JP6399270B1 - 薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 38
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 55
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 224
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 16
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 16
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- -1 halogen ion Chemical class 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Abstract
Description
本発明の第1の実施形態に係る薄膜デバイスについて、図を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜デバイスの概略構成を示す側面断面図である。図2は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜デバイスの概略構成を示す拡大側面断面図である。図3は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜デバイスの製造工程を示したフローチャート図である。図4(A)、図4(B)、図4(C)は、図3に示す薄膜デバイスの製造フローの前半工程の各工程での構成を示した図である。図5(A)、図5(B)、図5(C)は、図3に示す薄膜デバイスの製造フローの後半工程の各工程での構成を示した図である。
本発明の第2の実施形態に係る薄膜デバイスについて、図を参照して説明する。図6は、本発明の第2の実施形態に係る薄膜デバイスの概略構成を示す側面断面図である。図7は、本発明の第2の実施形態に係る薄膜デバイスの概略構成を示す拡大側面断面図である。図8は、本発明の第2の実施形態に係る薄膜デバイスの製造工程を示したフローチャート図である。図9(A)、図9(B)、図9(C)は、図8に示す薄膜デバイスの製造フローの前半工程の各工程での構成を示した図である。図10(A)、図10(B)、図10(C)は、図8に示す薄膜デバイスの製造フローの後半工程の各工程での構成を示した図である。
次に、本発明の第3の実施形態に係る薄膜デバイスについて説明する。図11は、本発明の第3の実施形態に係る薄膜デバイスの側面断面図である。
次に、本発明の第4の実施形態に係る薄膜デバイスについて説明する。図12は、本発明の第4の実施形態に係る薄膜デバイスの概略構成を示す拡大側面断面図である。
20:ベース基板
30:キャパシタ層
31:第1キャパシタ電極
32:第2キャパシタ電極
33:誘電体層
41、42:絶縁体層
51、52:配線電極
53:樹脂絶縁層
60A、61、62:配線電極
71、71C:樹脂絶縁層
81、82:端子電極
81A、82A:半田バンプ
90A、91、92:第1密着層
90B、93、94:第2密着層
95:第3密着層
96:第4密着層
501、502、601、602、610:コンタクトホール
530:表面部
531:側面部
611、621:第1主面
612、622:第2主面
613、623:側面
820:補助電極
R1:第1領域
R2:第2領域
Claims (11)
- 基板内部または基板上に形成された機能素子と、
前記基板上に形成された再配線層と、
前記再配線層の前記基板と反対側の表面に形成された端子電極と、
第1密着層と、を備え、
前記再配線層は、前記機能素子と前記端子電極とを接続する平膜状の配線電極を含み、
前記配線電極は、前記再配線層の表面に平行な第1主面および前記第1主面に対向する第2主面を有するとともに、前記配線電極は、銅を含む材料で形成され、
前記端子電極は前記配線電極の前記第1主面の第1領域に直接的または間接的に接続されており、
前記第1密着層は、不動態を形成する材料からなり、前記配線電極に密着され、前記配線電極の前記第1主面における前記第1領域に隣接した第2領域と、該第2領域に連接する前記配線電極の端部とを連続的に覆う形状である、
薄膜デバイス。 - 前記第1密着層と前記端子電極の側面を覆う樹脂絶縁層を備える、
請求項1に記載の薄膜デバイス。 - 前記樹脂絶縁層は、前記端子電極の表面外縁部を覆っている、
請求項2に記載の薄膜デバイス。 - 前記配線電極の前記第2主面に形成された、不動態を形成する材料からなる第2密着層を備え、
前記第2密着層は、前記第1密着層と連接している、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の薄膜デバイス。 - 前記第1密着層および前記第2密着層は、
チタン、クロム、ニッケル、アルミニウムの少なくとも1種類の材料、または、これらのいずれかを含む化合物のうち少なくとも1種類の材料によって形成されている、
請求項4に記載の薄膜デバイス。 - 前記機能素子は、誘電体層とキャパシタ電極を有する薄膜キャパシタであり、
前記配線電極は、前記キャパシタ電極のうち、正極側のキャパシタ電極に電気的に接続されている、
請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の薄膜デバイス。 - 前記配線電極の前記端部は、前記キャパシタ電極のうち、負極側のキャパシタ電極に電気的に接続された他の配線電極に対向している、請求項6に記載の薄膜デバイス。
- 前記誘電体層は、焼結体である、請求項6に記載の薄膜デバイス。
- 前記配線電極は、前記キャパシタ電極よりも導電率が高い材料で構成されている、請求項6に記載の薄膜デバイス。
- 前記配線電極の厚みは、前記キャパシタ電極よりも厚い、請求項6に記載の薄膜デバイス。
- 機能素子を有する基板の上面に、配線電極を含む再配線層を形成する工程と、
前記再配線層の前記基板と反対側の表面の第1領域に、端子電極を形成する工程と、
を有する、薄膜デバイスの製造方法であって、
前記再配線層を形成する工程は、
不動態からなる第2密着層を形成する工程と、
前記第2密着層の表面に、銅を含む材料からなる配線電極を形成することで、前記第2密着層の表面に配線電極が形成された配線電極形成領域と、前記第2密着層の表面に配線電極が形成されていない露出領域とを形成する工程と、
前記配線電極における前記第1領域に隣接する第2領域、前記配線電極の端部、および、前記第2密着層の前記露出領域に連続する、不動態からなる第1密着層を形成する工程と、
前記配線電極に接していない部分の前記第1密着層と前記第2密着層とを削除する工程と、
を有する、
薄膜デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016254714 | 2016-12-28 | ||
JP2016254714 | 2016-12-28 | ||
PCT/JP2017/046315 WO2018123926A1 (ja) | 2016-12-28 | 2017-12-25 | 薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6399270B1 true JP6399270B1 (ja) | 2018-10-03 |
JPWO2018123926A1 JPWO2018123926A1 (ja) | 2018-12-27 |
Family
ID=62707586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018535071A Active JP6399270B1 (ja) | 2016-12-28 | 2017-12-25 | 薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11587734B2 (ja) |
JP (1) | JP6399270B1 (ja) |
CN (1) | CN209015904U (ja) |
WO (1) | WO2018123926A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210020587A1 (en) * | 2019-06-11 | 2021-01-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Moisture barrier for metal insulator metal capacitors and integrated circuit having the same |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP3838827B2 (ja) | 1999-10-05 | 2006-10-25 | 新光電気工業株式会社 | 薄膜コンデンサ素子及びプリント回路基板の製造方法 |
US6847066B2 (en) | 2000-08-11 | 2005-01-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP4674606B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2011-04-20 | 株式会社村田製作所 | 薄膜キャパシタ |
TWI423282B (zh) * | 2005-12-22 | 2014-01-11 | Ngk Spark Plug Co | 電容器與配線板及其製造方法 |
US7365412B2 (en) * | 2006-04-12 | 2008-04-29 | International Business Machines Corporation | Vertical parallel plate capacitor using spacer shaped electrodes and method for fabrication thereof |
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EP3128544B1 (en) * | 2014-04-03 | 2021-01-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Variable capacitance device and production method therefor |
-
2017
- 2017-12-25 JP JP2018535071A patent/JP6399270B1/ja active Active
- 2017-12-25 CN CN201790000795.3U patent/CN209015904U/zh active Active
- 2017-12-25 WO PCT/JP2017/046315 patent/WO2018123926A1/ja active Application Filing
-
2018
- 2018-12-20 US US16/227,193 patent/US11587734B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018123926A1 (ja) | 2018-07-05 |
US11587734B2 (en) | 2023-02-21 |
US20190122822A1 (en) | 2019-04-25 |
CN209015904U (zh) | 2019-06-21 |
JPWO2018123926A1 (ja) | 2018-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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