JP4807169B2 - 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法に関するもので、特に、内部電極間に位置するセラミック層の薄層化を有利に進めることができるようにするための改良に関するものである。

積層セラミックコンデンサに対しては、小型化かつ大容量化の要望があり、そのため、内部電極間に位置するセラミック層の薄層化が進められている。

図７には、従来の典型的な積層セラミックコンデンサに備える部品本体としての積層体１が断面図で示されている。なお、図７に示した断面は、積層体１の幅方向寸法と厚み方向寸法とによって規定される面を示している。積層体１は、誘電体セラミックからなるセラミック素体２と、セラミック素体２の内部に積層状に形成される複数の内部電極３とからなる積層構造を有している。セラミック素体２は、積層された複数のセラミック層４によって構成される。

図７の部分Ｅにおける内部電極３が拡大されて図８に示されている。積層体１を得るための焼成工程の前の段階では、内部電極３の、積層体１内に位置する端縁部分５は、図８（１）に示すように、その厚みがスロープ状に薄くなっていく傾向がある。これは、内部電極３が、導電性ペーストのスクリーン印刷法、あるいは蒸着などの薄膜形成法によって形成される際、にじみやマスク部への回り込みが生じ、これが端縁部分５をより薄くする傾向をもたらすためである。さらに、その後の積層圧着工程で、内部電極３の平均厚みは形成時点より薄くなるが、その端縁部分５では、セラミック層４側のセラミック粒子がよく流動するので、端縁部分５をより薄くするように作用するためである。

上述したように、内部電極３の端縁部分５が薄くされると、焼成工程を実施したとき、図８（２）に示すように、端縁部分５に電極切れが生じることがある。すなわち、内部電極３において相対的に厚みの薄い端縁部分５が優先的に切れてしまうのである。電極切れが生じても、電極材料が消失するわけではないので、玉化が生じ、端縁部分５の厚みが部分的に増大する。

他方、焼成工程を実施したとき、セラミック層４は、焼結収縮により、その平均厚みが「ａ」から「ｂ１」へと減少する。さらに、焼成後においては、セラミック層４は、内部電極３の端縁部分５に対応する部分において、その厚みｂ２が平均厚みｂ１より薄くなってしまう。

このように、内部電極３の端縁部分５に対応する部分においてセラミック層４が薄くなると、絶縁耐性が低下する。また、内部電極３の端縁部分５での電極切れと、それに伴う厚み増大が著しい場合には、ショート不良が発生する。

上述のような内部電極の端縁部分において生じ得る不都合に対する対策を開示する特許文献として、以下のものがある。

特開平７−１０６１８４号公報（特許文献１）では、製造コストの上昇、静電容量の低下を回避しつつ、絶縁破壊電圧を向上させることができる、積層セラミックコンデンサが記載されている。

より詳細には、電界強度の増大が生じ、絶縁耐性が低くなりがちな内部電極の端縁部分を覆うように、高い絶縁性を有する、たとえばチタン酸ストロンチウムなどからなる絶縁部材を設けることが記載されている。この特許文献１に記載のものでは、内部電極の端縁部分に電界集中が生じることを不可避としながら、この端縁部分に対応する誘電体部分にかかる電界強度が高くなっても、高い絶縁耐性が得られるように、内部電極の端縁部分を絶縁性の高い絶縁部材で覆う構成が採用されている。

次に、特開平１１−３１７３２１号公報（特許文献２）に記載の技術は、積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容量化のために、セラミック層を薄くしても、絶縁破壊が生じにくくすることを目的としている。そのため、次のような構成が採用されている。

まず、セラミック層における、内部電極の端縁部分近傍の領域の全部または一部を、他の領域より耐電圧の高い誘電体セラミックで形成する。実施例では、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３系の誘電体セラミックに対して、耐電圧の高い誘電体セラミックとしてＣａＴｉＯ_３が用いられている。

また、耐電圧の高い誘電体セラミックを形成しているセラミック粒子が、他の領域の誘電体セラミックを形成しているセラミック粒子より粒径が小さい。粒径を小さくするには、粒成長抑制剤または粒成長抑制剤を含有したセラミックペーストを塗布する。

次に、特開２００４−１１１６０８号公報（特許文献３）では、積層セラミックコンデンサの部品本体としての積層体に備えるセラミック素体を、耐圧性の互いに異なる２種類の誘電体セラミックを用いて構成し、耐圧性の比較的高い誘電体セラミックが分布する領域中に内部電極の先端部が位置するようにされている。

以上の特許文献１ないし３の各々に記載される技術に共通しているのは、内部電極の少なくとも端縁部分が絶縁性の高い物質で覆われていることである。

昨今は、積層セラミックコンデンサの薄型化が進むにつれて、内部電極の厚みも薄くなってきている。したがって、内部電極の端縁部分における電極切れ、および玉化による絶縁性低下の問題がより深刻になってきており、上記特許文献１〜３に記載の技術では対応できなくなってきている。
特開平７−１０６１８４号公報 特開平１１−３１７３２１号公報 特開２００４−１１１６０８号公報

そこで、この発明の目的は、内部電極の端縁部分における電極切れや玉化による絶縁性低下の問題を解決し得る、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供しようとすることである。

この発明は、誘電体セラミックからなるセラミック素体と、セラミック素体の内部に積層状に形成されかつニッケルを主成分とする複数の内部電極とからなる積層構造を有する積層体を備える、積層セラミックコンデンサにまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。

すなわち、上記セラミック素体は、チタン酸塩系セラミックからなる第１のセラミック部分とＣａＺｒＯ_３系セラミックからなる第２のセラミック部分とを有し、内部電極の、積層体内に位置する端縁部分は、第２のセラミック部分に接していることを特徴としている。

内部電極の、積層体内に位置する端縁部分は、第２のセラミック部分によって厚み方向に挟まれていることが好ましい。

また、セラミック素体は、各内部電極をその一方主面の一部上に形成しかつ積層体の主面方向全域にわたって延びる、複数の容量形成用セラミック層と、各容量形成用セラミック層の一方主面上であって内部電極が形成されない領域に内部電極と端縁同士が接するように形成される段差吸収用セラミック層とを備える構造とされてもよい。この場合、第１のセラミック部分が容量形成用セラミック層によって与えられ、第２のセラミック部分が段差吸収用セラミック層によって与えられることが好ましい。

上述の好ましい実施態様において、内部電極の、積層体内に位置する端縁部分は、容量形成用セラミック層の一方主面に対してスロープを形成しており、段差吸収用セラミック層は、その端縁部分が内部電極の端縁部分のスロープ上に重なるように形成されることがより好ましい。

この発明は、また、上述した好ましい実施態様に係る積層セラミックコンデンサを製造する方法にも向けられる。

この発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、焼結後にチタン酸塩系セラミックとなる容量形成用セラミックグリーンシートを用意する工程と、容量形成用セラミックグリーンシートの一方主面上に、ニッケルを主成分とする内部電極を部分的に形成する工程と、容量形成用セラミックグリーンシートの一方主面上であって内部電極が形成されない領域に内部電極と端縁同士が接するように、焼結後にＣａＺｒＯ_３系セラミックとなる段差吸収用セラミックグリーン層を形成する工程と、内部電極および段差吸収用セラミックグリーン層が形成された容量形成用セラミックグリーンシートを積層することによって、生の積層体を得る工程と、生の積層体を焼成する工程とを備える。そして、内部電極を形成する工程において、内部電極は、その端縁部分が容量形成用セラミックグリーンシートの一方主面に対してスロープを形成するようにされ、段差吸収用セラミックグリーン層を形成する工程において、段差吸収用セラミックグリーン層は、その端縁部分が内部電極の端縁部分のスロープ上に重なるように形成される。

この発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法において、段差吸収用セラミックグリーン層中の樹脂比率は、容量形成用セラミックグリーンシート中の樹脂比率より低くされることが好ましい。

この発明によれば、ニッケルを主成分とする内部電極の、積層体内に位置する端縁部分が、ＣａＺｒＯ_３系セラミックからなる第２のセラミック部分に接しているので、積層セラミックコンデンサを得るための焼成工程中に、内部電極の端縁部における電極切れ、それに伴う厚みの増大が抑制され、絶縁耐性の低下を招く原因を大幅に低減することができる。高絶縁材料はＣａＺｒＯ_３系セラミック以外にもあるが、内部電極の主成分がニッケルで、内部電極間の誘電体層の厚みが１μｍ以下程度の薄層化された積層セラミックコンデンサにおいては、ＣａＺｒＯ_３系セラミックが特に大きな効果を発揮する。

なお、上述のような効果が発揮されるのは、焼成温度のような高温において、内部電極とＣａＺｒＯ_３との濡れ性が高いため、特に、ニッケルとＣａＺｒＯ_３との相性が良いため、また、焼成中において内部電極が若干酸化したとしても、ＣａＺｒＯ_３格子中への拡散が遅いためであると推測される。

この発明に係る積層セラミックコンデンサにおいて、段差吸収用セラミック層を備えていると、内部電極が位置する部分とそうでない部分との間での厚みの差が実質的に生じなくなるので、構造欠陥や褶曲などの不具合を防止することができるとともに、段差吸収用セラミック層によって第２のセラミック部分を与えるようにすれば、内部電極の、積層体内に位置する端縁部分が第２のセラミック部分に接する構造を容易に得ることができる。

上記の好ましい実施態様において、段差吸収用セラミック層の端縁部分が内部電極の端縁部分のスロープ上に重なるように形成されていると、内部電極の端縁部分におけるスロープ状に薄くなる部分を、第２のセラミック部分となる段差吸収用セラミック層によって段差を解消した状態で充填することができる。

この発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法において、段差吸収用セラミックグリーン層中の樹脂比率が、容量形成用セラミックグリーンシート中の樹脂比率より低くされると、ＣａＺｒＯ_３粒子と内部電極との接点が増え、より効率良く電極切れを抑制することができる。

図１は、この発明の第１の実施形態による積層セラミックコンデンサ１１を示す断面図である。

積層セラミックコンデンサ１１は、その部品本体としての積層体１２を備えている。積層体１２は、誘電体セラミックからなるセラミック素体１３と、セラミック素体の内部に積層状に形成されかつニッケルを主成分とする複数の内部電極１４とからなる積層構造を有している。積層体１２の各端部には、外部電極１５が形成されている。前述した内部電極１４は、一方の外部電極１５に電気的に接続されるものと他方の外部電極１５に電気的に接続されるものとが積層方向に関して交互に配列されている。

図２は、積層体１２の、特定の内部電極１４が通る断面を示している。

上述のセラミック素体１３は、この実施形態では、複数の容量形成用セラミック層１６と複数の段差吸収用セラミック層１７とを備えている。容量形成用セラミック層１６は、内部電極１４をその一方主面の一部上に形成しかつ積層体１２の主面方向全域にわたって延びている。段差吸収用セラミック層１７は、容量形成用セラミック層１６の上記一方主面上であって内部電極１４が形成されない領域に内部電極１４と端縁同士が接するように形成される。

この発明の特徴的構成として、容量形成用セラミック層１６はチタン酸塩系セラミックからなり、段差吸収用セラミック層１７はＣａＺｒＯ_３系セラミックからなる。

ここで、チタン酸塩系セラミックとしては、ＴｉＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３などがあるが、容量形成用セラミック層１６が薄層化されるためには、ＢａＴｉＯ_３を用いることが好適である。

また、ＣａＺｒＯ_３系セラミックは、ＣａＺｒＯ_３のほか、Ｃａの一部（２０モル％以下）および／またはＺｒの一部（２０モル％以下）を他の元素で置換したものであってもよい。さらに、ＣａＺｒＯ_３系セラミックは、その他、微量の副成分を含んでいてもよい。

このような積層セラミックコンデンサ１１を製造するため、図３に示すように、焼結後にチタン酸塩系セラミックとなる容量形成用セラミックグリーンシート１６ａが用意される。図３に示した容量形成用セラミックグリーンシート１６ａは、マザーの状態のものであり、複数の積層セラミックコンデンサ１１を得るための工程が同時に実施され、複数の積層セラミックコンデンサ１１を取り出すため、後の工程で切断線１８に沿って切断されることが予定されている。

容量形成用セラミックグリーンシート１６ａの一方主面上には、ニッケルを主成分とする導電性ペーストを印刷することにより、内部電極１４が部分的に形成される。図３に示した切断線１８は、図２に示したセラミック素体１３のたとえば図２における横方向に延びる辺に対応している。内部電極１４は、その端縁部分１９が容量形成用セラミックグリーンシート１６ａの一方主面に対してスロープ２０を形成するようにされる。

次に、容量形成用セラミックグリーンシート１６ａの一方主面上であって内部電極１４が形成されない領域に内部電極１４と端縁同士が接するように、焼結後にＣａＺｒＯ_３系セラミックとなる段差吸収用セラミックグリーン層１７ａがたとえば印刷により形成される。この段差吸収用セラミックグリーン層１７ａは、その端縁部分２１が内部電極１４の端縁部分１９のスロープ２０上に重なるように形成される。

次に、上述のように内部電極１４および段差吸収用セラミックグリーン層１７ａが形成された容量形成用セラミックグリーンシート１６ａが、所定の枚数だけ積み重ねられ、さらにその上下に内部電極および段差吸収用セラミックグリーン層のいずれもが形成されていないセラミックグリーンシートが積み重ねられ、積層方向にプレスされ、さらに、前述した切断線１８に沿って切断されることによって、積層体１２の生の状態のものが得られる。

その後、生の積層体は、焼成工程に付され、それによって、焼結後の積層体１２が得られる。図４には、積層体１２の、切断線１８に沿う切断によって現われた端面近傍が拡大されて断面図で示されている。図４において、容量形成用セラミックグリーンシート１６ａに由来する焼結後の容量形成用セラミック層１６、段差吸収用セラミックグリーン層１７ａに由来する焼結後の段差吸収用セラミック層１７、および焼結後の内部電極１４が図示されている。

図４に示した内部電極１４を、前述の図３に示したものと比較すればわかるように、前述した積層およびプレス工程の結果、内部電極１４の端縁部分１９において、厚みの薄くなっている領域２２が増えている。また、図４に示した段差吸収用セラミック層１７の形態から、段差吸収用セラミックグリーン層１７ａを構成するセラミックペーストは、積層およびプレス工程時にセラミック粒子が流動することにより、このセラミックペーストの一部が内部電極１４とその下にある容量形成用セラミックグリーンシート１６ａとの界面にも流れ込み、その結果、内部電極１４の端縁部分１９を厚み方向に挟む状態となることがわかる。

このようなことから、焼成中に、内部電極１４の端縁部分１９での電極切れ、それに伴う厚みの増大が抑制され、絶縁耐性に対する信頼性の高い積層セラミックコンデンサ１１が得られる。また、段差吸収用セラミック層１７あるいは段差吸収用セラミックグリーン層１７ａの存在は、内部電極１４の厚みによる構造欠陥や褶曲などの不具合が引き起こされることを有利に防止する。

また、上述した段差吸収用セラミックグリーン層１７ａ中の樹脂比率が、容量形成用セラミックグリーンシート１６ａ中の樹脂比率より低くされることが好ましい。これによって、段差吸収用セラミックグリーン層１７ａに含まれるＣａＺｒＯ_３粒子と内部電極１７との接点が増え、より効率良く、内部電極１４の端縁部分１９での電極切れを抑制できるからである。

その後、積層体１２の各端部に外部電極１５が形成され、それによって、図１に示すような積層セラミックコンデンサ１１が完成される。

図４に示すように、内部電極１４の端縁部分１９が第２のセラミック部分としての段差吸収用セラミック層１７によって厚み方向に挟まれた構造を得るため、上述したように、段差吸収用セラミックグリーン層１７ａを構成するセラミックペーストの流動を利用することが工程の能率上好ましいが、このような利点を望まないが、一方で、耐圧性に対する信頼性をより向上させたいならば、段差吸収用セラミックグリーン層１７ａを形成する工程を、内部電極１４を形成する工程の前後にそれぞれ実施するようにしてもよい。

図５は、この発明の第２の実施形態による積層セラミックコンデンサ１１ａを説明するための図２に対応する図である。図５において、図２に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

この発明では、前述したように、セラミック素体は、チタン酸塩系セラミックからなる第１のセラミック部分とＣａＺｒＯ_３系セラミックからなる第２のセラミック部分とを有し、内部電極の、積層体内に位置する端縁部分が、第２のセラミック部分に接していることが特徴である。したがって、第２のセラミック部分は、上述の第１の実施形態の場合のように、段差吸収用セラミック層１７によって与えられることを必ずしも必要としない。

図５に示した第２の実施形態では、容量形成用セラミック層１６によって第１のセラミック部分が与えられながら、ＣａＺｒＯ_３系セラミックからなる第２のセラミック部分２５は、内部電極１４の、積層体１２内に位置する端縁部分１９の近傍にのみ形成される。この実施形態においても、内部電極１４の端縁部分１９にスロープを形成し、第２のセラミック部分２５の端縁部分が内部電極１４の端縁部分１９のスロープ上に重なるように形成されてもよい。

図６は、この発明の第３の実施形態による積層セラミックコンデンサ１１ｂを示す、図１に対応する図である。図６において、図１に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図６に示した積層セラミックコンデンサ１１ｂでは、積層体１２に備えるセラミック素体１３は、チタン酸塩系セラミックからなる第１のセラミック部分２８を、ＣａＺｒＯ_３系セラミックからなる第２のセラミック部分２９によって取り囲んだ構造とされる。これによって、内部電極１４の、積層体１２内に位置する端縁部分１９は、第２のセラミック部分内に位置され、かつ第２のセラミック部分２９によって厚み方向に挟まれた状態となる。

このような構造のセラミック素体１３は、第１のセラミック部分２８となるべき領域を取り囲むように、第２のセラミック部分２９となるべき領域が形成されたセラミックグリーンシートを積層することによって得られる。

次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。

この実験では、表１に示すような試料１〜７を作製した。

（試料１）
平均粒子径が０．１５μｍであるＢａＴｉＯ_３粉末を用意した。このＢａＴｉＯ_３粉末１００モル部に対し、１．２モル部のＢａ、０．６モル部のＤｙ、０．１モル部のＭｎおよび１．５モル部のＬｉをそれぞれ金属石鹸で添加し、２．５モル部のＳｉをＳｉＯ_２ゾルで添加した。これらを、有機溶剤中のボールミルによる混合、溶剤除去による乾燥、３００℃の温度での熱処理、および整粒を経て、誘電体セラミック原料粉末を作製した。

この誘電体セラミック原料粉末に、ブチラール系バインダと可塑剤とを加え、トルエンおよびエタノールからなる混合溶剤を用いてボールミルによる有機スラリー化し、シート状に成形することによって、厚み１．０μｍの容量形成用セラミックグリーンシートを得た。このグリーンシート中の樹脂比率は、表１に示すように、体積比率で４５％とした。

次に、めっき法およびフォトリソグラフィー法により、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上にパターニング形成された金属膜を、上記の容量形成用セラミックグリーンシート上に転写することにより、表１に示すように、平均厚み０．２０μｍのニッケルを主成分とする内部電極を形成した。この内部電極は、その端縁から３０μｍの領域において、厚みが２００ｎｍ未満となっていた。

他方、予めボールミルにて十分に粉砕した、平均粒子径０．１５μｍのＣａＺｒＯ_３粉末に、エチルセルロース系の樹脂を用いて、セラミックペーストを作製した。このセラミックペースト中の溶剤分を除く樹脂比率は、表１に示すように、体積比率で３８％とした。このセラミックペーストを、上記容量形成用セラミックグリーンシート上の内部電極が形成されていない領域に、スクリーン印刷により塗布した。このとき、内部電極における端縁から２５μｍまでの領域では、セラミックペーストを内部電極と重なるように付与した。このように形成された段差吸収用セラミックグリーン層の最大乾燥塗膜厚は、表１に示すように、０．１８μｍであり、内部電極の厚みより２０ｎｍ薄かった。

次に、上述のように内部電極および段差吸収用セラミックグリーン層を形成した容量形成用セラミックグリーンシートを、対をなす内部電極によって構成される誘電体素子が並列接続になるように積み重ね、プレスすることにより、有効素子数が２００となる生のマザー状態の積層体を作製した。次に、マザー状態の積層体を所定の大きさに切断して、個々の積層セラミックコンデンサのための生の積層体を得た。

この生の積層体を、窒素気流中、２５０℃の温度に加熱して脱バインダ処理し、次いで、Ｎ_２−Ｈ_２−Ｈ_２Ｏ還元性雰囲気中で、１０５０℃の温度にて焼成した。

上述の焼成によって焼結した積層体の、内部電極が引き出された端面に、銅を主成分とする導電性ペーストを塗布し、焼き付けることによって、外部電極を形成し、試料となる積層セラミックコンデンサを得た。得られた積層セラミックコンデンサは、寸法が２．０ｍｍ×１．２５ｍｍ×０．６５ｍｍであり、表１に示すように、容量形成用セラミック層の平均厚みは０．８０μｍであり、内部電極の平均厚みは０．２４μｍであった。

得られた積層セラミックコンデンサについて、自動ブリッジ式ＬＣＲメータを用い、１２０Ｈｚ、０．５Ｖｒｍｓの条件で静電容量を測定した。さらに、直流電圧を１００Ｖ／秒の速度で昇圧しながら印加し、１００ｍＡの電流が流れたときの電圧から絶縁破壊電圧を求めた。これら静電容量、および絶縁破壊電圧に基づいて算出した破壊電界が表１に示されている。

また、内部電極の端縁部分での電極切れの状態を、次のようにして調べた。静電容量を測定した試料の片側の幅方向のギャップ部分を研磨により除去し、内部電極の端縁部分を露出させた。この時点で、静電容量を再び測定し、幅方向ギャップ部分除去前と変化がないことを確認した。同時に、この時点の幅方向寸法（Ｗｓ）をマイクロメータで測定した。そして、同じ面を少しずつさらに研磨し、静電容量が低下するポイントを探した。このポイントに達したときの幅方向寸法（Ｗｅ）を測定し、Ｗｓ−Ｗｅを計算して、端縁部分の電極切れ量とした。また、Ｗｅまで研磨した時点で露出した積層体の断面について、ＳＥＭ写真を撮影し、この写真から容量形成用セラミック層の端縁部分の厚みおよび内部電極の端縁部分の厚みをそれぞれ求めた。これら端縁部分の電極切れ量、容量形成用セラミック層の端縁部分の厚みおよび内部電極の端縁部分の厚みについても、表１に示されている。

（試料２〜４）
内部電極の平均厚み、セラミックペースト中の樹脂比率、およびセラミックペーストの最大乾燥塗膜厚のいずれかを、表１に示すように変更した以外は、試料１の場合と同様にして、積層セラミックコンデンサを作製し、試料１の場合と同様の評価を行なった。

（試料５）
ＣａＺｒＯ_３の代わりにＳｒＴｉＯ_３を用いたことを除いて、試料３の場合と同様にして、積層セラミックコンデンサを作製した。そして、得られた積層セラミックコンデンサについて、試料１の場合と同様に評価した。

（試料６）
ＣａＺｒＯ_３の代わりにＢａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３を用いたことを除いて、試料３の場合と同様にして、積層セラミックコンデンサを作製した。そして、得られた積層セラミックコンデンサについて、試料１の場合と同様の評価を行なった。

（試料７）
ＣａＺｒＯ_３を含むセラミックペーストを印刷しなかったことを除いて、試料３〜６と同様にして、積層セラミックコンデンサを得た。また、得られた積層セラミックコンデンサについて、試料１の場合と同様の評価を行なった。

表１から、次のことがわかる。

試料１〜４のように、内部電極の端縁部分に接するセラミック部分を形成するために用いられるセラミックペーストがＣａＺｒＯ_３を含んでいると、内部電極の厚みを０．２０μｍまで薄くしても、端縁部分での電極切れが少なくなり、内部電極の端縁部分での厚みの増大（容量形成用セラミック層の端縁部分での厚みの減少）も抑制される。その結果、高い静電容量（１０μＦ以上）および高い破壊電界（１５０ｋＶ／ｍｍ以上）が得られる。

特に、試料１のように、容量形成用セラミックグリーンシート中の樹脂比率より、段差吸収用グリーンセラミック層のためのセラミックペースト中の樹脂比率を低くすると、上述した効果がさらに顕著なものとなる。

これに対して、試料５および６のように、セラミックペースト中の材料を、ＳｒＴｉＯ_３やＢａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３といったチタン酸塩に置き換えると、内部電極の端縁部分での電極切れがより顕著に生じるようになる。その結果、内部電極の端縁部分の厚みが増大し、容量形成用セラミック層の端縁部分の厚みが減少する。そのため、静電容量が低下し（１０μＦ未満）、破壊電界も低下してしまう（１５０ｋＶ／ｍｍ未満）。

また、試料７のように、セラミックペーストを印刷しない場合には、得られた試料の全数がショート不良となる。

この発明の第１の実施形態による積層セラミックコンデンサ１１を示す断面図である。 図１に示した積層体１２を、特定の内部電極１４が通る面に沿って示した断面図である。 積層セラミックコンデンサ１１を製造するために用意される容量形成用セラミックグリーンシート１６ａ上に内部電極１４および段差吸収用セラミックグリーン層１７ａを形成した状態を示す断面図である。 図３に示した容量形成用セラミックグリーンシート１６ａを含む生の積層体を焼成して得られた焼結後の積層体１２の一部を示す断面図である。 この発明の第２の実施形態による積層セラミックコンデンサ１１ａを示す、図２に対応する図である。 この発明の第３の実施形態による積層セラミックコンデンサ１１ｂを示す、図１に対応する図である。 この発明にとって興味ある従来の典型的な積層セラミックコンデンサに備える積層体１を示すもので、長さ方向寸法および厚み方向寸法によって規定される断面を示している。 図７に示した部分Ｅにおける内部電極３を拡大して示すもので、（１）は焼成前の状態、（２）は焼成後の状態を示している。

符号の説明

１１，１１ａ，１１ｂ 積層セラミックコンデンサ
１２ 積層体
１３ セラミック素体
１４ 内部電極
１６ 容量形成用セラミック層
１６ａ 容量形成用セラミックグリーンシート
１７ 段差吸収用セラミック層
１７ａ 段差吸収用セラミックグリーン層
１９，２１ 端縁部分
２０ スロープ
２５，２９ 第２のセラミック部分
２８ 第１のセラミック部分

Claims (6)

1. 誘電体セラミックからなるセラミック素体と、前記セラミック素体の内部に積層状に形成されかつニッケルを主成分とする複数の内部電極とからなる積層構造を有する積層体を備え、
   前記セラミック素体は、チタン酸塩系セラミックからなる第１のセラミック部分とＣａＺｒＯ_３系セラミックからなる第２のセラミック部分とを有し、
   前記内部電極の、前記積層体内に位置する端縁部分は、前記第２のセラミック部分に接している、
   積層セラミックコンデンサ。
2. 前記内部電極の、前記積層体内に位置する端縁部分は、前記第２のセラミック部分によって厚み方向に挟まれている、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記セラミック素体は、各前記内部電極をその一方主面の一部上に形成しかつ前記積層体の主面方向全域にわたって延びる、複数の容量形成用セラミック層と、各前記容量形成用セラミック層の前記一方主面上であって前記内部電極が形成されない領域に前記内部電極と端縁同士が接するように形成される段差吸収用セラミック層とを備え、前記第１のセラミック部分は前記容量形成用セラミック層によって与えられ、第２のセラミック部分は前記段差吸収用セラミック層によって与えられる、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 前記内部電極の、前記積層体内に位置する端縁部分は、前記容量形成用セラミック層の前記一方主面に対してスロープを形成しており、前記段差吸収用セラミック層は、その端縁部分が前記内部電極の端縁部分の前記スロープ上に重なるように形成されている、請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 焼結後にチタン酸塩系セラミックとなる容量形成用セラミックグリーンシートを用意する工程と、
   前記容量形成用セラミックグリーンシートの一方主面上に、ニッケルを主成分とする内部電極を部分的に形成する工程と、
   前記容量形成用セラミックグリーンシートの一方主面上であって前記内部電極が形成されない領域に前記内部電極と端縁同士が接するように、焼結後にＣａＺｒＯ_３系セラミックとなる段差吸収用セラミックグリーン層を形成する工程と、
   前記内部電極および前記段差吸収用セラミックグリーン層が形成された前記容量形成用セラミックグリーンシートを積層することによって、生の積層体を得る工程と、
   前記生の積層体を焼成する工程と
   を備え、
   前記内部電極を形成する工程において、前記内部電極は、その端縁部分が前記容量形成用セラミックグリーンシートの前記一方主面に対してスロープを形成するようにされ、
   前記段差吸収用セラミックグリーン層を形成する工程において、前記段差吸収用セラミックグリーン層は、その端縁部分が前記内部電極の端縁部分の前記スロープ上に重なるように形成される、
   積層セラミックコンデンサの製造方法。
6. 前記段差吸収用セラミックグリーン層中の樹脂比率は、前記容量形成用セラミックグリーンシート中の樹脂比率より低くされる、請求項５に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

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