JP6430686B2 - 薄膜キャパシタおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
2:酸化物層
3:密着層
4:下部キャパシタ電極層
5、7、9:誘電体層
10:上部キャパシタ電極層
11:キャパシタ部(上記4〜10で構成)
12:保護層
13:内部保護層(下記14、15で構成)
14:無機内部保護層
15:有機内部保護層
20、21:補強電極
22、23:表面電極(下記24、25または26、27で構成)
24、26:下部表面電極層
25、27:上部表面電極層
28、29:不動態膜
32、33:配線電極
34:外部保護層
35、36:はんだバンプ
100:薄膜キャパシタ
Claims (9)
- 少なくとも、1層の誘電体層と、前記誘電体層の両主面に形成された1対のキャパシタ電極層とを備えたキャパシタ部と、
前記キャパシタ部を覆って形成された、少なくとも1層の内部保護層と、少なくとも1層の外部保護層とを備えた保護層と、
前記外部保護層から露出して形成された少なくとも1対の表面電極と、
前記キャパシタ部と前記表面電極とを接続する少なくとも1対の配線電極と、を備えた薄膜キャパシタであって、
前記配線電極の少なくとも1つは、前記内部保護層に少なくとも1つのビア部を備え、
前記ビア部の内壁には、補強電極が形成され、
前記補強電極の表面のうち、前記外部保護層と接する部分の側面部以外の部分には、不動態膜が形成されており、
前記補強電極が、Ni、または、Niを含む合金を主成分とし、
前記表面電極が、少なくとも2層構造からなり、前記外部保護層から露出した最外層である上部表面電極層と、前記上部表面電極層の内側に形成された下部表面電極層とを含み、
平面視した前記上部表面電極層の大きさが、平面視した前記下部表面電極層の大きさよりも小さく、前記上部表面電極層は全体が前記外部保護層から露出し、前記下部表面電極層は周縁部が前記外部保護層に覆われている、薄膜キャパシタ。 - 前記不動態膜が、Ti、Cr、または、これらの少なくとも1つを含む合金を主成分とする、請求項1に記載された薄膜キャパシタ。
- 前記外部保護層の少なくとも1層が、有機材料からなる、請求項1または2に記載された薄膜キャパシタ。
- 前記外部保護層の少なくとも1層が、ソルダーレジストからなる、請求項1〜3のいずれか1項に記載された薄膜キャパシタ。
- 前記補強電極が、めっきにより形成されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載された薄膜キャパシタ。
- 前記上部表面電極層が、Au、または、Auを含む合金を主成分とし、前記下部表面電極層が、Ni、または、Niを含む合金を主成分とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載された薄膜キャパシタ。
- 基板を準備する工程と、
前記基板上に、少なくとも、1層の誘電体層と、前記誘電体層の両主面に形成された1対のキャパシタ電極層とを備えたキャパシタ部を形成する工程と、
前記キャパシタ部上に、内部保護層を形成する工程と、
前記内部保護層に、前記1対のキャパシタ電極層にそれぞれ到達する孔を形成する工程と、
前記内部保護層の表面、および、前記孔の内壁に、ビア部を備えた配線電極を形成する工程と、
前記ビア部の内壁に、補強電極を形成する工程と、
前記内部保護層の表面に、前記配線電極と接続された表面電極を形成する工程と、
前記補強電極の表面の少なくとも一部に、不動態膜を形成する工程と、
前記内部保護層上に、前記表面電極の少なくとも一部分を外部に露出させて、外部保護層を形成する工程と、を備え、
前記補強電極が、Ni、または、Niを含む合金を主成分とし、
前記補強電極の表面のうち、前記外部保護層と接する部分の側面部以外の部分に、不動態膜が形成され、
前記表面電極が、少なくとも2層構造からなり、前記外部保護層から露出した最外層である上部表面電極層と、前記上部表面電極層の内側に形成された下部表面電極層とを含み、
平面視した前記上部表面電極層の大きさが、平面視した前記下部表面電極層の大きさよりも小さく、前記上部表面電極層は全体が前記外部保護層から露出し、前記下部表面電極層は周縁部が前記外部保護層に覆われている、
薄膜キャパシタの製造方法。 - 前記上部表面電極層が、Au、または、Auを含む合金を主成分とし、前記下部表面電極層が、Ni、または、Niを含む合金を主成分とする、請求項7に記載された薄膜キャパシタの製造方法。
- 前記表面電極が、少なくとも2層構造からなり、前記外部保護層から露出した最外層である上部表面電極層と、前記上部表面電極層の内側に接する下部表面電極層とを備え、平面視した前記上部表面電極層の大きさは、平面視した前記下部表面電極層の大きさよりも小さく、
前記不動態膜を形成する工程と同時に、前記上部表面電極層上に、所定の形状からなる不動態膜を形成する工程と
前記上部表面電極層上に形成された前記不動態膜をマスクとして、前記上部表面電極層をエッチングする工程とを更に備えた、請求項7または8に記載された薄膜キャパシタの製造方法。
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