JP6674677B2 - チップ部品およびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、その側壁が絶縁膜により被覆された基板を備えたチップ部品およびその製造方法に関する。
いわゆるチップ部品と称される小型の電子部品では、外部との絶縁性を確保し、内部に形成された機能素子を保護するため、素子本体の表面に絶縁膜が形成されることがある。たとえば、特許文献１には、機能素子が形成された素子本体と、素子本体の表面に形成された絶縁膜と、素子本体の端面に形成された端子電極とを含む、チップ部品が開示されている。
特開２０１１−２１６８２１号公報
本願発明者らは、基板の上面側に機能素子が作り込まれたチップ部品を検討している。この種のチップ部品では、基板の側壁を被覆する側壁絶縁膜によって機能素子の保護が図られる。そのため、基板の側壁を良好に被覆する側壁絶縁膜を形成する必要があるという課題がある。
そこで、本発明の主たる目的は、基板の側壁に形成された側壁絶縁膜によって機能素子を良好に保護できるチップ部品およびその製造方法を提供することである。
また、本発明の従たる目的は、基板の側壁に側壁絶縁膜を容易にかつ良好に形成できるチップ部品の製造方法を提供することである。
本発明のチップ部品は、上面と、その反対側に位置する下面と、前記上面および前記下面を接続する側壁とを有する基板と、前記基板の上面側に形成された機能素子と、前記機能素子に電気的に接続されるように、前記基板の上面に配置された第１外部電極および第２外部電極と、前記基板の側壁を被覆する側壁絶縁膜とを含む。この構成において、前記基板の側壁には、前記基板の上面側から下面側に向けて複数の凹凸が形成されており、前記側壁絶縁膜は、前記複数の凹凸を埋めるように前記基板の側壁を被覆している。
本発明のチップ部品の製造方法は、機能素子を含むチップ部品が形成されるチップ部品形成領域が複数設定された上面と、その反対側に位置する下面とを有するベース基板において、前記ベース基板の不要な部分を選択的に除去することにより、前記ベース基板に前記複数のチップ部品形成領域をそれぞれ区画する溝を形成する溝形成工程と、前記溝の側壁および底壁を含む内壁に加えて、前記チップ部品形成領域を被覆するように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜における前記溝の側壁を被覆する部分を残存させるように、前記ベース基板の上面に平行な部分を選択的に除去することにより、前記溝の側壁を被覆する側壁絶縁膜を自己整合的に形成する側壁絶縁膜形成工程と、各前記チップ部品形成領域上に、前記機能素子に電気的に接続される第１外部電極および第２外部電極を形成する外部電極形成工程と、前記溝に連通するまで前記ベース基板を裏面側から研削することにより、複数個のチップ部品の個片を切り出す個片化工程とを含む。この製造方法において、前記溝形成工程は、前記溝の側壁に前記ベース基板の上面側から下面側に向けて複数の凹凸を形成する工程を含み、前記側壁絶縁膜形成工程は、前記複数の凹凸を埋めるように前記側壁絶縁膜を形成する工程を含む。
本発明のチップ部品によれば、基板の側壁に複数の凹凸が形成されており、当該複数の凹凸を埋めるように側壁絶縁膜が形成されている。これにより、基板の側壁に対する側壁絶縁膜の接触面積が増加し密着性が向上するから、当該側壁絶縁膜によって基板の側壁を良好に被覆できる。その結果、側壁絶縁膜によって機能素子を良好に保護できるチップ部品を提供できる。
一方、本発明のチップ部品の製造方法によれば、溝形成工程の際に、溝の側壁に複数の凹凸が形成されるため、側壁絶縁膜形成工程で形成される側壁絶縁膜の溝の側壁に対する成膜性（接触面積や密着性）を向上させることができる。これにより、溝の側壁に側壁絶縁膜を良好に形成できる。また、溝の側壁を被覆する側壁絶縁膜は、チップ部品形成領域に対して自己整合的に形成され、個片化工程を経ることで、チップ部品における基板の側壁を被覆する側壁絶縁膜となる。よって、基板の側壁に形成された側壁絶縁膜によって機能素子を良好に保護できるチップ部品の製造方法を提供できる。また、基板の側壁に側壁絶縁膜を容易にかつ良好に形成できるチップ部品の製造方法を提供できる。
図１は、本発明の第１実施形態に係るチップ部品の斜視図である。 図２は、図１に示されるII-II線に沿う縦断面図である。 図３は、図２に示される破線IIIで囲まれた部分の拡大断面図である。 図４Ａは、図２に示される破線IVAで囲まれた部分の拡大断面図である。 図４Ｂは、図２に示される破線IVBで囲まれた部分の拡大断面図である。 図５Ａは、図１に示されるチップ部品の製造方法の一工程を示す断面図である。 図５Ｂは、図５Ａの次の工程を示す断面図である。 図５Ｃは、図５Ｂの次の工程を示す断面図である。 図５Ｄは、図５Ｃの次の工程を示す断面図である。 図５Ｅは、図５Ｄの次の工程を示す断面図である。 図５Ｆは、図５Ｅの次の工程を示す断面図である。 図５Ｇは、図５Ｆの次の工程を示す断面図である。 図５Ｈは、図５Ｇの次の工程を示す断面図である。 図６Ａは、図１に示されるチップ部品の製造方法の一工程を示す断面図であって、図３に対応する部分の拡大断面図である。 図６Ｂは、図６Ａの次の工程を示す断面図である。 図６Ｃは、図６Ｂの次の工程を示す断面図である。 図６Ｄは、図６Ｃの次の工程を示す断面図である。 図６Ｅは、図６Ｄの次の工程を示す断面図である。 図６Ｆは、図６Ｅの次の工程を示す断面図である。 図６Ｇは、図６Ｆの次の工程を示す断面図である。 図６Ｈは、図６Ｇの次の工程を示す断面図である。 図７Ａは、図１に示されるチップ部品の製造方法の一工程を示す断面図であって、図４Ａに対応する部分の拡大断面図である。 図７Ｂは、図７Ａの次の工程を示す断面図である。 図７Ｃは、図７Ｂの次の工程を示す断面図である。 図７Ｄは、図７Ｃの次の工程を示す断面図である。 図７Ｅは、図７Ｄの次の工程を示す断面図である。 図７Ｆは、図７Ｅの次の工程を示す断面図である。 図７Ｇは、図７Ｆの次の工程を示す断面図である。 図７Ｈは、図７Ｇの次の工程を示す断面図である。 図８は、本発明の第２実施形態に係るチップ部品の斜視図である。 図９は、図８に示されるIX-IX線に沿う縦断面図である。 図１０は、図８に示されるX-X線に沿う縦断面図である。 図１１Ａは、図９に示される破線XIAで囲まれた部分の拡大断面図である。 図１１Ｂは、図９に示される破線XIBで囲まれた部分の拡大断面図である。 図１２は、機能素子として抵抗が採用されたチップ部品を示す断面図である。 図１３は、機能素子としてコンデンサが採用されたチップ部品を示す断面図である。
以下では、本発明の複数の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係るチップ部品１の斜視図である。図２は、図１に示されるII-II線に沿う縦断面図である。
図１および図２に示されるように、チップ部品１は、いわゆる０６０３（０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）チップ、０４０２（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）チップ、０３０１５（０．３ｍｍ×０．１５ｍｍ）チップ等と称される微小な電子部品であり、チップ本体を構成する基板２を含む。基板２は、平面視長方形状の上面３と、上面３の反対側に位置し、上面３と略同一形状の下面４と、上面３および下面４を接続する４つの側壁５とを含む。以下では、４つの側壁５のうち、長手方向に沿う側壁５を長手側壁５ａといい、短手方向に沿う側壁５を短手側壁５ｂという。
基板２の長手側壁５ａの長さＬは、たとえば０．３ｍｍ以上０．６ｍｍ以下である。基板２の短手側壁５ｂの長さＤは、たとえば０．１５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。基板２の厚さＴは、たとえば０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である。基板２の各コーナー部６は、平面視で面取りされたラウンド形状であってもよい。ラウンド形状であれば、その周方向に沿って外力を分散させることができるから、コーナー部６のクラックの発生を抑制できる。
基板２の一端部２ａ側における上面３上には、第１外部電極７が配置されており、基板２の他端部２ｂ側における上面３上には、第２外部電極８が配置されている。第１外部電極７および第２外部電極８は、いずれも、基板２の短手側壁５ｂに沿って、平面視長方形状に形成されている。基板２の上面３側において、第１外部電極７と第２外部電極８との間の領域には、機能素子９が形成される機能素子形成領域９ａが設定されている。図２では、機能素子９を簡略化して一つの導体膜により表しているが、当該機能素子９としては、抵抗、コンデンサ等の種々の素子が採用される。第１外部電極７および第２外部電極８は、この機能素子形成領域９ａに形成された機能素子９に電気的に接続されている。
図２に示されるように、基板２の上面３には、上面絶縁膜１０が配置されている。上面絶縁膜１０は、基板２の上面３に接するように当該基板２の上面３全域を被覆している。上面絶縁膜１０は、ＳｉＯ２膜やＳｉＮ膜であってもよい。上面絶縁膜１０上には、機能素子９に電気的に接続される第１パッド膜１１および第２パッド膜１２が配置されている。
第１パッド膜１１は、第１外部電極７の直下の領域に配置されており、たとえば基板２の短手側壁５ｂに沿って平面視矩形状（本実施形態では長方形状）に形成されている。第２パッド膜１２は、第２外部電極８の直下の領域に配置されており、たとえば基板２の短手側壁５ｂに沿って平面視矩形状（本実施形態では長方形状）に形成されている。第１パッド膜１１および第２パッド膜１２は、ＣｕやＡｌを含む導電材料、たとえばＣｕ，Ａｌ，ＡｌＳｉまたはＡｌＣｕからなっていてもよい。
上面絶縁膜１０上には、機能素子９、第１パッド膜１１および第２パッド膜１２を被覆するように、絶縁層１３が形成されている。絶縁層１３は、上面絶縁膜１０側からこの順に積層されたパッシベーション膜１４と樹脂膜１５とを含む。パッシベーション膜１４は、たとえばＳｉＯ２またはＳｉＮを含む。樹脂膜１５は、たとえばポリイミドを含む。
絶縁層１３には、第１パッド膜１１の縁部を除く領域を第１パッド領域１６として露出させる第１パッド開口１７と、第２パッド膜１２の縁部を除く領域を第２パッド領域１８として選択的に露出させる第２パッド開口１９とが形成されている。
第１パッド開口１７内には、第１外部電極７が配置されている。第１外部電極７は、第１パッド開口１７内において第１パッド領域１６に電気的に接続されている。これにより、第１外部電極７は、第１パッド膜１１を介して機能素子９に電気的に接続されている。第２パッド開口１９内には、第２外部電極８が配置されている。第２外部電極８は、第２パッド開口１９内において第２パッド領域１８に電気的に接続されている。これにより、第２外部電極８は、第２パッド膜１２を介して機能素子９に電気的に接続されている。
第１外部電極７は、絶縁層１３から突出するように形成されており、当該絶縁層１３を被覆する被覆部７ａを有している。同様に、第２外部電極８は、絶縁層１３から突出するように形成されており、当該絶縁層１３を被覆する被覆部８ａを有している。第１外部電極７および第２外部電極８は、いずれも基板２側から順に積層されたＮｉ膜と、Ｐｄ膜と、Ａｕ膜とを含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜であってもよい。
図１および図２に示されるように、基板２の側壁５には、当該基板２の側壁５の全域を被覆するように側壁絶縁膜２０が形成されている。以下、図３、図４Ａおよび図４Ｂを参照しつつ、本実施形態に係るチップ部品１の特徴について具体的に説明する。図３は、図２に示される破線IIIで囲まれた部分の拡大断面図である。図４Ａは、図２に示される破線IVAで囲まれた部分の拡大断面図である。図４Ｂは、図２に示される破線IVBで囲まれた部分の拡大断面図である。
図３に示されるように、本実施形態に係るチップ部品１の一つの特徴は、基板２の側壁５に、基板２の上面３側から下面４側に向けて複数の凹凸２１が形成されており、側壁絶縁膜２０が複数の凹凸２１を埋めるように基板２の側壁５を被覆していることである。係る構成を具備することにより、基板２の側壁５に対する側壁絶縁膜２０の成膜性（接触面積および密着性）が向上し、機能素子９を良好に保護することが可能となる。以下、側壁絶縁膜２０およびその周辺の構成についてより具体的に説明する。
基板２の側壁５に形成された複数の凹凸２１は、いずれも基板２の側壁５の側辺に沿って互いに平行に延びるように筋状に形成されている。したがって、複数の凹凸２１は、基板２の長手側壁５ａにおいては、基板２の長手方向に沿って延びる筋状に形成されており、基板２の短手側壁５ｂにおいては、基板２の短手方向に沿って延びる筋状に形成されている。
図３に示されるように、複数の凹凸２１は、基板２の上面３側から下面４側に向けて異なるピッチで形成されている。より詳細には、基板２の上面３側に比較的小さいピッチの複数の凹凸２１が形成されており、基板２の下面４側に比較的に大きいピッチの複数の凹凸２１が形成されている。凹凸２１のピッチは、たとえば基板２の厚さＴ（＝０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下）の１００分の１以下（０．１μｍ〜２μｍ程度）である。なお、「凹凸２１のピッチ」とは、凹凸２１を構成する一つの凹部における基板２の厚さ方向の幅で定義される。
図３では、基板２の上面３側に第１ピッチＰ１で形成された複数の凹凸２１を含む第１凹凸形成領域２２と、基板２の下面４側に第１ピッチＰ１よりも大きい第２ピッチＰ２（Ｐ２＞Ｐ１）で形成された複数の凹凸２１を含む第２凹凸形成領域２３とが形成された例が示されている。なお、基板２の上面３側から下面４側に向けてピッチが漸増するように、基板２の側壁５に複数の凹凸２１が形成された形態が採用されてもよい。
図３に示されるように、基板２の側壁５を被覆する側壁絶縁膜２０は、基板２の側壁５とは反対側に位置する表面２０ａが平坦となるように形成されている。本実施形態では、側壁絶縁膜２０は、複数の絶縁膜が積層された積層膜であり、基板２の側壁５に接する第１絶縁膜２４と、第１絶縁膜２４に接するように当該第１絶縁膜２４を被覆する第２絶縁膜２５とを含む。第１絶縁膜２４および第２絶縁膜２５は、同一の絶縁材料により形成されていてもよいし、異なる絶縁材料で形成されていてもよい。第１絶縁膜２４および第２絶縁膜２５の絶縁材料としては、ＳｉＯ２またはＳｉＮを例示できる。側壁絶縁膜２０は、単一の絶縁膜（ＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜）によって形成されていてもよい。
側壁絶縁膜２０は、基板２の側壁５に加えて、上面絶縁膜１０と、絶縁層１３の一部（本実施形態では、パッシベーション膜１４）とを、基板２の側壁５側から被覆している。側壁絶縁膜２０は、樹脂膜１５の一部を被覆していてもよい。側壁絶縁膜２０における基板２の上面３側の上端部２０ｂは、基板２の外方に向かって丸みを帯びた湾曲状に形成されている。
側壁絶縁膜２０の上端部２０ｂは、樹脂膜１５と段差なく面一に繋がっていることが好ましい。側壁絶縁膜２０の上端部２０ｂと樹脂膜１５との間の段差をなくすことにより、側壁絶縁膜２０の上端部２０ｂおよび／または樹脂膜１５でクラックが生じるのを抑制できる。側壁絶縁膜２０における基板２の下面４側の下端部２０ｃは、基板２の下面４と面一に形成された底面を有している。
図３に示されるように、絶縁層１３において、基板２の側壁５側に位置するパッシベーション膜１４の側壁１４ａは、基板２の側壁５側に位置する樹脂膜１５の側壁１５ａよりも基板２の内方領域側に位置している。樹脂膜１５の側壁１５ａは、本実施形態では、基板２の外方に向かって丸みを帯びた湾曲状に形成されている。これら上面絶縁膜１０、パッシベーション膜１４の側壁１４ａおよび樹脂膜１５の側壁１５ａにより窪み２６が形成されている。
窪み２６内には、側壁絶縁膜２０（本実施形態では、第１絶縁膜２４）と同一の絶縁材料からなる周縁絶縁膜２７が形成されている。周縁絶縁膜２７は、窪み２６を埋めて、側壁絶縁膜２０と一体的に形成されている。この周縁絶縁膜２７により、基板２の側壁１５ａ側において、樹脂膜１５にクラックが発生するのを抑制できる。樹脂膜１５のクラックの発生を抑制することは、基板２の側壁５に対する側壁絶縁膜２０の密着性を向上させる上でも有効である。
このように、本実施形態では、基板２の側壁５に複数の凹凸２１を形成することにより、当該基板２の側壁５に対する側壁絶縁膜２０の接触面積を増加させて、密着性を向上できる。また、側壁絶縁膜２０は、基板２の側壁５に加えて、上面絶縁膜１０を、基板２の側壁５側から被覆している。これにより、外部との絶縁性を効果的に向上させることができると共に、外部から基板２側に流れ込む漏れ電流の影響を抑制できる。特に、本実施形態では、絶縁層１３の一部（本実施形態では、パッシベーション膜１４）も基板２の側壁５側から側壁絶縁膜２０により被覆されているから、これらの効果がより一層高められている。
さらに、本実施形態では、基板２の上面３側に比較的小さいピッチの複数の凹凸２１が形成されており、基板２の下面４側に比較的に大きいピッチの複数の凹凸２１が形成されている。基板２の上面３側の凹凸２１のピッチを小さくすることにより、凹凸２１の形成時に基板２の上面３側に加えられるダメージを小さくすることができる。これにより、基板２の上面３、とりわけ、基板２の上面３側の角部でクラックが生じるのを効果的に抑制することができる。よって、チップ部品１は、基板２の側壁５に対する側壁絶縁膜２０の成膜性をより一層向上できる構成とされている。
図４Ａおよび図４Ｂに示されるように、本実施形態に係るチップ部品１のもう一つの特徴は、第１パッド開口１７の内壁１７ａに、第１内壁絶縁膜３０が形成されており、第２パッド開口１９の内壁１９ａに、第２内壁絶縁膜３１が形成されていることである。係る構成を具備することにより、第１外部電極７と第１パッド膜１１とを良好に電気的に接続させ、第２外部電極８と第２パッド膜１２とを良好に電気的に接続させることが可能となる。以下、第１内壁絶縁膜３０および第２内壁絶縁膜３１、ならびに、その周辺の構成についてより具体的に説明する。
図４Ａに示されるように、第１パッド開口１７の内壁１７ａは、第１パッド開口１７内に位置するパッシベーション膜１４の内壁１４ｂと、第１パッド開口１７内に位置する樹脂膜１５の内壁１５ｂとによって形成されている。樹脂膜１５の内壁１５ｂは、第１パッド開口１７の内側に向かって丸みを帯びた湾曲状に形成されている。
第１パッド開口１７内に位置するパッシベーション膜１４の内壁１４ｂは、第１パッド開口１７内に位置する樹脂膜１５の内壁１５ｂよりも第１パッド開口１７の外方側に位置している。また、パッシベーション膜１４の内壁１４ｂは、第１パッド膜１１上に位置している。これら第１パッド膜１１、パッシベーション膜１４の内壁１４ｂおよび樹脂膜１５によって、第１パッド開口１７の内壁１７ａに窪み３２が形成されている。
第１内壁絶縁膜３０は、側壁絶縁膜２０と同一の絶縁材料からなり、第１パッド膜１１上で窪み３２を埋めている。第１内壁絶縁膜３０の表面は、第１パッド開口１７の内壁１７ａと段差なく繋がっており、第１パッド開口１７の内側に向かって下方に傾斜している。第１内壁絶縁膜３０の表面は、第１パッド開口１７の内側に向かって丸みを帯びた湾曲状に形成されていてもよい。また、第１内壁絶縁膜３０は、第１パッド開口１７内において、樹脂膜１５の一部を被覆する被覆部を有していてもよい。
図４Ｂに示されるように、第２パッド開口１９の内壁１９ａは、第２パッド開口１９内に位置するパッシベーション膜１４の内壁１４ｂと、第２パッド開口１９内に位置する樹脂膜１５の内壁１５ｂとによって形成されている。樹脂膜１５の内壁１５ｂは、第２パッド開口１９の内側に向かって丸みを帯びた湾曲状に形成されている。
第２パッド開口１９内に位置するパッシベーション膜１４の内壁１４ｂは、第２パッド開口１９の内に位置する樹脂膜１５の内壁１５ｂよりも第２パッド開口１９の外方側に位置している。また、パッシベーション膜１４の内壁１４ｂは、第２パッド膜１２上に位置している。これら第２パッド膜１２、パッシベーション膜１４の内壁１４ｂおよび樹脂膜１５によって、第２パッド開口１９の内壁１９ａに窪み３３が形成されている。
第２内壁絶縁膜３１は、側壁絶縁膜２０と同一の絶縁材料からなり、第２パッド膜１２上で窪み３３を埋めている。第２内壁絶縁膜３１の表面は、第２パッド開口１９の内壁１９ａと段差なく繋がっており、第２パッド開口１９の内側に向かって下方に傾斜している。第２内壁絶縁膜３１の表面は、第２パッド開口１９の内側に向かって丸みを帯びた湾曲状に形成されていてもよい。また、第２内壁絶縁膜３１は、第２パッド開口１９内において、樹脂膜１５の一部を被覆する被覆部を有していてもよい。
このように、第１パッド開口１７内には、第１パッド開口１７の内壁１７ａと段差なく繋がる第１内壁絶縁膜３０が形成されており、第２パッド開口１９内には、第２パッド開口１９の内壁１９ａと段差なく繋がる第２内壁絶縁膜３１が形成されている。しかも、第１内壁絶縁膜３０は、第１パッド開口１７の内壁１７ａに形成された窪み３２を埋めており、第２内壁絶縁膜３１は、第２パッド開口１９の内壁１９ａに形成された窪み３３を埋めている。
これにより、第１パッド開口１７内に第１外部電極７を良好に埋め込むことができ、第２パッド開口１９内に第２外部電極８を良好に埋め込むことができる。その結果、第１外部電極７と第１パッド膜１１とを良好に電気的に接続させることができると共に、第２外部電極８と第２パッド膜１２とを良好に電気的に接続させることができる。
以上、本実施形態に係るチップ部品１では、基板２の側壁５に形成された側壁絶縁膜２０によって機能素子９を良好に保護できるチップ部品１を提供できる。また、これに加えて、第１外部電極７と第１パッド膜１１とを良好に電気的に接続させることができ、第２外部電極８と第２パッド膜１２とを良好に電気的に接続させることができるチップ部品１を提供できる。
＜チップ部品１の製造方法＞
次に、チップ部品１の製造方法について説明する。図５Ａ〜図５Ｈは、図１に示されるチップ部品１の製造方法の一工程を示す断面図である。図６Ａ〜図６Ｈは、図１に示されるチップ部品１の製造方法の一工程を示す断面図であって、図３に対応する部分の拡大断面図である。図７Ａ〜図７Ｈは、図１に示されるチップ部品１の製造方法の一工程を示す断面図であって、図４Ａに対応する部分の拡大断面図である。
図５Ａ、図６Ａおよび図７Ａに示されるように、上面４３および下面４４を有するベース基板４２が準備される。ベース基板４２の上面４３は、基板２の上面３に対応しており、ベース基板４２の下面４４は、基板２の下面４に対応している。ベース基板４２の上面４３には、チップ部品１が形成される複数のチップ部品形成領域４５と、複数のチップ部品形成領域４５を区画する境界領域４６とが設定されている。このベース基板４２に対して所定の処理を実行した後、境界領域４６に沿ってベース基板４２を切断することにより、複数個のチップ部品１の個片が切り出される。
ベース基板４２が準備された後、まず、ベース基板４２の上面４３に上面絶縁膜１０が形成される。上面絶縁膜１０は、熱酸化処理によりベース基板４２の上面４３を酸化させることにより形成されてもよいし、ＣＶＤ法によりベース基板４２の上面４３に絶縁材料を堆積させることにより形成されてもよい。
次に、図５Ｂ、図６Ｂおよび図７Ｂに示されるように、上面絶縁膜１０上に導電体膜が形成されて、所定形状にパターニングされる。これにより、機能素子９、第１パッド膜１１および第２パッド膜１２が形成される。
次に、図５Ｃ、図６Ｃおよび図７Ｃに示されるように、たとえばＣＶＤ法によって、ＳｉＮが堆積されて、機能素子９、第１パッド膜１１および第２パッド膜１２を被覆するパッシベーション膜１４が形成される。次に、パッシベーション膜１４を被覆するように感光性ポリイミドが塗布されて、樹脂膜１５が形成される。これにより、パッシベーション膜１４および樹脂膜１５を含む絶縁層１３が形成される。次に、チップ部品形成領域４５の間に設定された境界領域４６、第１パッド開口１７および第２パッド開口１９に対応するパターンで樹脂膜１５が露光・現像される。
次に、図５Ｄ、図６Ｄおよび図７Ｄに示されるように、樹脂膜１５をマスクとしてパッシベーション膜１４がエッチングされて、境界領域４６を露出させる開口４７、第１パッド開口１７および第２パッド開口１９が形成される。
この工程では、図６Ｄに示されるように、境界領域４６に露出するパッシベーション膜１４の側壁１４ａは、オーバエッチングにより、境界領域４６に露出する樹脂膜１５の側壁１５ａよりもチップ部品形成領域４５の内方領域側に形成される。これにより、上面絶縁膜１０、パッシベーション膜１４の側壁１４ａおよび樹脂膜１５によって窪み２６が形成される。
また、この工程では、図７Ｄに示されるように、第１パッド開口１７内に位置するパッシベーション膜１４の内壁１４ｂが、オーバエッチングにより、第１パッド開口１７内に位置する樹脂膜１５の内壁１５ｂよりも第１パッド開口１７の外方側に形成される。これにより、第１パッド膜１１、パッシベーション膜１４の内壁１４ｂおよび樹脂膜１５によって、第１パッド開口１７の内壁１７ａに窪み３２が形成される（図４Ａも併せて参照）。
同様に、第２パッド開口１９内に位置するパッシベーション膜１４の内壁１４ｂは、オーバエッチングにより、第２パッド開口１９内に位置する樹脂膜１５の内壁１５ｂよりも第２パッド開口１９の外方側に形成される。これにより、第２パッド膜１２、パッシベーション膜１４の内壁１４ｂおよび樹脂膜１５によって、第２パッド開口１９の内壁１９ａに窪み３３が形成される（図４Ｂも併せて参照）。
次に、図５Ｅ、図６Ｅおよび図７Ｅに示されるように、チップ部品形成領域４５を被覆し、境界領域４６を露出させる開口４８ａを選択的に有するレジストマスク４８がベース基板４２上に形成される。次に、たとえばレジストマスク４８を介する異方性エッチング（たとえば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）法）により、ベース基板４２の不要な部分が除去される。これにより、ベース基板４２にチップ部品形成領域４５を区画する溝４９が形成される。溝４９は、側壁４９ａおよび底壁４９ｂを含む。
溝４９を形成する工程は、図６Ｅに示されるように、たとえばボッシュプロセスと称される深堀エッチング法によって、溝４９の側壁４９ａにベース基板４２の上面４３側から下面４４側に向けて複数の凹凸２１を形成しつつ、ベース基板４２の不要な部分を除去する工程を含む。この工程では、異方性エッチング（たとえばＲＩＥ法）によりベース基板４２の一部を除去する工程と、ベース基板４２におけるエッチングされた部分の内壁に絶縁性の保護膜を形成する工程とが交互に繰り返えされる。これにより、溝４９の側壁４９ａに複数の凹凸２１が形成される。
この溝４９を形成する工程では、複数の凹凸２１が、ベース基板４２の上面４３側から下面４４側に向けて異なるピッチで形成される。より詳細には、ベース基板４２の上面４３側に比較的小さいピッチの複数の凹凸２１が形成され、ベース基板４２の下面４４側に比較的に大きいピッチの複数の凹凸２１が形成される。
図６Ｅでは、ベース基板４２の上面４３側に第１ピッチＰ１で形成された複数の凹凸２１を含む第１凹凸形成領域２２と、ベース基板４２の下面４４側に第１ピッチＰ１よりも大きい第２ピッチＰ２で形成された複数の凹凸２１を含む第２凹凸形成領域２３とが形成される例が示されている。ベース基板４２の上面４３側から下面４４側に向けてピッチが漸増するように、溝４９の側壁４９ａに複数の凹凸２１が形成されてもよい。
このように、ベース基板４２の上面４３側の凹凸２１のピッチを小さくすることにより、溝４９の形成時にベース基板４２の上面４３側に加えられるダメージを小さくすることができる。これにより、ベース基板４２の上面４３、とりわけ、溝４９の開口端（基板２の上面３側の角部に対応する部分）でクラックが生じるのを効果的に抑制できる。したがって、後の工程において溝４９の側壁４９ａを被覆する側壁絶縁膜５３（側壁絶縁膜２０）の成膜性を向上させることが可能となる。また、ベース基板４２の下面４４側の凹凸２１のピッチを大きくすることにより、溝４９の形成速度を向上できる。ベース基板４２の溝４９が形成された後、レジストマスク４８が除去される。
次に、図５Ｆ、図６Ｆおよび図７Ｆに示されるように、たとえばＣＶＤ法によって、溝４９の内壁に加えて、チップ部品形成領域４５の全域を被覆するようにＳｉＯ２が堆積されて、絶縁膜５０が形成される。図６Ｆおよび図７Ｆに示されるように、本実施形態では、絶縁膜を形成する工程を２回実行しており、ベース基板４２側からこの順に第１絶縁膜５１と第２絶縁膜５２とを含む積層膜からなる絶縁膜５０が形成される。むろん、絶縁膜を形成する工程は、１回だけ実行されてもよいし、２回以上実行されてもよい。
図６Ｆに示されるように、この工程では、絶縁膜５０は、上面絶縁膜１０、パッシベーション膜１４の側壁１４ａおよび樹脂膜１５の側壁１５ａにより形成された窪み２６に入り込むように形成される。また、この工程では、図７Ｆに示されるように、絶縁膜５０は、第１パッド開口１７の内壁１７ａに形成された窪み３２に入り込むように形成される。さらに、この工程では、絶縁膜５０は、第２パッド開口１９の内壁１９ａに形成された窪み３３に入り込むように形成される。
次に、図５Ｇ、図６Ｇおよび図７Ｇに示されるように、たとえば異方性エッチング（たとえばＲＩＥ法）により、絶縁膜５０における溝４９の側壁４９ａを被覆する部分を残存させるように、絶縁膜５０におけるベース基板４２の上面４３に平行な部分が選択的に除去される。これにより、溝４９の側壁４９ａを被覆する側壁絶縁膜５３が、チップ部品形成領域４５（より詳細には、樹脂膜１５）に対して自己整合的に形成される。
また、この工程では、図６Ｇに示されるように、上面絶縁膜１０、パッシベーション膜１４の側壁１４ａおよび樹脂膜１５の側壁１５ａにより形成された窪み２６に、絶縁膜５０の一部が残存し、周縁絶縁膜２７が形成される（図３も併せて参照）。また、この工程では、図７Ｇに示されるように、第１パッド開口１７の内壁１７ａに形成された窪み３２に、絶縁膜５０の一部が残存し、第１内壁絶縁膜３０が形成される（図４Ａも併せて参照）。また、この工程では、第２パッド開口１９の内壁１９ａに形成された窪み３３に、絶縁膜５０の一部が残存し、第２内壁絶縁膜３１が形成される（図４Ｂも併せて参照）。
次に、図５Ｈ、図６Ｈおよび図７Ｈに示されるように、たとえばめっき処理によって、第１パッド開口１７から露出する第１パッド膜１１上および第２パッド開口１９から露出する第２パッド膜１２上に、Ｎｉ膜、Ｐｄ膜およびＡｕ膜が順に形成される。これにより、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜からなる第１外部電極７および第２外部電極８が形成される。
その後、溝４９に連通するまでベース基板４２を下面４４側から研削することにより、複数個のチップ部品１の個片が切り出される。以上の工程を経て、チップ部品１が製造される。
以上、チップ部品１の製造方法によれば、溝４９を形成する工程（図５Ｅ、図６Ｅおよび図７Ｅ参照）の際に、溝４９の側壁４９ａに複数の凹凸２１が形成されるため、側壁絶縁膜５３を形成する工程（図５Ｇ、図６Ｇおよび図７Ｇ参照）で形成される側壁絶縁膜５３の溝４９の側壁４９ａに対する成膜性（接触面積や密着性）を向上させることができる。これにより、溝４９の側壁４９ａに側壁絶縁膜５３を良好に形成できる。
また、溝４９の側壁４９ａを被覆する側壁絶縁膜５３は、チップ部品形成領域４５に対して自己整合的に形成され、個片化工程（図５Ｈ、図６Ｈおよび図７Ｈ参照）を経ることで、チップ部品１における基板２の側壁５を被覆する側壁絶縁膜２０となる。よって、基板２の側壁５に側壁絶縁膜２０を容易にかつ良好に形成できるチップ部品１の製造方法を提供できる。また、基板２の側壁５に形成された側壁絶縁膜２０によって機能素子９を良好に保護できるチップ部品１の製造方法を提供できる。
また、この製造方法によれば、側壁絶縁膜５３を形成する工程（図５Ｇ、図６Ｇおよび図７Ｇ参照）において、第１パッド開口１７の内壁１７ａに形成された窪み３２に、第１内壁絶縁膜３０が第１パッド開口１７の内壁１７ａと段差なく繋がるように形成される。また、第２パッド開口１９の内壁１９ａに形成された窪み３３に、第２内壁絶縁膜３１が第２パッド開口１９の内壁１９ａと段差なく繋がるように形成される。
これにより、第１パッド開口１７内に第１外部電極７を良好に埋め込むことができ、第２パッド開口１９内に第２外部電極８を良好に埋め込むことができる。その結果、第１外部電極７と第１パッド膜１１とを良好に電気的に接続させることができ、第２外部電極８と第２パッド膜１２とを良好に電気的に接続させることができるチップ部品１の製造方法を提供できる。
＜第２実施形態＞
図８は、本発明の第２実施形態に係るチップ部品６１の一部切欠き斜視図である。図９は、図８に示されるIX-IX線に沿う縦断面図である。図１０は、図８に示されるX-X線に沿う縦断面図である。
第２実施形態に係るチップ部品６１は、前述の第１実施形態に係るチップ部品１の製造方法（図５Ｄ、図６Ｄおよび図７Ｄの工程）において、第１パッド開口１７および第２パッド開口１９を形成するための樹脂膜１５のマスクレイアウトを変更することにより製造されるものである。図８〜図１０において、前述の第１実施形態において述べられた構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図８〜図１０に示されるように、本実施形態では、前述の基板２の一端部２ａ側における上面３に第１外部電極６２が配置されており、基板２の他端部２ｂ側における上面３に第２外部電極６３が配置されている。第１外部電極６２および第２外部電極６３は、いずれも、基板２の短手側壁５ｂに沿って、平面視長方形状に形成されている。
第１外部電極６２の周縁部は、基板２の側壁５に沿って形成されている。第１外部電極６２は、基板２の上面３上から長手側壁５ａおよび短手側壁５ｂに回り込み、基板２の三方の側壁５を被覆する被覆部６２ａを有している。同様に、第２外部電極６３の周縁部は、基板２の側壁５に沿って形成されている。第２外部電極６３は、基板２の上面３上から長手側壁５ａおよび短手側壁５ｂに回り込み、基板２の三方の側壁５を被覆する被覆部６３ａを有している。
図９および図１０に示されるように、前述の上面絶縁膜１０上には、前述の絶縁層１３（パッシベーション膜１４および樹脂膜１５）が形成されている。絶縁層１３には、第１切欠部６４と、第２切欠部６５とが形成されている。第１切欠部６４は、第１パッド膜１１の第２外部電極６３側の縁部を除く領域を第１パッド領域６６として選択的に露出させている。第２切欠部６５は、第２パッド膜１２の第１外部電極６２側の縁部を除く領域を第２パッド領域６７として選択的に露出させている。これら第１切欠部６４および第２切欠部６５により、基板２の内方領域のみが絶縁層１３により被覆された構成とされている。
第１切欠部６４から露出する第１パッド領域６６上には、当該第１パッド領域６６に電気的に接続されるように第１外部電極６２が配置されている。これにより、第１外部電極６２が第１パッド膜１１を介して機能素子９に電気的に接続されている。第２切欠部６５から露出する第２パッド領域６７上には、当該第２パッド領域６７に電気的に接続されるように第２外部電極６３が配置されている。これにより、第２外部電極６３が第２パッド膜１２を介して機能素子９に電気的に接続されている。
第１外部電極６２は、絶縁層１３から突出するように形成されており、当該絶縁層１３を被覆する被覆部６２ｂを有している。同様に、第２外部電極６３は、絶縁層１３から突出するように形成されており、当該絶縁層１３を被覆する被覆部６３ｂを有している。第１外部電極６２および第２外部電極６３は、基板２側から順に積層されたＮｉ膜と、Ｐｄ膜と、Ａｕ膜とを含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜であってもよい。
次に、図１１Ａおよび図１１Ｂを参照しつつ、本実施形態に係るチップ部品６１の特徴について説明する。図１１Ａは、図９に示される破線XIAで囲まれた部分の拡大断面図である。図１１Ｂは、図９に示される破線XIBで囲まれた部分の拡大断面図である。
図１１Ａおよび図１１Ｂに示されるように、本実施形態では、第１切欠部６４の壁面６４ａに、第１壁面絶縁膜７０が形成されており、第２切欠部６５の壁面６５ａに、第２壁面絶縁膜７１が形成されている。係る構成を具備することにより、第１切欠部６４から露出する第１パッド膜１１上に第１外部電極６２を良好に形成し、第２切欠部６５から露出する第２パッド膜１２上に第１外部電極６２を良好に形成することが可能となる。以下、第１壁面絶縁膜７０および第２壁面絶縁膜７１、ならびに、その周辺の構成についてより具体的に説明する。
図１１Ａに示されるように、第１切欠部６４の壁面６４ａは、パッシベーション膜１４の内壁１４ｂと、樹脂膜１５の内壁１５ｂとによって形成されている。樹脂膜１５の内壁１５ｂは、基板２の外側に向かって丸みを帯びた湾曲状に形成されている。パッシベーション膜１４の内壁１４ｂは、樹脂膜１５の内壁１５ｂよりも第２外部電極６３側に位置している。また、パッシベーション膜１４の内壁１４ｂは、第１パッド膜１１上に位置している。これら第１パッド膜１１、パッシベーション膜１４の内壁１４ｂおよび樹脂膜１５によって、第１切欠部６４の壁面６４ａに窪み７３が形成されている。
第１壁面絶縁膜７０は、側壁絶縁膜２０と同一の絶縁材料からなり、第１パッド膜１１上で窪み７３を埋めている。第１壁面絶縁膜７０の表面は、第１切欠部６４の壁面６４ａと段差なく繋がっており、第１切欠部６４の壁面６４ａから下方に向かって傾斜している。第１壁面絶縁膜７０の表面は、第１切欠部６４の外側に向かって丸みを帯びた湾曲状に形成されていてもよい。また、第１壁面絶縁膜７０は、樹脂膜１５の一部を被覆していてもよい。
図１１Ｂに示されるように、第２切欠部６５の壁面６５ａは、パッシベーション膜１４の内壁１４ｂと、樹脂膜１５の内壁１５ｂとによって形成されている。樹脂膜１５の内壁１５ｂは、基板２の外側に向かって丸みを帯びた湾曲状に形成されている。パッシベーション膜１４の内壁１４ｂは、樹脂膜１５の内壁１５ｂよりも第１外部電極６２側に位置している。また、パッシベーション膜１４の内壁１４ｂは、第２パッド膜１２上に位置している。これら第２パッド膜１２、パッシベーション膜１４の内壁１４ｂおよび樹脂膜１５によって、第２切欠部６５の壁面６５ａに窪み７４が形成されている。
第２壁面絶縁膜７１は、側壁絶縁膜２０と同一の絶縁材料からなり、第２パッド膜１２上で窪み７４を埋めている。第２壁面絶縁膜７１の表面は、第２切欠部６５の壁面６５ａと段差なく繋がっており、第２切欠部６５の壁面６５ａから下方に向かって傾斜している。第２壁面絶縁膜７１の表面は、第２切欠部６５の外側に向かって丸みを帯びた湾曲状に形成されていてもよい。また、第２壁面絶縁膜７１は、樹脂膜１５の一部を被覆していてもよい。
さらに、本実施形態では、図１１Ａおよび図１１Ｂに示されるように、第１切欠部６４から露出する第１パッド膜１１の側壁１１ａが、第１パッド側壁絶縁膜７５により被覆されており、第２切欠部６５から露出する第２パッド膜１２の側壁１２ａが、第２パッド側壁絶縁膜７６により被覆されている。
第１パッド側壁絶縁膜７５は、側壁絶縁膜２０と同一の絶縁材料からなり、上面絶縁膜１０上から第１パッド膜１１の側壁１１ａを被覆している。これにより、上面絶縁膜１０の上面と第１パッド膜１１の上面との間の段差が小さくされている。第１パッド側壁絶縁膜７５は、第１パッド膜１１の上面上に延在する延部を有していてもよい。
同様に、第２パッド側壁絶縁膜７６は、側壁絶縁膜２０と同一の絶縁材料からなり、上面絶縁膜１０上から第２パッド膜１２の側壁１２ａを被覆している。これにより、上面絶縁膜１０の上面と第２パッド膜１２の上面との間の段差が小さくされている。第２パッド側壁絶縁膜７６は、第２パッド膜１２の上面上に延在する延部を有していてもよい。
なお、本実施形態に係る基板２の側壁５には、複数の凹凸２１が形成されているが、その構成は、前述の第１実施形態と同様の構成であるので説明を省略する。
以上、本実施形態では、第１切欠部６４の壁面６４ａと段差なく繋がる第１壁面絶縁膜７０と、第２切欠部６５の壁面６５ａと段差なく繋がる第２壁面絶縁膜７１とが形成されている。第１壁面絶縁膜７０は、第１切欠部６４の壁面６４ａに形成された窪み７３を埋めており、第２壁面絶縁膜７１は、第２切欠部６５の壁面６５ａに形成された窪み７４を埋めている。さらに、上面絶縁膜１０の上面と第１パッド膜１１の上面との間の段差が第１パッド側壁絶縁膜７５により小さくされており、上面絶縁膜１０の上面と第２パッド膜１２の上面との間の段差が第２パッド側壁絶縁膜７６により小さくされている。
これにより、第１切欠部６４に対する第１外部電極６２の埋め込み性と、第２切欠部６５に対する第２外部電極６３の埋め込み性とを効果的に向上できる。その結果、第１外部電極６２と第１パッド膜１１とを良好に電気的に接続させることができ、第２外部電極６３と第２パッド膜１２とを良好に電気的に接続させることができる。
また、チップ部品６１は、基板２の側壁５に回り込むように形成された第１外部電極６２と、基板２の側壁５に回り込むように形成された第２外部電極６３とを含む。これにより、第１外部電極６２および第２外部電極６３に対する導電性接合材（たとえば半田）の接着面積を増加させることができるから、実装状態におけるチップ部品６１の接続強度を高めることができる。さらに、実装状態では、基板２の３つの側壁５を被覆する第１外部電極６２および第２外部電極６３によって、三方向からチップ部品６１を保持することが可能となるから、チップ部品６１の実装形状を一層安定化させることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の実施形態はさらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の第１実施形態では、機能素子９として、抵抗、コンデンサ等の種々の素子が採用される旨を説明した。たとえば、機能素子９として抵抗が形成される場合、図１２に示されるように、第１パッド膜１１と第２パッド膜１２との間に、それらに電気的に接続される抵抗導電体膜８１が形成される。たとえば、抵抗率が銅よりも高い導電体膜であれば、抵抗導電体膜８１として適切である。抵抗導電体膜８１としては、Ｔｉ膜やＴｉＮ膜を例示できる。
また、機能素子９としてコンデンサが形成される場合、図１３に示されるように、上面絶縁膜１０上に配置された第１導電体膜８２と、第１導電体膜８２上に配置された誘電体膜８３と、誘電体膜８３上に配置された第２導電体膜８４とを含む積層構造が、第１パッド膜１１と第２パッド膜１２との間に形成される。この構成において、第１導電体膜８２は、第１パッド膜１１と一体的に形成されており、第２導電体膜８４は、第２パッド膜１２と一体的に形成されている。
むろん、機能素子９としては、抵抗やコンデンサに限らず、コイルやヒューズ等も採用できる。機能素子９としてコイルが採用される場合には、第１パッド膜１１および第２パッド膜１２に電気的に接続されるように、螺旋状のコイル導体膜が基板２上に形成される。機能素子９としてヒューズが形成される場合には、第１パッド膜１１および第２パッド膜１２に電気的に接続されるように、所定の熱量（ジュール熱）によって溶融する導電性の可溶体膜が基板２上に形成される。
また、前述の各実施形態において、基板２は、半導体基板（シリコン基板）であってもよい。基板２が半導体基板である場合には、機能素子９としてのダイオードを基板２に作り込むこともできる。この場合、たとえば第１パッド膜１１がダイオードのアノードに電気的に接続されるアノード電極膜とされ、第２パッド膜１２がダイオードのカソードに電気的に接続されるカソード電極膜とされる。
前述のチップ部品１、６１は、たとえば、電源回路用、高周波回路用、デジタル回路用等の回路素子として、電子機器、携帯電子機器等のモバイル端末に組み込むことができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
１…チップ部品、２…基板、３…基板の上面、４…基板の下面、５…基板の側壁、７…第１外部電極、８…第２外部電極、９…機能素子、１０…上面絶縁膜、１１…第１パッド膜、１１ａ…第１パッド膜の側壁、１２…第２パッド膜、１２ａ…第２パッド膜の側壁、１３…絶縁層、１４…パッシベーション膜、１５…樹脂膜、１７…第１パッド開口、１７ａ…第１パッド開口の内壁、１９…第２パッド開口、１９ａ…第１パッド開口の内壁、２０…側壁絶縁膜、２０ａ…側壁絶縁膜の表面、２１…凹凸、２２…第１凹凸形成領域、２３…第２凹凸形成領域、２４…第１絶縁膜、２５…第２絶縁膜、２７…周縁絶縁膜、３０…第１内壁絶縁膜、３１…第２内壁絶縁膜、４２…ベース基板、４３…ベース基板の上面、４４…ベース基板の下面、４５…チップ部品形成領域、４９…溝、４９ａ…溝の側壁、５３…側壁絶縁膜、６１…チップ部品、６２…第１外部電極、６３…第２外部電極、６４…第１切欠部、６４ａ…第１切欠部の壁面、６５…第２切欠部、６５ａ…第２切欠部の壁面、７０…第１内壁絶縁膜、７１…第２内壁絶縁膜、７５…第１パッド側壁絶縁膜、７６…第２パッド側壁絶縁膜、Ｐ１…第１ピッチ、Ｐ２…第２ピッチ

Claims (16)

  1. 上面と、その反対側に位置する下面と、前記上面および前記下面を接続する側壁とを有する基板と、
    前記基板の上面側に形成された機能素子と、
    前記機能素子に電気的に接続されるように、前記基板の上面に配置された第１外部電極および第２外部電極と、
    前記基板の側壁を被覆する側壁絶縁膜とを含み、
    前記基板の側壁には、前記基板の上面側から下面側に向けて複数の凹凸が形成されており、前記側壁絶縁膜は、前記複数の凹凸を埋めるように前記基板の側壁を被覆しており、
    前記基板の側壁には、前記基板の上面側に第１ピッチで形成された複数の凹凸を含む第１凹凸形成領域と、前記第１凹凸形成領域よりも前記基板の下面側に前記第１ピッチよりも大きい第２ピッチで形成された複数の凹凸を含む第２凹凸形成領域とが形成されている、チップ部品。
  2. 前記側壁絶縁膜の表面は、平坦に形成されている、請求項１に記載のチップ部品。
  3. 前記複数の凹凸は、前記基板の側辺に沿って平行に筋状に延びている、請求項１または２のいずれか一項に記載のチップ部品。
  4. 前記基板の上面に間隔を空けて配置された第１パッド膜および第２パッド膜と、
    前記基板上に配置された絶縁層であって、前記第１パッド膜を選択的に露出させる第１パッド開口と、前記第２パッド膜を選択的に露出させる第２パッド開口とが形成された絶縁層と、
    前記側壁絶縁膜と同一の絶縁材料からなり、前記第１パッド開口の内壁に形成された第１内壁絶縁膜と、
    前記側壁絶縁膜と同一の絶縁材料からなり、前記第２パッド開口の内壁に形成された第２内壁絶縁膜とをさらに含み、
    前記第１外部電極は、前記第１パッド膜に電気的に接続されるように前記第１パッド開口内に配置され、前記第２外部電極は、前記第２パッド膜に電気的に接続されるように前記第２パッド開口内に配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のチップ部品。
  5. 前記第１内壁絶縁膜の表面は、前記第１パッド開口内において前記第１パッド開口の内壁と段差なくつながっており、
    前記第２内壁絶縁膜の表面は、前記第２パッド開口内において前記第２パッド開口の内壁と段差なくつながっている、請求項４に記載のチップ部品。
  6. 前記絶縁層は、この順に積層されたパッシベーション膜と樹脂膜とを含む、請求項４または５に記載のチップ部品。
  7. 前記基板の上面に接するように配置された上面絶縁膜をさらに含み、
    前記側壁絶縁膜は、前記基板の側壁に加えて、前記上面絶縁膜を前記基板の側壁側から被覆している、請求項１〜６のいずれか一項に記載のチップ部品。
  8. 前記基板の上面に間隔を空けて配置された第１パッド膜および第２パッド膜と、
    前記基板上に配置された絶縁層であって、前記第１パッド膜を選択的に露出させる第１切欠部と、前記第２パッド膜を選択的に露出させる第２切欠部とが形成された絶縁層と、
    前記側壁絶縁膜と同一の絶縁材料からなり、前記第１切欠部の壁面を被覆する第１壁面絶縁膜と、
    前記側壁絶縁膜と同一の絶縁材料からなり、前記第２切欠部の壁面を被覆する第２壁面絶縁膜とをさらに含み、
    前記第１外部電極は、前記第１切欠部から露出する前記第１パッド膜に電気的に接続されるように前記第１パッド膜上に配置され、前記第２外部電極は、前記第２切欠部から露出する前記第２パッド膜に電気的に接続されるように前記第２パッド膜上に配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のチップ部品。
  9. 前記基板の上面に間隔を空けて配置された第１パッド膜および第２パッド膜と、
    前記基板上に配置された絶縁層であって、前記第１パッド膜を選択的に露出させる第１切欠部と、前記第２パッド膜を選択的に露出させる第２切欠部とが形成された絶縁層と、
    前記側壁絶縁膜と同一の絶縁材料からなり、前記第１切欠部から露出する前記第１パッド膜の側壁を被覆する第１パッド側壁絶縁膜と、
    前記側壁絶縁膜と同一の絶縁材料からなり、前記第２切欠部から露出する前記第２パッド膜の側壁を被覆する第２パッド側壁絶縁膜とをさらに含み、
    前記第１外部電極は、前記第１切欠部から露出する前記第１パッド膜に電気的に接続されるように前記第１パッド膜上に配置され、前記第２外部電極は、前記第２切欠部から露出する前記第２パッド膜に電気的に接続されるように前記第２パッド膜上に配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のチップ部品。
  10. 前記側壁絶縁膜における前記基板の上面側に位置する上端部は、丸みを帯びた湾曲状に
    形成されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載のチップ部品。
  11. 機能素子を含むチップ部品が形成されるチップ部品形成領域が複数設定された上面と、その反対側に位置する下面とを有するベース基板において、前記ベース基板の不要な部分を選択的に除去することにより、前記ベース基板に前記複数のチップ部品形成領域をそれぞれ区画する溝を形成する溝形成工程と、
    前記溝の側壁および底壁を含む内壁に加えて、前記チップ部品形成領域を被覆するように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
    前記絶縁膜における前記溝の側壁を被覆する部分を残存させるように、前記ベース基板の上面に平行な部分を選択的に除去することにより、前記溝の側壁を被覆する側壁絶縁膜を自己整合的に形成する側壁絶縁膜形成工程と、
    各前記チップ部品形成領域上に、前記機能素子に電気的に接続される第１外部電極および第２外部電極を形成する外部電極形成工程と、
    前記溝に連通するまで前記ベース基板を裏面側から研削することにより、複数個のチップ部品の個片を切り出す個片化工程とを含み、
    前記溝形成工程は、前記溝の側壁に前記ベース基板の上面側から下面側に向けて複数の凹凸を形成する工程を含み、
    前記側壁絶縁膜形成工程は、前記複数の凹凸を埋めるように前記側壁絶縁膜を形成する工程を含み、
    前記溝形成工程は、前記溝の側壁に、第１ピッチの凹凸を複数含む第１凹凸形成領域と、前記第１ピッチよりも大きい第２ピッチの凹凸を複数含む第２凹凸形成領域とを、前記ベース基板の上面側から下面側に向けてこの順に形成する工程を含む、チップ部品の製造方法。
  12. 前記側壁絶縁膜形成工程は、平坦な表面を有する前記側壁絶縁膜を形成する工程を含む、請求項１１に記載のチップ部品の製造方法。
  13. 機能素子を含むチップ部品が形成されるチップ部品形成領域が複数設定された上面と、その反対側に位置する下面とを有するベース基板において、前記ベース基板の不要な部分を選択的に除去することにより、前記ベース基板に前記複数のチップ部品形成領域をそれぞれ区画する溝を形成する溝形成工程と、
    前記溝の側壁および底壁を含む内壁に加えて、前記チップ部品形成領域を被覆するように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
    前記絶縁膜における前記溝の側壁を被覆する部分を残存させるように、前記ベース基板の上面に平行な部分を選択的に除去することにより、前記溝の側壁を被覆する側壁絶縁膜を自己整合的に形成する側壁絶縁膜形成工程と、
    各前記チップ部品形成領域上に、前記機能素子に電気的に接続される第１外部電極および第２外部電極を形成する外部電極形成工程と、
    前記溝に連通するまで前記ベース基板を裏面側から研削することにより、複数個のチップ部品の個片を切り出す個片化工程とを含み、
    前記溝形成工程は、前記溝の側壁に前記ベース基板の上面側から下面側に向けて複数の凹凸を形成する工程を含み、
    前記側壁絶縁膜形成工程は、前記複数の凹凸を埋めるように前記側壁絶縁膜を形成する工程を含み、
    前記溝形成工程は、エッチングにより前記ベース基板の一部を除去するエッチング工程と、前記ベース基板における前記エッチングされた部分の内壁に保護膜を形成する保護膜形成工程とを含み、前記エッチング工程と前記保護膜形成工程とを交互に繰り返すことにより、その側壁に前記複数の凹凸が形成された前記溝を形成する工程を含む、チップ部品の製造方法。
  14. 前記側壁絶縁膜形成工程は、平坦な表面を有する前記側壁絶縁膜を形成する工程を含む、請求項１３に記載のチップ部品の製造方法。
  15. 前記溝形成工程は、前記溝の側壁に、第１ピッチの凹凸を複数含む第１凹凸形成領域と、前記第１ピッチよりも大きい第２ピッチの凹凸を複数含む第２凹凸形成領域とを、前記ベース基板の上面側から下面側に向けてこの順に形成する工程を含む、請求項１３または１４に記載のチップ部品の製造方法。
  16. 前記溝形成工程に先立って、前記ベース基板の上面を被覆する上面絶縁膜を形成する工
    程をさらに含み、
    前記側壁絶縁膜形成工程は、前記溝の側壁に加えて、前記上面絶縁膜を前記溝の側壁側
    から被覆する前記側壁絶縁膜を形成する工程を含む、請求項１１〜１５のいずれか一項に
    記載のチップ部品の製造方法。
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