WO2010116656A1 - コンデンサ、およびその製造方法 - Google Patents

コンデンサ、およびその製造方法 Download PDF

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加賀田博司
鳳桐将之
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パナソニック株式会社
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    • H01G9/15—Solid electrolytic capacitors

Definitions

  • the present invention relates to a capacitor having a dielectric layer and a method for manufacturing the same.
  • Capacitors are indispensable parts for electronic devices because they have energy storage and electrical filter functions. With the recent miniaturization of electronic devices, higher capacity capacitors are required in the market.
  • the capacitor includes a dielectric layer provided between a pair of electrodes. By reducing the thickness of the dielectric layer, a high-capacitance capacitor can be formed.
  • Patent Document 1 discloses a high-capacity conventional capacitor including an oxide nanosheet such as a titanium nanosheet that is a dielectric material capable of forming a thin layer.
  • an oxide nanosheet such as a titanium nanosheet that is a dielectric material capable of forming a thin layer.
  • a pair of electrodes may be short-circuited via the oxide nanosheet.
  • the capacitor includes an electrode and a dielectric layer disposed above the electrode.
  • the dielectric layer is made of a plurality of metal oxide pieces spread, and is formed by a gap between the plurality of metal oxide pieces to form a through hole.
  • the capacitor further includes an insulating portion provided in a portion of the electrode facing the opening of the hole of the dielectric layer and covering the opening of the hole. This capacitor has high reliability by preventing a short circuit between the electrodes.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a capacitor according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged schematic view of the dielectric layer of the capacitor in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a capacitor of a comparative example.
  • FIG. 4A is a cross-sectional view showing the capacitor manufacturing process in the first embodiment.
  • FIG. 4B is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the capacitor in the first embodiment.
  • FIG. 4C is a schematic cross-sectional view of the dielectric layer of the capacitor in the first exemplary embodiment.
  • FIG. 4D is a schematic cross-sectional view of another dielectric layer in the first exemplary embodiment.
  • FIG. 5 shows the evaluation results of the capacitor in the first embodiment.
  • FIG. 6A is a perspective view of the capacitor according to Embodiment 1.
  • FIG. 6B is a perspective view of another capacitor according to Embodiment 1.
  • FIG. 7A is a cross-sectional view of still another capacitor in the first embodiment.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view of still another capacitor in the first embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the capacitor according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 9A is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the capacitor in the second embodiment.
  • FIG. 9B is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the capacitor in the second embodiment.
  • FIG. 9C is a cross-sectional view of another capacitor according to the second exemplary embodiment.
  • 9D is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the capacitor shown in FIG. 9C.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a capacitor 1 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • Capacitor 1 is provided between electrode 2, dielectric layer 4 disposed on upper surface 2 ⁇ / b> A of electrode 2, electrode 52 facing upper surface 4 ⁇ / b> A of dielectric layer 4, and between dielectric layer 4 and electrode 52.
  • the electrolyte 51 is provided.
  • the lower surface 4B of the dielectric layer 4 is located on the upper surface 2A of the electrode 2.
  • the electrode 2 is made of a conductive material foil, preferably a foil made of a valve metal such as aluminum or titanium.
  • a separator 53 may be disposed between the electrodes 2 and 52.
  • FIG. 2 is an enlarged schematic view of the dielectric layer 4.
  • the dielectric layer 4 is composed of a plurality of metal oxide pieces 100 spread on the upper surface 2A of the electrode 2.
  • the metal oxide piece 100 is made of an oxide nanosheet such as a titanate nanosheet or a niobate nanosheet.
  • the metal oxide piece 100 has a thickness of several atoms, the thickness is generally 0.3 nm to 2 nm, preferably 0.3 nm to 50 nm, and the length and width are about 10 nm to 1 mm.
  • the plurality of metal oxide pieces 100 are spread and adhered to the upper surface 2A of the electrode 2 by an adhesion auxiliary layer made of a cation disposed on the upper surface 2A of the electrode 2.
  • an insulating portion 6 is formed in a dielectric non-forming portion 22A, which is a portion exposed to face the hole 5 on the upper surface 2A of the electrode 2.
  • the electrode 2 is made of metal, and the insulating portion 6 is made of an oxide of the metal.
  • the insulating portion 6 is made of aluminum oxide.
  • the insulating portion 6 can be formed by oxidizing the upper surface 2A of the electrode 2 through the hole 5 by a method such as anodic oxidation or heat treatment.
  • the thickness T1 (nm) of the insulating portion 6 is set according to the withstand voltage WV (V) of the capacitor.
  • the thickness T1 (nm) is set as follows.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a capacitor 501 of a comparative example. 3, the same reference numerals are assigned to the same parts as those of the capacitor 1 in the first embodiment shown in FIG.
  • the capacitor 501 shown in FIG. 3 does not have the insulating portion 6, and the electrode 2 is exposed from the hole 5.
  • the electrolyte 51 filled in the hole 5 may come into contact with the electrode 2 to short-circuit the electrodes 2 and 52.
  • the insulating portion 6 can prevent the electrolyte 51 from directly contacting the electrode 2. It can be avoided that the electrodes 2 and 52 are short-circuited and the capacitor 1 becomes defective.
  • the dielectric layer 4 made of the oxide nanosheet can be thinned. Even in the capacitor 501 of the comparative example that does not have the insulating portion 6, a plurality of layers each made of a plurality of metal oxide pieces 100 are stacked to close the hole 5, and the hole 5 that penetrates from the upper surface 4 ⁇ / b> A to the lower surface 4 ⁇ / b> B A short circuit can be suppressed by making the shape of a complicated shape. However, such a method cannot make the dielectric layer 4 thin, and it is difficult to increase the capacitance of the capacitor 501.
  • the insulating portion 6 can cause a short circuit between the electrodes 2 and 52. Can be suppressed. Further, it is not necessary to dispose of the dielectric layer 4 in which the holes 5 are generated as defective products, and the production efficiency of the capacitor 1 can be improved.
  • the insulating portion 6 is made of aluminum oxide.
  • the relative dielectric constant of aluminum oxide is about 8, which is not so large.
  • the relative permittivity of titanate nanosheets that can be used as the material of the dielectric layer 4 is about 125, the relative permittivity of niobate nanosheets is about 300, and the relative permittivity of the dielectric layer 4 can be increased. Therefore, the capacitor 1 having a large capacitance can be realized.
  • 4A and 4B are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the capacitor 1.
  • the dielectric layer 4 is disposed on the upper surface 2A of the electrode 2 made of a thin conductor foil.
  • the hole 5 that penetrates the upper surface 4A and the lower surface 4B of the dielectric layer 4 has an opening 5B that opens at the upper surface 2A of the electrode 2.
  • the upper surface 2 ⁇ / b> A of the electrode 2 has a dielectric non-forming portion 22 ⁇ / b> A that is a portion exposed from the hole 5.
  • the insulating portion 6 is formed in the dielectric non-forming portion 22A by oxidizing the dielectric non-forming portion 22A facing the hole 5 through the hole 5.
  • the portions other than the non-dielectric forming portion 22A and the surrounding portions of the upper surface 2A of the electrode 2 in contact with the dielectric layer 4 are oxidized and insulated. Formation of a film can be prevented.
  • an electrode 52 facing the upper surface 4A of the dielectric layer 4 is provided, and the space between the upper surface 4A of the dielectric layer 4 and the electrode 52 is filled with the electrolyte 51.
  • a separator 53 may be disposed between the electrodes 2 and 52.
  • the dielectric layer 4 includes a dielectric film 44 made of a single-layer oxide nanosheet.
  • the dielectric layer 4 may be composed of a dielectric film 44 made of a plurality of stacked oxide nanosheets.
  • the thickness T2 of the dielectric layer 4 made of the dielectric film 44 is not less than 0.3 nm and not more than 50 nm. Holes 5 are easily generated in the dielectric layer 4 having the thickness T2 in this range.
  • the diameter of the hole 5 shown in FIG. 4A is constant from the upper surface 4A to the lower surface 4B.
  • the holes 5 are formed by the voids 101 formed in the dielectric layer 4 formed of the metal oxide pieces 100 that are the multiple oxide nanosheets,
  • the diameter of 5 is not constant, and the hole 5 has a complicated shape.
  • the insulating portion 6 may extend not only to the dielectric non-forming portion 22A facing the hole 5 but also around the dielectric non-forming portion 22A. Thereby, it can avoid reliably that the electrolyte 51 and the electrode 2 contact.
  • the upper surface 2A of the electrode 2 may be subjected to acid treatment or alkali treatment.
  • the oxide film or the like on the upper surface 2A of the electrode 2 can be removed by acid treatment or alkali treatment, and the upper surface 2A can be roughened to increase its surface area, so that the capacitance of the capacitor 1 can be increased. .
  • an acid that can be used for the acid treatment for example, HCl, H 2 SO 4 , H 3 PO 4 , (COOH) 2, or the like can be used.
  • KOH, NaOH, etc. can be used as an alkali which can be used for an alkali treatment.
  • an oxide film or the like on the upper surface 2A of the electrode 2 can be removed, and the upper surface 2A can be roughened to increase its surface area. Can be increased in capacitance.
  • the surface of the electrode 2 is reduced by flowing an electric current between the electrode 2 as a cathode and a counter electrode serving as an anode in the electrolyte solution.
  • the upper surface 2A of the electrode 2 is roughened by subjecting the upper surface 2A of the electrode 2 to acid treatment, alkali treatment, or cathode reduction treatment.
  • acid treatment alkali treatment
  • cathode reduction treatment for example, when an oxide nanosheet is arranged as the dielectric layer 4 on the upper surface 2A of the roughened electrode 2, it is difficult to arrange the oxide nanosheet in an orderly and uniform manner because the upper surface 2A is complicatedly uneven.
  • the holes 5 are easily formed in the dielectric layer 4.
  • the dielectric layer 4 is formed on the upper surface 2A of the electrode 2 roughened by a method such as sputtering other than the aqueous solution method, the holes 5 are more uniform than when the dielectric layer 4 is formed using the aqueous solution method. It is difficult to form the dielectric layer 4 without forming.
  • the insulating portion 6 covers the opening 5B of the hole 5, it is possible to avoid contact between the electrode 2 and the electrolyte 51. Therefore, in the capacitor 1 manufactured in the manufacturing process in which the upper surface 2A of the electrode 2 is roughened by acid treatment, alkali treatment, or cathode reduction treatment, the insulating portion 6 effectively prevents a short circuit between the electrodes 2 and 52. be able to. It is preferable that the insulating portion 6 completely covers the opening 5B of the hole 5.
  • the insulating portion 6 is made of an oxide film formed by oxidizing the electrode 2 made of metal.
  • the insulating portion 6 is not limited to this, and may be of any composition as long as the contact between the electrode 2 and the electrolyte 51 can be prevented. Can be used.
  • FIG. 5 shows the result of evaluating the capacitor 1 in the first embodiment.
  • the sample 1 is the capacitor 1 according to the first embodiment including the dielectric layers 4 having various thicknesses.
  • Sample 2 is a capacitor 501 of the comparative example shown in FIG. 3 provided with dielectric layers 4 of various thicknesses, and does not have insulating portion 6. A current was passed through samples 1 and 2 to confirm the yield based on the capacitance.
  • the number of dielectric films 44 (FIGS. 4C and 4D) of the dielectric layer 4 is in the range of 1-10.
  • the capacitor 1 according to the first embodiment has high reliability even when the number of the dielectric films 44 to be laminated is small and the dielectric layer 4 is thin, and a large capacity can be obtained.
  • FIG. 6A is a perspective view of capacitor 1001 in the first exemplary embodiment.
  • the capacitor 1001 is a solid electrolytic capacitor and includes a plurality of capacitor elements 20 stacked.
  • An anode foil 21 is constituted by the base material which is the electrode 2 and the dielectric layer 4 laminated on the base material.
  • the capacitor element 20 includes an anode foil 21, a solid electrolyte layer made of a conductive polymer or an organic semiconductor formed on the dielectric layer 4 of the anode foil 21, and a silver paste and carbon formed on the solid electrolyte layer.
  • a cathode layer made of a conductive paste such as a paste.
  • the solid electrolyte layer and the cathode layer constitute the cathode electrode portion 22.
  • Each anode foil 21 of the plurality of stacked capacitor elements 20 is connected to an anode terminal 23 (external terminal).
  • the cathode electrode portion 22 of each of the plurality of capacitor elements 20 is connected to a cathode terminal 24 (external terminal).
  • the laminated capacitor element 20, the anode terminal 23, and the cathode terminal 24 are covered with an exterior body 25 made of an insulating resin in a state where a part of each of the anode terminal 23 and the cathode terminal 24 is exposed.
  • FIG. 6B is a perspective view of another capacitor 2001 according to the first embodiment.
  • the capacitor 2001 is a wound electrolytic capacitor including the capacitor element 30.
  • the electrode 2 on which the dielectric layer 4 is laminated is used as the anode foil 31.
  • the anode foil 31 is connected to the anode terminal 33, and the cathode foil 32 is connected to the cathode terminal 34.
  • the anode foil 31 and the cathode foil 32 are laminated via a separator 35 and wound to constitute the capacitor element 30.
  • Capacitor element 30 is impregnated with an electrolytic solution, a conductive polymer, an organic semiconductor, or a cathode material made of a composite material thereof, and capacitor element 30 is accommodated in a cylindrical case 36 having a bottom.
  • the opening portion of the case 36 is sealed with a sealing portion 37 with a part of each of the anode terminal 33 and the cathode terminal 34 exposed to the outside.
  • the electrode 2 on which the dielectric layer 4 is laminated can be used as the cathode foil 32, or can be used for both the anode foil 31 and the cathode foil 32.
  • the capacitor in Embodiment 1 is not limited to the above configuration. Even when the electrode 2 includes a base material such as a film and an electrode formed on the base material, the dielectric layer 4 can be formed on the electrode 2. The insulating part 6 may be formed on the electrode 2 after the capacitor element is formed.
  • FIG. 7A is a cross-sectional view of still another capacitor 5001 in the first embodiment.
  • the dielectric layer 144 is formed not only on the upper surface 2 A of the electrode 2 but also on the lower surface 52 B of the electrode 52 facing the electrode 2 through the electrolyte 51 and the separator 53. Similar to the dielectric layer 4, the dielectric layer 144 is composed of a plurality of metal oxide pieces 100 (FIG. 2) spread on the lower surface 52 ⁇ / b> B of the electrode 52.
  • a hole 55 is formed in the dielectric layer 144, which is formed by the gap 101 between the plurality of metal oxide pieces 100 and has an opening facing the lower surface 52 ⁇ / b> B of the electrode 52.
  • An insulating portion 606 that covers the opening of the hole 55 is provided on the lower surface 52B of the electrode 52 in the same manner as the insulating portion 6, and has the same effect as the insulating portion 6.
  • the insulating part 606 preferably completely covers the opening of the hole 55.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view of still another capacitor 6001 in the first embodiment.
  • the dielectric layer 144 is formed not only on the upper surface 2 ⁇ / b> A of the electrode 2 but also on the lower surface 2 ⁇ / b> B of the electrode 2.
  • the dielectric layer 144 is composed of a plurality of metal oxide pieces 100 (FIG. 2) spread on the lower surface 2 ⁇ / b> B of the electrode 2.
  • a hole 55 is formed in the dielectric layer 144, which is formed by the gap 101 between the plurality of metal oxide pieces 100 and has an opening facing the lower surface 2 ⁇ / b> B of the electrode 2.
  • An insulating portion 606 that covers the opening of the hole 55 is provided on the lower surface 2 ⁇ / b> B of the electrode 2 in the same manner as the insulating portion 6, and has the same effect as the insulating portion 6.
  • the insulating part 606 preferably completely covers the opening of the hole 55.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of capacitor 3001 in the second embodiment. 8, the same reference numerals are assigned to the same portions as those of the capacitor 1 in the first embodiment shown in FIG.
  • the capacitor 3001 shown in FIG. 8 further includes an insulating film 66 formed on the upper surface 2A of the electrode 2.
  • the lower surface 66B of the insulating film 66 is disposed on the upper surface 2A of the electrode 2.
  • the dielectric layer 4 is formed on the upper surface 66A of the insulating film 66.
  • the dielectric layer 4 is composed of a plurality of metal oxide pieces 100 (FIG. 2) spread on the upper surface 66 ⁇ / b> A of the insulating film 66.
  • a hole 5 is formed in the dielectric layer 4, which is formed by the gap 101 between the plurality of metal oxide pieces 100 and has an opening facing the upper surface 66 ⁇ / b> A of the insulating film 66.
  • the thickness of the capacitor insulation film is set by the withstand voltage value of the capacitor.
  • the thickness of the insulating film 66 of the capacitor 3001 in the second embodiment is designed to be thinner than the insulating film of the capacitor having the same withstand voltage.
  • the thickness of the insulating film set by the withstand voltage is the total thickness of the insulating film 66 and the dielectric layer 4.
  • the insulating film 66 is formed on the entire upper surface 2A of the electrode 2 and closes the opening 5B of the hole 5 of the dielectric layer 4, it is ensured that the electrode 2 and the electrolyte 51 are in contact with each other through the hole 5. This can be prevented and the defective rate of the capacitor 3001 can be reduced. It is preferable that the insulating film 66 completely closes the opening 5B of the hole 5.
  • the insulating film 66 includes an electrode covering portion 266 positioned between the upper surface 2A of the electrode 2 and the lower surface 4B of the dielectric layer 4, and an insulating portion 6 that covers the opening 5B of the hole 5. Thereby, the withstand voltage of the capacitor 3001 can be increased. It is preferable that the insulating part 6 completely covers the opening 5B.
  • the same effect as the capacitor 1 in the first embodiment can be obtained by treating the upper surface 2A of the electrode 2 with an acid treatment, an alkali treatment, or a cathode reduction treatment.
  • 9A and 9B are cross-sectional views showing a method for manufacturing the capacitor 3001.
  • the upper surface 2A of the electrode 2 is oxidized to form an insulating film 66.
  • the electrode 2 is made of a conductive foil, preferably a valve action metal foil such as aluminum or titanium.
  • the dielectric layer 4 is formed on the upper surface 66A of the insulating film 66.
  • the dielectric layer 4 is made of an oxide nanosheet made of a plurality of metal oxide pieces 100 (FIG. 2), and has a plurality of holes 5 penetrating the upper surface 4A and the lower surface 4B.
  • an electrode 52 facing the upper surface 4A of the dielectric layer 4 is provided, and the space between the upper surface 4A of the dielectric layer 4 and the electrode 52 is filled with the electrolyte 51.
  • a separator 53 may be disposed between the electrodes 2 and 52.
  • FIG. 9C is a cross-sectional view of another capacitor 4001 in the second embodiment. 9C, the same reference numerals are given to the same portions as those of the capacitor 3001 shown in FIG.
  • the insulating film 66 includes an electrode covering portion 266 positioned between the upper surface 2A of the electrode 2 and the lower surface 4B of the dielectric layer 4, and an insulating portion 6 that covers the opening 5B of the hole 5.
  • the insulating part 6 is thicker than the electrode covering part 266. Thereby, the withstand voltage of the capacitor 4001 can be further increased.
  • the insulating part 6 preferably completely covers the opening 5B of the hole 5.
  • FIG. 9D is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the capacitor 4001.
  • the same reference numerals are assigned to the same portions as those of the capacitor 3001 shown in FIGS. 9A and 9B.
  • the dielectric non-forming portion 166 ⁇ / b> A of the insulating film 66 is exposed from the hole 5.
  • the portion 122 of the electrode 2 is in contact with the dielectric non-forming portion 166A.
  • the portion 122 of the electrode 2 is oxidized through the hole 5. Thereby, the insulating part 6 in the dielectric non-forming part 166A is formed.
  • the thickness of the insulating part 6 can be made larger than the thickness of the electrode covering part 266 between the dielectric layer 4 and the electrode 2, and the withstand voltage of the capacitor 3001 can be increased.
  • an electrode 52 facing the upper surface 4A of the dielectric layer 4 is provided, and the space between the upper surface 4A of the dielectric layer 4 and the electrode 52 is filled with the electrolyte 51.
  • a separator 53 may be disposed between the electrodes 2 and 52.
  • the withstand voltage of capacitors 3001 and 4001 in the second embodiment is 5V, for example, 2V which is a part of the withstand voltage is secured by the thickness of the insulating film 66, and 3V which is the remaining part of the withstand voltage is a dielectric. It can be secured by the layer 4.
  • the thickness of the insulating film necessary for a desired withstand voltage is ensured by the thicknesses of the two layers of the insulating film 66 and the dielectric layer 4.
  • capacitors 1001 and 2001 can be configured by using the capacitors 3001 and 4001 in Embodiment 2 as the capacitor elements 20 and 30 shown in FIGS. 6A and 6B.
  • the capacitor according to the present invention has a high reliability by preventing a short circuit between the electrodes, the defect rate can be reduced, and it is useful for devices that require high reliability such as various electronic devices and communication devices.

Landscapes

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Abstract

　コンデンサは、電極と、電極の上方に配置された誘電体層とを備える。誘電体層は、敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、複数の金属酸化物片間の空隙により構成されて貫通する孔が形成されている。コンデンサは、電極のうちの誘電体層の孔の開口部に面する部分に設けられて、孔の開口部を覆う絶縁部をさらに備える。このコンデンサは電極間の短絡を防止して高い信頼性を有する。

Description

コンデンサ、およびその製造方法
　本発明は、誘電体層を有するコンデンサ、およびその製造方法に関する。
　コンデンサは、エネルギー貯蔵や電気的フィルタの機能を有するため、電子機器には欠かせない部品である。近年の電子機器の小型化に伴い、より高容量のコンデンサが市場に求められている。
　コンデンサは、一対の電極の間に設けられた誘電体層を備える。誘電体層を薄くすることで高容量のコンデンサを形成することができる。
　特許文献１は、薄い層を形成することができる誘電体材料であるチタンナノシート等の酸化物ナノシートを備えた高容量の従来のコンデンサを開示している。しかし、この従来のコンデンサでは、一対の電極が酸化物ナノシートを介して短絡する場合がある。
特開２００８－２７７７２４号公報
　コンデンサは、電極と、電極の上方に配置された誘電体層とを備える。誘電体層は、敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、複数の金属酸化物片間の空隙により構成されて貫通する孔が形成されている。コンデンサは、電極のうちの誘電体層の孔の開口部に面する部分に設けられて、孔の開口部を覆う絶縁部をさらに備える。このコンデンサは電極間の短絡を防止して高い信頼性を有する。
図１は本発明の実施の形態１におけるコンデンサの断面図である。 図２は実施の形態１におけるコンデンサの誘電体層の拡大模式図である。 図３は比較例のコンデンサの断面図である。 図４Ａは実施の形態１におけるコンデンサの製造工程を示す断面図である。 図４Ｂは実施の形態１におけるコンデンサの製造工程を示す断面図である。 図４Ｃは実施の形態１におけるコンデンサの誘電体層の模式断面図である。 図４Ｄは実施の形態１における他の誘電体層の模式断面図である。 図５は実施の形態１におけるコンデンサの評価結果を示す。 図６Ａは実施の形態１におけるコンデンサの斜視図である。 図６Ｂは実施の形態１における他のコンデンサの斜視図である。 図７Ａは実施の形態１におけるさらに他のコンデンサの断面図である。 図７Ｂは実施の形態１におけるさらに他のコンデンサの断面図である。 図８は本発明の実施の形態２におけるコンデンサの断面図である。 図９Ａは実施の形態２におけるコンデンサの製造工程を示す断面図である。 図９Ｂは実施の形態２におけるコンデンサの製造工程を示す断面図である。 図９Ｃは実施の形態２における他のコンデンサの断面図である。 図９Ｄは図９Ｃに示すコンデンサの製造工程を示す断面図である。
　（実施の形態１）
　図１は本発明の実施の形態１におけるコンデンサ１の模式断面図である。コンデンサ１は、電極２と、電極２の上面２Ａ上に配置された誘電体層４と、誘電体層４の上面４Ａに対向する電極５２と、誘電体層４と電極５２の間に設けられた電解質５１とを備える。誘電体層４の下面４Ｂは電極２の上面２Ａ上に位置する。電極２は導電材料の箔よりなり、好ましくはアルミ、チタンなどの弁作用金属よりなる箔よりなる。電極２、５２間にセパレータ５３が配置されていてもよい。
　図２は誘電体層４の拡大模式図である。誘電体層４は、電極２の上面２Ａに敷き詰められた複数の金属酸化物片１００よりなる。金属酸化物片１００は、チタン酸ナノシートやニオブ酸ナノシート等の酸化物ナノシートよりなる。金属酸化物片１００は、数原子の厚みを有し、その厚さは概ね０．３ｎｍ～２ｎｍ、好ましくは０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、長さと幅は１０ｎｍから１ｍｍ程度である。複数の金属酸化物片１００は、電極２の上面２Ａに配置されたカチオンよりなる付着補助層により電極２の上面２Ａに接着して敷き詰められている。電極２の上面２Ａに、隙間無く金属酸化物片１００を敷き詰めることは困難であり、誘電体層４に複数の金属酸化物片１００間の空隙１０１からなる孔５が発生する。孔５は誘電体層４の上面４Ａと下面４Ｂとの間を貫通する。
　図１に示すように、電極２の上面２Ａの孔５に面して露出する部分である誘電体不形成部２２Ａには絶縁部６が形成されている。電極２は金属よりなり、絶縁部６はその金属の酸化物よりなる。例えば、電極２がアルミよりなる場合には絶縁部６は酸化アルミよりなる。絶縁部６は孔５を介して電極２の上面２Ａを陽極酸化や熱処理等の方法で酸化処理することにより形成することができる。
　絶縁部６の厚みＴ１（ｎｍ）はコンデンサの耐電圧ＷＶ（Ｖ）に応じて設定する。陽極酸化により絶縁部６を形成する場合には、厚みＴ１（ｎｍ）は以下のように設定する。
　Ｔ１＝１．４×ＷＶ
　電解質５１が特に電解液である場合には孔５に容易に入る。図３は比較例のコンデンサ５０１の模式断面図である。図３において、図１に示す実施の形態１におけるコンデンサ１と同じ部分には同じ参照番号を付す。図３に示すコンデンサ５０１は絶縁部６を有しておらず、孔５から電極２が露出している。コンデンサ５０１では孔５に充填された電解質５１が電極２と接触して電極２、５２間を短絡させる場合がある。
　誘電体層４に孔５が形成されているか否かを、視認など簡便な手段により検査することは非常に困難である。したがって、実際には、酸化物ナノシートを使用してコンデンサ５０１を作製してコンデンサ５０１の特性を検査することで誘電体層４に孔５が形成されていることを初めて認識できるので、製造工程において不良率を下げることは困難である。
　図１に示す実施の形態１によるコンデンサ１では電解質５１が特に電解液である場合には孔５に容易に入った場合でも、絶縁部６により電解質５１が電極２に直接接触することを防止でき、電極２、５２が短絡してコンデンサ１が不良となることを回避することができる。
　絶縁部６が電解質５１と電極２とを絶縁することにより、酸化物ナノシートよりなる誘電体層４を薄くすることができる。絶縁部６を有しない比較例のコンデンサ５０１でも、複数の金属酸化物片１００よりそれぞれなる多くの層を積層して孔５を塞ぎ、誘電体層４の上面４Ａから下面４Ｂを貫通する孔５の形状を複雑な形状にすることで短絡を抑制することができる。しかし、このような方法では誘電体層４を薄くすることができず、コンデンサ５０１の容量を大きくすることが困難である。
　上記のように、簡便な手段による孔５の存在の確認が非常に困難である酸化物ナノシートよりなる誘電体層４を備えたコンデンサ１でも絶縁部６により電極２、５２間の短絡の発生を抑制できる。また、孔５が発生した誘電体層４を不良品として廃棄処分する必要がなく、コンデンサ１の生産効率を向上させることができる。
　電極２がアルミよりなる場合、絶縁部６は酸化アルミよりなる。酸化アルミの比誘電率は８程度であり、それほど大きなものではない。誘電体層４の材料として用いることができるチタン酸ナノシートの比誘電率は１２５程度であり、ニオブ酸ナノシートの比誘電率は３００程度であり、誘電体層４の比誘電率を大きくすることが可能となり、大きな静電容量を有したコンデンサ１を実現できる。
　次に、コンデンサ１の製造方法を説明する。図４Ａと図４Ｂはコンデンサ１の製造方法を示す断面図である。
　図４Ａに示すように、薄い導体箔からなる電極２の上面２Ａに誘電体層４を配置する。誘電体層４の上面４Ａと下面４Ｂを貫通する孔５は電極２の上面２Ａで開口する開口部５Ｂを有する。電極２の上面２Ａは孔５から露出する部分である誘電体不形成部２２Ａを有する。
　次に、図４Ｂに示すように、孔５を通して孔５に面する誘電体不形成部２２Ａを酸化することにより、誘電体不形成部２２Ａに絶縁部６を形成する。孔５を通して誘電体不形成部２２Ａを酸化することにより、誘電体層４に接している電極２の上面２Ａのうち、誘電体不形成部２２Ａとその周囲の部分以外の部分が酸化して絶縁膜を形成されることを防ぐことができる。
　その後、図１に示すように、誘電体層４の上面４Ａに対向する電極５２を設けて、誘電体層４の上面４Ａと電極５２の間を電解質５１で満たす。電極２、５２間にセパレータ５３が配置されていてもよい。
　図４Ｃと図４Ｄは誘電体層４の模式断面図である。図４Ｃに示すように、誘電体層４は単層の酸化物ナノシートよりなる誘電体膜４４よりなる。図４Ｄに示すように、誘電体層４は、積層された複数の酸化物ナノシートよりなる誘電体膜４４で構成されていてもよい。誘電体膜４４よりなる誘電体層４の厚みＴ２は０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。この範囲の厚みＴ２を有する誘電体層４には孔５が発生しやすい。
　図４Ａに示す孔５の径は上面４Ａから下面４Ｂまで一定である。実際には、図２に示すように、複数酸化物ナノシートである金属酸化物片１００で構成された誘電体層４に形成される空隙１０１で孔５が構成されるので、一般的には孔５の径は一定ではなく、孔５は複雑な形状を有する。
　絶縁部６は、孔５に面する誘電体不形成部２２Ａだけでなく、誘電体不形成部２２Ａの周囲に広がっていてもよい。これにより、電解質５１と電極２とが接触することを確実に回避する事ができる。
　誘電体層４を形成する前に、電極２の上面２Ａに酸処理またはアルカリ処理を施してもよい。酸処理またはアルカリ処理により電極２の上面２Ａの酸化皮膜等を除去できると共に、上面２Ａを粗面化して、その表面積を大きくすることができるので、コンデンサ１の静電容量を大きくすることができる。
　酸処理に用いることができる酸としては、例えば、ＨＣｌ、Ｈ２ＳＯ４、Ｈ３ＰＯ４、（ＣＯＯＨ）２などを用いることができる。また、アルカリ処理に用いることができるアルカリとしてはＫＯＨ、ＮａＯＨなどを用いることができる。
　同様に、電極２の上面２Ａをカソード還元処理することにより、電極２の上面２Ａの酸化皮膜等を除去できると共に、上面２Ａを粗面化して、その表面積を大きくすることができるので、コンデンサ１の静電容量を大きくすることができる。カソード還元処理では、電極２をカソードとして、電解質溶液中でアノードとなる対極との間で電流を流すことにより、電極２の表面を還元処理する。
　電極２の上面２Ａを酸処理またはアルカリ処理、またはカソード還元処理することにより、電極２の上面２Ａは粗面化される。粗面化された電極２の上面２Ａに誘電体層４として、例えば、酸化物ナノシートを配置する場合、上面２Ａが複雑に凹凸しているので、酸化物ナノシートを整然と均一に配置することが困難となり、誘電体層４に孔５が形成されやすい。水溶液法以外のスパッタ等の方法で粗面化された電極２の上面２Ａに誘電体層４を形成した場合には、水溶液法を用いて誘電体層４を形成した場合以上に均一に孔５を形成せずに誘電体層４を形成する事が困難である。
　実施の形態１のコンデンサ１では、絶縁部６が孔５の開口部５Ｂを覆っているので、電極２と電解質５１とが接触する事を回避する事ができる。故に、電極２の上面２Ａを酸処理またはアルカリ処理、またはカソード還元処理で粗面化する製造工程で製造されたコンデンサ１では、絶縁部６により効果的に電極２、５２間の短絡を防止することができる。絶縁部６が孔５の開口部５Ｂを完全に覆っていることが好ましい。
　絶縁部６は金属よりなる電極２を酸化して形成された酸化皮膜よりなるが、これに限る必要はなく、電極２と電解質５１の接触を防止できるものであれば、どんな組成のものであっても用いることができる。
　実施の形態１におけるコンデンサ１を評価した結果を図５に示す。サンプル１は、様々な厚みの誘電体層４を備えた実施の形態１におけるコンデンサ１である。サンプル２は様々な厚みの誘電体層４を備えた図３に示す比較例のコンデンサ５０１であり、絶縁部６を有していない。サンプル１、２に電流を流し、容量に基づく歩留まりを確認した。誘電体層４の誘電体膜４４（図４Ｃ、図４Ｄ）の数は１～１０の範囲である。
　図５に示すように、サンプル１は、非常に薄い誘電体層４を有していても歩留まりは小さくならず、高い信頼性を有する。サンプル２では誘電体層４の誘電体膜４４の数が少なくなり誘電体層４が薄くなると、歩留まりが小さくなる。同じ歩留まりを満たそうとすると、サンプル２の誘電体層４はサンプル１の誘電体層４より多くの積層された誘電体膜４４を要する。このように、実施の形態１によるコンデンサ１では、積層される誘電体膜４４の数が少なく誘電体層４が薄くても高い信頼性を有し、大きい容量が得られる。
　図６Ａは実施の形態１におけるコンデンサ１００１の斜視図である。コンデンサ１００１は固体電解コンデンサであり、積層された複数のコンデンサ素子２０を備える。電極２である基材と、基材上に積層された誘電体層４とにより陽極箔２１を構成する。コンデンサ素子２０は、陽極箔２１と、陽極箔２１の誘電体層４上に形成された導電性高分子や有機半導体からなる固体電解質層と、この固体電解質層上に形成された銀ペーストおよびカーボンペーストなどの導電ペーストからなる陰極層とを備える。固体電解質層と陰極層とは陰極電極部２２を構成する。積層された複数のコンデンサ素子２０のそれぞれの陽極箔２１が陽極端子２３（外部端子）に接続されている。複数のコンデンサ素子２０それぞれの陰極電極部２２が陰極端子２４（外部端子）に接続されている。陽極端子２３と陰極端子２４のそれぞれの一部を露出させた状態で、積層したコンデンサ素子２０と陽極端子２３と陰極端子２４が絶縁樹脂からなる外装体２５で被覆されている。
　図６Ｂは実施の形態１における他のコンデンサ２００１の斜視図である。コンデンサ２００１はコンデンサ素子３０を備えた巻回型電解コンデンサである。誘電体層４が積層された電極２は陽極箔３１として用いられる。陽極箔３１は陽極端子３３と接続され、陰極箔３２は陰極端子３４と接続されている。陽極箔３１と陰極箔３２とがセパレータ３５を介して積層されて巻回され、コンデンサ素子３０を構成する。コンデンサ素子３０に電解液や導電性高分子、有機半導体などやこれらの複合材料からなる陰極材料が含浸され、コンデンサ素子３０が底を有する筒状のケース３６に収容される。陽極端子３３と陰極端子３４のそれぞれの一部を外部に露出させた状態で、ケース３６の開口部が封止部３７で封止されている。誘電体層４が積層された電極２は陰極箔３２として用いることもでき、また陽極箔３１と陰極箔３２の双方に用いてもよい。
　実施の形態１におけるコンデンサは上記構成に限定されない。電極２がフィルムのような基材と、基材上に形成された電極よりなる場合でも電極２上に誘電体層４を形成することができる。コンデンサ素子を形成した後に、電極２に絶縁部６を形成してもよい。
　図７Ａは実施の形態１におけるさらに他のコンデンサ５００１の断面図である。図７Ａにおいて、図１Ａと同じ部分には同じ参照番号を付す。コンデンサ５００１では、電極２の上面２Ａだけではなく、電解質５１とセパレータ５３を介して電極２に対向する電極５２の下面５２Ｂに誘電体層１４４が形成されている。誘電体層１４４は、誘電体層４と同様に、電極５２の下面５２Ｂに敷き詰められた複数の金属酸化物片１００（図２）よりなる。複数の金属酸化物片１００間の空隙１０１により構成されて電極５２の下面５２Ｂに面する開口部を有する孔５５が誘電体層１４４に形成されている。絶縁部６と同様の方法で電極５２の下面５２Ｂには、孔５５の開口部を覆う絶縁部６０６が設けられており、絶縁部６と同様の効果を有する。絶縁部６０６は孔５５の開口部を完全に覆うことが好ましい。
　図７Ｂは実施の形態１におけるさらに他のコンデンサ６００１の断面図である。図７Ｂにおいて、図１Ａと同じ部分には同じ参照番号を付す。コンデンサ６００１では、電極２の上面２Ａだけではなく、電極２の下面２Ｂに誘電体層１４４が形成されている。誘電体層１４４は、誘電体層４と同様に、電極２の下面２Ｂに敷き詰められた複数の金属酸化物片１００（図２）よりなる。複数の金属酸化物片１００間の空隙１０１により構成されて電極２の下面２Ｂに面する開口部を有する孔５５が誘電体層１４４に形成されている。絶縁部６と同様の方法で電極２の下面２Ｂには、孔５５の開口部を覆う絶縁部６０６が設けられており、絶縁部６と同様の効果を有する。絶縁部６０６は孔５５の開口部を完全に覆うことが好ましい。
　（実施の形態２）
　図８は実施の形態２におけるコンデンサ３００１の模式断面図である。図８において、図１に示す実施の形態１におけるコンデンサ１と同じ部分には同じ参照番号を付す。図８に示すコンデンサ３００１は、電極２の上面２Ａに形成された絶縁膜６６をさらに備える。絶縁膜６６の下面６６Ｂは電極２の上面２Ａ上に配置されている。誘電体層４は絶縁膜６６の上面６６Ａ上に形成されている。誘電体層４は、絶縁膜６６の上面６６Ａに敷き詰められた複数の金属酸化物片１００（図２）よりなる。複数の金属酸化物片１００間の空隙１０１により構成されて絶縁膜６６の上面６６Ａに面する開口部を有する孔５が誘電体層４に形成されている。
　一般的にコンデンサの絶縁膜の厚みはコンデンサの耐電圧値により設定される。実施の形態２におけるコンデンサ３００１の絶縁膜６６の厚みは、同じ耐電圧を有するコンデンサの絶縁膜よりも薄く設計される。コンデンサ３００１では、耐電圧により設定される絶縁膜の厚みが絶縁膜６６と誘電体層４の合計の厚みとなる。
　コンデンサ３００１では、絶縁膜６６が電極２の上面２Ａの全面に形成されており誘電体層４の孔５の開口部５Ｂを塞ぐので、電極２と電解質５１が孔５で接触することを確実に防止でき、コンデンサ３００１の不良率を低減できる。絶縁膜６６は孔５の開口部５Ｂを完全に塞ぐことが好ましい。
　絶縁膜６６は、電極２の上面２Ａと誘電体層４の下面４Ｂとの間に位置する電極被覆部２６６と、孔５の開口部５Ｂを覆う絶縁部６とを有する。これにより、コンデンサ３００１の耐電圧を高くすることができる。絶縁部６は開口部５Ｂを完全に覆うことが好ましい。
　実施の形態１におけるコンデンサ１と同様に、電極２の上面２Ａを酸処理またはアルカリ処理、またはカソード還元処理することにより、実施の形態１におけるコンデンサ１と同様の効果が得られる。
　コンデンサ３００１の製造方法を説明する。図９Ａと図９Ｂはコンデンサ３００１の製造方法を示す断面図である。
　図９Ａに示すように、電極２の上面２Ａを酸化して絶縁膜６６を形成する。電極２は導電箔よりなり、好ましくはアルミやチタン等の弁作用金属箔よりなる。
　次に、図９Ｂに示すように、絶縁膜６６の上面６６Ａに誘電体層４を形成する。実施の形態１と同様に、誘電体層４は複数の金属酸化物片１００（図２）よりなる酸化物ナノシートよりなり、上面４Ａと下面４Ｂを貫通する複数の孔５を有する。
　その後、図８に示すように、誘電体層４の上面４Ａに対向する電極５２を設けて、誘電体層４の上面４Ａと電極５２の間を電解質５１で満たす。電極２、５２間にセパレータ５３が配置されていてもよい。
　図９Ｃは実施の形態２における他のコンデンサ４００１の断面図である。図９Ｃにおいて、図８に示すコンデンサ３００１と同じ部分には同じ参照番号を付す。絶縁膜６６は、電極２の上面２Ａと誘電体層４の下面４Ｂとの間に位置する電極被覆部２６６と、孔５の開口部５Ｂを覆う絶縁部６とを有する。絶縁部６は電極被覆部２６６より厚い。これにより、コンデンサ４００１の耐電圧をさらに高くすることができる。絶縁部６は孔５の開口部５Ｂを完全に覆うことが好ましい。
　次に、コンデンサ４００１の製造方法を説明する。図９Ｄはコンデンサ４００１の製造方法を示す断面図である。図９Ｄにおいて、図９Ａと図９Ｂに示すコンデンサ３００１と同じ部分には同じ参照番号を付す。図９Ｄに示すように、絶縁膜６６の誘電体不形成部１６６Ａが孔５から露出する。誘電体不形成部１６６Ａには電極２の部分１２２が当接する。孔５を通して電極２の部分１２２を酸化する。これにより、誘電体不形成部１６６Ａにおける絶縁部６が形成される。絶縁部６の厚みは誘電体層４と電極２との間の電極被覆部２６６の厚みよりも大きくすることができ、コンデンサ３００１の耐電圧を高くすることができる。孔５を通して電極２の部分１２２を酸化することにより、電極２の上面２Ａのうち、部分１２２とその周囲の部分以外の部分が酸化して絶縁部を形成されることを防ぐことができる。
　その後、図９Ｃに示すように、誘電体層４の上面４Ａに対向する電極５２を設けて、誘電体層４の上面４Ａと電極５２の間を電解質５１で満たす。電極２、５２間にセパレータ５３が配置されていてもよい。
　実施の形態２におけるコンデンサ３００１、４００１の耐電圧が５Ｖである場合、例えば、耐電圧の一部である２Ｖを絶縁膜６６の厚みで確保し、耐電圧の残りの部分である３Ｖを誘電体層４で確保することができる。このように、コンデンサ３００１、４００１では、所望の耐電圧に必要となる絶縁膜の厚みを、絶縁膜６６と誘電体層４の２つの層の厚みで確保する。
　電極２がアルミ箔よりなる場合、電極２の上面２Ａを酸化することで絶縁膜６６である酸化アルミが形成される。酸化アルミの比誘電率は８程度なので、誘電体層４として用いられるチタン酸ナノシート（比誘電率＝１２５程度）やニオブ酸ナノシート（比誘電率＝３００程度）等の酸化物ナノシートの厚みを酸化アルミの厚みよりも厚くすることで、大きな静電容量を有したコンデンサ３００１、４００１が得られる。
　なお、実施の形態２におけるコンデンサ３００１、４００１を図６Ａと図６Ｂに示すコンデンサ素子２０、３０として用いることにより、コンデンサ１００１、２００１を構成することができる。
　なお、実施の形態１、２において、「上面」「下面」等の方向を示す用語は電極２、２２や誘電体層４等のコンデンサ１の構成部品の相対的な位置関係にのみ依存する相対的な方向を示し、鉛直方向等の絶対的な方向を示すものではない。
　本発明によるコンデンサは電極間の短絡を防止して高い信頼性を有するので、不良率を低減でき、各種電子機器、通信機器等の高信頼性を要する機器に有用である。
２　　電極（第１の電極）
４　　誘電体層
５　　孔
６　　絶縁部
５１　　電解質
５２　　電極（第２の電極）
６６　　絶縁膜

Claims (15)

  1. 上面を有する第１の電極と、
    前記第１の電極の前記上面上に配置された下面と、上面とを有する誘電体層であって、前記第１の電極の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、前記複数の金属酸化物片間の空隙により構成されて貫通する孔が形成されている誘電体層と、
    前記第１の電極の前記上面のうちの前記誘電体層の前記孔の開口部に面する部分に設けられて、前記孔の前記開口部を覆う絶縁部と、
    を備えたコンデンサ。
  2. 上面を有する第１の電極と、
    前記第１の電極の前記上面上に設けられた下面と、上面とを有する絶縁膜と、
    前記絶縁膜の前記上面上に配置された下面と、上面とを有する誘電体層であって、前記絶縁膜の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、前記複数の金属酸化物片間の空隙により構成されて前記絶縁膜の前記上面に面する開口部を有する孔が形成されている誘電体層と、
    を備えたコンデンサ。
  3. 前記絶縁膜は、
    　　　前記電極の前記上面と前記誘電体層の前記下面との間に位置する電極被覆部と、
    　　　前記孔の前記開口部を覆い、かつ前記電極被覆部より厚い絶縁部と、
    を有する、請求項２に記載のコンデンサ。
  4. 前記誘電体層の前記上面に対向する第２の電極をさらに備えた、請求項１または２に記載のコンデンサ。
  5. 前記誘電体層の前記孔を充填するように前記誘電体層の前記上面と前記第２の電極との間に設けられた電解質をさらに備えた、請求項４に記載のコンデンサ。
  6. 前記誘電体層は、前記複数の金属酸化物片により構成されて積層された複数の誘電体膜を有する、請求項１または２に記載のコンデンサ。
  7. 前記誘電体層の前記孔は、前記誘電体層の前記上面と前記下面とを貫通する、請求項１または２に記載のコンデンサ。
  8. 前記誘電体層の厚みは０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下である請求項１または２に記載のコンデンサ。
  9. 前記複数の金属酸化物片の厚みは数原子の厚み程度である、請求項１または２に記載のコンデンサ。
  10. 第１の電極の上面に誘電体層を形成するステップと、
    前記第１の電極の前記上面に絶縁部を形成するステップと、
    前記誘電体層の上面に対向する第２の電極を設けるステップと、
    を含み、
    前記誘電体層は前記第１の電極の前記上面に位置する下面を有し、
    前記誘電体層は、前記第１の電極の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
    前記誘電体層は前記複数の金属酸化物片の空隙により構成されて貫通してかつ前記下面に開口する開口部を有する孔を有し、
    前記絶縁部は前記孔の前記開口部を覆う、コンデンサの製造方法。
  11. 前記第１の電極は金属よりなり、
    前記絶縁部を形成するステップは、前記第１の電極の前記上面の前記孔の前記開口部に面する部分を酸化させることにより前記絶縁部を形成するステップを含む、請求項１０に記載のコンデンサの製造方法。
  12. 第１の電極の上面に絶縁膜を形成するステップと、
    前記絶縁膜の上面に誘電体層を形成するステップと、
    前記絶縁膜に絶縁部を形成するステップと、
    前記誘電体層の上面に対向する第２の電極を設けるステップと、
    を含み、
    前記誘電体層は前記誘電体層の前記上面に位置する下面を有し、
    前記誘電体層は、前記誘電体層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
    前記誘電体層は前記複数の金属酸化物片の空隙により構成されて貫通してかつ前記誘電体層の前記下面に開口する開口部を有する孔を有し、
    前記絶縁部は前記孔の前記開口部を覆う、コンデンサの製造方法。
  13. 前記絶縁膜は前記電極の前記上面と前記誘電体層の前記下面との間に位置する電極被覆部を有し、
    前記絶縁部は前記電極被覆部より厚い、請求項１２に記載のコンデンサの製造方法。
  14. 前記第１の電極は金属よりなり、
    前記絶縁部を形成するステップは、前記絶縁膜の前記上面に前記誘電体層の前記下面を設けるステップの後で、前記孔の前記開口部に当接する前記絶縁膜の部分に当接する前記電極の部分を酸化させるステップを含む、請求項１３に記載のコンデンサの製造方法。
  15. 前記誘電体層の厚みは０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項１０または１２に記載のコンデンサの製造方法。
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