CN103247437A - 陶瓷电子部件 - Google Patents

陶瓷电子部件 Download PDF

Info

Publication number
CN103247437A
CN103247437A CN2013100377431A CN201310037743A CN103247437A CN 103247437 A CN103247437 A CN 103247437A CN 2013100377431 A CN2013100377431 A CN 2013100377431A CN 201310037743 A CN201310037743 A CN 201310037743A CN 103247437 A CN103247437 A CN 103247437A
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass coating
electronic components
ceramic electronic
ceramic
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013100377431A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103247437B (zh
Inventor
西坂康弘
真田幸雄
喜住哲也
石塚明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN103247437A publication Critical patent/CN103247437A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103247437B publication Critical patent/CN103247437B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
    • H01G13/006—Apparatus or processes for applying terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors

Abstract

本发明提供一种陶瓷电子部件，在保持外部电极的厚度较薄的同时耐湿性优越。陶瓷电子部件(1)具备：陶瓷基体(10)、内部电极(11)、玻璃涂层(15)和电极端子(13)。内部电极(11)设置在陶瓷基体(10)内，端部在陶瓷基体(10)的表面露出。玻璃涂层(15)覆盖在陶瓷基体(10)的表面的内部电极(11)所露出的部分之上。电极端子(13)设置在玻璃涂层(15)的正上方。电极端子(13)由镀膜构成。玻璃涂层(15)由分散有金属粉(15a)的玻璃媒质(15b)构成。内部电极(11)在不贯通玻璃涂层(15)的范围内从陶瓷基体(10)的表面向玻璃涂层(15)中突出。金属粉(15a)形成了对内部电极(11)和电极端子(13)进行电连接的导通路径。

Description

陶瓷电子部件
技术领域
本发明涉及陶瓷电子部件。
背景技术
在现有技术中，在便携式电话机、便携式音乐播放器等电子设备中使用了以陶瓷电容器为代表的陶瓷电子部件。陶瓷电子部件一般具备：内部电极的端部在表面露出的陶瓷基体、和按照覆盖陶瓷基体的内部电极所露出的部分的方式配置的外部电极。外部电极例如存在如日本特开2002-203737号公报所记载的那样对涂敷导电性膏剂并煅烧后的烧结金属膜实施镀覆后的外部电极、或如日本特开2004-327983号公报所记载的那样仅由镀膜形成的外部电极等。
然而，在形成烧结金属膜到时候所使用的导电性膏剂由于粘度高，因此烧结金属膜的厚度变得较厚。例如，在日本特开2002-203737号公报中记载了下述内容：第1以及第2电极层(烧结金属膜)的厚度约为50μm～90μm。
另外，在由烧结金属膜形成了外部电极的情况下，将导电性膏剂煅烧时的煅烧温度高。因此，陶瓷基体所包含的陶瓷成分和导电性膏剂中的玻璃成分相互扩散，有时会在陶瓷基体与烧结金属膜之间的界面处形成反应层。因此存在：镀液从形成有该反应层的部分侵入，陶瓷基体的机械强度会下降这一问题、耐湿可靠性劣化这一问题。进而，如果煅烧温度高，则在烧结金属膜的表面会析出玻璃成分从而产生玻璃浮置，因此还存在着难以在烧结金属膜的表面形成镀膜这一问题。
因此，如日本特开2004-327983号公报那样提出仅由镀膜形成外部电极的方法。在仅由镀膜形成外部电极的情况下，与例如设置通过导电性膏剂的煅烧而形成的外部电极的情况相比，能够将外部电极厚度形成得较薄。
另外，由于在镀液中未包含玻璃成分，因此在陶瓷基体与镀膜之间的界面处不会形成反应层。由此，不易产生因形成反应层所导致的机械强度的下降、耐湿可靠性的劣化这样的问题。进而，也不会产生玻璃浮置的问题，因此不会产生难以形成镀膜这一问题。
但是，在通过镀覆形成外部电极的情况下，由于需要将陶瓷基体直接浸渍到镀液中，因此存在镀液从内部电极的露出部向陶瓷基体内浸入这一问题。其结果，有时耐湿性会下降。
另外，在仅由镀膜形成外部电极的情况下，由于镀膜和陶瓷基体未以化学的方式结合，只进行了物理上的结合，因此存在镀膜和陶瓷基体的密接性会下降这一问题。其结果，在使用陶瓷电子部件时，水分等易于从镀膜与陶瓷基体之间进入，因此有时耐湿性会下降。
发明内容
本发明主要目的在于提供一种在保持外部电极的厚度较薄的同时耐湿性优越的陶瓷电子部件。
本发明涉及的陶瓷电子部件具备：陶瓷基体、内部电极、玻璃涂层和电极端子。内部电极设置在陶瓷基体内，端部在陶瓷基体的表面露出。玻璃涂层覆盖在陶瓷基体的表面的内部电极所露出的部分之上。电极端子被设置于玻璃涂层的正上方。电极端子由镀膜构成。玻璃涂层由分散有金属粉的玻璃媒质构成。内部电极在不贯通玻璃涂层的范围内从陶瓷基体的表面突出到玻璃涂层中。金属粉形成了对内部电极和电极端子进行电连接的导通路径。
在本发明涉及的陶瓷电子部件的某特定方面，内部电极的从陶瓷基体的表面突出的突出部的长度在玻璃涂层的厚度的50％以下。
在本发明涉及的陶瓷电子部件的另一特定方面，内部电极的从陶瓷基体的表面突出的突出部的长度在玻璃涂层的厚度的34％以下。
在本发明涉及的陶瓷电子部件的其他特定方面，导通路径中的至少一个是通过沿着玻璃涂层的厚度方向配置的多个金属粉相互接触而形成的。
在本发明涉及的陶瓷电子部件的进一步其他特定方面，金属粉的主成分不同于在内部电极中被作为主成分而包含的金属。
在本发明涉及的陶瓷电子部件的进一步另一特定方面，金属粉的核心部由Cu构成。
在本发明涉及的陶瓷电子部件的另外其他特定方面，玻璃涂层的厚度为1μm～10μm。
在本发明涉及的陶瓷电子部件的另外另一特定方面，在沿着玻璃涂层的厚度方向的剖面，构成导通路径的金属粉的表面的剖面形状为非直线状。
在本发明涉及的陶瓷电子部件的进一步另外其他特定方面，导通路径分别具有多个相对细的部分和相对粗的部分。
在本发明涉及的陶瓷电子部件的进一步另一特定方面，镀膜的与玻璃涂层相接的部分由Cu镀膜或者Ni镀膜构成。
在本发明涉及的陶瓷电子部件的另外进一步其他特定方面，玻璃涂层中的玻璃的比例为35体积％以上。
根据本发明，能够提供在保持电极端子的厚度较薄的同时耐湿性优越的陶瓷电子部件。
附图说明
图1是第1实施方式涉及的陶瓷电子部件的略图性立体图。
图2是第1实施方式涉及的陶瓷电子部件的略图性侧视图。
图3是图1的线III-III处的示意性剖视图。
图4是将由图3的线IV包围的部分放大后的略图性剖视图。
图5将由图3的线V包围的部分放大后的略图性剖视图。
图6是在第1实施方式中制作出的陶瓷电子部件的玻璃涂层与第1电极端子的示意性剖视图。
图7是在第1实施方式中制作出的陶瓷电子部件的端面处的玻璃涂层的剖面的扫描型电子显微镜照片。
图8是图3的线VIII-VIII处的略图性剖视图。
图9是用于说明对本发明中的金属粉的长宽比进行测量的方法的示意性立体图。
图10是图9的线X-X处的示意性剖视图。
图11是形成有导电图案的陶瓷生片的略图性俯视图。
图12是第2实施方式涉及的陶瓷电子部件的略图性立体图。
图13是用于说明第2实施方式涉及的陶瓷电子部件的制造方法的示意性俯视图。
图14是第3实施方式涉及的陶瓷电子部件的略图性剖视图。
图15是第4实施方式涉及的陶瓷电子部件的略图性立体图。
图16是烧成导电性膏剂层而成的烧结金属膜的剖面照片。
具体实施方式
(第1实施方式)
以下，针对实施了本发明的优选方式的一例进行说明。其中，下述的实施方式只是简单的例示。本发明并不限定于下述的任意实施方式。
另外，在实施方式等中所参照的各附图中，假设实质上具有同一功能的构件利用同一符号进行参照。另外，实施方式等中所参照的附图只是示意性记载，在附图中被绘制的物体的尺寸的比率等有时不同于现实的物体的尺寸的比率等。即便在附图彼此之间，有时物体的尺寸比率等也会不同。具体物体的尺寸比率等应该参考以下的说明来进行判断。
图1是本实施方式涉及的陶瓷电子部件的略图性立体图。图2是本实施方式涉及的陶瓷电子部件的略图性侧视图。图3是图1的线III-III处的示意性剖视图。图4是将由图3的线IV包围的部分放大后的略图性剖视图。图5是将由图3的线V包围的部分放大后的略图性剖视图。图6是在本实施方式中制作出的陶瓷电子部件的玻璃涂层与第1电极端子的示意性剖视图。图7是在本实施方式中制作出的陶瓷电子部件的玻璃涂层与第1电极端子之间的界面部分的剖面的扫描型电子显微镜(SEM)照片。此外，图7是为了易于理解玻璃涂层的状态而仅形成了玻璃涂层时的照片。图8是图3的线VIII-VIII处的略图性剖视图。
首先，参照图1～图8，对陶瓷电子部件1的构成进行说明。
如图1～图3以及图8所示，陶瓷电子部件1具备陶瓷基体10。陶瓷基体10由与陶瓷电子部件1的功能相应的适当的陶瓷材料构成。具体而言，在陶瓷电子部件1为电容器的情况下，能够由电介质陶瓷材料形成陶瓷基体10。作为电介质陶瓷材料的具体例，例如可以举出BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等。此外，在陶瓷基体10包含电介质陶瓷材料的情况下，也可以在陶瓷基体10中根据所期望的陶瓷电子部件1的特性，以上述陶瓷材料作为主成分，并适当地添加例如Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土类化合物等副成分。
陶瓷基体10的形状并不特别进行限定。在本实施方式中，陶瓷基体10被形成为长方体状。如图1～图3所示，陶瓷基体10具有沿着长度方向L以及宽度方向W延伸的第1以及第2主面10a、10b。如图1、图2以及图8所示，陶瓷基体10具有沿着厚度方向T以及长度方向L延伸的第1以及第2侧面10c、10d。另外，如图2、图3以及图8所示，陶瓷基体10具备沿着厚度方向T以及宽度方向W延伸的第1以及第2端面10e、10f。
此外，在本说明书中，假设“长方体状”包含角部、棱线部被圆滑化后的长方体。即，“长方体状”的构件意味着具有第1以及第2主面、第1以及第2侧面、和第1以及第2端面的所有构件。另外，也可在主面、侧面、端面的一部分或者全部具有凹凸等。
陶瓷基体10的尺寸并不特别进行限定，但是陶瓷基体10在将陶瓷基体10的厚度尺寸设为DT、长度尺寸设为DL、宽度尺寸设为DW时，也可是满足DT＜DW＜DL、(1/5)DW≤DT≤(1/2)DW、或者、DT＜0.3mm这样的薄型的陶瓷基体。具体而言，可以为0.05mm≤DT＜0.3mm、0.4mm≤DL≤1mm、0.3mm≤DW≤0.5mm。
如图3以及图8所示，在陶瓷基体10的内部，大致矩形状的多个第1以及第2内部电极11、12沿着厚度方向T等间隔地交替配置。第1以及第2内部电极11、12的端部11a、12a在陶瓷基体10的表面露出。具体而言，第1内部电极11的一侧的端部11a在陶瓷基体10的第1端面10e露出。第2内部电极12的一侧的端部12a在陶瓷基体10的第2端面10f露出。
第1以及第2内部电极11、12分别与第1以及第2主面10a、10b大致平行。第1以及第2内部电极11、12在厚度方向T上，隔着陶瓷层10g而相互对置。
此外，陶瓷层10g的厚度并不特别进行限定。陶瓷层10g的厚度例如能够设为0.5μm～10μm。第1以及第2内部电极11、12各自的厚度也并不特别进行限定。第1以及第2内部电极11、12各自的厚度例如能够设为0.2μm～2μm。
第1以及第2内部电极11、12能够由适当的导电材料构成。第1以及第2内部电极11、12例如能够由Ni、Cu、Ag、Pd、Au等金属、或者由包含这些金属的一种金属在内的例如Ag-Pd合金等合金构成。
如图4所示，在陶瓷基体10的表面之上设置有玻璃涂层15。玻璃涂层15覆盖在陶瓷基体10的表面的第1以及第2内部电极11、12所露出的部分之上。具体而言，玻璃涂层15被设置于陶瓷基体10的第1以及第2端面10e、10f之上、第1以及第2主面10a以及10b在长度方向L上的两端部分之上、和第1以及第2侧面10c、10d在长度方向L上的两端部分之上。
如图5所示，内部电极11、12在不贯通玻璃涂层15的范围内，从陶瓷基体10的表面突出到玻璃涂层15中。内部电极11、12的从陶瓷基体10的表面突出的突出部11b、12b的长度优选为玻璃涂层15的厚度的50％以下，更优选为40％以下，进一步优选为35％以下，更优选为34％以下。突出部11b、12b的长度优选为1.7μm以下。
作为第1以及第2内部电极11、12从陶瓷基体10的表面突出的机理而考虑以下机理。即，认为是如下机理：在第1以及第2内部电极11、12的前端聚集了玻璃涂层15中所包含的金属，由此第1以及第2内部电极11、12中所包含的金属和玻璃涂层15中所包含的金属粉15a开始扩散，因而第1以及第2内部电极11、12的前端合金化，前端进行结晶生长，从而第1以及第2内部电极11、12从陶瓷基体10的表面突出。
如图6以及图7所示，玻璃涂层15由分散有金属粉15a的玻璃媒质15b构成。玻璃涂层15是玻璃媒质15b和金属粉15a被粘合而一体化的复合膜。玻璃媒质15b是玻璃粉在软化点以上被热处理而熔化之后，进行凝固而一体化的媒质。由此，玻璃媒质15b按照填埋金属粉15a之间的间隙的方式存在。玻璃媒质15b覆盖陶瓷基体10的表面。由于该玻璃媒质15b，陶瓷电子部件1的耐湿性得到提高。此外，图6以及图7是表示某一剖面的附图，在其他剖面中有时玻璃媒质15b、金属粉15a看起来会有所不同。
在玻璃涂层15中，玻璃媒质15b的体积含有量也可低于金属粉15a的体积含有量。玻璃涂层15中的玻璃媒质15b的比例优选为35体积％以上，更优选为35体积％～75体积％，进一步优选为40体积％～57.5体积％。在玻璃涂层15中的玻璃媒质15b的比例低于35体积％的情况下，有时因玻璃涂层15的存在所引起的陶瓷电子部件1的耐湿性提高效果会变小。另外，在玻璃涂层15中的玻璃媒质15b的比例超过75体积％的情况下，有时难以在玻璃涂层15的正上方形成第1以及第2电极端子13、14。构成玻璃媒质15b的玻璃例如优选包含：从由B2O3以及SiO2构成的群中选择出的1种以上的网眼形成氧化物、和从由Al2O3、ZnO、CuO、Li2O、Na2O、K2O、MgO、CaO、BaO、ZrO2以及TiO2构成的群中选择出的1种以上的网眼修饰氧化物。
玻璃媒质15b作为网眼修饰氧化物而优选包含与玻璃涂层15的金属粉15a相同的金属的氧化物。由此，玻璃涂层15中的玻璃粉容易被玻璃涂层15中的金属粉15a润湿。
玻璃媒质15b优选包含的SiO2最多。SiO2占玻璃整体的比例优选为35mol％以上。
在玻璃涂层15中，金属粉15a被分散于玻璃媒质15b中。玻璃涂层15中的金属粉15a的比例优选为25体积％～65体积％，更优选为50体积％～60体积％。金属粉15a例如通过Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等金属、或者包含这些金属中的至少一种金属在内的合金等构成。金属粉15a优选不将在第1以及第2内部电极11、12中被作为主成分而包含的金属包含为主成分。即，优选金属分15a的主成分不同于第1以及第2内部电极11、12的主成分。此外，在金属粉15a包含了被作为第1以及第2内部电极11、12的主成分而包含的金属的情况下，优选该金属的比例为金属粉15a的整体的10体积％以下。另外，优选金属粉15a的核心部由Cu构成。
玻璃涂层15不同于烧成导电性膏剂层而成的、由烧结金属以及玻璃构成的烧结金属膜。即，在玻璃涂层15中，穿梭金属粉15a之间而形成了连续的玻璃媒质15b，与之相对，在烧结金属膜中，形成有金属的基质(matrix)。在玻璃涂层15中，并非将金属粉15a全部一体式烧结，而是以玻璃媒质15b连结金属粉15a之间的方式存在，与之相对，如图16的照片所示那样，在烧结金属膜中，通过金属粉的烧结，从烧结金属膜中向烧结金属膜与陶瓷基体之间的界面挤出玻璃成分，因此玻璃存在于烧结金属膜与陶瓷基体之间的界面。另外，虽然在图16中无法确认，但是通过金属粉的烧结，从烧结金属膜中向烧结金属膜的表面挤出玻璃，因此，有时候玻璃也存在于烧结金属膜的表面。在烧成导电性膏剂层而成的烧结金属膜中，实质上所有的金属粉被烧结，实质上已经没有残留未烧结的金属粉。
金属粉15a在沿着玻璃涂层15的厚度方向T的剖面，优选为细长形状而非球形。金属粉15a在沿着玻璃涂层15的厚度方向T的剖面，优选为鳞片状、扁平状、针状等片状。此外，细长形状是指长宽比为3以上的情况。
金属粉15a的长宽比(aspect ratio)优选为3.6以上。首先，从陶瓷电子部件1的棱线部朝向对图9所示的第1电极端子13的第3部分13c的表面的对角进行连结的线X-X进行研磨，如图10所示那样使玻璃涂层15的剖面露出。然后，如图10所示，将该剖面沿着线X-X的方向进行4等分，在其边界的3个地方利用倍率5000倍、加速电压15kV的方式对玻璃涂层15进行SEM观察。然后，在各个地方处的SEM观察中，针对视野为30μm×30μm内包含的所有金属粉15a，在露出了各自的直径的剖面上进行测量，将其中的最大值选择为长径。然后，将沿着与选择出的金属粉15a的长径的轴相正交的轴的厚度的最大值选择为短径。所获得到的长径除以短径，从而算出金属粉15a的长宽比。同样地，如图10的箭头所示那样，在第2电极端子14的第3部分14c侧的玻璃涂层15，也算出金属粉15a的长宽比。将在第1以及第2电极端子13、14侧的双方的玻璃涂层15中算出的合计6个金属粉15a的长宽比的平均值设为本发明中的金属粉15a的长宽比。此外，在SEM观察中，在多个金属粉15a在各自的长径的方向上相接触从而如1个一体式金属粉15a那样被观察的情况下，将这种多个金属粉15a的一体化物整体的长径设为1个金属粉15a的长径。
金属粉15a的平均粒径优选为0.5μm～10μm。此外，在本发明中，金属粉15a的平均粒径是指，利用前述的方法来测量6个金属粉的各自的长径以及短径，将这6个金属粉的长径和短径全部进行合计所获得的值的平均值(用12去除而获得的值)。
金属粉15a形成了分别对第1以及第2内部电极11、12和第1以及第2电极端子13、14进行电连接的导通路径。导通路径中的至少一个是通过沿着玻璃涂层15的厚度方向T配置的多个金属粉15a相互接触而形成的。
在玻璃涂层15的厚度方向T的剖面，构成导通路径的金属粉15a的表面的剖面形状也可为非直线状。导通路径也可分别具有多个相对细的部分和相对粗的部分。
形成了导通路径的金属粉15a的长径优选为玻璃涂层15的厚度以上。形成了导通路径的金属粉15a的长径更优选为玻璃涂层15的厚度的1.5倍以上。
玻璃涂层15的厚度优选为1μm～10μm。在玻璃涂层15的厚度低于1μm的情况下，有时因玻璃涂层15的存在所引起的陶瓷电子部件1的耐湿性提高效果会变小。在玻璃涂层15的厚度超过10μm的情况下，玻璃涂层15中所包含的玻璃的绝对量变多。于是，构成第1以及第2内部电极11、12的成分在玻璃涂层15的已熔化的玻璃中容易进行液相扩散。在这种情况下，第1以及第2内部电极11、12的前端变细，在第1以及第2内部电极11、12与陶瓷层10g之间产生间隙，从而有时陶瓷电子部件1的耐湿性会下降。
使陶瓷电子部件1的侧面沿着长度方向L直到陶瓷电子部件1的中央为止进行剖面研磨，利用光学显微镜观察位于该剖面中的单侧的电极端子的端面中央部处的涂层15的厚度，由此能够测量玻璃涂层15的厚度。
第1电极端子13被设置于玻璃涂层15的正上方。第1电极端子13通过形成于玻璃涂层15的导通路径而与第1内部电极11电连接。第1电极端子13具备：在第1主面10a之上形成的第1部分13a、在第2主面10b之上形成的第2部分13b、在第1端面10e之上形成的第3部分13c、在第1侧面10c之上形成的第4部分13d、和在第2侧面10d之上形成的第5部分13e。
第2电极端子14被设置于玻璃涂层15的正上方。第2电极端子14通过被形成于玻璃涂层15的导通路径而与第2内部电极12电连接。第2电极端子14具备：在第1主面10a之上形成的第1部分14a、在第2主面10b之上形成的第2部分14b、在第2端面10f之上形成的第3部分14c、在第1侧面10c之上形成的第4部分14d、和在第2侧面10d之上形成的第5部分14e。
第1以及第2电极端子13、14由镀膜构成。镀膜优选通过从由Cu、Ni、Sn、Pd、Au、Ag、Pt、Bi以及Zn构成的组中选出的至少一种金属、或者包含这些金属之中的至少一种金属在内的合金而构成。第1以及第2电极端子13、14分别可以仅由1层的镀膜构成，也可以由2层以上的镀膜构成。例如，可以为Ni-Sn的2层构造、或Cu-Ni-Sn的3层构造。此外，如图6所示，在本实施方式中，第1以及第2电极端子13、14通过由Cu构成的第1层13p、由Ni构成的第2层13q、以及由Sn构成的第3层13r而构成。
玻璃涂层15和第1电极端子13的合计厚度优选为15μm～25μm。玻璃涂层15和第2电极端子14的合计厚度优选为15μm～25μm。
下面，对本实施方式的陶瓷电子部件1的制造方法的一例进行说明。
首先，准备包含用于构成陶瓷基体10的陶瓷材料在内的陶瓷生片20(参照图11)。然后，如图11所示，通过在该陶瓷生片20之上涂敷导电性膏剂，由此形成导电图案21。此外，导电性膏剂的涂敷例如能够利用丝网印刷法等各种印刷法来进行。导电性膏剂除了导电性微粒子之外，还可以包含公知的粘结剂、溶剂。
然后，使未形成有导电图案21的多片陶瓷生片20、形成有与第1或者第2内部电极11、12对应的形状的导电图案21的陶瓷生片20、以及未形成有导电图案21的多片陶瓷生片20按该顺序进行层叠，并在层叠方向上进行静水压加压，由此制作母层叠体。
然后，在母层叠体之上沿着虚拟的切割线切割母层叠体，由此从母层叠体中制作多个原始的陶瓷层叠体。
此外，母层叠体的切割能够通过切块、切断来进行。也可对原始的陶瓷层叠体实施滚磨等使棱线部、角部圆滑化。
然后，进行原始的陶瓷层叠体的烧成。在该烧成工序中，第1以及第2内部电极11、12被烧成。烧成温度能够根据所使用的陶瓷材料、导电性膏剂的种类而适当设定。烧成温度例如能够设为900℃～1300℃。
然后，根据浸渍(dipping)等方法，在烧成后的陶瓷层叠体之上涂敷玻璃膏剂。然后，通过对玻璃膏剂进行热处理，由此使玻璃粉熔化从而一体化，通过使其冷却由此形成玻璃媒质15b，通过使金属粉15a粘合由此形成玻璃涂层15。在玻璃涂层15的形成中用到的玻璃膏剂包含玻璃粉、金属粉15a、粘结剂、溶剂等。在此，玻璃粉优选使用粒径小于金属粉15a的玻璃粉。热处理温度优选为玻璃粉软化的温度以上的温度、且金属粉不烧结的温度。热处理温度例如优选为600℃～750℃。通过将热处理温度设为600℃～750℃，从而能够抑制玻璃涂层15中的第1以及第2内部电极11、12的突出部11b、12b的长度超过2μm。在热处理温度低于600℃的情况下，由于玻璃没有软化，因此有时与陶瓷基体10的密接性会变低。在热处理温度超过750℃的情况下，第1以及第2内部电极11、12的突出部11b、12b的长度容易超过玻璃涂层15的厚度的35％。另外，在热处理温度超过750℃的情况下，存在陶瓷基体10与玻璃涂层15开始反应，从而玻璃涂层15消失的可能性。
从抑制玻璃涂层15中的第1以及第2内部电极11、12的突出部11b、12b的长度超过2μm这一观点出发，优选热处理的时间(最高温度的保持时间)设为5分钟～30分钟。
然后，在玻璃涂层15之上实施镀覆，由此形成第1以及第2电极端子13、14。通过以上动作，从而能够制造陶瓷电子部件1。
(实验例1)
然后，在本实施方式中，以下示出实际上制作出陶瓷电子部件1的样品的例子。
烧制后的陶瓷基体的尺寸(设计值)：1.0mm×0.5mm×0.15mm
陶瓷材料：BaTiO3
烧制后的陶瓷层的厚度(设计值)：5μm
内部电极的材料：Ni
烧制后的内部电极的厚度(设计值)：0.6μm
内部电极的合计片数：45
烧成条件：以1200℃保持2小时
陶瓷电子部件的容量：0.47μF
玻璃涂层15的厚度：5μm
陶瓷电子部件的额定电压：4V
玻璃涂层15中所包含的金属粉：Cu粉
Cu粉的平均粒径：3μm
玻璃膏剂中的玻璃粉的主成分：硼硅酸玻璃
玻璃膏剂中的玻璃的软化点：600℃
玻璃粉的平均粒径：1μm
玻璃膏剂的固体含量中的Cu粉末与玻璃粉之比：50体积％/50体积％
热处理的条件：680℃
镀膜：在玻璃涂层15之上使Cu膜(厚度6μm)、Ni膜(厚度3μm)、Sn膜(厚度3μm)按该顺序形成。
(耐湿负荷试验)
在680℃下分别保持5分钟、15分钟、30分钟、60分钟、120分钟来进行玻璃膏剂的热处理，制作了各20个陶瓷电子部件1的样品。针对各样品，按如下方式进行了耐湿负荷试验。利用共晶焊料，将各样品安装到玻璃环氧基板。然后，使各样品在125℃、相对湿度95％RH的高温高湿槽内，以2V、72小时的条件进行耐湿加速试验，将绝缘电阻值(IR值)下降2个数量级以上的样品判断为耐湿性发生了劣化。
另外，对各样品的LT面进行剖面研磨直到W寸的中央部为止，利用SEM观察该剖面中的单侧的端面中央部处的陶瓷基体与玻璃涂层之间的界面部分(倍率5000倍、加速电压15kV、视野30μm×30μm)，分别测量从陶瓷基体表面突出的10片内部电极的突出部的长度，并算出了平均值。如此，针对5个样品分别求出突出部的平均值，并算出了各平均值的平均值。在表1中示出耐湿负荷试验的结果。
表1
Figure BDA00002801081800131
(实验例2)
除了将玻璃涂层15的厚度设为10μm之外，其余与实验例1同样地制作样品，并与实验例1同样地进行了耐湿负荷试验。在下述的表2中示出结果。
表2
Figure BDA00002801081800132
如以上说明过的那样，在本实施方式中，玻璃涂层15覆盖在陶瓷基体10的第1以及第2内部电极11、12所露出的部分之上。内部电极11、12在不贯通玻璃涂层15的范围内，从陶瓷基体10的表面突出到玻璃涂层15中。因此，水分不易从第1以及第2内部电极11、12的露出部向陶瓷基体10内浸入。因而，本实施方式涉及的陶瓷电子部件1在耐湿性方面优越。由表1以及表2所示的结果可知，从实现更优越的耐湿性的观点出发，突出部11b、12b的长度相对于玻璃涂层15的厚度之比((突出部11b、12b的长度)/(玻璃涂层15的厚度))优选为50％以下，更优选为40％以下，进一步优选为35％以下，还优选为34％以下。
以下，针对本发明的优选实施方式的其他例子进行说明。其中，在以下的说明中，利用共同的符号来参照具有与上述第1实施方式实质上共同功能的构件，并省略其说明。
(第2实施方式)
图12是第2实施方式涉及的陶瓷电子部件的略图性立体图。
在上述第1实施方式中，针对在第1以及第2侧面10c、10d上形成有第1以及第2电极端子13、14以及玻璃涂层15的例子进行了说明。但是，也可如图12所示那样，第1以及第2电极端子13、14以及玻璃涂层15实质上没有形成在第1以及第2侧面10c、10d上。
第2实施方式涉及的陶瓷电子部件例如能够按如下方式进行制造。与上述的第1实施方式涉及的陶瓷电子部件1的制造方法同样地获得母层叠体22(参照图13)。然后，在本实施方式中，如图13所示，在母层叠体22之上利用丝网印刷法等适当的印刷法而形成与构成第1以及第2电极端子13、14的第1以及第2部分13a、13b、14a、14b的部分相对应的形状的导电图案23。然后，在母层叠体22之上，沿着虚拟的切割线CL切割母层叠体22，由此从母层叠体22中制作多个原始的陶瓷层叠体。
然后，进行原始的陶瓷层叠体的烧成。然后，在陶瓷层叠体的两端面涂敷玻璃膏剂。然后，对玻璃膏剂进行热处理，由此形成与构成第1以及第2电极端子13、14的第3部分13c、14c的部分相对应的形状的玻璃涂层15。然后，在玻璃涂层15之上实施镀覆，由此形成第1以及第2电极端子13、14。如此，能够制造第2实施方式涉及的陶瓷电子部件。
此外，在第1以及第2电极端子13、14的第1以及第2部分13a、13b、14a、14b所形成的导电图案23、和在第1以及第2电极端子13、14的第3部分13c、14c所涂敷的玻璃膏剂，其金属的种类不同、或者无机填料的种类不同。例如，导电图案23包含Ni和与陶瓷基体10中所包含的陶瓷材料相同种类的陶瓷所构成的共通材料。
(第3实施方式)
图14是第3实施方式涉及的陶瓷电子部件的略图性剖视图。
在上述第1实施方式中，针对第1以及第2电极端子13、14以及涂层15的每一个被形成于第1以及第2主面10a、10b的双方之上的例子进行了说明。但是，本发明并不限定于该构成。只要第1以及第2电极端子13、14以及涂层15的每一个被形成于陶瓷基体10的表面中的任一部分之上即可。
例如，也可如图14所示，将第1以及第2电极端子13、14以及涂层15的每一个仅形成于第1以及第2主面10a、10b之中的第2主面10b之上。
(第4实施方式)
图15是第4实施方式涉及的陶瓷电子部件的略图性立体图。
在上述第1实施方式中，针对在将陶瓷基体10的厚度尺寸设为DT、长度尺寸设为DL、宽度尺寸设为DW时DT＜DW＜DL的例子进行了说明。但是，也可如图15所示为DW≤DT＜DL。
如上述，根据本发明，能够提供耐湿性优越的陶瓷电子部件。只要具有这种构造，本发明就能够广泛地应用于各种各样的层叠电子部件。
例如，在陶瓷电子部件为陶瓷压电元件的情况下，能够由压电陶瓷材料形成陶瓷基体。作为压电陶瓷材料的具体例，例如可举出PZT(锆钛酸铅)系陶瓷材料等。
另外，在陶瓷电子部件1为热敏元件的情况下，能够由半导体陶瓷材料形成陶瓷基体。作为半导体陶瓷材料的具体例，例如可举出尖晶石系陶瓷材料等。
进而，在陶瓷电子部件1为电感器元件的情况下，能够由磁性体陶瓷材料形成陶瓷基体。作为磁性体陶瓷材料的具体例，例如可举出铁氧体陶瓷材料等。

Claims (11)

1.一种陶瓷电子部件，具备：
陶瓷基体；
内部电极，其设置在所述陶瓷基体内，端部在所述陶瓷基体的表面露出；
玻璃涂层，其覆盖在所述陶瓷基体的表面的所述内部电极所露出的部分之上；和
电极端子，其由镀膜构成，被设置在所述玻璃涂层的正上方，
所述玻璃涂层由分散有金属粉的玻璃媒质构成，
所述内部电极在不贯通所述玻璃涂层的范围内从所述陶瓷基体的表面突出到所述玻璃涂层中，
所述金属粉形成了对所述内部电极和所述电极端子进行电连接的导通路径。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，
所述内部电极的从所述陶瓷基体的表面突出的突出部的长度在所述玻璃涂层的厚度的50％以下。
3.根据权利要求2所述的陶瓷电子部件，其中，
所述内部电极的从所述陶瓷基体的表面突出的突出部的长度在所述玻璃涂层的厚度的34％以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，
所述导通路径中的至少一个是通过沿着所述玻璃涂层的厚度方向配置的多个所述金属粉相互接触而形成的。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，
所述金属粉的主成分不同于在所述内部电极中被作为主成分而包含的金属。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，
所述金属粉的核心部由Cu构成。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，
所述玻璃涂层的厚度为1μm～10μm。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，
在沿着所述玻璃涂层的厚度方向的剖面，构成了所述导通路径的所述金属粉的表面的剖面形状为非直线状。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，
所述导通路径分别具有多个相对细的部分和相对粗的部分。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，
所述镀膜的与所述玻璃涂层相接的部分由Cu镀膜或者Ni镀膜构成。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，
所述玻璃涂层中的玻璃的比例为35体积％以上。
CN201310037743.1A 2012-02-03 2013-01-31 陶瓷电子部件 Active CN103247437B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012022322 2012-02-03
JP2012-022322 2012-02-03
JP2012284452A JP5796568B2 (ja) 2012-02-03 2012-12-27 セラミック電子部品
JP2012-284452 2012-12-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103247437A true CN103247437A (zh) 2013-08-14
CN103247437B CN103247437B (zh) 2016-06-29

Family

ID=48902690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310037743.1A Active CN103247437B (zh) 2012-02-03 2013-01-31 陶瓷电子部件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9224543B2 (zh)
JP (1) JP5796568B2 (zh)
KR (1) KR101547677B1 (zh)
CN (1) CN103247437B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107039180A (zh) * 2015-10-06 2017-08-11 Tdk株式会社 电子部件
CN107180699A (zh) * 2016-03-09 2017-09-19 株式会社村田制作所 电子部件及其制造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6795292B2 (ja) * 2015-09-15 2020-12-02 Tdk株式会社 積層電子部品
JP6487364B2 (ja) * 2016-03-30 2019-03-20 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
KR102066884B1 (ko) * 2016-09-28 2020-01-16 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전자부품
JP7015636B2 (ja) * 2017-01-27 2022-02-03 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品
JP7302940B2 (ja) * 2017-01-27 2023-07-04 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品
KR102333093B1 (ko) 2019-07-08 2021-12-01 삼성전기주식회사 커패시터 부품
KR20220096544A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 삼성전기주식회사 전자 부품

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85108402A (zh) * 1984-11-28 1986-06-10 恩格尔哈德公司 生产多层陶瓷电容器端膜的方法和配方
JPH0423308A (ja) * 1990-05-14 1992-01-27 Mitsubishi Materials Corp セラミックコンデンサ
JPH065461A (ja) * 1992-06-16 1994-01-14 Rohm Co Ltd 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法
JPH09283365A (ja) * 1996-04-18 1997-10-31 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品及びその製造方法
US5712758A (en) * 1995-04-18 1998-01-27 Rohm Co., Ltd. Multilayer ceramic chip capacitor and a process for its manufacture
JPH11243029A (ja) * 1998-02-26 1999-09-07 Kyocera Corp 端子用導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ
JP2007036003A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Kyocera Corp 積層コンデンサ

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3809973A (en) * 1973-07-06 1974-05-07 Sprague Electric Co Multilayer ceramic capacitor and method of terminating
US4082906A (en) * 1977-02-14 1978-04-04 San Fernando Electric Manufacturing Company Low temperature fired ceramic capacitors
US4353153A (en) * 1978-11-16 1982-10-12 Union Carbide Corporation Method of making capacitor with CO-fired end terminations
US4517155A (en) * 1982-05-18 1985-05-14 Union Carbide Corporation Copper base metal termination for multilayer ceramic capacitors
DE3771973D1 (de) * 1986-08-18 1991-09-12 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von fuellschichtbauteilen.
JPH0897075A (ja) 1994-09-29 1996-04-12 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品の製造方法
JPH09102854A (ja) 1995-10-03 1997-04-15 Minolta Co Ltd 画像読取装置
KR100202500B1 (ko) * 1995-11-29 1999-06-15 모리시타 요이치 세라믹전자부품 및 그 제조방법
JP3039386B2 (ja) 1996-08-05 2000-05-08 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
SG48535A1 (en) 1996-08-05 1998-04-17 Murata Manufacturing Co Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using the same
JP2000077258A (ja) 1998-08-27 2000-03-14 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品及びその製造方法
JP3760770B2 (ja) 2001-01-05 2006-03-29 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品及びその製造方法
US7177137B2 (en) 2002-04-15 2007-02-13 Avx Corporation Plated terminations
US7152291B2 (en) 2002-04-15 2006-12-26 Avx Corporation Method for forming plated terminations
US6960366B2 (en) 2002-04-15 2005-11-01 Avx Corporation Plated terminations
TWI260657B (en) 2002-04-15 2006-08-21 Avx Corp Plated terminations
US6982863B2 (en) 2002-04-15 2006-01-03 Avx Corporation Component formation via plating technology
US7463474B2 (en) 2002-04-15 2008-12-09 Avx Corporation System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components
US7576968B2 (en) 2002-04-15 2009-08-18 Avx Corporation Plated terminations and method of forming using electrolytic plating
US6958899B2 (en) * 2003-03-20 2005-10-25 Tdk Corporation Electronic device
GB2400493B (en) 2003-04-08 2005-11-09 Avx Corp Plated terminations
JP2005228610A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及びセラミック電子部品
JP2011049351A (ja) * 2009-08-27 2011-03-10 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサ
KR101079546B1 (ko) * 2009-12-30 2011-11-02 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
JP5589891B2 (ja) * 2010-05-27 2014-09-17 株式会社村田製作所 セラミック電子部品及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85108402A (zh) * 1984-11-28 1986-06-10 恩格尔哈德公司 生产多层陶瓷电容器端膜的方法和配方
JPH0423308A (ja) * 1990-05-14 1992-01-27 Mitsubishi Materials Corp セラミックコンデンサ
JPH065461A (ja) * 1992-06-16 1994-01-14 Rohm Co Ltd 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法
US5712758A (en) * 1995-04-18 1998-01-27 Rohm Co., Ltd. Multilayer ceramic chip capacitor and a process for its manufacture
JPH09283365A (ja) * 1996-04-18 1997-10-31 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JPH11243029A (ja) * 1998-02-26 1999-09-07 Kyocera Corp 端子用導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ
JP2007036003A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Kyocera Corp 積層コンデンサ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107039180A (zh) * 2015-10-06 2017-08-11 Tdk株式会社 电子部件
CN107039180B (zh) * 2015-10-06 2018-11-09 Tdk株式会社 电子部件
CN107180699A (zh) * 2016-03-09 2017-09-19 株式会社村田制作所 电子部件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101547677B1 (ko) 2015-08-27
KR20130090334A (ko) 2013-08-13
JP5796568B2 (ja) 2015-10-21
CN103247437B (zh) 2016-06-29
US9224543B2 (en) 2015-12-29
JP2013179267A (ja) 2013-09-09
US20130201600A1 (en) 2013-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103247439B (zh) 陶瓷电子部件
CN103247437B (zh) 陶瓷电子部件
JP5971236B2 (ja) セラミック電子部品及びガラスペースト
JP5799948B2 (ja) セラミック電子部品及びその製造方法
CN104282438B (zh) 陶瓷电子部件及其制造方法
JP4983799B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
KR101678103B1 (ko) 세라믹 전자부품
JPWO2006085507A1 (ja) 表面実装型負特性サーミスタ
CN214099309U (zh) 线圈部件
JP5077245B2 (ja) 抵抗ペーストおよび積層セラミックコンデンサ
CN103247438A (zh) 陶瓷电子部件及其制造方法
KR20170005645A (ko) 적층 세라믹 전자부품
KR102562429B1 (ko) 도전성 페이스트 및 적층형 전자부품
CN100385583C (zh) 制造多层陶瓷电容器的方法和由其制成的多层陶瓷电容器
JP2022105266A (ja) 積層型電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant