JPH05291075A - 積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法Info
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- JPH05291075A JPH05291075A JP11825692A JP11825692A JPH05291075A JP H05291075 A JPH05291075 A JP H05291075A JP 11825692 A JP11825692 A JP 11825692A JP 11825692 A JP11825692 A JP 11825692A JP H05291075 A JPH05291075 A JP H05291075A
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- Japan
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- ceramic capacitor
- dielectric
- external electrode
- composite perovskite
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックから
なる誘電体にクラック（内部クラック）が発生すること
を防止して、内部電極切れによる静電容量の変動を抑制
しつつ、十分な接着強度を有する外部電極を形成する。 【構成】 Ａｇ粉末と、軟化点が４００℃以下のＰｂＯ
−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスフリットとを含有する導電
ペーストを、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックを
誘電体１とする積層セラミックコンデンサ素子３に塗布
し、６００℃以下の温度で焼付けを行うことにより外部
電極４を形成する。
なる誘電体にクラック（内部クラック）が発生すること
を防止して、内部電極切れによる静電容量の変動を抑制
しつつ、十分な接着強度を有する外部電極を形成する。 【構成】 Ａｇ粉末と、軟化点が４００℃以下のＰｂＯ
−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスフリットとを含有する導電
ペーストを、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックを
誘電体１とする積層セラミックコンデンサ素子３に塗布
し、６００℃以下の温度で焼付けを行うことにより外部
電極４を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、積層セラミックコン
デンサに関し、詳しくは、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型
セラミックを誘電体として用いた積層セラミックコンデ
ンサの外部電極形成方法に関する。
デンサに関し、詳しくは、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型
セラミックを誘電体として用いた積層セラミックコンデ
ンサの外部電極形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】図２
は、従来の積層セラミックコンデンサを示す断面図であ
る。
は、従来の積層セラミックコンデンサを示す断面図であ
る。
【０００３】この積層セラミックコンデンサは、例え
ば、ＢａＴｉＯ3系誘電体セラミック（高温焼成セラミ
ック）からなる誘電体１１中に複数層の内部電極（例え
ば、Ｐｄ電極）１２を積層して積層セラミックコンデン
サ素子１３を形成するとともに、その両端側に導電ペー
ストを塗布、焼付けして外部電極１４を形成することに
より製造されている。
ば、ＢａＴｉＯ3系誘電体セラミック（高温焼成セラミ
ック）からなる誘電体１１中に複数層の内部電極（例え
ば、Ｐｄ電極）１２を積層して積層セラミックコンデン
サ素子１３を形成するとともに、その両端側に導電ペー
ストを塗布、焼付けして外部電極１４を形成することに
より製造されている。
【０００４】そして、上記のような積層セラミックコン
デンサおいては、近年、小型化、大容量化への要求が大
きくなり、その要求に応えるために高い誘電率を有する
Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックが誘電体として
用いられるに至っている。
デンサおいては、近年、小型化、大容量化への要求が大
きくなり、その要求に応えるために高い誘電率を有する
Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックが誘電体として
用いられるに至っている。
【０００５】このＰｂ系複合ペロブスカイト型セラミッ
クは、高い誘電率を有するとともに、９００〜１０００
℃という低温で焼結できるという特徴を有しており、積
層セラミックコンデンサの誘電体として使用した場合、
焼結温度を低くすることが可能であるため、内部電極と
して、耐熱性に優れた高価なＰｔやＰｄを用いることな
く、Ａｇの含有率が高く経済的なＡｇ−Ｐｄ合金を用い
ることができるという長所がある。
クは、高い誘電率を有するとともに、９００〜１０００
℃という低温で焼結できるという特徴を有しており、積
層セラミックコンデンサの誘電体として使用した場合、
焼結温度を低くすることが可能であるため、内部電極と
して、耐熱性に優れた高価なＰｔやＰｄを用いることな
く、Ａｇの含有率が高く経済的なＡｇ−Ｐｄ合金を用い
ることができるという長所がある。
【０００６】ところで、従来のＢａＴｉＯ3系セラミッ
クなどの高温焼成セラミックを誘電体材料として用いた
積層セラミックコンデンサの外部電極は、例えば、金属
粉末（主にＡｇ粉末）１００重量部に対し、ガラスフリ
ット１〜１５重量部と適量の有機ビヒクルを添加してな
る導電ペーストを積層セラミックコンデンサ素子に塗布
し、８００〜９５０℃で焼き付けることにより形成され
ている。
クなどの高温焼成セラミックを誘電体材料として用いた
積層セラミックコンデンサの外部電極は、例えば、金属
粉末（主にＡｇ粉末）１００重量部に対し、ガラスフリ
ット１〜１５重量部と適量の有機ビヒクルを添加してな
る導電ペーストを積層セラミックコンデンサ素子に塗布
し、８００〜９５０℃で焼き付けることにより形成され
ている。
【０００７】しかし、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラ
ミックを誘電体として用いた積層セラミックコンデンサ
において外部電極を形成する場合、上記従来例の場合と
同様の導電ペーストを用い、これを積層セラミックコン
デンサ素子に塗布して８００℃以上の温度で焼付けを行
うと、ガラスフリットとＰｂ系複合ペロブスカイト型セ
ラミック（誘電体）が反応してガラス成分が誘電体の粒
界に侵入する。
ミックを誘電体として用いた積層セラミックコンデンサ
において外部電極を形成する場合、上記従来例の場合と
同様の導電ペーストを用い、これを積層セラミックコン
デンサ素子に塗布して８００℃以上の温度で焼付けを行
うと、ガラスフリットとＰｂ系複合ペロブスカイト型セ
ラミック（誘電体）が反応してガラス成分が誘電体の粒
界に侵入する。
【０００８】そして、侵入したガラス成分のため、図２
に示すように、誘電体（Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セ
ラミック）１１にクラック１５が発生して内部電極１２
が断線し、所望（設計値）の静電容量を得ることができ
ないという問題点がある。
に示すように、誘電体（Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セ
ラミック）１１にクラック１５が発生して内部電極１２
が断線し、所望（設計値）の静電容量を得ることができ
ないという問題点がある。
【０００９】また、静電容量の変動を抑制するために、
導電ペーストを低い温度で焼付けした場合には、積層セ
ラミックコンデンサ素子１３への外部電極１４の接着強
度が不十分になるという問題点がある。
導電ペーストを低い温度で焼付けした場合には、積層セ
ラミックコンデンサ素子１３への外部電極１４の接着強
度が不十分になるという問題点がある。
【００１０】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックからなる
誘電体にクラック（内部クラック）を発生させず、内部
電極の断線（内部電極切れ）による静電容量の変動（劣
化）を防止することが可能で、かつ、接着強度の大きい
外部電極を形成することが可能な積層セラミックコンデ
ンサの外部電極形成方法を提供することを目的とする。
あり、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックからなる
誘電体にクラック（内部クラック）を発生させず、内部
電極の断線（内部電極切れ）による静電容量の変動（劣
化）を防止することが可能で、かつ、接着強度の大きい
外部電極を形成することが可能な積層セラミックコンデ
ンサの外部電極形成方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の積層セラミックコンデンサの外部電極形
成方法は、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックから
なる誘電体中に内部電極が積層された積層セラミックコ
ンデンサ素子に外部電極を形成してなる積層セラミック
コンデンサ素子の外部電極形成方法において、Ａｇ粉末
と、軟化点が４００℃以下のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系ガラスフリットとを含有する導電ペーストを、積層セ
ラミックコンデンサ素子に塗布し、６００℃以下の温度
で焼付けを行うことにより外部電極を形成することを特
徴とする。
に、この発明の積層セラミックコンデンサの外部電極形
成方法は、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックから
なる誘電体中に内部電極が積層された積層セラミックコ
ンデンサ素子に外部電極を形成してなる積層セラミック
コンデンサ素子の外部電極形成方法において、Ａｇ粉末
と、軟化点が４００℃以下のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系ガラスフリットとを含有する導電ペーストを、積層セ
ラミックコンデンサ素子に塗布し、６００℃以下の温度
で焼付けを行うことにより外部電極を形成することを特
徴とする。
【００１２】なお、上記ガラスフリットは、Ａｌ2Ｏ3、
Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、及びＺｎＯの１種または２種以上を１
０重量％以下の割合で含有するものであってもよい。
Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、及びＺｎＯの１種または２種以上を１
０重量％以下の割合で含有するものであってもよい。
【００１３】
【作用】積層セラミックコンデンサ素子に塗布した導電
ペーストの焼付けが低温で行われるため、Ｐｂ系複合ペ
ロブスカイト型セラミックからなる誘電体にクラック
（内部クラック）を発生させることなく、内部電極の断
線（内部電極切れ）による静電容量の変動（劣化）を確
実に防止することが可能になる。
ペーストの焼付けが低温で行われるため、Ｐｂ系複合ペ
ロブスカイト型セラミックからなる誘電体にクラック
（内部クラック）を発生させることなく、内部電極の断
線（内部電極切れ）による静電容量の変動（劣化）を確
実に防止することが可能になる。
【００１４】また、Ａｇ粉末に添加されるガラスフリッ
トとして、軟化点が低いガラスフリットが用いられてい
るため、焼付け温度を低くしても十分な接着強度を得る
ことができる。
トとして、軟化点が低いガラスフリットが用いられてい
るため、焼付け温度を低くしても十分な接着強度を得る
ことができる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の実施例を比較例とともに示
してその特徴をさらに詳しく説明する。
してその特徴をさらに詳しく説明する。
【００１６】この実施例においては、式： Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3 で表されるＰｂ系複合ペロブスカイト型セラミックを誘
電体として用い、この誘電体中にＡｇ−Ｐｄからなる内
部電極を積層するとともに、下記の実施例１，２及び比
較例１〜３に示すような導電ペーストを用い、これをＰ
ｂ系複合ペロブスカイト型セラミックからなる誘電体に
塗布し、所定の焼成条件で焼付けを行って外部電極を形
成することにより、積層セラミックコンデンサを製造す
る。すなわち、この積層セラミックコンデンサは、図１
に示すように、誘電体１中に複数層の内部電極２が積層
された積層セラミックコンデンサ素子３の両端側に外部
電極４を配設することにより形成されている。
Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3 で表されるＰｂ系複合ペロブスカイト型セラミックを誘
電体として用い、この誘電体中にＡｇ−Ｐｄからなる内
部電極を積層するとともに、下記の実施例１，２及び比
較例１〜３に示すような導電ペーストを用い、これをＰ
ｂ系複合ペロブスカイト型セラミックからなる誘電体に
塗布し、所定の焼成条件で焼付けを行って外部電極を形
成することにより、積層セラミックコンデンサを製造す
る。すなわち、この積層セラミックコンデンサは、図１
に示すように、誘電体１中に複数層の内部電極２が積層
された積層セラミックコンデンサ素子３の両端側に外部
電極４を配設することにより形成されている。
【００１７】なお、実施例及び比較例の積層セラミック
コンデンサの、静電容量の目標値（設計値）は、２．２
μＦである。
コンデンサの、静電容量の目標値（設計値）は、２．２
μＦである。
【００１８】実施例１ Ａｇ粉末 ： １００重量部 ガラスフリット ： １５重量部 （組成）……ＰｂＯ：Ｂ2Ｏ3：ＳｉＯ2：ＺｎＯ＝６
５：１３：１５：７（重量比） （軟化点）…４００℃ 有機ビヒクル ： ４０重量部 を含有する導電ペーストを外部電極として塗布し、６０
０℃の温度条件下に焼付けを行う。
５：１３：１５：７（重量比） （軟化点）…４００℃ 有機ビヒクル ： ４０重量部 を含有する導電ペーストを外部電極として塗布し、６０
０℃の温度条件下に焼付けを行う。
【００１９】実施例２ Ａｇ粉末 ： １００重量部 ガラスフリット ： １５重量部 （組成）……ＰｂＯ：Ｂ2Ｏ3：ＳｉＯ2：Ａｌ2Ｏ3＝８
５：１１：２：２（重量比） （軟化点）…３３０℃ 有機ビヒクル ： ４０重量部 を含有する導電ペーストを外部電極として塗布し、５２
０℃の温度条件下に焼付けを行う。
５：１１：２：２（重量比） （軟化点）…３３０℃ 有機ビヒクル ： ４０重量部 を含有する導電ペーストを外部電極として塗布し、５２
０℃の温度条件下に焼付けを行う。
【００２０】比較例１ Ａｇ粉末 ： １００重量部 ガラスフリット ： １５重量部 （組成）……ＰｂＯ：Ｂ2Ｏ3：ＳｉＯ2：Ａｌ2Ｏ3：Ｎ
ａ2Ｏ：Ｋ2Ｏ＝２０：４：７０：３：２：１（重量比） （軟化点）…６３０℃ 有機ビヒクル ： ４０重量部 を含有する導電ペーストを外部電極として塗布し、８０
０℃の温度条件下に焼付けを行う。
ａ2Ｏ：Ｋ2Ｏ＝２０：４：７０：３：２：１（重量比） （軟化点）…６３０℃ 有機ビヒクル ： ４０重量部 を含有する導電ペーストを外部電極として塗布し、８０
０℃の温度条件下に焼付けを行う。
【００２１】比較例２ 上記比較例１で用いた導電ペーストを用い、これを外部
電極として塗布し、６８０℃の温度条件下に焼付けを行
う。
電極として塗布し、６８０℃の温度条件下に焼付けを行
う。
【００２２】比較例３ 上記実施例１で用いた導電ペーストを用い、これを外部
電極として塗布し、６８０℃の温度条件下に焼付けを行
う。
電極として塗布し、６８０℃の温度条件下に焼付けを行
う。
【００２３】上記のようにして形成した積層セラミック
コンデンサについて、誘電体のクラックの発生状態など
を観察するとともに、静電容量及び電極引張強度を測定
した。その結果を表１に示す。
コンデンサについて、誘電体のクラックの発生状態など
を観察するとともに、静電容量及び電極引張強度を測定
した。その結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】なお、表１において、「静電容量」は、１
ｋＨｚ，１Ｖの電圧を印加したときの静電容量の値を示
し、「電極引張強度」は、引張り試験において電極破壊
が生じたときの荷重（試料１００個の平均値）を示して
いる。
ｋＨｚ，１Ｖの電圧を印加したときの静電容量の値を示
し、「電極引張強度」は、引張り試験において電極破壊
が生じたときの荷重（試料１００個の平均値）を示して
いる。
【００２６】表１に示すように、８００℃で焼付けを行
った比較例１及び６８０℃で焼付けを行った比較例２，
３については、いずれも誘電体にクラック（内部クラッ
ク）が生じており、内部電極の切断（内部電極切れ）が
認められた。これに対し、６００℃以下の温度で焼付け
を行った実施例１及び２については、内部クラック及び
内部電極切れの発生は認められなかった。
った比較例１及び６８０℃で焼付けを行った比較例２，
３については、いずれも誘電体にクラック（内部クラッ
ク）が生じており、内部電極の切断（内部電極切れ）が
認められた。これに対し、６００℃以下の温度で焼付け
を行った実施例１及び２については、内部クラック及び
内部電極切れの発生は認められなかった。
【００２７】また、比較例１〜３においては、静電容量
が１．８１〜１．９３μＦとなっており、目標値（設計
値）である２．２μＦの８０〜８５％に低下（劣化）し
ているが、実施例１及び２では、２．２１μＦ（実施例
１），２．１８μＦ（実施例２）とほぼ目標値の静電容
量が形成されていることがわかる。
が１．８１〜１．９３μＦとなっており、目標値（設計
値）である２．２μＦの８０〜８５％に低下（劣化）し
ているが、実施例１及び２では、２．２１μＦ（実施例
１），２．１８μＦ（実施例２）とほぼ目標値の静電容
量が形成されていることがわかる。
【００２８】また、表１より、電極引張強度について
も、実施例１及び２は、比較例１〜３よりも優れている
ことがわかる。
も、実施例１及び２は、比較例１〜３よりも優れている
ことがわかる。
【００２９】なお、上記実施例では、Ａｇ粉末１００重
量部に対してガラスフリット１５重量部を添加した場合
について説明したが、実用上十分な電極引張強度を確保
し、かつ、内部クラック及び内部電極切れの発生を防止
するためには、Ａｇ粉末１００重量部に対して約１〜２
７重量部の範囲でガラスフリットを添加することが好ま
しい。
量部に対してガラスフリット１５重量部を添加した場合
について説明したが、実用上十分な電極引張強度を確保
し、かつ、内部クラック及び内部電極切れの発生を防止
するためには、Ａｇ粉末１００重量部に対して約１〜２
７重量部の範囲でガラスフリットを添加することが好ま
しい。
【００３０】なお、上記実施例においては、式： Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3 で表されるＰｂ系複合ペロブスカイト型セラミックを誘
電体として用いた場合について説明したが、Ｐｂ系複合
ペロブスカイト型セラミックは、上記実施例のセラミッ
クに限られるものではなく、その他の種々のＰｂ系複合
ペロブスカイト型セラミックを用いることができる。
Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3 で表されるＰｂ系複合ペロブスカイト型セラミックを誘
電体として用いた場合について説明したが、Ｐｂ系複合
ペロブスカイト型セラミックは、上記実施例のセラミッ
クに限られるものではなく、その他の種々のＰｂ系複合
ペロブスカイト型セラミックを用いることができる。
【００３１】また、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス
フリットの成分比率についても上記実施例に限定される
ものではなく、上記実施例とは異なる成分比率にするこ
とが可能であり、さらに、Ａｌ2Ｏ3、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、
ＺｎＯの１種または２種以上を１０重量％以下の割合で
含有させることも可能である。
フリットの成分比率についても上記実施例に限定される
ものではなく、上記実施例とは異なる成分比率にするこ
とが可能であり、さらに、Ａｌ2Ｏ3、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、
ＺｎＯの１種または２種以上を１０重量％以下の割合で
含有させることも可能である。
【００３２】また、この発明の積層セラミックコンデン
サの外部電極形成方法においては、積層セラミックコン
デンサ素子の形状や外部電極の形状に特に制約はなく、
必要に応じて種々の形状に形成することが可能である。
サの外部電極形成方法においては、積層セラミックコン
デンサ素子の形状や外部電極の形状に特に制約はなく、
必要に応じて種々の形状に形成することが可能である。
【００３３】
【発明の効果】上述のように、この発明の積層セラミッ
クコンデンサの外部電極形成方法は、Ａｇ粉末と、軟化
点が４００℃以下のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス
フリットとを含有する導電ペーストを、積層セラミック
コンデンサ素子に塗布し、６００℃以下の温度で焼付け
を行うようにしているので、Ｐｂ系複合ペロブスカイト
型セラミックからなる誘電体にクラック（内部クラッ
ク）を発生させることがなく、内部電極が断線して静電
容量が変動する（劣化する）ことを確実に防止すること
ができる。また、軟化点が低いガラスフリットを用いて
いるため、低い温度で焼付けを行っても十分な接着強度
を得ることができる。
クコンデンサの外部電極形成方法は、Ａｇ粉末と、軟化
点が４００℃以下のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス
フリットとを含有する導電ペーストを、積層セラミック
コンデンサ素子に塗布し、６００℃以下の温度で焼付け
を行うようにしているので、Ｐｂ系複合ペロブスカイト
型セラミックからなる誘電体にクラック（内部クラッ
ク）を発生させることがなく、内部電極が断線して静電
容量が変動する（劣化する）ことを確実に防止すること
ができる。また、軟化点が低いガラスフリットを用いて
いるため、低い温度で焼付けを行っても十分な接着強度
を得ることができる。
【００３４】したがって、この発明の積層セラミックコ
ンデンサの外部電極形成方法によれば、形成される静電
容量を変動させることなしに、十分な接着強度を有する
外部電極を形成することができる。
ンデンサの外部電極形成方法によれば、形成される静電
容量を変動させることなしに、十分な接着強度を有する
外部電極を形成することができる。
【図１】図１はこの発明の一実施例にかかる外部電極形
成方法により外部電極を形成した積層セラミックコンデ
ンサを示す断面図である。
成方法により外部電極を形成した積層セラミックコンデ
ンサを示す断面図である。
【図２】従来の外部電極形成方法により外部電極を形成
した積層セラミックコンデンサを示す断面図である。
した積層セラミックコンデンサを示す断面図である。
１ 誘電体（Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セ
ラミック） ２ 内部電極 ３ 積層セラミックコンデンサ素子 ４ 外部電極
ラミック） ２ 内部電極 ３ 積層セラミックコンデンサ素子 ４ 外部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミック
からなる誘電体中に内部電極が積層された積層セラミッ
クコンデンサ素子に外部電極を形成してなる積層セラミ
ックコンデンサ素子の外部電極形成方法において、Ａｇ
粉末と、軟化点が４００℃以下のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−Ｓｉ
Ｏ2系ガラスフリットとを含有する導電ペーストを、積
層セラミックコンデンサ素子に塗布し、６００℃以下の
温度で焼付けを行うことにより外部電極を形成すること
を特徴とする積層セラミックコンデンサの外部電極形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11825692A JPH05291075A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11825692A JPH05291075A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291075A true JPH05291075A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14732120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11825692A Pending JPH05291075A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291075A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5561587A (en) * | 1993-12-10 | 1996-10-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and multilayer ceramic capacitor |
-
1992
- 1992-04-09 JP JP11825692A patent/JPH05291075A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5561587A (en) * | 1993-12-10 | 1996-10-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and multilayer ceramic capacitor |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000201 |