JP6454107B2 - 薄膜キャパシタ - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態に係る薄膜キャパシタについて図面を参照して説明する。図1は第1の実施の形態に係る薄膜キャパシタの断面図である。なお、本願での各図は、説明の便宜上模式的に表したものであり、正確な縮尺で記載されていない点に留意されたい。
本発明の第2の実施の形態に係る薄膜キャパシタについて図4を参照して説明する。図4は第2の実施の形態に係る薄膜キャパシタの断面図である。本実施の形態が第1の実施の形態と異なる点は外部電極と中間電極の接続形態にある。その他の構造については第1の実施の形態と同様なので、ここでは相違点のみを詳述する。
本発明の第3の実施の形態に係る薄膜キャパシタについて図6を参照して説明する。図6は第3の実施の形態に係る薄膜キャパシタの断面図である。本実施の形態が第1の実施の形態と異なる点は中間電極の薄膜電極層の接続形態にある。その他の構造については第1の実施の形態と同様なので、ここでは相違点のみを詳述する。
本発明の第4の実施の形態に係る薄膜キャパシタについて図8を参照して説明する。図8は第4の実施の形態に係る薄膜キャパシタの断面図である。本実施の形態が第1の実施の形態と異なる点は外部電極と中間電極の接続形態と、中間電極の薄膜電極層の接続形態にある。すなわち、本実施の形態に係る薄膜キャパシタは、第1の実施の形態に対して第2の実施の形態及び第3の実施の形態の変形を適用したものとなる。その他の構造については第1の実施の形態と同様なので、ここでは相違点のみを詳述する。
本発明の第5の実施の形態に係る薄膜キャパシタについて図9及び図10を参照して説明する。図9及び図10は第5の実施の形態に係る薄膜キャパシタの断面図である。
Claims (2)
- 支持基板と、前記支持基板上に形成され2つ以上の薄膜電極及び1つ以上の薄膜誘電体を交互に積層してなる容量形成部と、前記薄膜電極と電気的に接続する中間電極と、前記容量形成部及び前記中間電極を封止する封止部材と、少なくとも前記封止部材の側面に形成された外部電極とを備え、
前記容量形成部には前記薄膜電極が1層おきに内面に露出するように凹部が形成され、
前記中間電極は、前記容量形成部の前記凹部内面において前記薄膜電極と接続するよう前記容量形成部の前記凹部内面から前記容量形成部の前記外部電極側の上面及び側面を経て前記支持基板の上面に亘って形成され且つ前記封止部材の側面において露出するよう形成され、
前記支持基板と前記容量形成部と前記中間電極と前記封止部材とからなる部分積層体が前記容量形成部の積層方向に複数段積み重ねられており、
前記外部電極は、複数段積み重ねられた前記部分積層体の側面において前記封止部材から露出する複数の前記中間電極と電気的に接続している
ことを特徴とする薄膜キャパシタ。 - 前記中間電極は前記容量形成部において前記薄膜電極の露出部から前記容量形成部の上面に亘って形成されており、且つ、前記薄膜電極を透過的に厚み方向に重ね合わせてみた場合における前記薄膜電極の重なり合う領域には前記中間電極は形成されていない
ことを特徴とする請求項1記載の薄膜キャパシタ。
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