JP6731777B2 - チップコンデンサ - Google Patents

Description

本発明は、チップコンデンサに関する。

特許文献１には、誘電体セラミック層と、当該誘電体セラミック層を挟んで静電容量を形成する複数の内部電極と、各内部電極に接続された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサが開示されている。

特開２００６−３４７７８２号公報

本願発明者らは、基板の上面にコンデンサが形成された構成を有するチップコンデンサを検討している。チップコンデンサの分野では、外部電極とチップの内部に設けられた内部電極との接続が良好で、長期的に使用可能な信頼性の高いものが要求されているという課題がある。
そこで、本発明は、外部電極と内部電極とを良好に接続でき、優れた信頼性を有するチップコンデンサを提供することを目的とする。

本発明の一局面に係るチップコンデンサは、上面を有する基板と、前記基板の上面の予め定められた領域に配置された第１導電体膜であって、第１接続領域と、第１コンデンサ形成領域とを含む第１導電体膜と、前記第１導電体膜を被覆するように前記第１導電体膜上および前記基板上に配置された誘電体膜と、前記誘電体膜上に配置された第２導電体膜であって、前記第１導電体膜に対向しない第２接続領域と、前記誘電体膜を挟んで前記第１導電体膜の前記第１コンデンサ形成領域に対向する第２コンデンサ形成領域とを含む第２導電体膜と、前記第１導電体膜の前記第１接続領域に電気的に接続された第１外部電極と、前記第２導電体膜の前記第２接続領域に電気的に接続された第２外部電極とを含む。

本発明の他の局面に係るチップコンデンサは、上面を有する基板と、前記基板の上面の予め定められた領域に配置された第１導電体膜であって、第１接続領域と、第１コンデンサ形成領域とを含む第１導電体膜と、前記第１導電体膜を被覆するように前記第１導電体膜上および前記基板上に配置された誘電体膜と、前記誘電体膜上に配置された第２導電体膜であって、前記第１導電体膜に対向しない第２接続領域と、前記誘電体膜を挟んで前記第１導電体膜の前記第１コンデンサ形成領域に対向する第２コンデンサ形成領域とを含む第２導電体膜と、前記第１導電体膜の前記第１接続領域に対してアンカー構造を有するように、前記第１導電体膜の前記第１接続領域に電気的に接続された第１外部電極と、前記第２導電体膜の前記第２接続領域に対してアンカー構造を有するように、前記第２導電体膜の前記第２接続領域に電気的に接続された第２外部電極とを含む。

本発明の一局面に係るチップコンデンサによれば、第１外部電極と第２外部電極との間の領域に、第１導電体膜の第１コンデンサ形成領域、誘電体膜および第２導電体膜の第２コンデンサ形成領域を含む積層膜によって所定容量のコンデンサ領域が形成されている。その一方で、コンデンサ領域とは別の領域には、第１導電体膜と第２導電体膜とが対向しない領域である第１接続領域と第２接続領域とが設けられている。そして、第１外部電極が第１接続領域に電気的に接続されており、第２外部電極が第２接続領域に電気的に接続されている。

このため、第１外部電極と内部電極である第１導電体膜の第１接続領域とを良好に接続できると共に、第２外部電極と内部電極である第２導電体膜の第２接続領域とを良好に接続できる。これにより、第１導電体膜の第１接続領域に対する第１外部電極の接続強度や、第２導電体膜の第２接続領域に対する第２外部電極の接続強度の向上を図ることが可能となる。その結果、外部電極と内部電極とを良好に接続でき、優れた信頼性を有するチップコンデンサを提供できる。特に、第１外部電極や第２外部電極にアンカー構造を付与することにより、接続強度をより一層向上できるチップコンデンサを提供できる。

本発明の他の局面に係るチップコンデンサによれば、第１外部電極と第２外部電極との間の領域に、第１導電体膜の第１コンデンサ形成領域、誘電体膜および第２導電体膜の第２コンデンサ形成領域を含む積層膜によって所定容量のコンデンサ領域が形成されている。その一方で、コンデンサ領域とは別の領域には、第１導電体膜と第２導電体膜とが対向しない領域である第１接続領域と第２接続領域とが設けられている。そして、第１外部電極が第１接続領域に電気的に接続されており、第２外部電極が第２接続領域に電気的に接続されている。

このため、内部電極である第１導電体膜の第１接続領域と、第１外部電極とを良好に接続できると共に、内部電極である第２導電体膜の第２接続領域と、第２外部電極とを良好に接続できる。これにより、第１導電体膜の第１接続領域に対する第１外部電極の接続強度や、第２導電体膜の第２接続領域に対する第２外部電極の接続強度の向上を図ることが可能となるので、優れた信頼性を有するチップコンデンサを提供できる。

また、本発明の他の局面に係るチップコンデンサによれば、第１外部電極が、第１導電体膜の第１接続領域に対してアンカー構造を有するように第１導電体膜の第１接続領域に電気的に接合されているから、第１導電体膜に対する第１外部電極の接続強度を効果的に高めることができる。同様に、第２外部電極が、第２導電体膜の第２接続領域に対してアンカー構造を有するように第２導電体膜の第２接続領域に電気的に接合されているから、第２導電体膜に対する第２外部電極の接続強度を効果的に高めることができる。これにより、外部電極と内部電極とを良好に接続でき、優れた信頼性を有するチップコンデンサを提供できる。

図１は、本発明の第１実施形態に係るチップコンデンサの一部切欠き斜視図である。 図２は、図１に示されるII-II線に沿う縦断面図である。 図３は、図２に示されるIII-III線に沿う横断面図である。 図４は、図２に示されるIV-IV線に沿う横断面図である。 図５は、第１実施形態の変形例に係るチップコンデンサの一部切欠き斜視図である。 図６は、図５に示されるVI-VI線に沿う縦断面図である。 図７は、図５に示されるVII-VII線に沿う縦断面図である。 図８は、本発明の第２実施形態に係るチップコンデンサの一部切欠き斜視図である。 図９は、図８に示されるIX-IX線に沿う縦断面図である。 図１０は、図９に示されるX-X線に沿う横断面図である。 図１１（ａ）は、図９に示される破線XIで囲まれた領域の拡大図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示される領域の他の形態を示す図である。 図１２Ａは、図８に示されるチップコンデンサの製造方法の一工程を示す断面図である。 図１２Ｂは、図１２Ａの次の工程を示す断面図である。 図１２Ｃは、図１２Ｂの次の工程を示す断面図である。 図１３は、第２実施形態の変形例に係るチップコンデンサの一部切欠き斜視図である。 図１４は、図１３に示されるXIV-XIV線に沿う縦断面図である。 図１５は、図１３に示されるXV-XV線に沿う縦断面図である。 図１６は、第３実施形態に係るチップコンデンサの縦断面図である。 図１７は、第４実施形態に係るチップコンデンサの縦断面図である。 図１８は、図１７に示されるXVIII-XVIII線に沿う横断面図である。 図１９は、図１７に示される破線XIXで囲まれた領域の拡大図である。 図２０は、図１７に示される破線XXで囲まれた領域の拡大図である。 図２１は、図１に示されるチップコンデンサの変形例を示す縦断面図である。

以下では、本発明の複数の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係るチップコンデンサ１の一部切欠き斜視図である。図２は、図１に示されるII-II線に沿う縦断面図である。図３および図４は、それぞれ図２に示されるIII-III線およびIV-IV線に沿う横断面図である。

図１および図２に示されるように、チップコンデンサ１は、いわゆる０６０３（０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）チップ、０４０２（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）チップ、０３０１５（０．３ｍｍ×０．１５ｍｍ）チップ等と称される微小なチップ部品であり、チップ本体を構成する基板２を含む。基板２は、平面視長方形状の上面３と、上面３の反対側に位置し、上面３と略同一形状の下面４と、上面３および下面４を接続する４つの側面５とを含む。以下では、４つの側面５のうち、長手方向に沿う側面５を長手側面５ａといい、短手方向に沿う側面５を短手側面５ｂという。

基板２の長手側面５ａの長さＬは、たとえば０．３ｍｍ以上０．６ｍｍ以下である。基板２の短手側面５ｂの長さＤは、たとえば０．１５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。基板２の厚さＴは、たとえば０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である。基板２の各コーナー部６は、平面視で面取りされたラウンド形状であってもよい。ラウンド形状であれば、その周方向に沿って外力を分散させることができるから、コーナー部６のクラックの発生を抑制できる。

基板２の一端部２ａ側における上面３上には、第１外部電極７が配置されており、基板２の他端部２ｂ側における上面３上には、第２外部電極８が配置されている。第１外部電極７および第２外部電極８は、いずれも、基板２の短手側面５ｂに沿って、平面視長方形状に形成されている。
図２〜図４に示されるように、本実施形態に係るチップコンデンサ１の特徴は、第１外部電極７と第２外部電極８との間の領域に所定容量のコンデンサ領域Ｃが形成されている一方で、第２外部電極８の下方（直下）の領域にコンデンサ領域が形成されていないことである。本実施形態は、係る構成を具備することにより、第１外部電極７と内部電極とを良好に接合でき、かつ、第２外部電極８と内部電極とを良好に接合できるチップコンデンサ１を提供しようとするものである。以下、図２〜図４を参照して、チップコンデンサ１の具体的な構成を説明する。

基板２の上面３には、当該基板２の上面３全域を被覆するように絶縁膜９が配置されている。絶縁膜９は、ＳｉＯ_２膜やＳｉＮ膜であってもよい。絶縁膜９上には、第１導電体膜１０が配置されている。
図２および図３に示されるように、第１導電体膜１０は、絶縁膜９の予め定められた領域に配置されている。第１導電体膜１０は、基板２の一端部２ａ側から他端部２ｂ側に向けて延びる平面視矩形状（本実施形態では長方形状）に形成されており、基板２の一端部２ａ側に配置された第１接続領域１０ａと、基板２の内方領域側に配置された第１コンデンサ形成領域１０ｂとを一体的に含む。

第１導電体膜１０の第１接続領域１０ａは、第１外部電極７の直下の領域に配置されており、基板２の短手方向に沿う平面視矩形状（本実施形態では長方形状）に形成されている。第１導電体膜１０の第１コンデンサ形成領域１０ｂは、第１導電体膜１０の第１接続領域１０ａから第２外部電極８側に向かって引き出されており、第１外部電極７と第２外部電極８との間の領域を被覆している。第１コンデンサ形成領域１０ｂの第２外部電極８側の端部は、平面視において、第２外部電極８外の領域に配置されている。第１導電体膜１０上には、誘電体膜１１が配置されている。

図２に示されるように、誘電体膜１１は、第１導電体膜１０の全域を被覆するように、第１導電体膜１０上および絶縁膜９上に配置されている。誘電体膜１１は、ＳｉＯ_２膜やＳｉＮ膜であってもよい。誘電体膜１１は、基板２側からこの順に形成された酸化膜（ＳｉＯ_２膜）／窒化膜（ＳｉＮ膜）／酸化膜（ＳｉＯ_２膜）を含むＯＮＯ膜であってもよい。誘電体膜１１上には、第２導電体膜１２とパッド膜１３とが配置されている。

図２および図４に示されるように、第２導電体膜１２は、基板２の他端部２ｂ側から一端部２ａ側に向けて延びる平面視矩形状（本実施形態では長方形状）に形成されており、基板２の他端部２ｂ側に配置された第２接続領域１２ａと、基板２の内方領域側に配置された第２コンデンサ形成領域１２ｂとを一体的に含む。
第２導電体膜１２の第２接続領域１２ａは、第２外部電極８の直下の領域において誘電体膜１１に接するように当該誘電体膜１１上に配置されており、基板２の短手方向に沿う平面視矩形状（本実施形態では長方形状）に形成されている。第２接続領域１２ａは、誘電体膜１１を挟んで絶縁膜９に対向している。第２導電体膜１２の第２コンデンサ形成領域１２ｂは、第２導電体膜１２の第２接続領域１２ａから第１外部電極７側に向かって引き出されており、第１外部電極７と第２外部電極８との間の領域を被覆している。これにより、第２コンデンサ形成領域１２ｂは、誘電体膜１１を挟んで第１コンデンサ形成領域１０ｂに対向している。第２コンデンサ形成領域１２ｂの第１外部電極７側の端部は、平面視において、第１外部電極７外の領域に配置されている。

パッド膜１３は、第２導電体膜１２から電気的に絶縁されるように当該第２導電体膜１２から一定の間隔を空けて誘電体膜１１上に配置されている。パッド膜１３は、基板２の一端部２ａ側において第１外部電極７の直下の領域に配置されており、基板２の短手側面５ｂに沿って平面視矩形状（本実施形態では長方形状）に形成されている。パッド膜１３は、第１導電体膜１０の第１接続領域１０ａを選択的に露出させるように誘電体膜１１に形成されたビアホール１４を介して、第１導電体膜１０に電気的に接続されている。

第１導電体膜１０、第２導電体膜１２およびパッド膜１３の材料について補足する。第１導電体膜１０、第２導電体膜１２およびパッド膜１３は、ＣｕやＡｌを含む導電材料、たとえばＣｕ，Ａｌ，ＡｌＳｉまたはＡｌＣｕからなっていてもよい。
図２に示されるように、誘電体膜１１上には、第２導電体膜１２とパッド膜１３とを被覆するように、第１パッシベーション膜１６が配置されている。第１パッシベーション膜１６は、ＳｉＯ_２膜またはＳｉＮ膜であってもよい。第１パッシベーション膜１６上には、樹脂膜１７が配置されている。樹脂膜１７は、ポリイミドであってもよい。第１パッシベーション膜１６および樹脂膜１７には、パッド膜１３の縁部を除く領域を第１パッド領域１８として露出させる第１パッド開口１９と、第２導電体膜１２の第２接続領域１２ａの縁部を除く領域を第２パッド領域２０として選択的に露出させる第２パッド開口２１とが形成されている。

第１パッド開口１９内には、第１外部電極７が配置されている。第１外部電極７は、第１パッド開口１９内において第１パッド領域１８に電気的に接続されている。これにより、第１外部電極７は、パッド膜１３を介して第１導電体膜１０に電気的に接続されている。第２パッド開口２１内には、第２外部電極８が配置されている。第２外部電極８は、第２パッド開口２１内において第２パッド領域２０に電気的に接続されている。これにより、第２外部電極８は、第２導電体膜１２に電気的に接続されている。

第１外部電極７は、樹脂膜１７から突出するように形成されており、当該樹脂膜１７を被覆する被覆部７ａを有している。同様に、第２外部電極８は、樹脂膜１７から突出するように形成されており、当該樹脂膜１７を被覆する被覆部８ａを有している。第１外部電極７および第２外部電極８は、いずれも基板２側から順に積層されたＮｉ膜と、Ｐｄ膜と、Ａｕ膜とを含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜であってもよい。

図１〜図４に示されるように、基板２の側面５には、当該側面５全域を被覆するように第２パッシベーション膜２２が配置されている。第２パッシベーション膜２２は、ＳｉＯ_２膜またはＳｉＮ膜であってもよい。
以上のように、本実施形態では、第１外部電極７と第２外部電極８との間の領域に設けられた第１コンデンサ形成領域１０ｂ、誘電体膜１１および第２コンデンサ形成領域１２ｂの積層膜によりコンデンサ領域Ｃが形成されている。その一方で、コンデンサ領域Ｃとは別の領域に、第１導電体膜１０と第２導電体膜１２とが対向しない領域である、第１接続領域１０ａと第２接続領域１２ａとが設けられている。第１接続領域１０ａには、パッド膜１３を介して第１外部電極７が接合されており、第２接続領域１２ａには、第２外部電極８が接合されている。これにより、第１外部電極７と第１接続領域１０ａとを良好に接合できると共に、第２外部電極８と第２接続領域１２ａとを良好に接合できる。

特に、本実施形態に係るチップコンデンサ１は、第１導電体膜１０と第２導電体膜１２とが対向しない第２接続領域１２ａに第２外部電極８が接合されている。したがって、第２外部電極８の直下の領域に配置された誘電体膜１１にクラック等の不具合が生じたとしても、当該第２外部電極８の直下の領域には、第１導電体膜１０および第２導電体膜１２が存在しないので、当該クラックを介して第１導電体膜１０と第２導電体膜１２とが接触するのを回避できる。これにより、接続不良の発生を抑制でき、優れた信頼性を有するチップコンデンサ１を提供できる。

＜第１実施形態の変形例＞
図５は、第１実施形態の変形例に係るチップコンデンサ３１の一部切欠き斜視図である。図６および図７は、それぞれ図５に示されるVI-VI線およびVII-VII線に沿う縦断面図である。図５〜図７において、前述の第１実施形態において述べた構成と同様の構成については、同一の参照符号を付して、説明を省略する。

図５〜図７に示されるように、前述の基板２の一端部２ａ側における上面３には、第１外部電極３２が配置されており、基板２の他端部２ｂ側における上面３には、第２外部電極３３が配置されている。第１外部電極３２および第２外部電極３３は、いずれも、基板２の短手側面５ｂに沿って、平面視長方形状に形成されている。第１外部電極３２は、基板２の上面３上から長手側面５ａおよび短手側面５ｂに回り込み、基板２の三方の側面５を被覆する被覆部３２ａを有している。同様に、第２外部電極３３は、基板２の上面３上から長手側面５ａおよび短手側面５ｂに回り込み、基板２の三方の側面５を被覆する被覆部３３ａを有している。

誘電体膜１１上には、前述の第１パッシベーション膜１６と樹脂膜１７とが形成されている。第１パッシベーション膜１６および樹脂膜１７には、第１切欠部３５と、第２切欠部３７とが形成されている。
第１切欠部３５は、パッド膜１３の第２外部電極３３側の縁部を除く領域を第１パッド領域３４として選択的に露出させている。第２切欠部３７は、第２導電体膜１２の第２接続領域１２ａにおける第１外部電極３２側の縁部を除く領域を第２パッド領域３６として選択的に露出させている。これら第１切欠部３５および第２切欠部３７により、基板２の内方側の領域のみが第１パッシベーション膜１６および樹脂膜１７により被覆された構成とされている。

第１切欠部３５から露出する第１パッド領域３４上には、当該第１パッド領域３４に電気的に接続されるように第１外部電極３２が配置されている。これにより、第１外部電極３２は、パッド膜１３を介して第１導電体膜１０に電気的に接続されている。第２切欠部３７から露出する第２パッド領域３６上には、当該第２パッド領域３６に電気的に接続されるように第２外部電極３３が配置されている。これにより、第２外部電極３３は、第２導電体膜１２に電気的に接続されている。

第１外部電極３２は、樹脂膜１７から突出するように形成されており、当該樹脂膜１７を被覆する被覆部３２ｂを有している。同様に、第２外部電極３３は、樹脂膜１７から突出するように形成されており、当該樹脂膜１７を被覆する被覆部３３ｂを有している。第１外部電極３２および第２外部電極３３は、基板２側から順に積層されたＮｉ膜と、Ｐｄ膜と、Ａｕ膜とを含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜であってもよい。

以上、チップコンデンサ３１は、基板２の側面５に回り込むように形成された第１外部電極３２と、基板２の側面５に回り込むように形成された第２外部電極３３とを含む。これにより、第１外部電極３２および第２外部電極３３に対する導電性接合材（たとえば半田）の接着面積を増加させることができるから、実装状態におけるチップコンデンサ３１の接続強度を高めることができる。さらに、実装状態では、基板２の３つの側面５を被覆する第１外部電極３２および第２外部電極３３によって、三方向からチップコンデンサ３１を保持することが可能となるから、チップコンデンサ３１の実装形状を一層安定化させることができる。

＜第２実施形態＞
図８は、本発明の第２実施形態に係るチップコンデンサ４１の一部切欠き斜視図である。図９は、図８に示されるIX-IX線に沿う縦断面図である。図８および図９において、前述の第１実施形態において述べた構成と同様の構成については、同一の参照符号を付して、説明を省略する。

図８〜図９に示されるように、チップコンデンサ４１は、いわゆる０６０３チップ、０４０２チップ、０３０１５チップ等と称される微小なチップ部品であり、前述の基板２を含む。基板２の一端部２ａ側における上面３には、前述の第１外部電極７が配置されており、基板２の他端部２ｂ側における上面３には、前述の第２外部電極８が配置されている。

本実施形態に係るチップコンデンサ４１の一つの特徴は、第１外部電極７と第２外部電極８との間の領域に所定容量のコンデンサ領域Ｃが形成されている一方で、第２外部電極８の下方（直下）の領域にコンデンサ領域が形成されていないことである。本実施形態は、係る構成を具備することにより、第１外部電極７と内部電極とを良好に接合でき、かつ、第２外部電極８と内部電極とを良好に接合できるチップコンデンサ４１を提供しようとするものである。以下、チップコンデンサ４１の具体的な構成を説明する。

基板２には、当該基板２の上面３全域を被覆するように前述の絶縁膜９が配置されている。絶縁膜９上には、第１導電体膜４２が配置されている。
第１導電体膜４２は、絶縁膜９の予め定められた領域に配置されている。第１導電体膜４２は、基板２の一端部２ａ側から他端部２ｂ側に向けて延びる平面視矩形状（本実施形態では長方形状）に形成されており、基板２の一端部２ａ側に配置された第１接続領域４２ａと、基板２の内方領域側に配置された第１コンデンサ形成領域４２ｂとを一体的に含む。

第１導電体膜４２の第１接続領域４２ａは、第１外部電極７の直下の領域に配置されており、基板２の短手方向に沿う平面視矩形状（本実施形態では長方形状）に形成されている。第１導電体膜４２の第１コンデンサ形成領域４２ｂは、第１導電体膜４２の第１接続領域４２ａから第２外部電極８側に向かって引き出されており、第１外部電極７と第２外部電極８との間の領域を被覆している。第１コンデンサ形成領域４２ｂの第２外部電極８側の端部は、平面視において、第２外部電極８外の領域に配置されている。第１導電体膜４２上には、誘電体膜１１が配置されている。

誘電体膜４４は、第２外部電極８の下方の領域に位置する絶縁膜９を露出させ、かつ、第１導電体膜４２の全域を被覆するように絶縁膜９上に選択的に配置されている。これにより、第２外部電極８の下方の領域に誘電体膜４４が設けられていない構成とされている。誘電体膜４４は、ＳｉＯ_２膜やＳｉＮ膜であってもよい。誘電体膜４４は、基板２側からこの順に形成された酸化膜（ＳｉＯ_２膜）／窒化膜（ＳｉＮ膜）／酸化膜（ＳｉＯ_２膜）を含むＯＮＯ膜であってもよい。誘電体膜４４上には、第２導電体膜４５が配置されている。

第２導電体膜４５は、基板２の他端部２ｂ側から一端部２ａ側に向けて延びる平面視矩形状（本実施形態では長方形状）に形成されており、基板２の他端部２ｂ側に配置された第２接続領域４５ａと、基板２の内方領域側に配置された第２コンデンサ形成領域４５ｂとを一体的に含む。第２導電体膜４５の第２接続領域４５ａは、第２外部電極８の直下の領域において誘電体膜４４に接するように当該誘電体膜４４上に配置されており、基板２の短手方向に沿う平面視矩形状（本実施形態では長方形状）に形成されている。第２接続領域４５ａは、絶縁膜９に接するように当該絶縁膜９上に配置されている。

第２導電体膜４５の第２コンデンサ形成領域４５ｂは、第２導電体膜４５の第２接続領域４５ａから第１外部電極７側に向かって引き出されており、第１外部電極７と第２外部電極８との間の領域を被覆している。これにより、第２コンデンサ形成領域４５ｂは、誘電体膜４４を挟んで第１コンデンサ形成領域４２ｂに対向している。第２コンデンサ形成領域４５ｂの第１外部電極７側の端部は、平面視において、第１外部電極７外の領域に配置されている。

第１導電体膜４２および第２導電体膜４５の材料について補足する。第１導電体膜４２および第２導電体膜４５は、ＣｕやＡｌを含む導電材料、たとえばＣｕ，Ａｌ，ＡｌＳｉまたはＡｌＣｕからなっていてもよい。
本実施形態に係るチップコンデンサ４１のもう一つの特徴は、図９に示されるように、第１外部電極７が、アンカー構造を有するように第１導電体膜４２の第１接続領域４２ａに接合され、第２外部電極８が、アンカー構造を有するように第２導電体膜４５の第２接続領域４５ａに接合されていることである。本実施形態では、アンカー構造を有する第１外部電極７の一態様として、第１外部電極７の下面に第１突起５１を含む凹凸が形成され、アンカー構造を有する第２外部電極８の一態様として、第２外部電極８の下面に第２突起５２を含む凹凸が形成された例について説明する。

本実施形態は、係る構成を具備することにより、第１導電体膜４２に対する第１外部電極７の接続強度および第２導電体膜４５に対する第２外部電極８の接続強度を高めて、接続不良の発生を抑制できるチップコンデンサ４１を提供しようとするものである。以下、図１０および図１１を併せて参照しつつ、第１突起５１および第２突起５２ならびにその周辺の構成について具体的に説明する。

図１０は、図９に示されるX-X線に沿う横断面図である。図１１（ａ）は、図９に示される破線XIで囲まれた領域の拡大図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示される領域の他の形態を示す図である。なお、第２外部電極８側の構成は、第１外部電極７側の構成と略同一であるので、図１１（ａ）および図１１（ｂ）では、第１外部電極７側の構成のみを示している。

図９および図１０に示されるように、絶縁膜９における第１外部電極７の下方に位置する領域には、基板２の上面３側に向かって窪んだ複数の第１下地凹部５３が形成されている。複数の第１下地凹部５３は、基板２の長手方向および短手方向に沿って行列状に配列されており、いずれも平面視矩形状（本実施形態では、平面視正方形状）に形成されている。

一方、絶縁膜９における第２外部電極８の下方に位置する領域には、基板２の上面３側に向かって窪んだ複数の第２下地凹部５４が形成されている。複数の第２下地凹部５４は、基板２の長手方向および短手方向に沿って行列状に配列されており、いずれも平面視矩形状（本実施形態では、平面視正方形状）に形成されている。
なお、第１下地凹部５３および第２下地凹部５４は、平面視円形状に形成されていてもよい。また、第１下地凹部５３の底部および第２下地凹部５４の底部は、図１１（ａ）に示されるように、絶縁膜９の厚さ方向途中部に位置していてもよいし、図１１（ｂ）に示されるように、絶縁膜９を貫通して基板２内に位置していてもよい。

図１１（ａ）に示されるように、第１導電体膜４２の第１接続領域４２ａは、その上面および下面が絶縁膜９の上面および複数の第１下地凹部５３の内壁面に沿って形成されている。第１導電体膜４２の第１接続領域４２ａにおける各第１下地凹部５３の直上に位置する部分には、第１下地凹部５３側に向かって窪んだ第１凹部５５が形成されている。
同様に、第２導電体膜４５の第２接続領域４５ａは、その上面および下面が絶縁膜９の上面および複数の第２下地凹部５４の内壁面に沿って形成されている。第２導電体膜４５の第２接続領域４５ａにおける各第２下地凹部５４の直上に位置する部分には、第２下地凹部５４側に向かって窪んだ第２凹部５６が形成されている。

第１外部電極７の電極材料は、第１導電体膜４２の第１接続領域４２ａに形成された第１凹部５５に入り込んでいる。これにより、第１外部電極７の下面に第１接続領域４２ａに食い込む複数の第１突起５１が形成されている。複数の第１突起５１は、絶縁膜９に形成された複数の第１下地凹部５３の上方に位置しており、基板２の長手方向および短手方向に沿って行列状に配列されている。

同様に、第２外部電極８の電極材料は、第２導電体膜４５の第２接続領域４５ａに形成された第２凹部５６に入り込んでいる。これにより、第２外部電極８の下面に第２接続領域４５ａに食い込む複数の第２突起５２が形成されている。複数の第２突起５２は、絶縁膜９に形成された複数の第２下地凹部５４の上方に位置しており、基板２の長手方向および短手方向に沿って行列状に配列されている。

さらに、図８および図９に示されるように、第１外部電極７の上面には、基板２の上面３側に向かって窪んだ複数の第１上面凹部５７が形成されている。複数の第１上面凹部５７は、第１導電体膜４２の第１凹部５５に、第１外部電極７の電極材料が入り込むことにより形成されており、第１外部電極７の下面に形成された複数の第１突起５１の上方に位置している。これにより、複数の第１上面凹部５７が、基板２の長手方向および短手方向に沿って行列状に配列されている。

同様に、第２外部電極８の上面には、基板２の上面３側に向かって窪んだ複数の第２上面凹部５８が形成されている。複数の第２上面凹部５８は、第２導電体膜４５の第２凹部５６に、第２外部電極８の電極材料が入り込むことにより形成されており、第２外部電極８の下面に形成された複数の第２突起５２の上方に位置している。これにより、複数の第２上面凹部５８が、基板２の長手方向および短手方向に沿って行列状に配列されている。

複数の第１上面凹部５７がその上面に形成された第１外部電極７、および、複数の第２上面凹部５８がその上面に形成された第２外部電極８によれば、複数の第１上面凹部５７により、第１外部電極７の表面積を増加させることができ、複数の第２上面凹部５８により、第２外部電極８の表面積を増加させることができる。これにより、チップコンデンサ４１を実装基板に実装する際に、第１外部電極７および第２外部電極８に対する導電性接合材（たとえば半田）の接続面積を増加させることができる。よって、チップコンデンサ４１を実装基板に良好に実装できる。

このように、第１外部電極７の下面に第１導電体膜４２に食い込む第１突起５１が形成されているので、接続面積の増加およびアンカー効果により、第１導電体膜４２に対する第１外部電極７の接続強度を高めることができる。また、第２外部電極８の下面に第２導電体膜４５に食い込む第２突起５２が形成されているので、接続面積の増加およびアンカー効果により、第２導電体膜４５に対する第２外部電極８の接続強度を高めることができる。

図９に示されるように、誘電体膜４４上には、第２導電体膜４５を被覆するように、前述の第１パッシベーション膜１６と樹脂膜１７とが配置されている。また、基板２の側面５には、前述の第２パッシベーション膜２２が配置されている。第１パッシベーション膜１６および樹脂膜１７には、第１導電体膜４２の第１接続領域４２ａを第１パッド領域４６として露出させる第１パッド開口４７と、第２導電体膜４５の第２接続領域４５ａを第２パッド領域４８として選択的に露出させる第２パッド開口４９とが形成されている。

第１パッド開口４７内には、第１外部電極７が配置されている。第１外部電極７は、第１パッド開口４７内において第１パッド領域４６に電気的に接続されている。これにより、第１外部電極７は、第１導電体膜４２に電気的に接続されている。第２パッド開口４９内には、第２外部電極８が配置されている。第２外部電極８は、第２パッド開口４９内において第２パッド領域４８に電気的に接続されている。これにより、第２外部電極８は、第２導電体膜４５に電気的に接続されている。

以上、チップコンデンサ４１によれば、内部電極である第１導電体膜４２の第１接続領域４２ａに食い込むように第１外部電極７の下面に形成された第１突起５１によって、第１外部電極７が、アンカー構造を有するように第１接続領域４２ａに接合されている。これにより、第１導電体膜４２に対する第１外部電極７の接続強度を高めることができる。よって、第１外部電極７と第１導電体膜４２とを良好に電気的に接続させることが可能となる。

同様に、第２導電体膜４５の第２接続領域４５ａに食い込むように第２外部電極８の下面に形成された第２突起５２によって、第２外部電極８が、アンカー構造を有するように第２導電体膜４５の第２接続領域４５ａに接合されている。これにより、第２導電体膜４５に対する第２外部電極８の接続強度を効果的に高めることができる。よって、第２外部電極８と第２導電体膜４５とを良好に電気的に接続させることが可能となる。

また、チップコンデンサ４１によれば、第１導電体膜４２が、絶縁膜９に形成された第１下地凹部５３に埋め込まれているから、接続面積の増加およびアンカー効果により、絶縁膜９に対する第１導電体膜４２の接続強度を高めることができる。同様に、第２導電体膜４５が、絶縁膜９に形成された第２下地凹部５４に埋め込まれているから、接続面積の増加およびアンカー効果により、絶縁膜９に対する第２導電体膜４５の接続強度を高めることができる。

このように、本実施形態の構成によれば、外部電極と内部電極とを良好に接続でき、優れた信頼性を有するチップコンデンサ４１を提供できる。
なお、本実施形態では、第１突起５１、第１下地凹部５３、第１凹部５５および第１上面凹部５７が平面視において行列状に配列された例について説明した。しかし、チップコンデンサ４１は、第１突起５１、第１下地凹部５３、第１凹部５５および第１上面凹部５７が平面視においてランダムなドッド状、千鳥状、基板２の長手方向に沿うストライプ状、基板２の短手方向に沿うストライプ状または格子状に配列される構成とされてもよい。

また、本実施形態では、第２突起５２、第２下地凹部５４、第２凹部５６および第２上面凹部５８が平面視において行列状に配列された例について説明した。しかし、チップコンデンサ４１は、第２突起５２、第２下地凹部５４、第２凹部５６および第２上面凹部５８が平面視においてランダムなドッド状、千鳥状、基板２の長手方向に沿うストライプ状、基板２の短手方向に沿うストライプ状または格子状に配列される構成とされてもよい。

＜チップコンデンサ４１の製造方法＞
次に、図１２Ａ〜図１２Ｃを参照して、チップコンデンサ４１の製造方法の一例について説明する。図１２Ａ〜図１２Ｃは、図１１（ａ）に対応する部分の拡大断面図であり、図８に示されるチップコンデンサ４１の製造方法の一工程を示す断面図である。以下では、必要に応じて前述の図９も参照する。

図１２Ａに示されるように、複数のチップコンデンサ４１に個片化される前の基板２が用意される。次に、基板２の上面３に絶縁膜９が形成される。絶縁膜９は、熱酸化処理により基板２の上面３を酸化させることにより形成されてもよいし、ＣＶＤ法により基板２の上面３に絶縁材料を堆積させることにより形成されてもよい。
次に、図１２Ｂに示されるように、絶縁膜９上に複数の第１下地凹部５３および複数の第２下地凹部５４を形成すべき領域に選択的に開口５９ａを有するレジストマスク５９が形成される。次に、たとえばレジストマスク５９を介するドライエッチングにより絶縁膜９の不要な部分が除去される。これにより、絶縁膜９に第１下地凹部５３および第２下地凹部５４が形成される。その後、レジストマスク５９は除去される。

次に、図１２Ｃに示されるように、絶縁膜９上に導電体膜が形成されて、所定形状にパターニングされる。これにより、第１導電体膜４２が形成される（図９も併せて参照）。次に、第１導電体膜４２上に誘電体膜が形成されて、所定形状にパターニングされる。これにより、誘電体膜４４が形成される（図９も併せて参照）。次に、誘電体膜４４上に導電体膜が形成されて、所定形状にパターニングされる。これにより、第２導電体膜４５が形成される（図９も併せて参照）。

第１導電体膜４２を形成する工程では、第１導電体膜４２の第１接続領域４２ａにおける各第１下地凹部５３の直上に位置する部分に、第１下地凹部５３側に向かって窪んだ第１凹部５５が形成される。第２導電体膜４５を形成する工程では、第２導電体膜４５の第２接続領域４５ａにおける各第２下地凹部５４の直上に位置する部分に、第２下地凹部５４側に向かって窪んだ第２凹部５６が形成される。

次に、第２導電体膜４５を被覆するように第１パッシベーション膜１６と樹脂膜１７とが誘電体膜４４上に形成される（図９も併せて参照）。次に、第１パッシベーション膜１６と樹脂膜１７とがパターニングされて、第１導電体膜４２の第１接続領域４２ａを第１パッド領域４６として選択的に露出させる第１パッド開口４７と、第２導電体膜４５の第２接続領域４５ａを第２パッド領域４８として選択的に露出させる第２パッド開口４９とが形成される。

次に、図１２Ｃを再度参照して、たとえばめっき処理によって、第１パッド開口４７から露出する第１導電体膜４２上および第２パッド開口４９から露出する第２導電体膜４５上に、基板２側からＮｉ膜と、Ｐｄ膜と、Ａｕ膜とが順に形成される。これにより、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜からなる第１外部電極７および第２外部電極８が形成される。
この工程において、第１外部電極７の電極材料が第１導電体膜４２の第１凹部５５に入り込む。これにより、第１外部電極７の下面に複数の第１突起５１が形成されると共に、第１外部電極７の上面における複数の第１突起５１に対応する位置に複数の第１上面凹部５７が形成される。

また、この工程において、第２外部電極８の電極材料が第２導電体膜４５の第２凹部５６に入り込む。これにより、第２外部電極８の下面に複数の第２突起５２が形成されると共に、第２外部電極８の上面における複数の第２突起５２に対応する位置に複数の第２上面凹部５８が形成される。
その後、基板２が選択的に切断されて、複数のチップコンデンサ４１に個片化される。このようにして、チップコンデンサ４１が製造される。

＜第２実施形態の変形例＞
図１３は、第２実施形態の変形例に係るチップコンデンサ６１の一部切欠き斜視図である。図１４は、図１３に示されるXIV-XIV線に沿う縦断面図である。図１５は、図１３に示されるXV-XV線に沿う縦断面図である。図１３〜図１５において、前述の第２実施形態において述べた構成と同様の構成については、同一の参照符号を付して、説明を省略する。

図１３〜図１５に示されるように、前述の基板２の一端部２ａ側に位置する上面３には、第１外部電極６２が配置されており、基板２の上面３における他端部２ｂ側には、第２外部電極６３が配置されている。第１外部電極６２および第２外部電極６３は、いずれも、基板２の短手側面５ｂに沿って、平面視長方形状に形成されている。第１外部電極６２は、基板２の上面３上から長手側面５ａおよび短手側面５ｂに回り込み、基板２の三方の側面５を被覆する被覆部６２ａを有している。同様に、第２外部電極６３は、基板２の上面３上から長手側面５ａおよび短手側面５ｂに回り込み、基板２の三方の側面５を被覆する被覆部６３ａを有している。

誘電体膜４４上には、前述の第１パッシベーション膜１６と樹脂膜１７とが形成されている。また、基板２の側面５には、前述の第２パッシベーション膜２２が配置されている。第１パッシベーション膜１６および樹脂膜１７には、第１切欠部６５と、第２切欠部６７とが形成されている。
第１切欠部６５は、第１導電体膜４２の第１接続領域４２ａにおける第２外部電極６３側の縁部を除く領域を第１パッド領域６４として選択的に露出させている。第２切欠部６７は、第２導電体膜４５の第２接続領域４５ａにおける第１外部電極６２側の縁部を除く領域を第２パッド領域６６として選択的に露出させている。これら第１切欠部６５および第２切欠部６７により、基板２の内方側の領域のみが第１パッシベーション膜１６および樹脂膜１７により被覆された構成とされている。

第１切欠部６５から露出する第１パッド領域６４上には、当該第１パッド領域６４に電気的に接続されるように第１外部電極６２が配置されている。これにより、第１外部電極６２は、第１導電体膜４２に電気的に接続されている。第２切欠部６７から露出する第２パッド領域６６上には、当該第２パッド領域６６に電気的に接続されるように第２外部電極６３が配置されている。これにより、第２外部電極６３は、第２導電体膜４５に電気的に接続されている。

第１外部電極６２は、樹脂膜１７から突出するように形成されており、当該樹脂膜１７を被覆する被覆部６２ｂを有している。同様に、第２外部電極６３は、樹脂膜１７から突出するように形成されており、当該樹脂膜１７を被覆する被覆部６３ｂを有している。第１外部電極６２および第２外部電極６３は、基板２側から順に積層されたＮｉ膜と、Ｐｄ膜と、Ａｕ膜とを含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜であってもよい。

以上、チップコンデンサ６１は、基板２の側面５に回り込むように形成された第１外部電極６２と、基板２の側面５に回り込むように形成された第２外部電極６３とを含む。これにより、第１外部電極６２および第２外部電極６３に対する導電性接合材（たとえば半田）の接着面積を増加させることができるから、実装状態におけるチップコンデンサ６１の接続強度を高めることができる。さらに、実装状態では、基板２の３つの側面５を被覆する第１外部電極６２および第２外部電極６３によって、三方向からチップコンデンサ６１を保持することが可能となるから、チップコンデンサ６１の実装形状を一層安定化させることができる。

＜第３実施形態＞
図１６は、第３実施形態に係るチップコンデンサ７１の縦断面図である。チップコンデンサ７１が前述の第２実施形態に係るチップコンデンサ４１と異なる点は、第１導電体膜４２と誘電体膜４４との間に、バリアメタル膜７２が形成されている点である。チップコンデンサ７１におけるその他の構成は、前述の第２実施形態に係るチップコンデンサ４１の構成と同様であるので、同一の参照符号を付して、説明を省略する。

バリアメタル膜７２は、第１導電体膜４２の平面形状に整合する平面形状を有しており、第１導電体膜４２の全域を被覆している。バリアメタル膜７２の厚さは、第１導電体膜４２の厚さよりも小さい。バリアメタル膜７２の厚さは、たとえば第１導電体膜４２の厚さの０．０１倍〜０．１倍程度である。第１導電体膜４２の厚さは、たとえば１０００Å以上３００００Å以下であり、バリアメタル膜７２の厚さは、たとえば１００Å以上３０００Å以下である。バリアメタル膜７２の材料としては、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｗ，ＴｉＷ等を例示できる。

なお、本実施形態では、第１外部電極７の第１突起５１は、バリアメタル膜７２を介して第１導電体膜４２に食い込むように形成されている例を示している。しかし、第１導電体膜４２上のバリアメタル膜７２が除去されることにより、第１外部電極７の第１突起５１が、直接第１導電体膜４２に食い込むように形成されていてもよい。
第１導電体膜４２の上面には、しばしばヒロック（hillock）と称される微細な凹凸が形成されることがある。本実施形態のチップコンデンサ７１によれば、バリアメタル膜７２によって第１導電体膜４２の上面におけるヒロックを埋めて、第１導電体膜４２の上面上において平坦面を形成できる。これにより、第１導電体膜４２上の構成の平坦性をより一層向上できる。

また、これと同時に、第１導電体膜４２の上面に形成されるヒロックに誘電体膜４４が入り込むのを抑制できる。これにより、ヒロックに起因する不所望かつ局所的な電界集中を抑制できるから、ブレイクダウン電圧および静電破壊耐量を向上させることが可能となる。このように、本実施形態では、第１外部電極７および第２外部電極８の接続強度を高めつつ、高耐圧化を図ることが可能となるチップコンデンサ７１を提供できる。

なお、導電体膜と誘電体膜との間にバリアメタル膜７２が形成された本実施形態の構成は、前述の各実施形態および各変形例に係るチップコンデンサ１，３１，６１にも適用できる。
＜第４実施形態＞
図１７は、第４実施形態に係るチップコンデンサ８１の縦断面図である。図１８は、図１７に示されるXVIII-XVIII線に沿う横断面図である。図１９および図２０は、それぞれ図１７に示される破線XIXおよび破線XXで囲まれた領域の拡大図である。

第４実施形態に係るチップコンデンサ８１は、前述の第１実施形態に係るチップコンデンサ１の構成に、前述の第２実施形態に係るチップコンデンサ４１の構成が組み合わされたものである。図１７〜図２０において、前述の第１実施形態および第２実施形態において述べた構成と同様の構成については、同一の参照符号を付して、説明を省略する。
図１７に示されるように、チップコンデンサ８１は、アンカー構造を有するように第１導電体膜１０の第１接続領域１０ａに電気的に接続された第１外部電極７と、アンカー構造を有するように第２導電体膜１２の第２接続領域１２ａに電気的に接続された第２外部電極８とを有している。本実施形態では、アンカー構造を有する第１外部電極７の一態様として、第１外部電極７の下面に第１突起５１を含む凹凸が形成され、アンカー構造を有する第２外部電極８の一態様として、第２外部電極８の下面に第２突起５２を含む凹凸が形成された例について説明する。

本実施形態は、係る構成を具備することにより、内部電極に対する第１外部電極７の接続強度および内部電極に対する第２外部電極８の接続強度を高めて、接続不良の発生を抑制できるチップコンデンサ８１を提供しようとするものである。以下、第１突起５１および第２突起５２ならびにその周辺の構成について具体的に説明する。
図１７および図１８に示されるように、誘電体膜１１における第１外部電極７の下方に位置する領域には、第１導電体膜１０の第１接続領域１０ａを選択的に露出させる複数の貫通孔８２が形成されている。複数の貫通孔８２は、基板２の長手方向および短手方向に沿って行列状に配列されており、いずれも平面視矩形状（本実施形態では、平面視正方形状）に形成されている。貫通孔８２は、平面視円形状に形成されていてもよい。なお、貫通孔８２は、誘電体膜１１の厚さと略同一の深さに形成されていてもよいし、誘電体膜１１を貫通することにより、その底部が、第１接続領域１０ａ内に位置していてもよい。

一方、誘電体膜１１における第２外部電極８の下方に位置する領域には、基板２の上面３側に向かって窪んだ複数の下地凹部８３が形成されている。複数の下地凹部８３は、基板２の長手方向および短手方向に沿って行列状に配列されており、いずれも平面視矩形状（本実施形態では、平面視正方形状）に形成されている。下地凹部８３は、平面視円形状に形成されていてもよい。なお、下地凹部８３の底部は、誘電体膜１１の上面と、基板２の上面との間に位置していてもよい。したがって、下地凹部８３の底部は、誘電体膜１１内に位置していてもよいし、絶縁膜９内に位置していてもよい。

図２０に示されるように、パッド膜１３は、その上面および下面が誘電体膜１１の上面および複数の貫通孔８２の内壁面に沿って形成されている。パッド膜１３における各貫通孔８２の直上に位置する部分には、貫通孔８２側に向かって窪んだ第１凹部５５が形成されている。パッド膜１３は、複数の貫通孔８２内において、第１導電体膜１０の第１接続領域１０ａに電気的に接続されている。

同様に、第２導電体膜１２の第２接続領域１２ａは、その上面および下面が誘電体膜１１の上面および複数の下地凹部８３の内壁面に沿って形成されている。第２導電体膜１２の第２接続領域１２ａにおける各下地凹部８３の直上に位置する部分には、下地凹部８３側に向かって窪んだ第２凹部５６が形成されている。
第１外部電極７の電極材料は、パッド膜１３に形成された第１凹部５５に入り込んでいる。これにより、第１外部電極７の下面にパッド膜１３に食い込む複数の第１突起５１が形成されている。複数の第１突起５１は、誘電体膜１１に形成された複数の貫通孔８２の上方に位置しており、基板２の長手方向および短手方向に沿って行列状に配列されている。

同様に、第２外部電極８の電極材料は、第２導電体膜１２の第２接続領域１２ａに形成された第２凹部５６に入り込んでいる。これにより、第２外部電極８の下面に第２接続領域１２ａに食い込む複数の第２突起５２が形成されている。複数の第２突起５２は、誘電体膜１１に形成された複数の下地凹部８３の上方に位置しており、基板２の長手方向および短手方向に沿って行列状に配列されている。

図１７に示されるように、第１外部電極７の上面には、前述の複数の第１上面凹部５７が形成されており、第２外部電極８の上面には、前述の複数の第２上面凹部５８が形成されている。
以上、チップコンデンサ８１では、内部電極であるパッド膜１３に食い込むように第１外部電極７の下面に形成された第１突起５１によって、第１外部電極７が、アンカー構造を有するようにパッド膜１３に接合されている。このパッド膜１３を介することにより、第１導電体膜１０に対する第１外部電極７の接続強度を高めることができる。特に、パッド膜１３は、誘電体膜１１に形成された貫通孔８２に埋め込まれているから、接続面積の増加およびアンカー効果により、誘電体膜１１に対するパッド膜１３の接続強度が高められている。これにより、第１導電体膜１０に対する第１外部電極７の接続強度をより一層高めることができる。よって、第１外部電極７と第１導電体膜１０とを良好に電気的に接続させることが可能となる。

また、チップコンデンサ８１では、内部電極である第２導電体膜１２の第２接続領域１２ａに食い込むように第２外部電極８の下面に形成された第２突起５２によって、第２外部電極８が、アンカー構造を有するように第２接続領域１２ａに接合されている。これにより、第２導電体膜１２に対する第２外部電極８の接続強度を高めることができる。よって、第２外部電極８と第２導電体膜１２とを良好に電気的に接続させることが可能となる。

このように、本実施形態の構成によれば、外部電極と内部電極とを良好に接続でき、優れた信頼性を有するチップコンデンサ８１を提供できる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の実施形態はさらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の各実施形態および各変形例において、基板２は、半導体基板（シリコン基板）であってもよいし、ガラス（ＳｉＯ_２）や樹脂（たとえばエポキシ樹脂）からなる絶縁性基板であってもよい。基板２が絶縁性基板からなる場合、前述の第１実施形態に係るチップコンデンサ１の変形例を示す図２１のように、第１導電体膜１０が、基板２の上面３に接するように当該基板２上に配置されていてもよい。むろん、第１実施形態以外の各実施形態および各変形例においても、第１導電体膜１０，４２が基板２の上面３に接するように当該基板２上に配置された構成が採用されてもよい。

また、前述の各実施形態の構成および各変形例の構成は、それらの間で適宜組み合わされてもよい。
前述のチップコンデンサ１，３１，４１，６１，７１，８１は、たとえば、電源回路用、高周波回路用、デジタル回路用等の回路素子として、電子機器、携帯電子機器等のモバイル端末に組み込むことができる。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１，３１，４１，６１，７１，８１…チップコンデンサ、２…基板、３…基板の上面、５…基板の側面、７，３１，６２…第１外部電極、８，３２，６３…第２外部電極、９…絶縁膜、１０，４２…第１導電体膜、１０ａ，４２ａ…第１接続領域、１０ｂ，４２ｂ…第１コンデンサ形成領域、１１，４４…誘電体膜、１２，４５…第２導電体膜、１２ａ，４５ａ…第２接続領域、１２ｂ，４５ｂ…第２コンデンサ形成領域、１３…パッド膜、５１…第１突起、５２…第２突起、５３…第１下地凹部、５４…第２下地凹部、５５…第１凹部、５６…第２凹部

Claims (7)

1. 上面を有する基板と、
   前記基板の上面に形成された絶縁膜と、
   前記絶縁膜の上面の予め定められた領域に配置された第１導電体膜であって、第１接続領域と、第１コンデンサ形成領域とを含む第１導電体膜と、
   前記第１導電体膜の前記第１コンデンサ形成領域上に配置された誘電体膜と、
   前記絶縁膜および前記誘電体膜上に配置された第２導電体膜であって、前記第１導電体膜に対向しない第２接続領域と、前記誘電体膜を挟んで前記第１導電体膜の前記第１コンデンサ形成領域に対向する第２コンデンサ形成領域とを含む第２導電体膜と、
   前記第１導電体膜の前記第１接続領域に電気的に接続された第１外部電極と、
   前記第２導電体膜の前記第２接続領域に電気的に接続された第２外部電極とを含み、
   前記第１接続領域の下面側には、前記絶縁膜を貫通して前記基板の上面から内側へ凹む第１下地凹部が形成されており、前記第１接続領域は、その下面が前記第１下地凹部に入り込み、かつ、下面に対応する上面に凹部が形成されており、
   前記第１外部電極は、前記第１接続領域の上面に形成された凹部を利用してアンカー構造を有するように、前記第１導電体膜の前記第１接続領域に電気的に接続されている、チップコンデンサ。
2. 前記第２接続領域の下面側には、前記絶縁膜を貫通して前記基板の上面から内側へ凹む第２下地凹部が形成されており、前記第２接続領域は、その下面が前記第２下地凹部に入り込み、かつ、下面に対応する上面に凹部が形成されており、
   前記第２外部電極は、前記第２接続領域の上面に形成された凹部を利用してアンカー構造を有するように、前記第２導電体膜の前記第２接続領域に電気的に接続されている、請求項１に記載のチップコンデンサ。
3. 前記第１導電体膜の前記第１接続領域に電気的に接続されるように、前記第１導電体膜の前記第１接続領域上に配置されたパッド膜をさらに含み、
   前記第１外部電極は、前記パッド膜を介して前記第１導電体膜の前記第１接続領域に電気的に接続されている、請求項１または２に記載のチップコンデンサ。
4. 前記第１下地凹部は、複数形成されており、前記基板の長手方向および短手方向に沿って行列状に配置されている請求項１に記載のチップコンデンサ。
5. 前記第２下地凹部は、複数形成されており、前記基板の長手方向および短手方向に沿って行列状に配置されている請求項２に記載のチップコンデンサ。
6. 前記第１外部電極は、前記基板の上面側から側面側に回り込むように形成されており、
   前記第２外部電極は、前記基板の上面側から側面側に回り込むように形成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載のチップコンデンサ。
7. 前記基板は平面視において矩形状であり、
   前記第１外部電極は、前記基板の端部において前記基板の三方の側面を被覆するように形成されており、
   前記第２外部電極は、前記基板における前記第１外部電極が配置された端部とは反対側の端部において前記基板の三方の側面を被覆するように形成されている、請求項６に記載のチップコンデンサ。

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