JP6784131B2 - 薄膜キャパシタを製造する方法 - Google Patents
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Claims (2)
- (a)少なくとも第1電極層と、第1誘電体層と、第2電極層と、第2誘電体層と、第3電極層と、がこの順に積層された積層体を形成する工程と、
(b)前記積層体上にマスクを形成する工程と、
(c)前記マスクに第1の開口を形成する工程と、
(d)前記第3電極層に対するエッチングレートが、前記第2誘電体層に対するエッチングレートよりも大きいエッチング液を用いたウェットエッチング法によって、前記マスクを用いて前記第2電極層が露出するように前記積層体の前記第3電極層及び前記第2誘電体層をエッチングすることにより、前記第1の開口の下に前記第2電極層に至る深さの第1の積層体開口部を形成する工程と、
(e)前記第1の開口と離間するように前記マスクに第2の開口を形成する工程と、
(f)前記第2電極層に対するエッチングレートが、前記第1誘電体層に対するエッチングレートよりも大きいエッチング液を用いたウェットエッチング法によって、前記マスクを用いて前記第1電極層が露出するように前記積層体の前記第2電極層及び前記第1誘電体層をエッチングすることにより、前記第1の積層体開口部を前記第1電極層に至る深さまで深くすると共に、前記第2の開口の下に前記第2電極層に至る深さの第2の積層体開口部を形成する工程と、
を有する薄膜キャパシタを製造する方法。 - 前記マスクは、ポジ型レジストで形成され、
前記工程(c)及び前記工程(e)では、フォトリソグラフィー法によって前記マスクに前記第1の開口及び前記第2の開口がそれぞれ形成される、請求項1に記載の方法。
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