大容
量で、高岡波特性の優れた無極性のコンデンサの製造方
法の提供を目的とする。
量で、高岡波特性の優れた無極性のコンデンサの製造方
法の提供を目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のコンデンサの製造方
法は、多孔質化した導電体基材にポリアミック酸塩とポ
リアミック酸の貧溶媒を含有する電着液を用いて電着を
行い、ポリアミック酸の薄膜を多孔質化した導電体基材
上に形成した後、上記ポリアミック酸塩の薄膜を加熱脱
水することによってポリイミド薄膜とし、さらにそのポ
リイミド薄膜上に対極となる導電体層を形成するコンデ
ンサの製造方法において、電着電圧を段階的に上昇させ
ることにより電着を行った後、ポリアミック酸塩の薄膜
を加熱脱水するものである。
法は、多孔質化した導電体基材にポリアミック酸塩とポ
リアミック酸の貧溶媒を含有する電着液を用いて電着を
行い、ポリアミック酸の薄膜を多孔質化した導電体基材
上に形成した後、上記ポリアミック酸塩の薄膜を加熱脱
水することによってポリイミド薄膜とし、さらにそのポ
リイミド薄膜上に対極となる導電体層を形成するコンデ
ンサの製造方法において、電着電圧を段階的に上昇させ
ることにより電着を行った後、ポリアミック酸塩の薄膜
を加熱脱水するものである。
作用
多孔質化した導電体基材としてポリアミック酸塩とポリ
アミック酸塩の貧溶媒を含有する電着液を用いて電着を
行う際に、電着電圧を段階的に上昇させると、まず最初
の電着で、その電着電圧に見合った膜厚の均一なポリア
ミック酸塩の薄膜が多孔質化した導電体基材上に得られ
、さらに電着電圧を１段階上昇させて電着すると、最初
の電着電圧によるポリアミック酸塩の薄膜の上に、１段
階上昇させた電着電圧に見合った膜厚の均一なポリアミ
ック酸塩の薄膜が、最初の電着によるポリアミック酸塩
の薄膜の膜厚を含めた形で多孔質化した導電体基材上に
得られる。このように目標の電着電圧まで電着電圧を上
昇させ、電着を行うことにより、１回で目標の電着電圧
で電着を行ったポリアミック酸塩の薄膜よりはるかに均
一なポリアミック酸塩の薄膜が多孔質化した導電体基材
上に得られ、この均一なポリアミック酸塩を加熱脱水す
ることＪこより、均一なポリアミド薄膜が多孔質化した
導電体基材上に得られる。さらに、ポリイミド薄膜上に
対極となる導電体層を形成することにより、静電容量、
高周波特性および無極性の課題が解決される。
アミック酸塩の貧溶媒を含有する電着液を用いて電着を
行う際に、電着電圧を段階的に上昇させると、まず最初
の電着で、その電着電圧に見合った膜厚の均一なポリア
ミック酸塩の薄膜が多孔質化した導電体基材上に得られ
、さらに電着電圧を１段階上昇させて電着すると、最初
の電着電圧によるポリアミック酸塩の薄膜の上に、１段
階上昇させた電着電圧に見合った膜厚の均一なポリアミ
ック酸塩の薄膜が、最初の電着によるポリアミック酸塩
の薄膜の膜厚を含めた形で多孔質化した導電体基材上に
得られる。このように目標の電着電圧まで電着電圧を上
昇させ、電着を行うことにより、１回で目標の電着電圧
で電着を行ったポリアミック酸塩の薄膜よりはるかに均
一なポリアミック酸塩の薄膜が多孔質化した導電体基材
上に得られ、この均一なポリアミック酸塩を加熱脱水す
ることＪこより、均一なポリアミド薄膜が多孔質化した
導電体基材上に得られる。さらに、ポリイミド薄膜上に
対極となる導電体層を形成することにより、静電容量、
高周波特性および無極性の課題が解決される。
実施例
４以下、本発明の実施例について説明する。
表面積を約５０倍に粗面化したアルミエツチング箔を５
ｅｘａ Ｘ ２０−に切断した後かしめ付けによりア
ルミリードを接合して多孔質化した導電体基材を得た。
ｅｘａ Ｘ ２０−に切断した後かしめ付けによりア
ルミリードを接合して多孔質化した導電体基材を得た。
一方、ｐ−フェニレンジアミン３．３部をＮ。
Ｎ゛−ジメチルホルムアミド９０部に溶解しピロメリッ
ト酸二無水物を６．７部加えて室温で１２時間反応させ
てポリアミック酸溶液とした後、トリメチルアミン１．
８部を加えて４０℃で３０分間反応させて、ポリアミッ
ク酸中のカルボキシル基の半分を中和したポリアミック
酸塩溶液とした。この溶液６０部にポリアミック酸塩の
貧溶媒であるメタノール４０部を加えて電着液とした。
ト酸二無水物を６．７部加えて室温で１２時間反応させ
てポリアミック酸溶液とした後、トリメチルアミン１．
８部を加えて４０℃で３０分間反応させて、ポリアミッ
ク酸中のカルボキシル基の半分を中和したポリアミック
酸塩溶液とした。この溶液６０部にポリアミック酸塩の
貧溶媒であるメタノール４０部を加えて電着液とした。
この電着液をステンレス容器に入れ、上記の多孔質化し
た導電体基材を浸漬して陽極とし、ステンレス容器を陰
極として、ＩＯＶの電圧を３分間印加し、次に電圧を３
０Ｖにして３分間印加し、さらに電圧を５０Ｖにして３
分間印加し、多孔質化した導電体基材の表面にポリアミ
ック酸′塩の薄膜を形成させた。次に表面にポリアミッ
ク酸塩の薄膜を形成させ多孔質化した導電体基材を２５
０℃で２時間加熱してポリイミド薄膜を形成させてコン
デンサとした。
た導電体基材を浸漬して陽極とし、ステンレス容器を陰
極として、ＩＯＶの電圧を３分間印加し、次に電圧を３
０Ｖにして３分間印加し、さらに電圧を５０Ｖにして３
分間印加し、多孔質化した導電体基材の表面にポリアミ
ック酸′塩の薄膜を形成させた。次に表面にポリアミッ
ク酸塩の薄膜を形成させ多孔質化した導電体基材を２５
０℃で２時間加熱してポリイミド薄膜を形成させてコン
デンサとした。
このコンデンサ素子を２ ｍ ｏ ｅビロール／Ｉｅエ
タノール溶液に５分間浸漬した後、さらに０．５ｍｏｆ
ｆ／ｅの過硫酸アンモニウム水溶液に５分間浸漬して化
学酸化重合によるポリピロール薄膜を形成した。さらに
このコンデンサ素子をビロールモノマー１ｍｏｆ！／ｅ
とパラトルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム１
ｍｏｉ！／ｅの支持電解質を含有するアセトニトリル溶
液中に浸漬し、化学酸化重合したポリピロール薄膜を陽
極として、外部電極との間に定電流電解重合（１ｍＡ／
ｃｊ、３０分）を行い、電解重合によるポリピロール薄
膜を形成した。このコンデンサ素子をコロイダルカーボ
ンに浸漬し、さらに銀ペーストを塗布して導電体層を形
成し、その一部から対極を取り出し、エポキシ樹脂によ
り外装してコンデンサを完成させた。
タノール溶液に５分間浸漬した後、さらに０．５ｍｏｆ
ｆ／ｅの過硫酸アンモニウム水溶液に５分間浸漬して化
学酸化重合によるポリピロール薄膜を形成した。さらに
このコンデンサ素子をビロールモノマー１ｍｏｆ！／ｅ
とパラトルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム１
ｍｏｉ！／ｅの支持電解質を含有するアセトニトリル溶
液中に浸漬し、化学酸化重合したポリピロール薄膜を陽
極として、外部電極との間に定電流電解重合（１ｍＡ／
ｃｊ、３０分）を行い、電解重合によるポリピロール薄
膜を形成した。このコンデンサ素子をコロイダルカーボ
ンに浸漬し、さらに銀ペーストを塗布して導電体層を形
成し、その一部から対極を取り出し、エポキシ樹脂によ
り外装してコンデンサを完成させた。
比較例
実施例において、電着電圧の印加を５０Ｖ／３分間を３
回に変更した以外は実施例に準じてコンデンサを完成さ
せた。
回に変更した以外は実施例に準じてコンデンサを完成さ
せた。
実施例および比較例のコンデンサの特性を次の表に示す
。
。
（以 下 余 白）
この表より明らかなように本発明の製造方法によるコン
デンサは誘電損失および漏れ電流が比較例に比べて大幅
に向上した。
デンサは誘電損失および漏れ電流が比較例に比べて大幅
に向上した。
発明の効果
以上のように本発明によるコンデンサは、多孔質化した
導電体基材にポリアミック酸塩とポリアミック酸塩の貧
溶媒を含有する電着液を用いて電着を行い、ポリアミッ
ク酸塩の薄膜を多孔質化した導電体基材上に形成した後
、ポリアミック酸塩の薄膜を加熱脱水することによって
多孔質化した導電体基材上にポリイミド薄膜を形成し、
さらにポリイミド薄膜上に対極となる導電体層を形成す
るコンデンサの製造方法において、電着電圧を段階的に
上昇させることにより電着を行った後、ボ階的に上昇さ
せることにより電着を行った後、ポリアミック酸塩の薄
膜を加熱脱水することにより、小形大容量で、高周波特
性の優れた無極性のコンデンサを実現できる。
導電体基材にポリアミック酸塩とポリアミック酸塩の貧
溶媒を含有する電着液を用いて電着を行い、ポリアミッ
ク酸塩の薄膜を多孔質化した導電体基材上に形成した後
、ポリアミック酸塩の薄膜を加熱脱水することによって
多孔質化した導電体基材上にポリイミド薄膜を形成し、
さらにポリイミド薄膜上に対極となる導電体層を形成す
るコンデンサの製造方法において、電着電圧を段階的に
上昇させることにより電着を行った後、ボ階的に上昇さ
せることにより電着を行った後、ポリアミック酸塩の薄
膜を加熱脱水することにより、小形大容量で、高周波特
性の優れた無極性のコンデンサを実現できる。
代理人の氏名 弁理士小蝦治明 ほか２名手続補正書（
自発） ■事件の表示 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
大佐 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社住 所 大阪
府門真市大字門真１００６番地松下電器産業株式会社内 明 細 書 １、発明の名称 コンデンサの製造方法 ２、特許請求の範囲 （１）多孔質化した導電体基材にポリアミック酸塩とポ
リアミック酸の貧溶媒を含有する電着液を用いて電着を
行い、ポリアミック酸の薄膜を多孔質化した導電体基材
上に形成した後、上記ポリアミック酸の薄膜を加熱脱水
することによってポリイミド薄膜とし、さらにそのポリ
イミド薄膜上に対極となる導電体層を形成するコンデン
サの製造方法において、電着電圧を段階的に上昇させる
ことによシミ着を行った後、ポリアミック酸の薄膜を加
熱脱水することを特徴とするコンデンサの製造方法。
自発） ■事件の表示 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
大佐 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社住 所 大阪
府門真市大字門真１００６番地松下電器産業株式会社内 明 細 書 １、発明の名称 コンデンサの製造方法 ２、特許請求の範囲 （１）多孔質化した導電体基材にポリアミック酸塩とポ
リアミック酸の貧溶媒を含有する電着液を用いて電着を
行い、ポリアミック酸の薄膜を多孔質化した導電体基材
上に形成した後、上記ポリアミック酸の薄膜を加熱脱水
することによってポリイミド薄膜とし、さらにそのポリ
イミド薄膜上に対極となる導電体層を形成するコンデン
サの製造方法において、電着電圧を段階的に上昇させる
ことによシミ着を行った後、ポリアミック酸の薄膜を加
熱脱水することを特徴とするコンデンサの製造方法。
（２）対極となる導電体層が、化学酸化重合による導電
性高分子薄膜と電解重合による導電性高分子薄膜を順次
積層して形成されることを特徴とする請求項（１）記載
のコンデンサの製造方法。
性高分子薄膜と電解重合による導電性高分子薄膜を順次
積層して形成されることを特徴とする請求項（１）記載
のコンデンサの製造方法。
（３）導電性高分子薄膜が、ポリピロールであることを
特徴とする請求項（２）記載のコンデンサの製造方法。
特徴とする請求項（２）記載のコンデンサの製造方法。
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、電気機器１軍子機器の電子回路などに使用す
るコンデンサの製造方法に関する。
るコンデンサの製造方法に関する。
従来の技術
機器の小形軽量化志向、高集積回路の採用による電子回
路の高密度化、あるいは自動挿入の普及などに伴い、電
子部品に対する小形化、高性能化の要望がますます強く
なってきている。その中にあって、コンデンサも同様に
小形で高周波特性の優れた大容量コンデンサの開発が種
々試みられている。高周波特性の優れたコンデンサには
、フィルム、マイカ、セラミック等を誘電体としたコン
デンサがあるが、１μＦ以上の静電容量を得ようとする
と形状が大きくなり、価格も高くなるだめ実用上不向き
である。
路の高密度化、あるいは自動挿入の普及などに伴い、電
子部品に対する小形化、高性能化の要望がますます強く
なってきている。その中にあって、コンデンサも同様に
小形で高周波特性の優れた大容量コンデンサの開発が種
々試みられている。高周波特性の優れたコンデンサには
、フィルム、マイカ、セラミック等を誘電体としたコン
デンサがあるが、１μＦ以上の静電容量を得ようとする
と形状が大きくなり、価格も高くなるだめ実用上不向き
である。
大容量コンデンサとして知られているアｌレミ電解コン
デンサは高周波特性が劣るため、高周波特性の優れたコ
ンデンサとして固体電解質に導電性できている（特開昭
６３−１５８８２９号公報。
デンサは高周波特性が劣るため、高周波特性の優れたコ
ンデンサとして固体電解質に導電性できている（特開昭
６３−１５８８２９号公報。
特開昭６３−１７３３１３号公報参照）。
を用いた固体電解コンデンサは、小形で大容量を得るた
めに巻回すると、誘電体酸化皮膜に応力によりクラック
が入りやすいという欠点や、電解コンテ°ンサ特有の有
極性のため、実装時に正負の方向を違えてはならないと
いう欠点を有していた。
めに巻回すると、誘電体酸化皮膜に応力によりクラック
が入りやすいという欠点や、電解コンテ°ンサ特有の有
極性のため、実装時に正負の方向を違えてはならないと
いう欠点を有していた。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、小形大容
量で、高周波特性の優れた無極性のコンデンサの製造方
法の提供を目的とする。
量で、高周波特性の優れた無極性のコンデンサの製造方
法の提供を目的とする。
課題を解決するだめの手段
この目的を達成するために本発明のコンデンサの製造方
法は、多孔質化した導電体基材にポリアミック酸塩とポ
リアミック酸の貧溶媒を含有する電着液を用いて電着を
行い、ポリアミック酸の薄膜を多孔質化した導電体基材
上に形成した後、上記ポリアミック酸の薄膜を加熱脱水
することによってポリイミド薄膜とし、さらにそのポリ
イミド薄膜上に対極となる導電体層を形成するコンデン
サの製造方法において、電着電圧を段階的に上昇させる
ことにより電着全行った後、ポリアミック酸の薄膜を加
熱脱水するものである。
法は、多孔質化した導電体基材にポリアミック酸塩とポ
リアミック酸の貧溶媒を含有する電着液を用いて電着を
行い、ポリアミック酸の薄膜を多孔質化した導電体基材
上に形成した後、上記ポリアミック酸の薄膜を加熱脱水
することによってポリイミド薄膜とし、さらにそのポリ
イミド薄膜上に対極となる導電体層を形成するコンデン
サの製造方法において、電着電圧を段階的に上昇させる
ことにより電着全行った後、ポリアミック酸の薄膜を加
熱脱水するものである。
作用
多孔質化した導電体基材としてポリアミック酸塩とポリ
アミック酸の貧溶媒を含有する電着液を用いて電着を行
う際に、電着電圧を段階的に上昇させると、まず最初の
電着で、その電着電圧に見合った膜厚の均一なポリアミ
ック酸の薄膜が多孔質化した導電体基材上に得られ、さ
らに電着電圧を１段階上昇させて電着すると、最初の電
着電圧によるポリアミック酸の薄膜の上に、１段階上昇
させた電着電圧に見合った膜厚の均一なポリアミック酸
の薄膜が、最初の電着によるポリアミック酸の薄膜の膜
厚を含めた形で多孔質化した導電体基材上に得られる。
アミック酸の貧溶媒を含有する電着液を用いて電着を行
う際に、電着電圧を段階的に上昇させると、まず最初の
電着で、その電着電圧に見合った膜厚の均一なポリアミ
ック酸の薄膜が多孔質化した導電体基材上に得られ、さ
らに電着電圧を１段階上昇させて電着すると、最初の電
着電圧によるポリアミック酸の薄膜の上に、１段階上昇
させた電着電圧に見合った膜厚の均一なポリアミック酸
の薄膜が、最初の電着によるポリアミック酸の薄膜の膜
厚を含めた形で多孔質化した導電体基材上に得られる。
このように目標の電着電圧まで電着電圧を上昇させ、電
着を行うことにより、１回で目標の電着電圧で電着を行
ったポリアミック酸の薄膜よりはるかに均一なポリアミ
ック酸の薄膜が多孔質化した導電体基材上に得られ、こ
の均一なポリアミック酸の薄膜を加熱脱水することによ
り、均一なポリアミド薄膜が多孔質化した導電体基材上
に得られる。さらに、ポリイミド薄膜上に対極となる導
電体＠を形成することにより。
着を行うことにより、１回で目標の電着電圧で電着を行
ったポリアミック酸の薄膜よりはるかに均一なポリアミ
ック酸の薄膜が多孔質化した導電体基材上に得られ、こ
の均一なポリアミック酸の薄膜を加熱脱水することによ
り、均一なポリアミド薄膜が多孔質化した導電体基材上
に得られる。さらに、ポリイミド薄膜上に対極となる導
電体＠を形成することにより。
静電容量、高層ｅ特性および無極性の課題が解決される
。
。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
表面積を約５０倍に粗面化したアルミエツチング箔をｓ
ｗ×２ｏ羽に切断した後かしめ付けによりアルミリード
を接合して多孔質化した導電体基材を得た。
ｗ×２ｏ羽に切断した後かしめ付けによりアルミリード
を接合して多孔質化した導電体基材を得た。
一方、ｐ−フェニレンジアミン３．３ｆｆｉｉＮ、 Ｎ
’−ジメチルホルムアミド９０部に溶解しピロメリット
酸二無水物を６．７部加えて室温で１２時間反応させて
ポリアミック酸溶液とした後、トリメチルアミン１．８
部を加えて４０℃で３０分間反応させて、ポリアミック
酸中のカルボキシル基の半分を中和したポリアミック酸
塩溶液とした。この溶液６０部にポリアミック酸の貧溶
媒であるメタノール４０部を加えて電着液とした。
’−ジメチルホルムアミド９０部に溶解しピロメリット
酸二無水物を６．７部加えて室温で１２時間反応させて
ポリアミック酸溶液とした後、トリメチルアミン１．８
部を加えて４０℃で３０分間反応させて、ポリアミック
酸中のカルボキシル基の半分を中和したポリアミック酸
塩溶液とした。この溶液６０部にポリアミック酸の貧溶
媒であるメタノール４０部を加えて電着液とした。
この電着液をステンレス容器（・て入れ、上記の多孔質
化した導電体基材を浸漬して陽極とし、ステンレス容器
を陰極として、１０Ｖの電圧を３分間印加し、次に電圧
を３０Ｖにして３分間印加し。
化した導電体基材を浸漬して陽極とし、ステンレス容器
を陰極として、１０Ｖの電圧を３分間印加し、次に電圧
を３０Ｖにして３分間印加し。
さらに電圧をＳＯＶにして３分間印加し、多孔質化した
導電体基材の表面にポリアミック酸の薄膜を形成させた
。次に表面にポリアミック酸の薄膜を形成させ多孔質化
した導電体基材を２５０℃で２時間加熱してポリイミド
薄膜を形成させてコンデンサ素子とした。
導電体基材の表面にポリアミック酸の薄膜を形成させた
。次に表面にポリアミック酸の薄膜を形成させ多孔質化
した導電体基材を２５０℃で２時間加熱してポリイミド
薄膜を形成させてコンデンサ素子とした。
このコンデンサ素子を２ｍｏｌｍｏ−ピロー／／１１エ
タノール溶液に６分間浸漬した後、さらに０．５ｍ Ｏ
ｌ／ｌの過硫酸アンモニウム水溶液に６分間浸漬して化
学酸化重合によるポリピロール薄膜を形成した。さらに
このコンデンサ素子をピロールモノマー１ｍｏ＃／６と
パラトルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム１ｍ
ｏｅ／ｅの支持電解質を含有するアセトニドＩＪル溶液
中に浸漬し、化学酸化重合したポリピロール薄膜を陽極
として、外部電極との間に定電流電解重合（１ｍＡ／ｉ
、３０分）を行い、電解重合によυポリピロール薄膜全
形成シタ。このコンデンサ素子をコロイダルカーボンに
浸漬し、さらに銀ペーストを塗布して導電体層を形成し
、その一部から対極を取り吊し、エポキシ樹脂によシ外
装してコンデンサを完成させた。
タノール溶液に６分間浸漬した後、さらに０．５ｍ Ｏ
ｌ／ｌの過硫酸アンモニウム水溶液に６分間浸漬して化
学酸化重合によるポリピロール薄膜を形成した。さらに
このコンデンサ素子をピロールモノマー１ｍｏ＃／６と
パラトルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム１ｍ
ｏｅ／ｅの支持電解質を含有するアセトニドＩＪル溶液
中に浸漬し、化学酸化重合したポリピロール薄膜を陽極
として、外部電極との間に定電流電解重合（１ｍＡ／ｉ
、３０分）を行い、電解重合によυポリピロール薄膜全
形成シタ。このコンデンサ素子をコロイダルカーボンに
浸漬し、さらに銀ペーストを塗布して導電体層を形成し
、その一部から対極を取り吊し、エポキシ樹脂によシ外
装してコンデンサを完成させた。
比較例
実施例において、電着電圧の印加１５０Ｖ／３分間を３
回に変更した以外は実施例に準じてコンデンサを完成さ
せた。
回に変更した以外は実施例に準じてコンデンサを完成さ
せた。
実施例および比較例のコンデンサの特性を次の表に示す
。
。
（以 下 余 白）
この表より明らかなように本発明の製造方法によるコン
デンサは誘電損失および漏れ電流が比較例に比べて大幅
に向上した。
デンサは誘電損失および漏れ電流が比較例に比べて大幅
に向上した。
発明の効果
以上のように本発明によるコンデンサは、多孔質化した
導電体基材にボリアごツク酸塩とポリアミック酸の貧溶
媒を含有する電着液を用いて電着を行い、ポリアミック
酸の薄膜を多孔質化した導電体基材上に形成した後、ボ
リアＳツク酸の薄膜を加熱脱水することによって多孔質
化した導電体基材上にポリイミド薄膜を形成し、ζらに
ポリイミド薄膜上に対極となる導電体層を形成するコン
デンサの製造方法において、電着電圧を段階的に上昇さ
せることにより電着を行った後、ポリアミツク酸の薄嘆
を加熱脱水することにより、小形大容量で、高周波特性
の優れた無極性のコンデンサを実現できる。
導電体基材にボリアごツク酸塩とポリアミック酸の貧溶
媒を含有する電着液を用いて電着を行い、ポリアミック
酸の薄膜を多孔質化した導電体基材上に形成した後、ボ
リアＳツク酸の薄膜を加熱脱水することによって多孔質
化した導電体基材上にポリイミド薄膜を形成し、ζらに
ポリイミド薄膜上に対極となる導電体層を形成するコン
デンサの製造方法において、電着電圧を段階的に上昇さ
せることにより電着を行った後、ポリアミツク酸の薄嘆
を加熱脱水することにより、小形大容量で、高周波特性
の優れた無極性のコンデンサを実現できる。
Claims (3)
- （１）多孔質化した導電体基材にポリアミック酸塩とポ
リアミック酸塩の貧溶媒を含有する電着液を用いて電着
を行い、ポリアミック酸塩の薄膜を多孔質化した導電体
基材上に形成した後、上記ポリアミック酸塩の薄膜を加
熱脱水することによってポリイミド薄膜とし、さらにそ
のポリイミド薄膜上に対極となる導電体層を形成するコ
ンデンサの製造方法において、 電着電圧を段階的に上昇させることにより電着を行った
後、ポリアミック酸塩の薄膜を加熱脱水することを特徴
とするコンデンサの製造方法。 - （２）対極となる導電体層が、化学酸化重合による導電
性高分子薄膜と電解重合による導電性高分子薄膜を順次
積層して形成されることを特徴とする請求項（１）記載
のコンデンサの製造方法。 - （３）導電性高分子薄膜が、ポリピロールであることを
特徴とする請求項（２）記載のコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28120090A JPH04155810A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28120090A JPH04155810A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155810A true JPH04155810A (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=17635744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28120090A Pending JPH04155810A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04155810A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9595387B2 (en) | 2008-04-08 | 2017-03-14 | Micron Technology, Inc. | High aspect ratio openings |
| US10515801B2 (en) | 2007-06-04 | 2019-12-24 | Micron Technology, Inc. | Pitch multiplication using self-assembling materials |
-
1990
- 1990-10-18 JP JP28120090A patent/JPH04155810A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10515801B2 (en) | 2007-06-04 | 2019-12-24 | Micron Technology, Inc. | Pitch multiplication using self-assembling materials |
| US9595387B2 (en) | 2008-04-08 | 2017-03-14 | Micron Technology, Inc. | High aspect ratio openings |
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