EP0189087B1 - Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand (Varistor) - Google Patents

Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand (Varistor) Download PDF

Info

Publication number
EP0189087B1
EP0189087B1 EP86100376A EP86100376A EP0189087B1 EP 0189087 B1 EP0189087 B1 EP 0189087B1 EP 86100376 A EP86100376 A EP 86100376A EP 86100376 A EP86100376 A EP 86100376A EP 0189087 B1 EP0189087 B1 EP 0189087B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layers
varistor
voltage
weight
electrical resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
EP86100376A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP0189087A1 (de
Inventor
Günter Dipl.-Ing. Ott
Franz Dr. Zettl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Bauelemente OHG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens Bauelemente OHG
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Bauelemente OHG, Siemens AG filed Critical Siemens Bauelemente OHG
Priority to AT86100376T priority Critical patent/ATE35344T1/de
Publication of EP0189087A1 publication Critical patent/EP0189087A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP0189087B1 publication Critical patent/EP0189087B1/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/1006—Thick film varistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
    • H01C17/06546—Oxides of zinc or cadmium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/102—Varistor boundary, e.g. surface layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/105—Varistor cores
    • H01C7/108—Metal oxide
    • H01C7/112—ZnO type

Definitions

  • the invention relates to a voltage-dependent electrical resistor (varistor) consisting of a ceramic, monolithic body made of a large number of 20 to 350 ⁇ m thick layers of varistor material with grain sizes of 7 to 20 ⁇ m based on zinc oxide (ZnO) with up to 6 mol. % of additions of oxides of one or more of the metals Bi, Sb, Co, Ni, Cr, Mn, Mg, B, Al, Ba and serving as coatings, at most 10 ⁇ m thick noble metal layers, which alternate with the varistor material layers and alternate to different locations of the side surfaces of the body and there are electrically conductive and opposite polar contacts with other metal layers.
  • a voltage-dependent electrical resistor consisting of a ceramic, monolithic body made of a large number of 20 to 350 ⁇ m thick layers of varistor material with grain sizes of 7 to 20 ⁇ m based on zinc oxide (ZnO) with up to 6 mol. % of additions of oxides of one or more of the metals Bi, Sb,
  • Such a varistor is described in the publication “Advances in Ceramics” (American Ceram. Society, Columbus) 1981, Vol. 1, pages 349 to 358.
  • the average grain size is given there as 10 ⁇ m.
  • the response voltage per grain boundary is 2 to 3 V.
  • the information for the thickness of the varistor material layers is 20 to 200 ⁇ m, the properties of varistors having a layer thickness of 40 ⁇ m or 150 ⁇ m being measured with 20 layers stacked one on top of the other.
  • the non-linearity coefficient a is given as 20 to 30, while the varistor voltage, measured at 1 mA, is given as 4 to 40 volts.
  • Fired-in silver electrodes are specified as metal layers for contacting the coatings arranged alternately in the monolithic body on its surface. There is no further information about the material of the linings inside the monolithic body. There is also no information about the porosity of the material.
  • I 2 is an ampere
  • I 1 1 mA
  • U 2 is the voltage measured at 1 A
  • U is the voltage measured at 1 mA.
  • the voltage that is measured at 1 mA is defined as the varistor voltage on page 52.
  • the varistor voltage is used to classify varistors.
  • Varistors for low voltages so-called low-voltage varistors, which are manufactured using conventional technology, have grain sizes of approximately 100 ⁇ m and even larger in order to keep the number of grain boundaries between the layers low.
  • Low-voltage varistors manufactured in this way cannot generally be used to protect against higher voltages because the heat generated in the ceramic body cannot be dissipated.
  • the present invention has for its object to improve a voltage-dependent electrical resistance (varistor) of the type specified in such a way that the range of the varistor voltage is expanded so that in this way and from the same material, varistors with different varistor voltages can be produced that the The amount of palladium usually used for such components is reduced and that, last but not least, improved heat dissipation results.
  • varistor voltage-dependent electrical resistance
  • the low porosity which should preferably be less than 1%, ensures that the metal of the internal electrodes cannot penetrate into pores, which results in a shortened electrode gap, which leads to an early flashover (short circuit) when the pulse is loaded.
  • the reduction in the bismuth content from usually more than 2 mol% to at most 1 mol% and preferably 0.6 mol% has the effect that, on the one hand, the grain growth is reduced and thus the grain size distribution is evened out, and on the other hand, that the reaction of the deposits with the Ceramic material is avoided at the sintering temperature, which prevents alloying of the palladium with the consequence of the island formation of the deposits.
  • the toppings preferably consist of 70% by weight of silver and 30% by weight of palladium.
  • the ceramic body consists of varistor material layers, the thickness of which is in the range from 35 ⁇ m to 350 ⁇ m, thicker layers resulting in higher varistor voltages in the range from 4 volts to 350 volts.
  • the varistor body is preferably 1 to 10 mm long, 1 to 3.6 mm wide and 0.5 to 3 mm thick where where the thickness is always less than the smallest length or width.
  • the low bismuth content enables sintering temperatures of up to 1150 ° C, which means that with thin layer thicknesses and a corresponding number of layers, varistors can be produced with a varistor voltage down to 4 V.
  • varistors are manufactured using multilayer technology in the same way as is known, for example, for ceramic multilayer capacitors.
  • organic binder materials e.g. polymethyl acrylates, methyl cellulose, polyvinyl alcohol
  • solvents e.g. water, ethyl methyl ketone
  • plasticizers phthalates, esters
  • a sample of the inner coverings made from the specified silver-palladium compound is applied to pieces of postcard size in this way, after which a corresponding number of such postcard-sized films are stacked on top of one another such that the alternating displacement of the coverings results in the finished body.
  • the layer varistor is separated from the stack in its raw form and - after passing through a tempering and binder burnout cycle common in multi-layer technology - sintered at temperatures up to 1150 ° C.
  • the varistor body 1 is shown schematically, which consists of layers 2 of varistor material.
  • the coverings 3 and 4 alternate with varistor material layers 2, the coverings 3 in the present case being guided to the right outer surface 5 and the coverings 4 to the left outer surface 6 of the ceramic body.
  • the ceramic body 1 consists of a monolithic block, in the interior of which the coatings 3 and 4 are arranged. It is also possible for the coverings 3 and 4 to protrude on the same side of the monolithic block, the ends to be contacted then alternatingly ending at different locations on this surface side and being contacted there with opposite poles.
  • opposite-pole means that the coatings 3 on the surface 5 with a further metal layer 7, e.g. made of silver or another solderable metal, which is connected to a pole of the voltage source or the circuit, while the coatings 4 on the surface side 6 by the further metal layer 8, also made of silver or the like, connected to each other The opposite pole of the voltage source or the circuit are connected.
  • Reference number 9 denotes the thickness of the layers 2 made of varistor material.
  • a prerequisite for the operation of the varistor is that the distances 10 and 11 between the top layer 3 and the bottom layer 4 and the surface 14 or the surface 15, as well as the distances 12 of the layers 3 from the metal layer 8 and the distances 13 of the metal layers 4 to the metal layer 7 are each greater than the thickness 9 of the layers 2 made of varistor material.
  • varistor material layers 2 ′ are present, for example, which do not contain any coatings 3 or 4. In FIG. 1, this is due to the boundary lines 16 and 17 between the top layer 2 provided with a covering 3 and the layer 2 ′ without a covering or between the lower layer 2 provided with the covering 4 and the layer 2 without a covering 'shown.
  • the varistor according to the invention can be provided with power supply wires 18 and 19, which are soldered to the metal layers 7 or 8 or attached in some other way.
  • the varistor according to the invention is to be used as a chip by placing it on and attaching it to contact points on printed conductor tracks, then instead of the current supply wires there may be contact surfaces which, in the present example, through the extensions 20 and 21 in the metal layer 7 on the surfaces 14 and 15, and are represented by extensions 22 and 23 of the metal layer 8 on the surfaces 14 and 15.
  • the grid spacing 24 between the power supply wires 18 and 19 is to be defined, as is known per se for such components.
  • the necessary spacing 25 between the extensions 20 and 22 or 21 and 23 can be determined by appropriate choice of dimensions.
  • the UI diagram shown in FIG. 2 shows one of the advantages of the present invention, which consists in the fact that the small amount of bismuth in the varistor material and the possible use of silver in larger amounts for the coatings 3 and 4 compared to the palladium make alloying away of the metal of the coverings and thus an island formation which deteriorates the properties does not occur.
  • the island formation which is caused by alloying away the linings (migration), causes the terminal voltage to rise sharply at high currents, because the series resistance of the linings increases sharply due to this island formation.
  • FIG. 3 shows a U-I diagram in which a varistor of the present invention (curve 30) is compared with known varistors (curves 28 and 29).
  • curve 30 a varistor of the present invention
  • curves 28 and 29 known varistors
  • Curve 28 applies to varistors which consist of 20 varistor material layers each with a thickness of 40 gm, while curve 29 applies to known varistors with 20 varistor material layers each 150 ⁇ m thick.
  • Curve 30 applies to varistors of the present invention made of 50 layers each 30 ⁇ m thick.
  • the heat dissipation from the body with coatings of 70% silver and 30% palladium, each with a thickness of 2.0 ⁇ m, is sufficiently large to ensure the functionality of the varistor To ensure even at high currents or voltages.
  • the diagram according to FIG. 4 shows the varistor voltage as a function of the sintering temperature at a sintering time of one hour for varistors which consist of 10 layers, with different layer thicknesses being present.
  • the varistor voltage is given in volts on the ordinate and the sintering temperature t s in ° C on the abscissa.
  • the coatings consist of 70% silver and 30% palladium and are 2 ⁇ m thick.
  • Curve 31 applies to varistors with 10 layers, each with a layer thickness of 165 ⁇ m.
  • Curve 32 applies to varistors consisting of 10 layers with a layer thickness of 77 pm each.
  • Curve 33 applies to varistors with 10 layers each with a thickness of 37 ⁇ m and curve 34 applies to varistors with 10 layers each with a layer thickness of 23 p.m.
  • the protection level of varistors is the terminal voltage of a current pulse of the indicated current intensity that occurs at a varistor.
  • the terminal voltage is shown in volts on the ordinate, while the sintering temperature t s is given in ° C on the abscissa.
  • the specified varistor material ensures a dielectric strength of 300 V / mm, which ensures sufficient slope (non-linearity exponent a) even with thin layers.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft einen spannungsabhängigen elektrischen Widerstand (Varistor) bestehend aus einem keramisch hergestellten, monolithischen Körper aus einer Vielzahl von 20 bis 350 µm dicken Schichten aus Varistormaterial mit Korngrössen von 7 bis 20 µm auf der Basis von Zinkoxid (ZnO) mit bis 6 Mol-% an Zusätzen von Oxiden eines oder mehrerer der Metalle Bi, Sb, Co, Ni, Cr, Mn, Mg, B, Al, Ba und als Beläge dienenden, höchstens 10 µm dicken Edelmetallschichten, die mit den Varistormaterialschichten abwechseln und alternierend zu verschiedenen Stellen der Seitenflächen des Körpers geführt und dort mit weiteren Metallschichten elektrisch leitend und gegenpolig kontaktiert sind.
  • Es handelt sich somitum einen Varistor, der in Vielschichttechnik hergestellt ist.
  • Ein solcher Varistor ist in der Veröffentlichung «Advances in Ceramics» (American Ceram. Society, Columbus) 1981, Vol. 1, Seiten 349 bis 358 beschrieben. Die durchschnittliche Komgrösse ist dort mit 10 µm angegeben. Die Ansprechspannung pro Korngrenze beträgt 2 bis 3 V. Die Angaben für die Dicke der Varistormaterialschichten sind 20 bis 200 µm, wobei die Eigenschaften an Varistoren mit einer Schichtdicke von 40 µm bzw. 150 µm bei 20 übereinander gestapelten Schichten gemessen wurden. Der Nichtlinearitäts-Koeffizient a ist mit 20 bis 30 angegeben, während die Varistorspannung, gemessen bei 1 mA, mit 4 bis 40 Volt angegeben ist.
  • Als Metallschichten zur Kontaktierung der alternierend im monolithischen Körper angeordneten Beläge an seiner Oberfläche sind eingebrannte Silberelektroden angegeben. Nähere Angaben über das Material der Beläge im Inneren des monolithischen Körpers sind nicht enthalten. Ebenso fehlen Angaben über die Porosität des Materials.
  • In der Veröffentlichung «Journal of Applied Physics», 54 (5) Mai 1983, Seiten 2764 bis 2772, die sich ebenfalls, wie auch die oben diskutierte Veröffentlichung, mit Niederspannungsvaristoren befasst, ist auf Seite 2765, linke Spalte, unter Bezugnahme auf die oben angegebene Veröffentlichung ausgeführt, Varistoren in Vielschichttechnik würden veringerte Stromdichte bei Überspannungen und hohe Kapazität aufweisen, ohne dass das Grundproblem der Korngrössenverteilung damit gelöst werde.
  • In der SIEMENS-Broschüre «Edelgasgefüllte Überspannungsableiter; Metalloxid-Varistoren SIOV» von November 1984 sind auf den Seiten 44 bis 63 im einzelnen die theoretischen Grundlagen über Metalloxid-Varistoren auf der Basis von Zinkoxid erläutert, und es sind auch die Definitionen für die einzelnen Begriffe enthalten.
  • So ist auf Seite 48 der Nichtlinearitätsexponent a angegeben mit
  • Figure imgb0001
    I2 ist dabei ein Ampere, I1 = 1 mA, U2 ist die bei 1 A gemessene Spannung und U, ist die bei 1 mA gemessene Spannung.
  • Als Varistorspannung ist auf Seite 52 die Spannung definiert, die bei 1 mA gemessen wird. Die Varistorspannung dient zur Klassifizierung von Varistoren.
  • Varistoren für geringe Spannungen, sogenannte Niederspannungsvaristoren, die nach der üblichen Technik hergestellt werden, haben Korngrössen von ca. 100 µm und auch noch darüber, um die Zahl der Korngrenzen zwischen den Belägen gering zu halten.
  • Ein derartig grob kristallisierendes Material führt aber zu dem Problem, dass die Korngrössenverteilung stark streut und damit die Steilheit der I-U-Kennlinie (Nichtlinearität-Koeffizient a) stark absinkt.
  • Derartig hergestellte Niederspannungs-Varistoren sind in aller Regel zum Schutz gegen höhere Spannungen nicht einsetzbar, weil dann die Abfuhr der im Keramikkörper entstehenden Wärme nicht gewährleistet ist.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen spannungsabhängigen elektrischen Widerstand (Varistor) der eingangs angegebenen Art dahingehend zu verbessern, dass der Bereich der Varistorspannung erweitert wird, dass auf diesem Wege und aus dem gleichen Material Varistoren mit unterschiedlichen Varistorspannungen hergestellt werden können, dass die Menge des für derartige Bauelemente üblicherweise verwendeten Palladiums verringert wird und dass nicht zuletzt eine verbesserte Wärmeableitung resultiert.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe ist der spannungsabhängige elektrische Widerstand der eingangs angegebenen Art erfindungsgemäss dadurch gekennzeichnet, dass
    • a) die Porosität der Varistormaterialschichten des Keramikkörpers 5% nicht übersteigt,
    • b) der Anteil an Wismuth (Bi, gerechnet als Bi203) im Varistormaterial 0,4 bis höchstens 1 Mol-% (entsprechend 2 bis 5 Gew.-%) beträgt und
    • c) die Beläge aus 50 bis 80 Gew.-% Silber (Ag) und 50 bis 20 Gew.-% Palladium (Pd) bestehen.
  • Durch die geringe Porosität, die vorzugsweise weniger als 1 % betragen soll, wird gewährleistet, dass das Metall der Innenelektroden nicht in Poren eindringen kann, wodurch nämlich eine verkürzte Elektrodenstrecke entsteht, die bei Impulsbelastung zu einem frühzeitigen Überschlag (Kurzschluss) führt. Die Verringerung des Wismuthanteiles von üblicherweise mehr als 2 Mol-% auf höchstens 1 Mol-% und vorzugsweise 0,6 Mol-% bewirkt, dass einerseits das KornwacHstum verringert und damit die Korngrössenverteilung vergleichmässigt wird, und andererseits, dass die Reaktion der Beläge mit dem Keramikmaterial bei der Sintertemperatur vermieden wird, wodurch ein Weglegieren des Palladiums mit der Folge der Inselbildung der Beläge vermieden wird.
  • Vorzugsweise bestehen die Beläge aus 70 Gew.- % Silber und 30 Gew.-% Palladium.
  • Ferner ist es vorteilhaft, wenn der Keramikkörper aus Varistormaterialschichten besteht, deren Dicke im Bereich von 35 µm bis 350 µm liegt, wobei dickere Schichten höhere Varistorspannungen im Bereich von 4 Volt bis 350 Volt ergeben.
  • Der Varistorkörper ist vorzugsweise 1 bis 10 mm lang, 1 bis 3,6 mm breit und 0,5 bis 3 mm dick, wobei die Dicke stets geringer als die geringste Länge bzw. Breite ist.
  • Die bevorzugte Zusammensetzung des Varistormaterials ist wie folgt (Angaben in Mol-% und jeweils dahinter in Klammer gesetzt in Gew.-%):
    • Zn0 94,6 (87,3), Bi203 0,6 (3,2), Sb203 1,6 (5,1), C0304 0,4 (1,1), Ni0 1,3 (1,1), Cr2O3 0,6 (1,1), MnC03 0,8 (1,02), Mg0 0,06 (0,003), B203 0,033 (0,05), AI203 0,002 (0,017) und BaC03 0,005 (0,001
  • Der geringe Wismuthanteil ermöglicht Sintertemperaturen bis 1150°C, wodurch bei dünnen Schichtdicken und entsprechender Anzahl der Schichten Varistoren mit einer Varistdrspannung bis herab zu 4 V hergestellt werden können.
  • Die Herstellung dieser Varistoren in Vielschichttechnik erfolgt in der gleichen Weise, wie dies beispielsweise für keramische Vielschichtkondensatoren bekannt ist. Es wird in diesem Zusammenhang auf die USA-Patentschriften 2 736 080 und 3 235 939 sowie auf die DE-PS 1 282 119 verwiesen.
  • Aus dem Ausgangsmaterial, das durch Feinmahlung eine mittlere Korngrösse von etwa 1 µm aufweist, wird durch Zuhilfenahme von organischen Bindermaterialien (z.B. Polymethylacrylate, Methylcellulose, Polyvinylalkohol) und Lösungsmitteln (z.B. Wasser, Ethylmethylketon) sowie Weichmachern (Phthalate, Ester) - wie es an sich bekannt ist - ein Schlicker hergestellt, der dann mittels üblicher Technologien (Kalandrierung, Abstreiftechnik - doctor blade) zu einer sehr dünnen Folie ausgezogen wird. Auf diese so hergestellten Folien wird auf Stücke von etwa Postkartengrösse ein Muster der inneren Beläge aus der angegebenen Silber-Palladiumverbindung aufgetragen, wonach eine entsprechende Zahl solcher postkartengrossen Folien derart übereinander gestapelt wird, dass die alternierende Versetzung der Beläge im fertigen Körper resultiert. Schliesslich wird nach einem Pressvorgang aus dem Stapel der Schichtvaristor in Rohform abgetrennt und - nach dem Durchlauf eines in der Vielschichttechnik üblichen Temper- und Binderausbrennzyklus - bei Temperaturen bis 1150°C gesintert.
  • Dieses Verfahren ist, wie ausgeführt, hinreichend bekannt, wobei auch Variationen der speziellen Herstellungsweise bekannt sind.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:
    • Fig. 1 schematisch einen Schichtvaristor,
    • Fig. 2 ein U-I-Diagramm, das die Verbesserung durch die Erfindung darstellt,
    • Fig. 3 ein Diagramm zu Vergleich mit dem Stand der Technik,
    • Fig. 4 ein Diagramm über die Abhängigkeit der Varistorspannung von der Sintertemperatur und
    • Fig. 5 ein Diagramm über die Abhängigkeit des Schutzpegels von der Sintertemperatur.
  • In Fig. 1 ist der Varistorkörper 1 schematisch gezeigt, der aus Schichten 2 aus Varistormaterial besteht. Die Beläge 3 und 4 wechseln mit Varistormaterialschichten 2 ab, wobei die Beläge 3 im vorliegenden Fall zur rechten Aussenoberfläche 5 und die Beläge 4 zur linken Aussenoberfläche 6 des Keramikkörpers geführt sind. Durch den Sintervorgang besteht der Keramikörper 1 aus einem monolithischen Block, in dessen Innerem die Beläge 3 und 4 angeordnet sind. Es ist auch möglich, dass die Beläge 3 und 4 an der gleichen Seite des monolithischen Blockes herausragen, wobei die zu kontaktierenden Enden dann alternierend an verschiedenen Stellen in dieser Oberflächenseite enden und dort gegenpolig kontaktiert werden.
  • Die Beläge 3 und 4 sind miteinander gegenpolig und elektrisch leitend verbunden. Gegenpolig bedeutet in vorliegendem Fall, dass die Beläge 3 an der Oberfläche 5 mit einer weiteren Metallschicht 7, z.B. aus Silber oder einem anderen lötfähigen Metall, verbunden sind, die an einem Pol der Spannungsquelle oder der Schaltung angeschlossen ist, während die Beläge 4 an der Oberflächenseite 6 durch die weitere Metallschicht 8, ebenfalls aus Silber oder ähnlichem, miteinander verbunden sind, die mit dem Gegenpol der Spannungsquelle oder der Schaltung verbunden sind.
  • Mit dem Bezugszeichen 9 ist die Dicke der Schichten 2 aus Varistormaterial bezeichnet.
  • Voraussetzung für die Wirkungsweise des Varistors ist, dass die Abstände 10 bzw. 11 zwischen dem obersten Belag 3 und dem untersten Belag 4 und der Oberfläche 14 bzw. der Oberfläche 15 sowie die Abstände 12 der Beläge 3 zur Metallschicht 8 und die Abstände 13 der Metallbeläge 4 zur Metallschicht 7 je grösser sind als die Dicke 9 der Schichten 2 aus Varistormaterial. Zur Erzielung der notwendigen Grösse der Abstände 10 und 11 sind beispielsweise Varistormaterialschichten 2' vorhanden, die keine Beläge 3 bzw. 4 enthalten. In Fig. 1 ist dies durch die Grenzlinien 16 und 17 zwischen der mit einem Belag 3 versehenen oberen Schicht 2 und der ohne Belag vorhandenen Schicht 2' bzw. zwischen der unteren, mit dem Belag 4 versehenen Schicht 2 und der ohne Belag vorhandenen Schicht 2' dargestellt.
  • Der Varistor nach der Erfindung kann mit Stromzuführungsdrähten 18 und 19 versehen sein, die an die Metallschichten 7 bzw. 8 angelötet oder anderweitig befestigt sind.
  • Soll der Varistor nach der Erfindung als Chip durch Auflegen auf und Befestigen an Kontaktstellen gedruckter Leitungsbahnen verwendet werden, dannkönnen anstelle der Stromzuführungsdrähte Kontaktflächen vorhanden sein, die im vorliegenden Beispiel durch die Verlängerungen 20 und 21 in der Metallschicht 7 auf die Oberflächen 14 und 15, sowie durch Verlängerungen 22 und 23 der Metallschicht 8 auf die Oberflächen 14 und 15 dargestellt sind.
  • Für den Einsatz in gedruckten Schaltungen, bei denen die Kontaktstellen in einem Rastermass (einfaches oder gerades Vielfaches von 2,5 mm) angeordnet sind, ist der Rastermassabständ 24 zwischen den Stromzuführungsdrähten 18 und 19 festzulegen, wie dies an sich für derartige Bauelemente bekannt ist.
  • Andererseits kann der notwendige Rastermassabstand 25 zwischen den Verlängerungen 20 und 22 bzw. 21 und 23 durch entsprechende Wahl der Abmessungen festgelegt sein.
  • Man erkennt aus Fig. 1, dass die Beläge 3 und 4 bei ihrer Ausführungsform der Erfindung in einer Dicke von bis 5 µm und vorzugsweise 2 µm für eine gute Ableitung der im Inneren des monolithischen Blockes entstehenden Wärme sorgen, da sie durch die Verwendung von relativ mehr Silber als Palladium dicker ausgeführt sein können, als es für reine Palladiumschichten wegen derHerstellung möglich und wegen der relativ hohen Kosten für reines Palladium sinnvoll ist.
  • Das in Fig. 2 dargestellte U-I-Diagramm zeigt einen der Vorteile der vorliegenden Erfindung, der darin besteht, dass durch die geringe Menge Wismuth im Varistormaterial und die dadurch mögliche Verwendung von Silber in gegenüber dem Palladium grösserer Menge für die Beläge 3 und 4 ein Weglegieren des Metalls der Beläge und damit eine die Eigenschaften verschlechternde Inselbildung nicht eintritt.
  • In Fig. 2 kommt dies dadurch zum Ausdruck, dass bei herkömmlichen Varistoren die Kurve 26 bei Stromstärken im oberen Bereich plötzlich steil ansteigt, während die Kurve 27 für Varistoren gemäss der Erfindung in diesem oberen Bereich einen beträchtlich verringerten Anstieg aufweist.
  • Die Inselbildung, die durch Weglegieren der Beläge (Migration) zustande kommt, ruft ein starkes Ansteigen der Klemmenspannung bei hohen Strömen hervor, weil der Serienwiderstand der Beläge durch diese Inselbildung stark ansteigt.
  • In Fig. 3 ist ein U-I-Diagramm gezeigt, in welchem ein Varistor der vorliegenden Erfindung (Kurve 30) mit bekannten Varistoren (Kurven 28 und 29) verglichen wird. Massstab und Kurvenverlauf der Fig. 3 ist der Fig. 2 der eingangs erwähnten Veröffentlichung «Advances in Ceramics» entnommen.
  • Die Kurve 28 gilt für Varistoren, die aus 20 Varistormaterialschichten je einer Dicke von 40 gm bestehen, während die Kurve 29 für bekannte Varistoren mit 20 Varistormaterialschichten je einer Dicke 150 µm gilt.
  • Kurve 30 gilt für Varistoren der vorliegenden Erfindung aus 50 Schichten je einer Dicke von 30 µm.
  • Man erkennt aus Fig. 3, dass die bekannten Varistoren bereits bei 10 Ampere eine stark ansteigende Klemmenspannung bis zu 100 Volt ergeben, während ein solcher Anstieg bei Kurve 30 nicht erfolgt. Er würde erfolgen, wie es die Kurve 30' zeigt, wenn die Regeln dervorliegenden Erfindung nicht eingehalten werden.
  • Trotz der hohen Anzahl von 50 Schichten, wodurch die Stabilität des Varistors wesentlich erhöht wird, ist die Wärmeabfuhr aus dem Körper bei Belägen aus 70% Silber und 30% Palladium mit einer Dicke von je 2,0 µm ausreichend gross, um die Funktionsfähigkeit des Varistors auch bei hohen Stromstärken bzw. Spannungen zu gewährleisten.
  • Das Diagramm nach Fig. 4 zeigt die Varistorspannung in Abhängigkeit von der Sintertemperatur bei einer Sinterzeit von einer Stunde für Varistoren, die aus 10 Schichten bestehen, wobei unterschiedliche Schichtdicken vorhanden sind.
  • Die Varistorspannung ist in Volt auf der Ordinate und die Sintertemperatur ts in °C auf der Abszisse angegeben. Auch hier bestehen die Beläge aus 70% Silber und 30% Palladium und sind 2 µm dick.
  • Kurve 31 gilt für Varistoren aus 10 Schichten mit einer Schichtdicke von jeweils 165 µm. Kurve 32 gilt für Varistoren aus 10 Schichten mit einer Schichtdicke von je 77 pm.
  • Kurve 33 gilt für Varistoren aus 10 Schichten mit einer Dicke von je 37 µm und Kurve 34 gilt für Varistoren aus 10 Schichten mit einer Schichtdicke von je 23 p.m.
  • Man erkennt aus Fig. 4, dass mit abnehmender Schichtdicke und zunehmender Sintertemperatur jeweils abnehmende Varistorspannungen erzielt werden können.
  • Durch die relativ hohe Sintertemperatur von bis zu 1080°C wird eine sehr hohe Dichte, d.h. eine sehr geringe Porosität der Schichten aus Keramikmaterial erzielt, wodurch die elektrischen Eigenschaften der Varistoren wesentlich verbessert werden. Die erhöhte Sintertemperatur ist durch den geringen Wismuth- anteil möglich. Fig. 5 zeigt Kurven, die den Schutzpegel in Abhängigkeit von der Sintertemperatur verdeutlichen.
  • Der Schutzpegel von Varistoren ist die an einem Varistor auftretende Klemmenspannung eines Stromimpulses der indizierten Stromstärke.
  • Auf der Ordinate ist die Klemmenspannung in Volt aufgetragen, während auf der Abszisse die Sintertemperatur ts in °C angegeben ist.
  • Es sind 4 Kurvenpaare 35, 36, 37 und 38 angegeben, und zwar für Schichtdicken im gesinterten Zustand von 165, 77, 37 und 23 µm. Die jeweils obere Kurve gilt für eine Stromstärke von 10 A und die jeweils untere Kurve gilt für eine Stromstärke von 5 A.
  • Man erkennt auch aus dem Diagramm gemäss Fig. 5, dass mit abnehmender Schichtdicke und zunehmenter Sintertemperatur abnehmende Werte der Klemmenspannung erzielt werden.
  • Das angegebene Varistormaterial gewährleistet eine Spannungsfestigkeit von 300 V/mm, wodurch auch bei dünnen Schichten eine ausreichende Steilheit (Nichtlinearitätsexponent a) gewährleistet ist.
  • Bei grobkristallinem Material mit einer Spannungsfestigkeit kleiner als 150 V/mm entstehen Probleme durch zu wenige Körner bei starker Streuung im Durchmesser, wie dies in der oben erwähnten Veröffentlichung «Jounal of Applied Physics» erläutert ist.
    • Bezugszeichenliste
    • 1 keramisch hergestellter, monolithischer Körper
    • 2 Schichten aus keramischem Varistormaterial mit Belägen 3, 4
    • 2' Schichten aus keramischem Varistormaterial ohne Beläge
    • 3 Beläge aus im Körper 1 angeordneten Metallschichten
    • 4 Beläge aus im Körper 1 angeordneten Metallschichten
    • 5 Seitenfläche des Körpers 1
    • 6 Seitenfläche des Körper 1
    • 7 weitere Metallschicht auf der Seitenfläche 5
    • 8 weitere Metallschicht auf der Seitenfläche 6
    • 9 Dicken der Schichten 2
    • 10 Abstand zwischen oberem Belag 3 und Oberfläche 14
    • 11 Abstand zwischen unterem Belag und Oberfläche 15
    • 12 Abstand der Beläge 3 zur Metallschicht 8
    • 13 Abstand der Beläge 4 zur Metallschicht 7
    • 14 Oberfläche des Körpers 1
    • 15 Oberfläche des Körpers 1
    • 16 Grenzlinie zwischen oberer Schicht 2 mit Belag 3 und Schicht 2' ohne Belag
    • 17 Grenzlinie zwischen unterer Schicht 2 mit Belag 4 und Schicht 2' ohne Belag
    • 18 Stromzuführungsdraht, an der Metallschicht 7 befestigt
    • 19 Stromzuführungsdraht, an der Metallschicht 8 befestigt
    • 20 Verlängerung der Metallschicht 7 auf die Oberfläche 14
    • 21 Verlängerung der Metallschicht 7 auf die Oberfläche 15
    • 22 Verlängerung der Metallschicht 8 auf die Oberfläche 14
    • 34 Verlängerung der Metallschicht 8 auf die Oberfläche 15
    • 24 Rastermassabstand zwischen den Stromzuführungsdrähten 18 und 19
    • 25 Rastermassabstand zwischen Verlängerungen 20 und 22 bzw. 21 und 23
    • 26 U-I-Kurve für bekannte Varistoren
    • 27 U-I-Kurve für Varistoren gemäss Erfindung
    • 28 U-I-Kurve für bekannte Varistoren aus 20 Schichten, je 40 µm dick
    • 29 U-I-Kurve für bekannte Varistoren aus 20 Schichten, je 150 µm dick
    • 30 U-I-Kurve für Varistoren gemäss der Erfindung aus 50 Schichten, je 30 µm dick
    • 30' U-I-Kurvenverlauf, wenn nicht nach Erfindung
    • 31 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 165 µm dick
    • 32 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 77 µm dick
    • 33 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 37 µm dick
    • 34 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 23 µm dick
    • 35 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 165 µm dick
    • 36 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 77 µm dick
    • 37 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 37 µm dick
    • 38 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 23 µm dick

Claims (8)

1. Spannungsabhängiger, elektrischer Widerstand (Varistor) bestehend aus einem keramisch hergestellten, monolithischen Körper (1) aus einer Vielzahl von 20 bis 350 µm dicken Schichten (2) aus Varistormaterial mit Korngrössen von 7 bis 22 µm auf der Basis von Zinkoxid mit bis 6 Mol-% an Zusätzen von Oxiden eines oder mehrerer der Metalle Bi, Sb, Co, Ni, Cr, Mn, Mg, B, Al, Ba und als Beläge (3, 4) dienenden, höchstens 10 µm dicken Edelmetallschichten, die mit den Varistormaterialschichten (2) abwechselnd und alternierend zu verschiedenen Stellen der Seitenflächen (5, 6) des Körpers (1) geführt und dort mit weiteren Metallschichten (7, 8) elektrisch leitend und gegenpolig kontaktiert sind, dadurch gekennzeichnet, dass
a) die Porosität der Varistormaterialschichten (2) des Keramikkörpers (1) 5% nicht übersteigt
b) der Anteil an Wismuth (Bi, gerechnet als Bi203) im Varistormaterial 0,4 bis höchstens 1 Mol-% (entsprechend 2 bis 5 Gew.-%) beträgt und
c) die Beläge aus 50 bis 80 Gew.-% Silber (Ag) und 50 bis 20 Gew.-% Palladium (Pd) bestehen.
2. Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Porosität der Varistormaterialschichten (2) weniger als 2% beträgt.
3. Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Wismuth-Anteil 0,6 Mol-% (entsprechend 3,2 Gew.-% Bi203) beträgt.
4. Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Beläge (3, 4) aus 60 Gew.-% Ag und 30 Gew.-% Pd bestehen.
5. Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikkörper (1) aus Varistormaterialschichten (2) besteht, deren Dicke (9) im Bereich von 20 µm bis 350 µm liegt, wobei dickere Schichten (2) höhere Varistorspannungen im Bereich von 4 Volt bis 350 Volt ergeben.
6. Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Varistorkörper (1) vorzugsweise 1 bis 10 mm lang, 1 bis 3,6 mm breit und 0,5 bis 3 mm dick ist, wobei die Dicke (9) stets geringer als die geringste Länge bzw. Breite ist.
7. Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Varistormaterial wie folgt zusammengesetzt ist (Angaben in Mol-% und jeweils dahinter im Klammern gesetzt in Gew.-%):
Zn0 94,6 (87,3), Bi203 0,6 (3,2), Sb203 1,6 (5,1), C0304 0,4 (1,1), Ni0 1,3 (1,1), Cr203 0,6 (1,1), MnC03 0,8 (1,02), Mg0 0,06 (0,003), B203 0,033 (0,05), A1203 0,002 (0,017) und BaC03 0,005 (0,001
EP86100376A 1985-01-17 1986-01-13 Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand (Varistor) Expired EP0189087B1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT86100376T ATE35344T1 (de) 1985-01-17 1986-01-13 Spannungsabhaengiger elektrischer widerstand (varistor).

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3501419 1985-01-17
DE3501419 1985-01-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0189087A1 EP0189087A1 (de) 1986-07-30
EP0189087B1 true EP0189087B1 (de) 1988-06-22

Family

ID=6260071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP86100376A Expired EP0189087B1 (de) 1985-01-17 1986-01-13 Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand (Varistor)

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4675644A (de)
EP (1) EP0189087B1 (de)
JP (1) JPS61170005A (de)
AT (1) ATE35344T1 (de)
DE (1) DE3660342D1 (de)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3725455A1 (de) * 1987-07-31 1989-02-09 Siemens Ag Elektrisches vielschichtbauelement mit einem gesinterten, monolithischen keramikkoerper und verfahren zur herstellung des elektrischen vielschichtbauelementes
DE3725454A1 (de) * 1987-07-31 1989-02-09 Siemens Ag Elektrisches vielschichtbauelement mit einem gesinterten, monolithischen keramikkoerper und verfahren zur herstellung des elektrischen vielschichtbauelementes
DE3873206D1 (de) * 1987-07-31 1992-09-03 Siemens Ag Fuellschichtbauteil mit einem gesinterten, monolithischen keramikkoerper und verfahren zu dessen herstellung.
JP2552309B2 (ja) * 1987-11-12 1996-11-13 株式会社明電舎 非直線抵抗体
US5075665A (en) * 1988-09-08 1991-12-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Laminated varistor
JPH077613B2 (ja) * 1990-02-02 1995-01-30 東京電力株式会社 懸垂型避雷碍子
US5973588A (en) 1990-06-26 1999-10-26 Ecco Limited Multilayer varistor with pin receiving apertures
GB2242068C (en) * 1990-03-16 1996-01-24 Ecco Ltd Varistor manufacturing method and apparatus
GB2242065C (en) * 1990-03-16 1996-02-08 Ecco Ltd Varistor ink formulations
GB2242066B (en) * 1990-03-16 1994-04-27 Ecco Ltd Varistor structures
US6183685B1 (en) 1990-06-26 2001-02-06 Littlefuse Inc. Varistor manufacturing method
EP0476657A1 (de) * 1990-09-21 1992-03-25 Siemens Aktiengesellschaft Thermistor mit negativem Temperaturkoeffizienten in Vielschicht-Technologie
DE4030479C2 (de) * 1990-09-26 1993-11-25 Siemens Ag Elektrischer Widerstand in Chip-Bauform
JP3121119B2 (ja) * 1992-06-16 2000-12-25 ローム株式会社 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法
JP2674523B2 (ja) * 1993-12-16 1997-11-12 日本電気株式会社 セラミック配線基板とその製造方法
JP3077056B2 (ja) * 1996-09-12 2000-08-14 株式会社村田製作所 積層型電子部品
KR19990077150A (ko) * 1996-11-11 1999-10-25 조란 지빅 다층 산화아연 다결정 다이오드
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
US7336468B2 (en) 1997-04-08 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US7321485B2 (en) 1997-04-08 2008-01-22 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US6444504B1 (en) 1997-11-10 2002-09-03 Zoran Zivic Multilayer ZnO polycrystallin diode
JPH11273914A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Murata Mfg Co Ltd 積層型バリスタ
US5999398A (en) * 1998-06-24 1999-12-07 Avx Corporation Feed-through filter assembly having varistor and capacitor structure
DE19903456A1 (de) * 1999-01-28 2000-08-10 Philips Corp Intellectual Pty Mehrkomponenten-Bauteil
DE19931056B4 (de) 1999-07-06 2005-05-19 Epcos Ag Vielschichtvaristor niedriger Kapazität
JP3498211B2 (ja) * 1999-12-10 2004-02-16 株式会社村田製作所 積層型半導体セラミック電子部品
US6717506B2 (en) * 2000-11-02 2004-04-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Chip-type resistor element
US20050212648A1 (en) * 2004-03-23 2005-09-29 Inpaq Technology Co., Ltd. Low-capacitance laminate varistor
KR20070107746A (ko) 2005-03-01 2007-11-07 엑스2와이 어테뉴에이터스, 엘.엘.씨 내부 중첩된 조절기
DE102005028498B4 (de) * 2005-06-20 2015-01-22 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
WO2012059401A2 (de) * 2010-11-03 2012-05-10 Epcos Ag Keramisches vielschichtbauelement und verfahren zur herstellung eines keramischen vielschichtbauelements
US9601244B2 (en) 2012-12-27 2017-03-21 Littelfuse, Inc. Zinc oxide based varistor and fabrication method
DE102015120640A1 (de) 2015-11-27 2017-06-01 Epcos Ag Vielschichtbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements
DE102016104990A1 (de) 2016-03-17 2017-09-21 Epcos Ag Keramikmaterial, Varistor und Verfahren zum Herstellen des Keramikmaterials und des Varistors
TWI667667B (zh) * 2016-09-26 2019-08-01 立昌先進科技股份有限公司 一種提高多層貼片式變阻器通流面積的製法及其製得的變阻器元件
JP7411870B2 (ja) * 2019-01-16 2024-01-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 バリスタ集合体
WO2021126983A1 (en) * 2019-12-20 2021-06-24 Hubbell Incorporated Metal oxide varistor formulation

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2736080A (en) * 1956-02-28 walker etal
US3235939A (en) * 1962-09-06 1966-02-22 Aerovox Corp Process for manufacturing multilayer ceramic capacitors
DE1282119B (de) * 1966-05-18 1968-11-07 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von elektrischen Bauelementen unter Anwendung der Duennfolienmethode
JPS5823921B2 (ja) * 1978-02-10 1983-05-18 日本電気株式会社 電圧非直線抵抗器
FR2523993A1 (fr) * 1982-03-24 1983-09-30 Cables De Lyon Geoffroy Delore Pate serigraphiable a oxydes metalliques et produit obtenu avec cette pate

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61170005A (ja) 1986-07-31
ATE35344T1 (de) 1988-07-15
EP0189087A1 (de) 1986-07-30
DE3660342D1 (en) 1988-07-28
US4675644A (en) 1987-06-23
JPH0353761B2 (de) 1991-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0189087B1 (de) Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand (Varistor)
EP0103748B1 (de) Kombinierte Schaltung mit Varistor
DE4036997C2 (de) Monolithischer Varistor
DE112008000744B4 (de) Mehrschichtiger Thermistor mit positivem Temperaturkoeffizienten
EP0351004B1 (de) Nichtlinearer spannungsabhängiger Widerstand
EP3108482B1 (de) Ntc-bauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE102005026731B4 (de) Mehrschichtchipvaristor
DE69632659T2 (de) Vielschichtvaristor
DE4010827A1 (de) Monolithischer keramischer kondensator
DE3223736C2 (de) Keramisches Dielektrikum
DE102008033664A1 (de) Varistor
DE19912851A1 (de) Monolithischer Varistor
DE69433156T2 (de) Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10307804B4 (de) Leitfähige Paste und deren Verwendung zur Herstellung eines laminierten keramischen elektronischen Bauteils
EP1277215A1 (de) Elektrisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung
DE60030901T2 (de) Chip-Vielschichtlaminat-Varistor
DE4005505A1 (de) Monolithischer keramischer kondensator
EP0040881B1 (de) Spannungsabhängiger Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2941196A1 (de) Ptc-heizelement
DE69021809T2 (de) Verfahren zur herstellung keramischer kondensatoren mit varistor-kennzeichen.
DE69707247T2 (de) Keramischer vielschichtkondensator
EP1497838B1 (de) Verfahren zur herstellung eines ptc-bauelements
DE8501077U1 (de) Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand (Varistor)
DE3206502C2 (de)
DE2225431C2 (de) Metalloxid-Varistor mit einem Gehalt an ZnO

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT CH DE FR GB IT LI SE

17P Request for examination filed

Effective date: 19860826

17Q First examination report despatched

Effective date: 19870811

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AT CH DE FR GB IT LI SE

REF Corresponds to:

Ref document number: 35344

Country of ref document: AT

Date of ref document: 19880715

Kind code of ref document: T

GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)
REF Corresponds to:

Ref document number: 3660342

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19880728

ET Fr: translation filed
ITF It: translation for a ep patent filed
PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed
ITTA It: last paid annual fee
EAL Se: european patent in force in sweden

Ref document number: 86100376.2

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: NV

Representative=s name: E. BLUM & CO. PATENTANWAELTE

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PUE

Owner name: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUENCHEN -DA

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: TP

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: IF02

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: AT

Payment date: 20041221

Year of fee payment: 20

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20050105

Year of fee payment: 20

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20050117

Year of fee payment: 20

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Payment date: 20050120

Year of fee payment: 20

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Payment date: 20050124

Year of fee payment: 20

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Payment date: 20050128

Year of fee payment: 20

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20050228

Year of fee payment: 20

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF EXPIRATION OF PROTECTION

Effective date: 20060112

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: PE20

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

EUG Se: european patent has lapsed