JP5127703B2 - 積層型電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Description
2 絶縁体層
3,4 内部電極
5 積層体
6,7 端面
8,9,8a,9a 外部電極
10 めっき膜
11 相互拡散層
12 中間めっき膜(第2のめっき膜)
13 外側めっき膜(第2のめっき膜)
Claims (4)
- 積層された複数の絶縁体層および前記絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体を用意する工程と、
前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、前記積層体の前記所定の面上に外部電極を形成する工程と
を含む、積層型電子部品の製造方法であって、
前記外部電極を形成する工程は、
前記積層体を用意する工程において用意された前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部にめっき析出物を析出させ、かつ前記めっき析出物が相互に接続されるように前記めっき析出物をめっき成長させ、それによって、連続しためっき膜を形成するようにめっきする、めっき工程と、
前記めっき膜が形成された前記積層体を、酸素分圧5ppm以下および温度600℃以上の条件下で熱処理し、前記内部電極と前記めっき膜との境界部分に、前記めっき膜に含まれる金属成分および前記内部電極に含まれる金属成分の双方が検出され得る相互拡散層を形成するようにした、熱処理工程と
を備え、
前記内部電極の主成分となる金属は、NiまたはCuであり、前記内部電極の主成分となる金属および前記めっき膜の主成分となる金属は、前者がNiのとき、後者がCuであり、前者がCuのとき、後者がNiである、
積層型電子部品の製造方法。 - 前記熱処理工程において付与される温度が800℃以上である、請求項1に記載の積層型電子部品の製造方法。
- 前記外部電極を形成する工程は、前記めっき膜上に第2のめっき膜を形成する工程をさらに備え、前記熱処理工程は、前記第2のめっき膜を形成する工程の前に実施される、請求項1または2に記載の積層型電子部品の製造方法。
- 積層された複数の絶縁体層および前記絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体と、
前記積層体の前記所定の面上に形成される、外部電極と
を備え、
前記外部電極は、前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、前記積層体の前記所定の面に直接形成される、めっき膜を含み、
前記内部電極の主成分となる金属は、NiまたはCuであり、前記内部電極の主成分となる金属および前記めっき膜の主成分となる金属は、前者がNiのとき、後者がCuであり、前者がCuのとき、後者がNiであり、
前記内部電極と前記めっき膜との境界部分には、前記めっき膜に含まれる金属成分および前記内部電極に含まれる金属成分の双方が検出され得る相互拡散層が形成されていて、前記相互拡散層は、前記内部電極側および前記めっき膜側の双方にまで延びるように形成され、前記内部電極側においては、前記積層体の前記所定の面から2μm以上離れた位置まで達している、
積層型電子部品。
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