JPH02123790A - マイクロ波誘電体セラミック上の電極形成方法 - Google Patents
マイクロ波誘電体セラミック上の電極形成方法Info
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- JPH02123790A JPH02123790A JP27809688A JP27809688A JPH02123790A JP H02123790 A JPH02123790 A JP H02123790A JP 27809688 A JP27809688 A JP 27809688A JP 27809688 A JP27809688 A JP 27809688A JP H02123790 A JPH02123790 A JP H02123790A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は自動車電話１通信衛星などの回路素子として用
いられるマイクロ波誘電体セラミックに関し、特に前記
マイクロ波誘電体セラミック上の電極形成方法に関する
。
いられるマイクロ波誘電体セラミックに関し、特に前記
マイクロ波誘電体セラミック上の電極形成方法に関する
。
（従来の技術）
従来、マイクロ波誘電体セラミック上の電極として銀が
一般的に用いられていた。銀を用いる場合、銀の焼付け
が適用されていた。そのため、銀粉末にガラスフリット
、有機バインダ、及び溶剤を混入し、ペースト状とする
。このペーストを筆塗り等の手段で付着し、熱処理によ
りガラスフリッ］・を溶融させて誘電体の表面に銀が焼
付けされる。しかしながら、このような方法では塗りむ
らが起る。またガラスフリットの混入は、導電率を低下
させ、本来、６．０６ Ｘ １０５ ［−１／Ω・ｃ
ｍ］の導電率を有している鍛であっても、約８０％のオ
ーダで導電率が低下する。銅の場合には、５．８１ Ｘ
１０５ ［１／Ω・ｃｍ］の導電率を有しているが、
上述のようにガラスフリットを含んだ銀の電極の導電率
は、結局、高価な銀を使用しているにもかかわらず、銅
より低くなってしまうと共にＱ値を低下させる。また、
銀電極の場合、密着強度を得る目的でガラスフリットを
用いているにもかかわらず、０．３８ Ｋ！ｊ／ｍｍ２
程度と低く、導電率の向上を狙ってガラスフリットの鰻
を少なくすることはできないのが現状でおる。
一般的に用いられていた。銀を用いる場合、銀の焼付け
が適用されていた。そのため、銀粉末にガラスフリット
、有機バインダ、及び溶剤を混入し、ペースト状とする
。このペーストを筆塗り等の手段で付着し、熱処理によ
りガラスフリッ］・を溶融させて誘電体の表面に銀が焼
付けされる。しかしながら、このような方法では塗りむ
らが起る。またガラスフリットの混入は、導電率を低下
させ、本来、６．０６ Ｘ １０５ ［−１／Ω・ｃ
ｍ］の導電率を有している鍛であっても、約８０％のオ
ーダで導電率が低下する。銅の場合には、５．８１ Ｘ
１０５ ［１／Ω・ｃｍ］の導電率を有しているが、
上述のようにガラスフリットを含んだ銀の電極の導電率
は、結局、高価な銀を使用しているにもかかわらず、銅
より低くなってしまうと共にＱ値を低下させる。また、
銀電極の場合、密着強度を得る目的でガラスフリットを
用いているにもかかわらず、０．３８ Ｋ！ｊ／ｍｍ２
程度と低く、導電率の向上を狙ってガラスフリットの鰻
を少なくすることはできないのが現状でおる。
高価な銀に対して、銅を電極として用いる試みもなされ
ている。銅電極を形成する場合、通常、無電解めっきが
用いられる。しかしながら、この無電解めっきによる銅
電極は、このままでは導電率が小さく、Ｑ値も低いとい
う欠点があった。また、高温に放置したり、湿気中に放
置したりすると特性が劣化するため、耐候性に難点があ
る。ざらに密着強度も無くなるという問題もある。
ている。銅電極を形成する場合、通常、無電解めっきが
用いられる。しかしながら、この無電解めっきによる銅
電極は、このままでは導電率が小さく、Ｑ値も低いとい
う欠点があった。また、高温に放置したり、湿気中に放
置したりすると特性が劣化するため、耐候性に難点があ
る。ざらに密着強度も無くなるという問題もある。
上記問題点を解決するために、マイクロ波用誘電体セラ
ミック上に無電解銅めっきにより銅皮膜を形成した後、
窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気中で、３００
℃乃至９００ ℃で熱処理する方法がある。このような
熱処理によって、無電解めっきによる銅皮膜は、純銅に
近い状態に変化する。
ミック上に無電解銅めっきにより銅皮膜を形成した後、
窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気中で、３００
℃乃至９００ ℃で熱処理する方法がある。このような
熱処理によって、無電解めっきによる銅皮膜は、純銅に
近い状態に変化する。
従って、銅皮膜の誘電体に対する密着強度が高くなり、
かつ電極のＱ値が改善され、ひいては、例えば誘電体共
振器のＱ値も改善されることになる。
かつ電極のＱ値が改善され、ひいては、例えば誘電体共
振器のＱ値も改善されることになる。
更に、このようなＱ値のばらつきも小さくなることも確
認されている。尚、熱処理を行う時間については、通常
、約３０分間程度に選ばれる。そして、熱α理温度とし
ては、５００℃乃至７００ ℃の範囲でより優れた結果
をもたらすことが知られている（特公昭６３−２５７２
３号公報）。
認されている。尚、熱処理を行う時間については、通常
、約３０分間程度に選ばれる。そして、熱α理温度とし
ては、５００℃乃至７００ ℃の範囲でより優れた結果
をもたらすことが知られている（特公昭６３−２５７２
３号公報）。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上）ホした電極の形成方法では、電極の
焼付がまだ十分ではないという問題がおった。
焼付がまだ十分ではないという問題がおった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、銅電極の焼付が確実であり且つ、Ｑ値が高く信頼性
の向上するマイクロ波誘電体セラミック上の電極形成方
法を提供することを目的と覆るしのでおる。
り、銅電極の焼付が確実であり且つ、Ｑ値が高く信頼性
の向上するマイクロ波誘電体セラミック上の電極形成方
法を提供することを目的と覆るしのでおる。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の構成は、マイクロ波誘電体セラミック上に無電
解めっきにより銅皮膜を形成し、この銅皮膜を酸素分圧
１０”ｐＤｍ乃至１０−” ｌ）Ｄｍの不活性ガス雰囲
気中にて５００℃７″Ｊ至７００ ℃て熱処理して電極
とすることを特徴とするものでおる。
解めっきにより銅皮膜を形成し、この銅皮膜を酸素分圧
１０”ｐＤｍ乃至１０−” ｌ）Ｄｍの不活性ガス雰囲
気中にて５００℃７″Ｊ至７００ ℃て熱処理して電極
とすることを特徴とするものでおる。
（作 用）
銅皮膜を微圏酸素を含む不活性ガス中で熱処理すること
によりＱ値の高い電極を形成することが出来る。
によりＱ値の高い電極を形成することが出来る。
（実施例）
本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明によるマイクロ波誘電体セラミックの一
実施例を示す斜視図である。図中のマイクロ波誘電体セ
ラミック１は円筒形であり、その下面３．内周面４．外
周面５に銅電極が形成されており、また上面２は特性値
調整のため研削されて銅電極は形成されていない。
実施例を示す斜視図である。図中のマイクロ波誘電体セ
ラミック１は円筒形であり、その下面３．内周面４．外
周面５に銅電極が形成されており、また上面２は特性値
調整のため研削されて銅電極は形成されていない。
第２図は本発明によるマイクロ波誘電体セラミック上の
電極焼付装置（以下焼付装置と称す）の概略構成図であ
る。図中の焼付装置６は後述する焼付炉９に不活性ガス
を供給する不活性ガスボンベ（以下ボンベと称す）７と
、セラミック上の電極の焼付を行う焼付炉９と、前記ボ
ンベ７と前記焼付炉９とを結び且つ不活性ガスを供給す
るシリコンチューブ８と、前記焼付炉中の酸素分圧を測
定する酸素分圧計１０とにより概略構成されている。
電極焼付装置（以下焼付装置と称す）の概略構成図であ
る。図中の焼付装置６は後述する焼付炉９に不活性ガス
を供給する不活性ガスボンベ（以下ボンベと称す）７と
、セラミック上の電極の焼付を行う焼付炉９と、前記ボ
ンベ７と前記焼付炉９とを結び且つ不活性ガスを供給す
るシリコンチューブ８と、前記焼付炉中の酸素分圧を測
定する酸素分圧計１０とにより概略構成されている。
次に図面を参照して本発明の実施例について説明覆る。
まり゛、マイクロ波調電体ゼラミック祠利く例えばＢａ
口０３系、 ＨｇＴｉＯ３系はラミック材料）を内径２
．０ｙ萌Ｊ、外径１０ｍ、高さ１４７＋膚の円筒状に成
形し、焼結してセラミック素体を１ｑる。次に前記セラ
ミック素体仝面に無電解めっき法によりＣｕ（銅）めっ
きを施しＣｕ皮膜を形成し一次加工品を形成する。上）
小のごとく形成された一次加工品は／ｒ（ジルコニウム
）製の治具を用いて焼付炉９に収納し前記ボンベ７より
シリコンデユープ８を介して不活性ガスを供給しつつ焼
付温度６００ ℃にて１時間Ｃｕ皮膜の焼付を行いＣｕ
電極を形成する。このとき、焼付条件設定のため前記酸
素分圧訓１０により酸素分圧を測定し、シリコンチュー
ブ８の長さを変えることにより酸素分圧を調整（これは
シリコンチューブ８が他祠貿デユープより多孔性のため
空気中の酸素を取り入れ易いからである）し、第３図に
示すような条件について焼付を実施し、各条件における
二次ｈ０工品を形成する。その後特性値調整のため前記
レラミッタ素体の上面２側を研削しマイクロ波誘電体セ
ラミック１を得る。
口０３系、 ＨｇＴｉＯ３系はラミック材料）を内径２
．０ｙ萌Ｊ、外径１０ｍ、高さ１４７＋膚の円筒状に成
形し、焼結してセラミック素体を１ｑる。次に前記セラ
ミック素体仝面に無電解めっき法によりＣｕ（銅）めっ
きを施しＣｕ皮膜を形成し一次加工品を形成する。上）
小のごとく形成された一次加工品は／ｒ（ジルコニウム
）製の治具を用いて焼付炉９に収納し前記ボンベ７より
シリコンデユープ８を介して不活性ガスを供給しつつ焼
付温度６００ ℃にて１時間Ｃｕ皮膜の焼付を行いＣｕ
電極を形成する。このとき、焼付条件設定のため前記酸
素分圧訓１０により酸素分圧を測定し、シリコンチュー
ブ８の長さを変えることにより酸素分圧を調整（これは
シリコンチューブ８が他祠貿デユープより多孔性のため
空気中の酸素を取り入れ易いからである）し、第３図に
示すような条件について焼付を実施し、各条件における
二次ｈ０工品を形成する。その後特性値調整のため前記
レラミッタ素体の上面２側を研削しマイクロ波誘電体セ
ラミック１を得る。
第３図は上記の如く得られた前記マイクロ波誘電体セラ
ミック１のＱ値であるＱｕ値と酸素分圧との関係を示づ
グラフである。図中の右端にＡｇ（銀）電極におけるＱ
値（８３５）を示す。この発明の範囲である酸素分圧１
０”ｐｐｍ乃至１０’ ｐｐｍでは図中にかっこ書きで
示したように、それぞれＱｕ値がＡＱ電極のＱ値より高
められている。また同図より酸素分圧が１０’ｐｐｍよ
り高い場合は電（φ部が酸化されＱ ｕ ｉＬが低下づ
ると考えられる。
ミック１のＱ値であるＱｕ値と酸素分圧との関係を示づ
グラフである。図中の右端にＡｇ（銀）電極におけるＱ
値（８３５）を示す。この発明の範囲である酸素分圧１
０”ｐｐｍ乃至１０’ ｐｐｍでは図中にかっこ書きで
示したように、それぞれＱｕ値がＡＱ電極のＱ値より高
められている。また同図より酸素分圧が１０’ｐｐｍよ
り高い場合は電（φ部が酸化されＱ ｕ ｉＬが低下づ
ると考えられる。
更に酸素分圧が１１０−１５ｐｐより低い場合は電極部
が還元されＱｕ値が低下すると考えられ、また、電極の
半田付性も劣化すると考えられる。この結果から最も好
ましい酸素分圧は１０−’ｔ）ＤｍＰＪ至’ｔｏ−＋５
ｐｐｍでおることが解る。
が還元されＱｕ値が低下すると考えられ、また、電極の
半田付性も劣化すると考えられる。この結果から最も好
ましい酸素分圧は１０−’ｔ）ＤｍＰＪ至’ｔｏ−＋５
ｐｐｍでおることが解る。
上）ホしたように本実施例によれば、酸素分圧１０ ”
ｐｐｍｂ至１０−Ｇｐｐｍｐｐｍ中性不活性カス雰囲
気中電極の焼付けを行ったことにより焼付が確実であり
且つＡｇ電極のＱ ｆｉ！Ｙより高いＱｕ値のＣｕ電極
が得られる。
ｐｐｍｂ至１０−Ｇｐｐｍｐｐｍ中性不活性カス雰囲
気中電極の焼付けを行ったことにより焼付が確実であり
且つＡｇ電極のＱ ｆｉ！Ｙより高いＱｕ値のＣｕ電極
が得られる。
また、前記実施例では熱処理温度を６００ ℃のものに
ついてのデータを示したか、その他の温度についてのデ
ータを第４図に示す。これからも明らかなように、熱処
理温度範囲を５００℃乃至７００ ℃としても良好な結
果を得ることができる。しかし、６００℃が最も好まし
い温度て必ることかＱｕ伯のデータから判断できる。し
かも、焼付炉内温度の制御範囲を考えた場合、６００
℃を中間値として±１００℃の広い範囲においてもＣｕ
電極のＱｕ値ｈ＜ Ａ ｇ電極のＱ値に比較して高くな
るので制御じ易く量産性に適合するものと推定できるか
らで必る。
ついてのデータを示したか、その他の温度についてのデ
ータを第４図に示す。これからも明らかなように、熱処
理温度範囲を５００℃乃至７００ ℃としても良好な結
果を得ることができる。しかし、６００℃が最も好まし
い温度て必ることかＱｕ伯のデータから判断できる。し
かも、焼付炉内温度の制御範囲を考えた場合、６００
℃を中間値として±１００℃の広い範囲においてもＣｕ
電極のＱｕ値ｈ＜ Ａ ｇ電極のＱ値に比較して高くな
るので制御じ易く量産性に適合するものと推定できるか
らで必る。
［発明の効果１
本発明にＪ：れぼ、銅皮膜の焼付が確実なしのとなり、
Ｑ値が高く信頼性の向上するマイクロ波誘電体セラミッ
ク上の電極形成方法を提供することができる。
Ｑ値が高く信頼性の向上するマイクロ波誘電体セラミッ
ク上の電極形成方法を提供することができる。
第１図は本発明によるマイクロ波誘電体セラミックの一
実施例を示す斜視図、第２図は本発明によるマイクロ波
誘電体セラミック上の電極焼付装置の概略構成図、第３
図は本発明一実施例による焼付温度６００℃でＣＬ、、
Ｉ電極を形成したマイクロ波誘電体セラミックのＱｕ（
Ｑ）値と酸素分圧との関係のグラフを示す図、第４図は
本発明による焼付温度４００ ℃乃至８００ ℃で電極
を形成したマイクロ波誘電体セラミックのＱＬＪ （Ｑ
）値と酸素分圧との関係のグラフを示す図である。 １・・・マイクロ波誘電体セラミック、２・・・研削面
、 ３，４．５・・・銅皮膜（電極）、６・・・電極焼
付装置、７・・・不活性ガスボンベ、８・・・シリコン
チューブ、９・・・焼付炉、１０・・・酸素分圧計。 會・ 第 図 ７／ｆ−ラ占十宙Ｕ゛スポパ〉ぺゝ 第 図
実施例を示す斜視図、第２図は本発明によるマイクロ波
誘電体セラミック上の電極焼付装置の概略構成図、第３
図は本発明一実施例による焼付温度６００℃でＣＬ、、
Ｉ電極を形成したマイクロ波誘電体セラミックのＱｕ（
Ｑ）値と酸素分圧との関係のグラフを示す図、第４図は
本発明による焼付温度４００ ℃乃至８００ ℃で電極
を形成したマイクロ波誘電体セラミックのＱＬＪ （Ｑ
）値と酸素分圧との関係のグラフを示す図である。 １・・・マイクロ波誘電体セラミック、２・・・研削面
、 ３，４．５・・・銅皮膜（電極）、６・・・電極焼
付装置、７・・・不活性ガスボンベ、８・・・シリコン
チューブ、９・・・焼付炉、１０・・・酸素分圧計。 會・ 第 図 ７／ｆ−ラ占十宙Ｕ゛スポパ〉ぺゝ 第 図
Claims (2)
- （１）マイクロ波誘電体セラミック上に無電解めっきに
より銅皮膜を形成し、この銅皮膜を酸素分圧１０＾−＾
１＾５ｐｐｍ乃至１０＾−＾６ｐｐｍの不活性ガス雰囲
気中にて５００℃乃至７００℃で熱処理して電極とする
ことを特徴とするマイクロ波誘電体セラミック上の電極
形成方法。 - （２）前記熱処理を６００℃で行う請求項１記載のマイ
クロ波誘電体セラミック上の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27809688A JP2663001B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | マイクロ波誘電体セラミック上の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27809688A JP2663001B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | マイクロ波誘電体セラミック上の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02123790A true JPH02123790A (ja) | 1990-05-11 |
| JP2663001B2 JP2663001B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=17592580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27809688A Expired - Fee Related JP2663001B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | マイクロ波誘電体セラミック上の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2663001B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992004741A1 (fr) * | 1990-09-10 | 1992-03-19 | Tdk Corporation | Filtre passe-bande |
| US6833776B2 (en) | 2002-01-16 | 2004-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device |
| WO2008059666A1 (fr) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composant électronique stratifié et son procédé de fabrication |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP27809688A patent/JP2663001B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992004741A1 (fr) * | 1990-09-10 | 1992-03-19 | Tdk Corporation | Filtre passe-bande |
| US5311159A (en) * | 1990-09-10 | 1994-05-10 | Tdk Corporation | Bandpass type filter having tri-plate line resonators |
| US6833776B2 (en) | 2002-01-16 | 2004-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device |
| KR100517073B1 (ko) * | 2002-01-16 | 2005-09-26 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 공진기, 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 통신기장치 |
| WO2008059666A1 (fr) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composant électronique stratifié et son procédé de fabrication |
| JPWO2008059666A1 (ja) * | 2006-11-15 | 2010-02-25 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
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