JP5482062B2 - 薄膜コンデンサ及び薄膜コンデンサの製造方法 - Google Patents
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Description
0.5≦L/t≦120 (1)
なお、突出部13aの突出量Lとは、突出部13aと接続電極14とが接触している(接続されている)部分の最大長さをいう。
Ni箔の下地電極11上に誘電体層12、及びパターニングされた内部電極層13を交互にスパッタなどの方法により積層した。誘電体層12を11層積層した。これによりNi基板11及び、内部電極層13に挟まれる誘電体層12は、10層となる。1層の誘電体層12で約10500pF(10.5nF)となるよう電極形状、誘電体厚みを設定した。
実施例1と同様に誘電体層12及び内部電極層13を積層しさらに開口部21を設けたレジスト層を形成した後、イオンミリングにて開口部21を除去した。その後、エッチング液にて開口部21の誘電体側壁をエッチングした。実施例1と同様にコンデンサの容量を測定し、その平均値及び標準偏差を算出した。
実施例1と同様の積層体を作製し、内部電極層13を接続するための開口部21に位置するところにダイシングなどの方法によってスリットを形成した。その後誘電体のエッチング液にて内部電極層13の端面部分の誘電体をエッチングした。実施例1と同様にコンデンサの容量を測定し、その平均値及び標準偏差を算出した。
実施例1と同様に誘電体層12及び内部電極層13を積層しさらに開口部21を設けたレジスト層を形成した後、イオンミリングにて開口部21を除去した。その後、開口部21の側壁において誘電体のエッチング処理を行わずに、実施例1と同様に接続用導体層(端子電極14)を形成し、コンデンサの容量を測定し、その平均値及び標準偏差を算出した。
Claims (4)
- 下地電極上に積層された二つ以上の誘電体層と、
前記誘電体層の間に積層され、前記誘電体層の端部ではない位置で積層方向から見て前記誘電体層から突出する突出部を有する内部電極層と、
前記二つ以上の誘電体層の少なくとも一部を貫通すると共に前記内部電極層は貫通しない開口に設けられ、前記開口の内部へ突出する前記突出部に含まれる前記内部電極層の表面の少なくとも一部及び端面を介して前記内部電極層と電気的に接続する接続電極と、を備え、
前記内部電極層の突出部の前記誘電体層に対する突出量Lと前記内部電極層の厚さtとの比L/tが0.5〜120であることを特徴とする薄膜コンデンサ。 - 前記突出部と前記接続電極との間には空隙が形成されることを特徴とする請求項1記載の薄膜コンデンサ。
- 下地電極上に誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体を形成する工程と、
前記誘電体層の端部ではない位置で前記二つ以上の誘電体層の少なくとも一部を貫通すると共に前記内部電極層は貫通しない開口を形成し、当該開口の内部において前記内部電極層の端部が前記積層体の積層方向から見て前記誘電体層から突出するよう露出させ、前記開口の内部へ突出する突出部が形成されるようにウェットエッチングを施す工程と、
前記ウェットエッチングを施し形成された前記突出部に含まれる前記内部電極層の表面の少なくとも一部及び端面を介して、前記内部電極層と電気的に接続するように端子電極を形成する工程と、
を備え、
前記ウェットエッチングを施す工程において、前記内部電極層の突出部の前記誘電体層に対する突出量Lと前記内部電極層の厚さtとの比L/tが0.5〜120となるようウェットエッチングを施して前記突出部を形成することを特徴とする薄膜コンデンサの製造方法。 - 前記積層体を形成する工程の後、かつ、前記ウェットエッチングを施す工程の前に、前記内部電極層の端面を露出させる工程を備える、請求項3に記載の薄膜コンデンサの製造方法。
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