JPH0487316A - コンデンサ - Google Patents
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- JPH0487316A JPH0487316A JP2202183A JP20218390A JPH0487316A JP H0487316 A JPH0487316 A JP H0487316A JP 2202183 A JP2202183 A JP 2202183A JP 20218390 A JP20218390 A JP 20218390A JP H0487316 A JPH0487316 A JP H0487316A
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Landscapes
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電気機器・電子機器の電子回路などに使用す
るコンデンサに関するものである。
るコンデンサに関するものである。
従来の技術
機器の小形・軽量化志向、高集積回路の採用による電子
回路の高密度化、あるいは自動挿入の普及などに伴い、
電子部品に対する小形化・高性能化の要望がますます強
くなってきている。その中にあって、コンデンサも同様
に小形で高周波特性の優れた大容量コンデンサの開発が
種々試みられている。高周波特性の優れたコンデンサに
は、フィルム・マイカ・セラミック等を誘電体としたコ
ンデンサがあるが、1μF以上の静電容量を得ようとす
ると、形状が大きくなり、価格も高(なるため、実用上
不向きである。
回路の高密度化、あるいは自動挿入の普及などに伴い、
電子部品に対する小形化・高性能化の要望がますます強
くなってきている。その中にあって、コンデンサも同様
に小形で高周波特性の優れた大容量コンデンサの開発が
種々試みられている。高周波特性の優れたコンデンサに
は、フィルム・マイカ・セラミック等を誘電体としたコ
ンデンサがあるが、1μF以上の静電容量を得ようとす
ると、形状が大きくなり、価格も高(なるため、実用上
不向きである。
大容量コンデンサとして知られているアルミ電解コンデ
ンサでは高周波特性が劣るため、高周波特性の優れたコ
ンデンサとして固体電解質に導電性高分子を用いた固体
電解コンデンサが最近出現してきている(特開昭63−
158829号、特開昭63−173313号)。
ンサでは高周波特性が劣るため、高周波特性の優れたコ
ンデンサとして固体電解質に導電性高分子を用いた固体
電解コンデンサが最近出現してきている(特開昭63−
158829号、特開昭63−173313号)。
発明が解決しようとする課題
固体電解質に導電性高分子を用いたアルミニウム固体電
解コンデンサは、小形で大容量を得るために巻回すると
、誘電体酸化皮膜が応力によりクラックが入りやすいと
いう欠点や、電解コンデンサ特有の有極性のため、実装
時に正負の方向を違えてはならないという欠点を有して
いた。
解コンデンサは、小形で大容量を得るために巻回すると
、誘電体酸化皮膜が応力によりクラックが入りやすいと
いう欠点や、電解コンデンサ特有の有極性のため、実装
時に正負の方向を違えてはならないという欠点を有して
いた。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、小形・
大容量で、高周波特性の優れた無極性のコンデンサを提
供することを目的とするものである。
大容量で、高周波特性の優れた無極性のコンデンサを提
供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のコンデンサは、多孔
質化した弁金属の表面に絶縁性高分子を形成させ、更に
絶縁性高分子の弱点部に陽極酸化により誘電体酸化皮膜
を形成させた複合誘電体表面上に対極となる導電体層を
形成して構成したものである。
質化した弁金属の表面に絶縁性高分子を形成させ、更に
絶縁性高分子の弱点部に陽極酸化により誘電体酸化皮膜
を形成させた複合誘電体表面上に対極となる導電体層を
形成して構成したものである。
作用
本発明にかかるコンデンサは、絶縁性高分子膜と陽極酸
化による誘電体酸化皮膜の複合誘電体を用いることによ
り耐電圧が上昇し、また無極性化がはかられる。かつ脆
い無機酸化皮膜と柔軟な絶縁性高分子膜を複合化するこ
とでクラックの入りに(い複合誘電体となり、高周波特
性の優れた大容量コンデンサが得られる。
化による誘電体酸化皮膜の複合誘電体を用いることによ
り耐電圧が上昇し、また無極性化がはかられる。かつ脆
い無機酸化皮膜と柔軟な絶縁性高分子膜を複合化するこ
とでクラックの入りに(い複合誘電体となり、高周波特
性の優れた大容量コンデンサが得られる。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
第1図は本発明のコンデンサの一実施例を示す。第1図
に示すようにポリアミック酸塩を含む溶液にポリアミッ
ク酸の貧溶媒を添加して電着液として、多孔質化した弁
金属1をこの電着液に浸漬して電着を行い、ポリアミッ
ク酸の薄膜7を多孔質化した弁金属1の表面に形成した
後、陽極酸化を行うことにより、第1図aのようにポリ
アミック酸の薄膜7の弱点部分を補うように誘電体酸化
皮膜2が形成される。次にポリアミック酸の薄膜7を加
熱脱水することにより、ポリアミック酸の薄膜7がポリ
イミド化され、第1図すのように絶縁性高分子膜3が得
られる。ついで絶縁性高分子膜3の上に化学酸化重合に
よる導電性高分子膜4を形成し、表面を導電化する。つ
いで化学酸化重合による導電性高分子膜4を陽極として
電解液中にて電解重合を行うと、化学酸化重合による導
電性高分子膜4の上に電解重合によって得られた強靭な
導電性高分子膜5が得られる。さらに導電材料6により
電極を引き出して一方の電極とし、弁金属1を他方の電
極とし、エポキシ樹脂などにより外装すると第1図の構
成のコンデンサとなる。
に示すようにポリアミック酸塩を含む溶液にポリアミッ
ク酸の貧溶媒を添加して電着液として、多孔質化した弁
金属1をこの電着液に浸漬して電着を行い、ポリアミッ
ク酸の薄膜7を多孔質化した弁金属1の表面に形成した
後、陽極酸化を行うことにより、第1図aのようにポリ
アミック酸の薄膜7の弱点部分を補うように誘電体酸化
皮膜2が形成される。次にポリアミック酸の薄膜7を加
熱脱水することにより、ポリアミック酸の薄膜7がポリ
イミド化され、第1図すのように絶縁性高分子膜3が得
られる。ついで絶縁性高分子膜3の上に化学酸化重合に
よる導電性高分子膜4を形成し、表面を導電化する。つ
いで化学酸化重合による導電性高分子膜4を陽極として
電解液中にて電解重合を行うと、化学酸化重合による導
電性高分子膜4の上に電解重合によって得られた強靭な
導電性高分子膜5が得られる。さらに導電材料6により
電極を引き出して一方の電極とし、弁金属1を他方の電
極とし、エポキシ樹脂などにより外装すると第1図の構
成のコンデンサとなる。
(実施例1)
約50倍に粗面化したアルミエツチング箔を5■X20
+w+に切断した後かしめ付けによりアルミリードを接
合して金属電極を得た。
+w+に切断した後かしめ付けによりアルミリードを接
合して金属電極を得た。
一方p−フェニレンジアミン3.3部をN、N’−ジメ
チルホルムアミド90部に溶解しピロメリット酸2無水
物6.7部を加えて室温で12時間反応させてポリアミ
ック酸溶液とした後、トリメチルアミン1.8部を加え
て40℃で30分間反応させて、ポリアミック酸中のカ
ルボキシル基の半分を中和したポリアミック酸塩溶液と
した。
チルホルムアミド90部に溶解しピロメリット酸2無水
物6.7部を加えて室温で12時間反応させてポリアミ
ック酸溶液とした後、トリメチルアミン1.8部を加え
て40℃で30分間反応させて、ポリアミック酸中のカ
ルボキシル基の半分を中和したポリアミック酸塩溶液と
した。
この溶液60部にメタノール40部を加え電着液とした
。
。
この電着液をステンレス容器にいれ、粗面化した金属電
極を浸漬して陽極とし、ステンレス容器を陰極として、
50Vの電圧を3分間印加し、該金属電極表面にポリア
ミック酸の薄膜を形成させた。
極を浸漬して陽極とし、ステンレス容器を陰極として、
50Vの電圧を3分間印加し、該金属電極表面にポリア
ミック酸の薄膜を形成させた。
次に表面にポリアミック酸の薄膜を形成させた金属電極
を10wt%のアジピン酸アンモニウム溶液中に浸漬し
、室温中で30Vの電圧を10分間印加して陽極酸化を
行い、ポリアミック酸の薄膜の弱点部分を補うように誘
電体酸化皮膜を形成させた。ついでポリアミック酸の薄
膜と誘電体酸化皮膜を形成させた金属電極を、250℃
で2時間加熱して表面にポリイミド皮膜を形成して複合
誘電体を形成した素子とした。
を10wt%のアジピン酸アンモニウム溶液中に浸漬し
、室温中で30Vの電圧を10分間印加して陽極酸化を
行い、ポリアミック酸の薄膜の弱点部分を補うように誘
電体酸化皮膜を形成させた。ついでポリアミック酸の薄
膜と誘電体酸化皮膜を形成させた金属電極を、250℃
で2時間加熱して表面にポリイミド皮膜を形成して複合
誘電体を形成した素子とした。
この素子を2mol/f! ピロール/エタノール溶
液に5分間浸漬した後、更に0.5mol/e過硫酸ア
ンモニウム水溶液に5分間浸漬して化学酸化重合による
ポリピロール膜を形成した。更にこの素子をビロールモ
ノマー1mol/e及び支持電解質としてパラトルエン
スルホン酸テトラエチルアンモニウム1mol/eを含
むアセトニドノル溶液中に浸漬し、化学酸化重合したポ
リピロール膜を陽極として、外部電極との間に定電流電
解重合(1mA/cJ、 30分)を行い、電解重合に
よるポリピロール膜を形成した。この素子をコロイダル
カーボンに浸漬し、更に銀ペーストを塗布して導電性塗
膜を形成し、その一部から対極を取り出し、エポキシ樹
脂により外装しコンデンサを完成した。得られたコンデ
ンサ特性を第1表に示す。
液に5分間浸漬した後、更に0.5mol/e過硫酸ア
ンモニウム水溶液に5分間浸漬して化学酸化重合による
ポリピロール膜を形成した。更にこの素子をビロールモ
ノマー1mol/e及び支持電解質としてパラトルエン
スルホン酸テトラエチルアンモニウム1mol/eを含
むアセトニドノル溶液中に浸漬し、化学酸化重合したポ
リピロール膜を陽極として、外部電極との間に定電流電
解重合(1mA/cJ、 30分)を行い、電解重合に
よるポリピロール膜を形成した。この素子をコロイダル
カーボンに浸漬し、更に銀ペーストを塗布して導電性塗
膜を形成し、その一部から対極を取り出し、エポキシ樹
脂により外装しコンデンサを完成した。得られたコンデ
ンサ特性を第1表に示す。
(実施例2)
実施例1において、複合誘電体を形成した後この素子を
巻き取り、巻回素子とした以外は実施例1に準じてコン
デンサを完成させた。得られたコンデンサ特性を第1表
に示す。
巻き取り、巻回素子とした以外は実施例1に準じてコン
デンサを完成させた。得られたコンデンサ特性を第1表
に示す。
(比較例1)
実施例1において、ポリイミド皮膜を形成した後の陽極
酸化膜を形成する工程を省いた以外は実施例1に準じて
コンデンサを完成させた。得られたコンデンサ特性を第
1表に示す。
酸化膜を形成する工程を省いた以外は実施例1に準じて
コンデンサを完成させた。得られたコンデンサ特性を第
1表に示す。
(比較例2)
実施例1において、ポリイミド皮膜を形成した後この素
子を巻き取り、巻回素子とし、陽極酸化膜を形成する工
程を省いた以外は実施例1に準じてコンデンサを完成さ
せた。得られたコンデンサ特性を第1表に示す。
子を巻き取り、巻回素子とし、陽極酸化膜を形成する工
程を省いた以外は実施例1に準じてコンデンサを完成さ
せた。得られたコンデンサ特性を第1表に示す。
第 1 表
発明の効果
以上のように本発明によるコンデンサは、多孔質化した
弁金属の表面に絶縁性高分子を形成させ、更に絶縁性高
分子膜の弱点部に陽極酸化により誘電体酸化皮膜を形成
させた複合誘電体表面上に対極となる導電体層を形成し
て構成することにより、無極性、小形、大容量で高周波
特性の優れたコンデンサを実現できるものである。
弁金属の表面に絶縁性高分子を形成させ、更に絶縁性高
分子膜の弱点部に陽極酸化により誘電体酸化皮膜を形成
させた複合誘電体表面上に対極となる導電体層を形成し
て構成することにより、無極性、小形、大容量で高周波
特性の優れたコンデンサを実現できるものである。
第1図a、bは本発明のコンデンサの一構成例を示す要
部断面図である。 1・・・・・・弁金属、2・・・・・・誘電体酸化皮膜
、3・・・・・・絶縁性高分子膜、4・・・・・・化学
酸化重合により得られた導電性高分子膜、5・・・・・
・電解重合により得られた導電性高分子膜、6・・・・
・・導電材料、7・・・・・・ボッアミック酸の薄膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか12米1(コ ト・・弁金属 2・・・誘電体酸化皮膜 3・・・絶縁性高分子膜 4 ・・−化l化を合により祷られた11性高分子履5
・・・電解重合により得られた1ift高分子腋6・
・・導電材料 7−・ポリアミック酸の薄膜
部断面図である。 1・・・・・・弁金属、2・・・・・・誘電体酸化皮膜
、3・・・・・・絶縁性高分子膜、4・・・・・・化学
酸化重合により得られた導電性高分子膜、5・・・・・
・電解重合により得られた導電性高分子膜、6・・・・
・・導電材料、7・・・・・・ボッアミック酸の薄膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか12米1(コ ト・・弁金属 2・・・誘電体酸化皮膜 3・・・絶縁性高分子膜 4 ・・−化l化を合により祷られた11性高分子履5
・・・電解重合により得られた1ift高分子腋6・
・・導電材料 7−・ポリアミック酸の薄膜
Claims (4)
- (1)多孔質化した弁金属の表面に絶縁性高分子を形成
させ、更に絶縁性高分子膜の弱点部に陽極酸化により誘
電体酸化皮膜を形成させた複合誘電体表面上に対極とな
る導電体層を形成して構成したことを特徴とするコンデ
ンサ。 - (2)絶縁性高分子が、ポリアミック酸塩を含む溶液に
ポリアミック酸の貧溶媒を添加して電着液として電着を
行い、ポリアミック酸の薄膜を多孔質化した弁金属の表
面上に形成した後、ポリアミック酸を加熱脱水すること
により形成したポリイミドである請求項(1)記載のコ
ンデンサ。 - (3)対極となる導電体層が、化学酸化重合による導電
性高分子膜と電解重合による導電性高分子膜を順次積層
して形成される請求項(1)記載のコンデンサ。 - (4)導電性高分子膜がポリピロールである請求項(1
)記載のコンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02202183A JP3110445B2 (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02202183A JP3110445B2 (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0487316A true JPH0487316A (ja) | 1992-03-19 |
JP3110445B2 JP3110445B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=16453340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02202183A Expired - Fee Related JP3110445B2 (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3110445B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1079326A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサおよびその製造方法 |
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WO2010116656A1 (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | パナソニック株式会社 | コンデンサ、およびその製造方法 |
WO2024128161A1 (ja) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | 日本ケミコン株式会社 | 電極箔、蓄電デバイスおよびその製造方法 |
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1990
- 1990-07-30 JP JP02202183A patent/JP3110445B2/ja not_active Expired - Fee Related
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