JPH065461A - 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法Info
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- JPH065461A JPH065461A JP4156641A JP15664192A JPH065461A JP H065461 A JPH065461 A JP H065461A JP 4156641 A JP4156641 A JP 4156641A JP 15664192 A JP15664192 A JP 15664192A JP H065461 A JPH065461 A JP H065461A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 外部電極自体の形成方法がどのようであれ、
内部電極と外部電極との接触が確実に行われる積層セラ
ミックコンデンサの外部電極の形成方法を提供すること
である。 【構成】 耐熱容器５内にＡｇ粉末（金属粉末）２とＺ
ｒＯ2 粉末（セラミック粉末）３とを入れて混合し、こ
の混合粉体中に、Ｐｄからなる内部電極を有する積層セ
ラミック体１を混在させ、５００〜９００℃で熱処理
し、その後にセラミック体１に外部電極を形成する。 【作用】 熱処理により、セラミック体１から内部電極
が十分に露出する。
内部電極と外部電極との接触が確実に行われる積層セラ
ミックコンデンサの外部電極の形成方法を提供すること
である。 【構成】 耐熱容器５内にＡｇ粉末（金属粉末）２とＺ
ｒＯ2 粉末（セラミック粉末）３とを入れて混合し、こ
の混合粉体中に、Ｐｄからなる内部電極を有する積層セ
ラミック体１を混在させ、５００〜９００℃で熱処理
し、その後にセラミック体１に外部電極を形成する。 【作用】 熱処理により、セラミック体１から内部電極
が十分に露出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層セラミックコンデ
ンサの外部電極の形成方法に関する。
ンサの外部電極の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、積層セラミックコンデンサは、
六面体であるセラミック体と、セラミック体内部に設け
られ、内部をセラミック層状に区切る複数枚の内部電極
と、セラミック体の一対の側端面に設けられ、内部電極
と導通する外部電極とを有する。
六面体であるセラミック体と、セラミック体内部に設け
られ、内部をセラミック層状に区切る複数枚の内部電極
と、セラミック体の一対の側端面に設けられ、内部電極
と導通する外部電極とを有する。
【０００３】このようなコンデンサでは、内部電極と外
部電極との接触を確実に行うことが重要であるため、内
部電極を設けた積層セラミック体を焼成した後、内部電
極をセラミック体の側端面から十分露出させるためにバ
レル研磨を施し、次いでセラミック体の側端面に外部電
極を形成している。このことを図を参照してもう少し詳
しく説明すると、まず図２の（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、焼成済みの積層セラミック体１０内においては複数
枚（ここでは３枚）の内部電極１１（ａ〜ｃ）はセラミ
ック体１０の側端面から交互に延びるが、（ｂ）から分
かるように焼成後には内部電極１１（ａ〜ｃ）がセラミ
ック体１０の側端面から十分に露出していないことがあ
る。この例では、３枚の内部電極の全てが露出不十分で
あることを示している。
部電極との接触を確実に行うことが重要であるため、内
部電極を設けた積層セラミック体を焼成した後、内部電
極をセラミック体の側端面から十分露出させるためにバ
レル研磨を施し、次いでセラミック体の側端面に外部電
極を形成している。このことを図を参照してもう少し詳
しく説明すると、まず図２の（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、焼成済みの積層セラミック体１０内においては複数
枚（ここでは３枚）の内部電極１１（ａ〜ｃ）はセラミ
ック体１０の側端面から交互に延びるが、（ｂ）から分
かるように焼成後には内部電極１１（ａ〜ｃ）がセラミ
ック体１０の側端面から十分に露出していないことがあ
る。この例では、３枚の内部電極の全てが露出不十分で
あることを示している。
【０００４】このため、セラミック体１０にバレル研磨
を施して、内部電極１１（ａ〜ｃ）を十分露出させる。
研磨後のセラミック体１０の断面を示すのが図３であ
る。しかし、研磨してもまだ十分にセラミック体１０の
側端面から現出していない内部電極１１ｂ、１１ｃもあ
る。この状態で次に外部電極をセラミック体１０の側端
面に形成すると、図４又は図５に示すような結果にな
る。
を施して、内部電極１１（ａ〜ｃ）を十分露出させる。
研磨後のセラミック体１０の断面を示すのが図３であ
る。しかし、研磨してもまだ十分にセラミック体１０の
側端面から現出していない内部電極１１ｂ、１１ｃもあ
る。この状態で次に外部電極をセラミック体１０の側端
面に形成すると、図４又は図５に示すような結果にな
る。
【０００５】図６に示す外部電極２０は、通常の方法で
形成されたものであり、例えばＡｇ又はＡｇ／Ｐｄ粉末
と、ガラスフリットと、結合剤とからなるペーストを塗
布し、これを７５０〜８５０℃で焼付け、ニッケルメッ
キ（更にハンダ又はスズメッキを施す場合もある）を施
したものである。一方、図７に示す外部電極３０は、本
願出願人の先願に係る、例えば特開昭６０−２３６２０
７号、実願平３−１２６１０４号に記載されている方法
を用いることにより、即ちスパッタリング、真空蒸着又
はプラズマ溶射によって設けられた３〜４層の構造から
なるものである。
形成されたものであり、例えばＡｇ又はＡｇ／Ｐｄ粉末
と、ガラスフリットと、結合剤とからなるペーストを塗
布し、これを７５０〜８５０℃で焼付け、ニッケルメッ
キ（更にハンダ又はスズメッキを施す場合もある）を施
したものである。一方、図７に示す外部電極３０は、本
願出願人の先願に係る、例えば特開昭６０−２３６２０
７号、実願平３−１２６１０４号に記載されている方法
を用いることにより、即ちスパッタリング、真空蒸着又
はプラズマ溶射によって設けられた３〜４層の構造から
なるものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６及
び図７を見れば明らかなように、図６では内部電極１１
ａは露出が十分であり、外部電極２０と確実に接触して
いるが、内部電極１１ｂはいわゆるオープン状態とな
り、外部電極２０と殆ど接触しておらず、内部電極１１
ｃはルーズコンタクト状態であり、接触が不完全であ
る。又、図７では内部電極１１ａは外部電極３０に完全
に接触しているが、内部電極１１ｂ、１１ｃはいずれも
オープン状態であり、外部電極３０との接触が不確実で
ある。
び図７を見れば明らかなように、図６では内部電極１１
ａは露出が十分であり、外部電極２０と確実に接触して
いるが、内部電極１１ｂはいわゆるオープン状態とな
り、外部電極２０と殆ど接触しておらず、内部電極１１
ｃはルーズコンタクト状態であり、接触が不完全であ
る。又、図７では内部電極１１ａは外部電極３０に完全
に接触しているが、内部電極１１ｂ、１１ｃはいずれも
オープン状態であり、外部電極３０との接触が不確実で
ある。
【０００７】このように内部電極と外部電極との接触不
良（オープン状態等）が起こるのは、積層セラミック体
が外部電極の形成に供される段階で内部電極の露出が不
十分であるからであり、これは、バレル研磨の不十分、
内部電極の過薄、内部電極の露出部分での欠落、内部電
極へのセラミック被覆等に起因し、静電容量の損失、誘
電正接の増大等の不具合を発生させてしまう。特に、温
度補償用コンデンサは静電容量の許容差及び誘電正接の
許容差が小さいため、上記不具合が生ずると製品の歩留
りが悪くなる。
良（オープン状態等）が起こるのは、積層セラミック体
が外部電極の形成に供される段階で内部電極の露出が不
十分であるからであり、これは、バレル研磨の不十分、
内部電極の過薄、内部電極の露出部分での欠落、内部電
極へのセラミック被覆等に起因し、静電容量の損失、誘
電正接の増大等の不具合を発生させてしまう。特に、温
度補償用コンデンサは静電容量の許容差及び誘電正接の
許容差が小さいため、上記不具合が生ずると製品の歩留
りが悪くなる。
【０００８】従って、本発明の目的は、外部電極自体の
形成方法がどのようであれ、内部電極と外部電極との接
触が確実に行われる積層セラミックコンデンサの外部電
極の形成方法を提供することにある。
形成方法がどのようであれ、内部電極と外部電極との接
触が確実に行われる積層セラミックコンデンサの外部電
極の形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の積層セラミックコンデンサの外部電極の形
成方法は、内部に複数枚の内部電極を有する積層セラミ
ック体を、内部電極材と異なる拡散係数を持つ金属粉末
と、内部電極材及び金属粉末に対して難反応性で且つ耐
高温性のセラミック粉末とを混合した粉体中に入れて熱
処理し、その後にセラミック体の一対の側端面に外部電
極を設けることを特徴とする。
に、本発明の積層セラミックコンデンサの外部電極の形
成方法は、内部に複数枚の内部電極を有する積層セラミ
ック体を、内部電極材と異なる拡散係数を持つ金属粉末
と、内部電極材及び金属粉末に対して難反応性で且つ耐
高温性のセラミック粉末とを混合した粉体中に入れて熱
処理し、その後にセラミック体の一対の側端面に外部電
極を設けることを特徴とする。
【００１０】この形成方法によれば、金属粉末とセラミ
ック粉末との混合粉体中に積層セラミック体を入れて熱
処理（５００〜９００℃）を行うことで、金属粉末と積
層セラミック体の内部電極材との間で拡散が起こり、こ
の拡散によって内部電極が実質的に長くなって、セラミ
ック体の側端面から十分露出するようになり、内部電極
のオープン状態等が発生しなくなり、内部電極と外部電
極との接触が確実になる。そしてセラミック粉末は、熱
処理中に、金属粉末が互いに接触・焼結して粒子が固ま
るのを防止すると共に、内部電極材と金属粉末と間の拡
散をコントロールする作用をする。
ック粉末との混合粉体中に積層セラミック体を入れて熱
処理（５００〜９００℃）を行うことで、金属粉末と積
層セラミック体の内部電極材との間で拡散が起こり、こ
の拡散によって内部電極が実質的に長くなって、セラミ
ック体の側端面から十分露出するようになり、内部電極
のオープン状態等が発生しなくなり、内部電極と外部電
極との接触が確実になる。そしてセラミック粉末は、熱
処理中に、金属粉末が互いに接触・焼結して粒子が固ま
るのを防止すると共に、内部電極材と金属粉末と間の拡
散をコントロールする作用をする。
【００１１】本発明の形成方法で使用する金属粉末は、
内部電極材と異なる拡散係数を持つものであればよく、
例えばＡｇ、Ａｇ／Ｐｄがある。セラミック粉末は、内
部電極材及び金属粉末と反応し難く、しかも熱処理温度
（５００〜９００℃）に対する耐性に優れたものを用
い、それにはジルコニア粉末、アルミナ粉末等が例示さ
れる。又、内部電極材としては、Ｐｄ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａ
ｇ等がある。
内部電極材と異なる拡散係数を持つものであればよく、
例えばＡｇ、Ａｇ／Ｐｄがある。セラミック粉末は、内
部電極材及び金属粉末と反応し難く、しかも熱処理温度
（５００〜９００℃）に対する耐性に優れたものを用
い、それにはジルコニア粉末、アルミナ粉末等が例示さ
れる。又、内部電極材としては、Ｐｄ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａ
ｇ等がある。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の外部電極の形成方法を実施例
に基づいて説明する。まず、Ｐｄインクを用いてスクリ
ーン印刷法で誘電体セラミックシート上に内部電極を通
常よりも薄く形成したものを所定枚数だけ積み重ね、こ
の積層体を熱加圧して接着した後、指定の寸法に切断
し、脱バインダー及び焼成を行う。ここまでで得られた
積層セラミック体の内部構造は、図２の（ｂ）に示すよ
うに、一部の内部電極はセラミック体の側端面から露出
していない。次いで、積層セラミック体をメデアと共に
バレル研磨する。この研磨によっても、セラミック体の
内部電極は、図３に示すように側端面からまだ十分に露
出していないのがある。
に基づいて説明する。まず、Ｐｄインクを用いてスクリ
ーン印刷法で誘電体セラミックシート上に内部電極を通
常よりも薄く形成したものを所定枚数だけ積み重ね、こ
の積層体を熱加圧して接着した後、指定の寸法に切断
し、脱バインダー及び焼成を行う。ここまでで得られた
積層セラミック体の内部構造は、図２の（ｂ）に示すよ
うに、一部の内部電極はセラミック体の側端面から露出
していない。次いで、積層セラミック体をメデアと共に
バレル研磨する。この研磨によっても、セラミック体の
内部電極は、図３に示すように側端面からまだ十分に露
出していないのがある。
【００１３】次に、金属粉末として粒径約１μｍのＡｇ
粉末を１０〜５０ｗｔ％、及びセラミック粉末として粒
径約１００μｍのＺｒＯ2 （ジルコニア）粉末を５０〜
９０ｗｔ％の割合で混合する。両粉末の混合割合は全体
で１００ｗｔ％になるように調製する。この混合粉体に
対して前記積層セラミック体を５０ｗｔ％の比で混在さ
せ、これをセラミック、ステンレス、インコネル（商標
名）等の耐熱容器（例えばムライト質のセラミック製耐
熱容器）に入れる。この状態を図１に示す。この図１
で、耐熱容器５内に入れたＡｇ粉末２とＺｒＯ2 粉末３
との混合粉体中に積層セラミック体１が埋没している。
図１では、便宜上１個のセラミック体しか示していない
が、実際には複数個のセラミック体を混合粉体中に混在
させる。
粉末を１０〜５０ｗｔ％、及びセラミック粉末として粒
径約１００μｍのＺｒＯ2 （ジルコニア）粉末を５０〜
９０ｗｔ％の割合で混合する。両粉末の混合割合は全体
で１００ｗｔ％になるように調製する。この混合粉体に
対して前記積層セラミック体を５０ｗｔ％の比で混在さ
せ、これをセラミック、ステンレス、インコネル（商標
名）等の耐熱容器（例えばムライト質のセラミック製耐
熱容器）に入れる。この状態を図１に示す。この図１
で、耐熱容器５内に入れたＡｇ粉末２とＺｒＯ2 粉末３
との混合粉体中に積層セラミック体１が埋没している。
図１では、便宜上１個のセラミック体しか示していない
が、実際には複数個のセラミック体を混合粉体中に混在
させる。
【００１４】続いて、酸化雰囲炉に耐熱容器を配置し、
常温から最高温度（８２３℃）まで３０℃／分の昇温率
で上げ、最高温度にて８分間保持した後、同じく３０℃
／分の降温率で下げることにより、熱処理を行う。熱処
理後、フルイを用いて積層セラミック体をＡｇやＺｒＯ
2 から分離する。そして、通常の方法、又は前記先願に
記載されている方法で、積層セラミック体の一対の側端
面に外部電極を形成する。外部電極は、通常の方法で作
製した場合には図４のような形状になり、前記先願記載
の方法で形成すると図５に示すような形状になる。
常温から最高温度（８２３℃）まで３０℃／分の昇温率
で上げ、最高温度にて８分間保持した後、同じく３０℃
／分の降温率で下げることにより、熱処理を行う。熱処
理後、フルイを用いて積層セラミック体をＡｇやＺｒＯ
2 から分離する。そして、通常の方法、又は前記先願に
記載されている方法で、積層セラミック体の一対の側端
面に外部電極を形成する。外部電極は、通常の方法で作
製した場合には図４のような形状になり、前記先願記載
の方法で形成すると図５に示すような形状になる。
【００１５】ここで、熱処理によって生ずる拡散につい
て若干述べる。上記実施例では金属粉末にＡｇ、内部電
極材にＰｄを使用しており、両者の間でＡｇからＰｄへ
の拡散が起こる。拡散距離ＬはＬ＝２×（Ｄ×ｔ）1/2
〔Ｄ：拡散係数（ｃｍ2 ／ｓ）、ｔ：温度（Ｋ）〕で与
えられる。拡散係数ＤはＤ＝Ｄ0 ｅｘｐ（−Ｑ／ＲＴ）
〔Ｑ：活性エネルギー（ｃａｌ／ｍｏｌ）、Ｒ：気体定
数（１．９８６ｃａｌ／ｍｏｌ・Ｋ）、Ｔ：温度
（Ｋ）〕であるから、ＡｇとＰｄの拡散係数の差だけ拡
散することになる。この場合、温度ｔが高いほど拡散距
離Ｌが長くなることから、拡散距離Ｌのコントロールは
可能である。 ＜実験例＞実施例１〜４として、上記の如くＡｇ粉末と
ＺｒＯ2 粉末とを用いた熱処理を行い、続いて前記先願
の特開昭６０−２３６２０７号公報に記載された方法で
外部電極を作製してなる温度補償用セラミックコンデン
サにおいて、内部電極の露出、静電容量の合格率、熱処
理後のＡｇ解コウを調べ、その結果を表１に記した。な
お、比較例１として、熱処理を行わずに上記公報記載の
方法で外部電極を形成したコンデンサについても同様に
調べた。
て若干述べる。上記実施例では金属粉末にＡｇ、内部電
極材にＰｄを使用しており、両者の間でＡｇからＰｄへ
の拡散が起こる。拡散距離ＬはＬ＝２×（Ｄ×ｔ）1/2
〔Ｄ：拡散係数（ｃｍ2 ／ｓ）、ｔ：温度（Ｋ）〕で与
えられる。拡散係数ＤはＤ＝Ｄ0 ｅｘｐ（−Ｑ／ＲＴ）
〔Ｑ：活性エネルギー（ｃａｌ／ｍｏｌ）、Ｒ：気体定
数（１．９８６ｃａｌ／ｍｏｌ・Ｋ）、Ｔ：温度
（Ｋ）〕であるから、ＡｇとＰｄの拡散係数の差だけ拡
散することになる。この場合、温度ｔが高いほど拡散距
離Ｌが長くなることから、拡散距離Ｌのコントロールは
可能である。 ＜実験例＞実施例１〜４として、上記の如くＡｇ粉末と
ＺｒＯ2 粉末とを用いた熱処理を行い、続いて前記先願
の特開昭６０−２３６２０７号公報に記載された方法で
外部電極を作製してなる温度補償用セラミックコンデン
サにおいて、内部電極の露出、静電容量の合格率、熱処
理後のＡｇ解コウを調べ、その結果を表１に記した。な
お、比較例１として、熱処理を行わずに上記公報記載の
方法で外部電極を形成したコンデンサについても同様に
調べた。
【００１６】但し、実施例及び比較例において、コンデ
ンサの内部電極材はＰｄを使用し、コンデンサのサイズ
は２．０×１．２５×１．０ｍｍに統一した。
ンサの内部電極材はＰｄを使用し、コンデンサのサイズ
は２．０×１．２５×１．０ｍｍに統一した。
【００１７】
【表１】
【００１８】この表１から、熱処理を行ったコンデンサ
では、内部電極が十分に露出し、静電容量の合格率も高
いことが分かる。なお、金属粉末にＡｇを使用した場
合、この実験例ではコンデンサとして一応使用可能なＡ
ｇ粉末の混合割合は１０〜２５ｗｔ％（ＺｒＯ2 粉末で
いうと９０〜７５ｗｔ％）程度であるが、熱処理温度や
熱処理時間を適当に変えれば、この限りではない。
では、内部電極が十分に露出し、静電容量の合格率も高
いことが分かる。なお、金属粉末にＡｇを使用した場
合、この実験例ではコンデンサとして一応使用可能なＡ
ｇ粉末の混合割合は１０〜２５ｗｔ％（ＺｒＯ2 粉末で
いうと９０〜７５ｗｔ％）程度であるが、熱処理温度や
熱処理時間を適当に変えれば、この限りではない。
【００１９】上記実施例では、内部電極材にＰｄ、金属
粉末にＡｇを使用し、ＡｇからＰｄに拡散が進行するも
のであるが、この逆であってもよい。即ち、内部電極材
にＡｇ、金属粉末にＰｄを用いれば、内部電極材から金
属粉末中への拡散が行われる。
粉末にＡｇを使用し、ＡｇからＰｄに拡散が進行するも
のであるが、この逆であってもよい。即ち、内部電極材
にＡｇ、金属粉末にＰｄを用いれば、内部電極材から金
属粉末中への拡散が行われる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の積層セラ
ミックコンデンサの外部電極の形成方法は、金属粉末と
セラミック粉末との混合粉体中に積層セラミック体を入
れて熱処理を行い、その後に外部電極を形成するため、
下記の効果を有する。 （１）焼成後の積層セラミック体において内部電極の露
出が十分でなくても、熱処理によって内部電極の露出度
合いが良くなり、内部電極と外部電極の接触が確実にな
る。 （２）焼成後の積層セラミック体において内部電極の露
出が十分でなくても、熱処理によって内部及び外部電極
の接触が良好になり、設計どおりの静電容量が得られ
る。 （３）（１）、（２）より、製品の歩留りが向上する。
ミックコンデンサの外部電極の形成方法は、金属粉末と
セラミック粉末との混合粉体中に積層セラミック体を入
れて熱処理を行い、その後に外部電極を形成するため、
下記の効果を有する。 （１）焼成後の積層セラミック体において内部電極の露
出が十分でなくても、熱処理によって内部電極の露出度
合いが良くなり、内部電極と外部電極の接触が確実にな
る。 （２）焼成後の積層セラミック体において内部電極の露
出が十分でなくても、熱処理によって内部及び外部電極
の接触が良好になり、設計どおりの静電容量が得られ
る。 （３）（１）、（２）より、製品の歩留りが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の形成方法を説明するための図である。
【図２】内部電極を有する積層セラミック体の斜視図、
及びその斜視図の線Ａ−Ａにおける断面図である。
及びその斜視図の線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図３】図２に示す積層セラミック体をバレル研磨した
後の断面図である。
後の断面図である。
【図４】積層セラミック体に、本発明の形成方法を用い
て外部電極を形成した場合の一例の断面図である。
て外部電極を形成した場合の一例の断面図である。
【図５】積層セラミック体に、本発明の形成方法を用い
て外部電極を形成した場合の別例の断面図である。
て外部電極を形成した場合の別例の断面図である。
【図６】図３に示す積層セラミック体に、通常の方法で
外部電極を形成した断面図である。
外部電極を形成した断面図である。
【図７】図３に示す積層セラミック体に、本願出願人の
先願に記載された方法で外部電極を形成した断面図であ
る。
先願に記載された方法で外部電極を形成した断面図であ
る。
１ 積層セラミック体 ２ Ａｇ粉末（金属粉末） ３ ＺｒＯ2 粉末（セラミック粉末） ５ 耐熱容器 １１（ａ〜ｃ） 内部電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】図６に示す外部電極２０は、通常の方法で
形成されたものであり、例えばＡｇ又はＡｇ／Ｐｄ粉末
と、ガラスフリットと、結合剤とからなるペーストを塗
布し、これを７５０〜８５０℃で焼付け、ニッケルメッ
キ（更にハンダ又はスズメッキを施す場合もある）を施
したものである。一方、図７に示す外部電極３０は、本
願出願人の先願に係る、例えば特願平２−２１１５１１
号（特開平３−２２５８１０号）、特願平３−１２６１
０４号に記載されている方法を用いることにより、即ち
スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射によって設
けられた３〜４層の構造からなるものである。
形成されたものであり、例えばＡｇ又はＡｇ／Ｐｄ粉末
と、ガラスフリットと、結合剤とからなるペーストを塗
布し、これを７５０〜８５０℃で焼付け、ニッケルメッ
キ（更にハンダ又はスズメッキを施す場合もある）を施
したものである。一方、図７に示す外部電極３０は、本
願出願人の先願に係る、例えば特願平２−２１１５１１
号（特開平３−２２５８１０号）、特願平３−１２６１
０４号に記載されている方法を用いることにより、即ち
スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射によって設
けられた３〜４層の構造からなるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】ここで、熱処理によって生ずる拡散につい
て若干述べる。上記実施例では金属粉末にＡｇ、内部電
極材にＰｄを使用しており、両者の間でＡｇからＰｄへ
の拡散が起こる。拡散距離ＬはＬ＝２×（Ｄ×ｔ）1/2
〔Ｄ：拡散係数（ｃｍ2 ／ｓ）、ｔ：温度（Ｋ）〕で与
えられる。拡散係数ＤはＤ＝Ｄ0 ｅｘｐ（−Ｑ／ＲＴ）
〔Ｑ：活性エネルギー（ｃａｌ／ｍｏｌ）、Ｒ：気体定
数（１．９８６ｃａｌ／ｍｏｌ・Ｋ）、Ｔ：温度
（Ｋ）〕であるから、ＡｇとＰｄの拡散係数の差だけ拡
散することになる。この場合、温度ｔが高いほど拡散距
離Ｌが長くなることから、拡散距離Ｌのコントロールは
可能である。 ＜実験例＞実施例１〜４として、上記の如くＡｇ粉末と
ＺｒＯ2 粉末とを用いた熱処理を行い、続いて前記先願
の特願平２−２１１５１１号に記載された方法で外部電
極を作製してなる温度補償用セラミックコンデンサにお
いて、内部電極の露出、静電容量の合格率、熱処理後の
Ａｇ解コウを調べ、その結果を表１に記した。なお、比
較例１として、熱処理を行わずに上記公報記載の方法で
外部電極を形成したコンデンサについても同様に調べ
た。
て若干述べる。上記実施例では金属粉末にＡｇ、内部電
極材にＰｄを使用しており、両者の間でＡｇからＰｄへ
の拡散が起こる。拡散距離ＬはＬ＝２×（Ｄ×ｔ）1/2
〔Ｄ：拡散係数（ｃｍ2 ／ｓ）、ｔ：温度（Ｋ）〕で与
えられる。拡散係数ＤはＤ＝Ｄ0 ｅｘｐ（−Ｑ／ＲＴ）
〔Ｑ：活性エネルギー（ｃａｌ／ｍｏｌ）、Ｒ：気体定
数（１．９８６ｃａｌ／ｍｏｌ・Ｋ）、Ｔ：温度
（Ｋ）〕であるから、ＡｇとＰｄの拡散係数の差だけ拡
散することになる。この場合、温度ｔが高いほど拡散距
離Ｌが長くなることから、拡散距離Ｌのコントロールは
可能である。 ＜実験例＞実施例１〜４として、上記の如くＡｇ粉末と
ＺｒＯ2 粉末とを用いた熱処理を行い、続いて前記先願
の特願平２−２１１５１１号に記載された方法で外部電
極を作製してなる温度補償用セラミックコンデンサにお
いて、内部電極の露出、静電容量の合格率、熱処理後の
Ａｇ解コウを調べ、その結果を表１に記した。なお、比
較例１として、熱処理を行わずに上記公報記載の方法で
外部電極を形成したコンデンサについても同様に調べ
た。
Claims (1)
- 【請求項１】内部に複数枚の内部電極を有する積層セラ
ミック体を、内部電極材と異なる拡散係数を持つ金属粉
末と、内部電極材及び金属粉末に対して難反応性で且つ
耐高温性のセラミック粉末とを混合した粉体中に入れて
熱処理し、その後に積層セラミック体の一対の側端面に
外部電極を設けることを特徴とする積層セラミックコン
デンサの外部電極の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04156641A JP3121119B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
| US08/056,781 US5312581A (en) | 1992-06-16 | 1993-05-04 | Method for forming connector terminal electrodes of a lamination capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04156641A JP3121119B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065461A true JPH065461A (ja) | 1994-01-14 |
| JP3121119B2 JP3121119B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=15632109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04156641A Expired - Fee Related JP3121119B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5312581A (ja) |
| JP (1) | JP3121119B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103247437A (zh) * | 2012-02-03 | 2013-08-14 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷电子部件 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6254715B1 (en) * | 1999-03-22 | 2001-07-03 | Tdk Corporation | Process for production of electronic component having terminal electrode |
| JP3506964B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2004-03-15 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
| DE102007043098A1 (de) * | 2007-09-10 | 2009-03-12 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements |
| US20110052473A1 (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Tdk Corporation | Method of manufacturing active material |
| JP5444944B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2014-03-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 活物質及び活物質の製造方法 |
| JP5482062B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2014-04-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜コンデンサ及び薄膜コンデンサの製造方法 |
| JP2012169594A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-09-06 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品 |
| US9076600B2 (en) | 2012-03-27 | 2015-07-07 | Tdk Corporation | Thin film capacitor |
| US9030800B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-05-12 | Tdk Corporation | Thin film capacitor |
| JP6520085B2 (ja) | 2014-12-05 | 2019-05-29 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3679950A (en) * | 1971-04-16 | 1972-07-25 | Nl Industries Inc | Ceramic capacitors |
| US4158218A (en) * | 1977-09-19 | 1979-06-12 | Union Carbide Corporation | Ceramic capacitor device |
| US4568384A (en) * | 1983-05-12 | 1986-02-04 | Sprague Electric Company | Method for making Ag/Pd electroding powder |
| US4500368A (en) * | 1983-05-12 | 1985-02-19 | Sprague Electric Company | Ag/Pd electroding powder and method for making |
| US4584629A (en) * | 1984-07-23 | 1986-04-22 | Avx Corporation | Method of making ceramic capacitor and resulting article |
| EP0189087B1 (de) * | 1985-01-17 | 1988-06-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand (Varistor) |
| US4811162A (en) * | 1987-04-27 | 1989-03-07 | Engelhard Corporation | Capacitor end termination composition and method of terminating |
| DE3725454A1 (de) * | 1987-07-31 | 1989-02-09 | Siemens Ag | Elektrisches vielschichtbauelement mit einem gesinterten, monolithischen keramikkoerper und verfahren zur herstellung des elektrischen vielschichtbauelementes |
| EP0412259B1 (en) * | 1989-06-16 | 1995-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic devices, method for forming end terminations thereof and paste material for forming same |
| JPH04352309A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Rohm Co Ltd | 積層セラミックコンデンサにおける端子電極の構造及び端子電極の形成方法 |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP04156641A patent/JP3121119B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-05-04 US US08/056,781 patent/US5312581A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103247437A (zh) * | 2012-02-03 | 2013-08-14 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷电子部件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5312581A (en) | 1994-05-17 |
| JP3121119B2 (ja) | 2000-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |