JP2019083315A - セラミック電子部品およびその製造方法、ならびに電子装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(合成例1)
K2CO3:CaCO3:Nb2O5粉末を1.1:2:3の組成で用意した。次いで、前記粉末を、エタノールに入れてボールミル(Ball Mill)を用いて24時間攪拌して均一に混合した。次いで、混合した粉末を、ビーカー中で磁気攪拌機とホットプレートとを用いて混合しながら乾燥した。充分な乾燥のために、追加的に100℃オーブンで1日間乾燥した。次いで、空気雰囲気下で、1200℃で10時間、か焼を行って、KCa2Nb3O10母相を用意した。
1300℃で10時間、か焼を行ったことを除いては、合成例1と同様の方法で合成して、KCa2Nb3O10母相を用意した。
(合成例3)
合成例1で得られたKCa2Nb3O10母相5gをHNO3 5M濃度の水溶液200cm3に入れ、72時間カリウムイオン(K+)を水素(H+)で置換した。次いで、蒸留水を使用して中性化し、大気中で充分に乾燥し、さらにオーブンで1日以上充分に乾燥した。次いで、水素置換されたHCa2Nb3O10・1.5H2O 0.4gをテトラブチルアンモニウム水溶液(tetrabutylammonium hydroxide solution、TBAOH)中で混合しながらH+をTBA(テトラブチルアンモニウム)で置換し、層上で、TBAで置換されながらナノシートへの剥離が起こった。この時、HCa2Nb3O10・1.5H2OとTBAOHとは、1:1の比率で混合した。剥離は、常温で7日間、150rpmで機械的に振盪させながら行った。次いで、ビーカーの底の沈殿物を除去した後、遠心分離機を用いて2,000rpmの条件で30分間遠心分離し、上澄み液(2/3)のみ使用し、沈んだ残留物は廃棄した。次いで、遠心分離された上澄み液を、メンブレンを用いてろ過してテトラブチルアンモニウム水溶液を除去し、面方向大きさ(lateral size)が3.2μmであるナノシートを含むナノシート溶液を製造した。
6,000rpmの条件で30分間遠心分離したことを除いては、合成例3と同様の方法で合成して、ナノシート溶液を製造した。
11,000rpmの条件で30分間遠心分離したことを除いては、合成例3と同様の方法で合成して、ナノシート溶液を製造した。
剥離を100rpm(mild shaking)で行ったことを除いては、合成例3と同様の方法で合成して、ナノシート溶液を製造した。
合成例1で得られたKCa2Nb3O10母相の代わりに、合成例2で得られたKCa2Nb3O10母相を使用したことを除いては、合成例3と同様の方法で合成して、ナノシート溶液を製造した。
合成例3〜7によるナノシート溶液に含まれている複数のナノシートの面方向大きさの分布を確認した。
(実施例1−1)
SiO2とTiO2とが積層されたSi基板の上に、Pt電極をスパッタリング法で200nm厚さで形成して下部電極を形成した。次いで、合成例3によるナノシート溶液と合成例4によるナノシート溶液とを、5:1の体積比で混合した混合ナノシート溶液を用意し、下部電極の上にLB法(装置:KSV NIMA)で基板の上昇を0.5mm/minの速度で行ってコーティングし、二次元ナノシート単一層を形成した。次いで、紫外線を照射して、残っているポリマーを除去した後、オーブンで乾燥した。次いで、上記コーティングおよび乾燥を9回さらに繰り返して、合計10層の二次元ナノシート単一層を含む誘電体膜(0.4×0.2mm2)を形成した。次いで、誘電体膜の上にPt電極を形成してキャパシタを製造した。
合成例3によるナノシート溶液と合成例4によるナノシート溶液とを、15:1の体積比で混合した混合溶液を使用して二次元ナノシート単一層を形成したことを除いては、実施例1−1と同様の方法でキャパシタを製造した。
合成例3によるナノシート溶液と合成例4によるナノシート溶液とを、30:1の体積比で混合した混合溶液を使用して二次元ナノシート単一層を形成したことを除いては、実施例1−1と同様の方法でキャパシタを製造した。
合成例3によるナノシート溶液と合成例4によるナノシート溶液とを、50:1の体積比で混合した混合溶液を使用して二次元ナノシート単一層を形成したことを除いては、実施例1−1と同様の方法でキャパシタを製造した。
合成例3によるナノシート溶液のみを使用して二次元ナノシート単一層を形成したことを除いては、実施例1−1と同様の方法で、キャパシタを製造した。
SiO2とTiO2とが積層されたSi基板の上に、Pt電極をスパッタリング法で200nm厚さで形成して下部電極を形成した。次いで、合成例6によるナノシート溶液と合成例4によるナノシート溶液とを10:1の体積比で混合した混合ナノシート溶液を用意し、下部電極の上にLB法(装置:KSV NIMA)で基板上昇速度0.5mm/minの速度でコーティングして二次元ナノシート単一層(2−dimensional nanosheet monolayer)を形成した。次いで、紫外線を照射して、残っているポリマーを除去した後、オーブンで乾燥した。次いで、上記コーティングおよび乾燥を9回さらに繰り返して、合計10層の二次元ナノシート単一層を含む誘電体膜を形成した。次いで、誘電体膜の上にPt電極を形成してキャパシタを製造した。
合成例6によるナノシート溶液と合成例4によるナノシート溶液とを、20:1の体積比で混合した混合溶液を使用して二次元ナノシート単一層を形成したことを除いては、実施例2−1と同様の方法で、キャパシタを製造した。
合成例6によるナノシート溶液と合成例4によるナノシート溶液とを、40:1の体積比で混合した混合溶液を使用して二次元ナノシート単一層を形成したことを除いては、実施例2−1と同様の方法で、キャパシタを製造した。
合成例6によるナノシート溶液のみを使用して二次元ナノシート単一層を形成したことを除いては、実施例1−1と同様の方法で、キャパシタを製造した。
SiO2とTiO2とが積層されたSi基板の上に、Pt電極をスパッタリング法で200nm厚さで形成して下部電極を形成した。次いで、合成例7によるナノシート溶液と合成例5によるナノシート溶液とを、20:1の体積比で混合した混合ナノシート溶液を用意し、下部電極の上にLB法(装置:KSV NIMA)で基板上昇速度0.5mm/minの速度でコーティングして二次元ナノシート単一層を形成した。次いで、紫外線を照射して、残っているポリマーを除去した後、オーブンで乾燥した。次いで、上記コーティングおよび乾燥を9回さらに繰り返して、全部で10層の二次元ナノシート単一層を含む誘電体膜を形成した。次いで、誘電体膜の上にPt電極を形成して、キャパシタを製造した。
合成例7によるナノシート溶液と合成例5によるナノシート溶液とを、40:1の体積比で混合した混合溶液を使用して二次元ナノシート単一層を形成したことを除いては、実施例3−1と同様の方法で、キャパシタを製造した。
合成例7によるナノシート溶液と合成例5によるナノシート溶液とを、60:1の体積比で混合した混合溶液を使用して二次元ナノシート単一層を形成したことを除いては、実施例3−1と同様の方法で、キャパシタを製造した。
合成例7によるナノシート溶液のみを使用して二次元ナノシート単一層を形成したことを除いては、実施例3−1と同様の方法で、キャパシタを製造した。
実施例1−1〜実施例3−3と比較例1〜3によるキャパシタの空隙率および静電容量を評価した。
(実施例4)
SiO2とTiO2とが積層されたSi基板の上に、Pt電極をスパッタリング法で200nmの厚さで形成して下部電極を形成した。次いで、合成例3によるナノシート溶液と合成例4によるナノシート溶液とを、5:1の体積比で混合した混合ナノシート溶液を用意し、下部電極の上にLB法(装置:KSV NIMA)で、基板上昇速度0.5mm/minでコーティングして二次元ナノシート単一層を形成した。次いで、紫外線を照射して、残っているポリマーを除去した後、オーブンで乾燥した。次いで、二次元ナノシート単一層の上に、Ba0.5Sr0.5TiO3セラミックバルク誘電体をマグネトロンRFスパッタリング(RF power density:1W/cm2、蒸着圧力2Pa、供給ガス:アルゴン(20sccm)、基板温度:常温(25℃))で蒸着した。次いで、基板をO2雰囲気下で、500℃で1時間アニーリングして、200nm厚さのBa0.5Sr0.5TiO3バルク誘電体層を形成した。次いで、Ba0.5Sr0.5TiO3バルク誘電体層の上にPt電極を形成して、キャパシタを製造した。
SiO2とTiO2とが積層されたSi基板の上に、Pt電極をスパッタリング法で200nm厚さで形成して下部電極を形成した。次いで、合成例3によるナノシート溶液と合成例4によるナノシート溶液とを、5:1の体積比で混合した混合ナノシート溶液を、下部電極の上にLB法(装置:KSV NIMA)で基板の上昇を0.5mm/minの速度で行ってコーティングし、下部の二次元ナノシート単一層を形成した。次いで、紫外線を照射して、残っているポリマーを除去した後、オーブンで乾燥した。次いで、下部の二次元ナノシート単一層の上に、Ba0.5Sr0.5TiO3セラミックバルク誘電体を、マグネトロンRFスパッタリング(RF power density:1W/cm2、蒸着圧力 2Pa、供給ガス:アルゴン(20sccm)、基板温度:常温(25℃))で蒸着した。次いで、基板をO2雰囲気下で、500℃で1時間アニーリングして、200nm厚さのBa0.5Sr0.5TiO3セラミック誘電体層を形成した。次いで、Ba0.5Sr0.5TiO3セラミック誘電体層の上に、合成例3によるナノシート溶液と合成例4によるナノシート溶液とを、5:1の体積比で混合した混合ナノシート溶液を、Ba0.5Sr0.5TiO3セラミック誘電体層の上にLB法(装置:KSV NIMA)で、基板上昇温度0.5mm/minの速度でコーティングして上部の二次元ナノシート単一層を形成した。次いで、紫外線を照射して、残っているポリマーを除去した後、オーブンで乾燥した。次いで、上部の二次元ナノシート単一層の上にPt電極を形成して、キャパシタを製造した。
二次元ナノシート単一層を形成しないことを除いては、実施例5と同様の方法で、キャパシタを製造した。
実施例4、5および比較例4によるキャパシタの見かけ誘電率を評価した。見かけ誘電率(εr)は、下記関係式から算出される:
C=ε0εr×(A/d)
ここで、Cは静電容量、ε0は真空の誘電率、Aは上部電極(Pt電極)の面積、dは誘電体(二次元ナノシート単一層とバルク誘電体層との合計)の厚さ
その結果を、下記表5に示す。
11、12 電極、
13 誘電体膜、
13a、13b セラミックナノシート、
13c 空隙、
14 第1誘電体膜、
15 第2誘電体膜、
16 第3誘電体膜、
21 キャパシタ本体、
31、32 外部電極。
Claims (25)
- 互いに対向する一対の電極と、
前記一対の電極の間に位置し複数のセラミックナノシートを含む誘電体膜と、
を含み、
前記複数のセラミックナノシートは、互いに分離された少なくとも2つのピークで表される面方向大きさの多峰性分布を有する、セラミック電子部品。 - 前記面方向大きさの多峰性分布は、1.5μm以上の面方向大きさで現れる第1ピークと、前記第1ピークと分離され前記第1ピークの面方向大きさよりも小さい面方向大きさで現れる第2ピークと、を含む、請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 前記第1ピークの面方向大きさは、1.5μm〜10μmであり、
前記第2ピークの面方向大きさは、1.0μm以下である、請求項2に記載のセラミック電子部品。 - 前記第1ピークの面方向大きさと前記第2ピークの面方向大きさとの比率は2:1〜10:1である、請求項2または3に記載のセラミック電子部品。
- 前記第1ピークの面方向大きさは、2.0μm〜5.0μmであり、
前記第2ピークの面方向大きさは、0.5μm〜1.0μmであり、
前記第1ピークの面方向大きさと前記第2ピークの面方向大きさとの比率は2.4:1〜6:1である、請求項2〜4のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。 - 前記複数のセラミックナノシートは、
1μm〜10μmのうちの少なくとも一部の範囲で面方向大きさの分布を示し、かつ前記第1ピークを有する第1セラミックナノシート群と、
前記第1セラミックナノシート群の平均面方向大きさよりも小さい平均面方向大きさを有し、かつ前記第2ピークを有する第2セラミックナノシート群と、
を含む、請求項2〜5のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。 - 前記第1セラミックナノシート群と前記第2セラミックナノシート群とは、5:1〜100:1の体積比で含まれる、請求項6に記載のセラミック電子部品。
- 前記複数のセラミックナノシートは、互いに分離された2つのピークで表される面方向大きさの2峰性分布を有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。
- 前記誘電体膜は、9.0%以下の空隙率を有し、
前記空隙率は、前記誘電体膜の総面積に対する空隙の面積の比率である、請求項1〜8のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。 - 前記セラミックナノシートは、50以上の誘電率を有する、請求項1〜9のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。
- 前記セラミックナノシートは、Ca2Nb3O10、Ca2NaNb4O13、Ca2Na2Nb5O16、Sr2Nb3O10、SrBi4Ti4O15、Ti2NbO7、LaNb2O7またはこれらの組み合わせを含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。
- 前記セラミックナノシートは、セラミック粉末から剥離された構造体である、請求項1〜11のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。
- 前記誘電体膜は、前記複数のセラミックナノシートからなる二次元ナノシート単一層を1以上含む、請求項1〜12のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。
- 前記誘電体膜の厚さは、0.5μm以下である、請求項1〜13のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。
- 前記誘電体膜は、
前記複数のセラミックナノシートを含む第1誘電体膜と、
前記第1誘電体膜の一方の面に位置し、バルクセラミック誘電体を含む第2誘電体膜と、
を含む、請求項1〜14のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。 - 前記誘電体膜は、
前記複数のセラミックナノシートを含む第1誘電体膜と、
前記第1誘電体膜の一方の面に位置し、バルクセラミック誘電体を含む第2誘電体膜と、
前記第2誘電体膜の一方の面に位置し、前記複数のセラミックナノシートを含む第3誘電体膜と、
を含む、請求項1〜15のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。 - 前記誘電体膜は、
バルクセラミック誘電体を含む複数の結晶粒と、
前記複数のセラミックナノシートを含む結晶粒界と、
を含む、請求項1〜16のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。 - 前記セラミック電子部品は、積層セラミックキャパシタ(MLCC)を含み、
前記積層セラミックキャパシタ(MLCC)は、前記一対の電極および前記誘電体膜を含む単位キャパシタが複数積層された構造を有する、請求項1〜17のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。 - 層状のセラミック粉末を合成する段階と、
前記層状のセラミック粉末を剥離して面方向大きさの分布が異なる複数のセラミックナノシートを用意する段階と、
第1電極の上に前記複数のセラミックナノシートを形成して誘電体膜を形成する段階と、
前記誘電体膜の上に第2電極を形成する段階と、
を含み、
前記複数のセラミックナノシートは、互いに分離された少なくとも2つのピークで表される面方向大きさの多峰性分布を有する、セラミック電子部品の製造方法。 - 前記複数のセラミックナノシートを用意する段階は、
1μm〜10μmのうちの少なくとも一部の範囲で面方向大きさの分布を有し、1.5μm以上の面方向大きさで第1ピークを示す第1セラミックナノシート群を用意する段階と、
前記第1セラミックナノシート群の平均粒径よりも平均粒径が小さく、かつ前記第1ピークの面方向大きさよりも小さい面方向大きさで第2ピークを示す第2セラミックナノシート群を用意する段階と、
前記第1セラミックナノシート群と前記第2セラミックナノシート群とを混合する段階と、
を含む、請求項19に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 前記第1セラミックナノシート群を用意する段階および前記第2セラミックナノシート群を用意する段階は、それぞれ熱処理する段階および遠心分離する段階の少なくとも一方を含み、
前記第1セラミックナノシート群を用意する段階は、前記第2セラミックナノシート群を用意する段階よりも高い温度で熱処理を行うこと、および
前記第2セラミックナノシート群を用意する段階よりも遅い速度で遠心分離を行うことの少なくとも一方を含む、請求項20に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 前記第1セラミックナノシート群と前記第2セラミックナノシート群とを混合する段階における前記第1セラミックナノシート群と前記第2セラミックナノシート群との混合体積比は、5:1〜100:1である、請求項20または21に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記誘電体膜を形成する段階は、
前記複数のセラミックナノシートを含むセラミックナノシート溶液を用意する段階と、
LB法、交互吸着法、スピンコーティング法、スリットコーティング法、バーコーティング法、またはディップコーティング法を用いて、前記第1電極の上に前記セラミックナノシート溶液をコーティングして二次元ナノシート単一層を形成する段階と、
を含む、請求項19〜22のいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 前記誘電体膜を形成する段階は、前記二次元ナノシート単一層を形成する段階を複数回行って複数の二次元ナノシート単一層を形成する段階を含む、請求項23に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 請求項1〜18のいずれか1項に記載のセラミック電子部品を含む電子装置。
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