TW201712904A - 半導體晶片 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種半導體晶片，具有：- 一載體(3)，其包括一第一導體(31)、一第二導體(32)、及一型體(33)，- 一電性絕緣層(4)，其包括一第一開口(41)和一第二開口(42)，- 可導電的第一和第二終端區(51、52)，其中- 第一導體(31)與第二導體(32)的距離為第一距離(D1)，- 第一終端區(51)與第二終端區(52)的距離為第二距離(D2)，以及- 第一距離(D1)小於第二距離(D2)。

Description

半導體晶片
本發明涉及一種半導體晶片。
文件US 2003/0168664 A1描述一種半導體晶片。
本發明的目的是提供一種半導體晶片，其具有特別良好的熱性(thermal property)。
提供一種半導體晶片。此半導體晶片例如是電子半導體晶片或光電半導體晶片。特別是，此半導體晶片可以是一種在操作時可偵測或可發出電磁輻射(特別是光)的晶片。
依據半導體晶片之至少一實施形式，此半導體晶片包括一半導體本體，其包括一活性區。此半導體本體包含半導體材料之一個層或多個層。半導體晶片之活性區中，在半導體晶片操作時達成半導體晶片之一種例如電磁輻射之偵測或發射的功能。此半導體本體例如可以III/V-化合物半導體材料為主。
依據半導體晶片之至少一實施形式，此半導體晶片包括一載體，其包括一第一導體、一第二導體和一型體。此載體是此半導體晶片之一機械支撐組件或該 機械支撐組件，其將其機械穩定性的至少一部份授予此半導體晶片。
上述載體包括第一導體和至少一個第二導體。該半導體晶片之半導體本體可在操作期間被通電。
上述導體例如形成為全本體(full body)，其包含至少一種金屬或由至少一種金屬構成。可製備上述導體，以將載體製造成全本體，或上述導體係在製造載體時例如藉由無電流的沈積或電鍍的沈積而產生。上述導體的特徵是高的導電性以及高的導熱性。上述導體可以單一部份或多個部份來形成。第一導體和第二導體在半導體晶片操作時位於不同的電位。若一導體以多個部份形成，則以多個部份形成的此導體之全部的部份都位於相同的電位。該載體另外包括一型體。此型體以電性絕緣材料來形成，例如，此型體可以塑料來形成。此型體可在橫向方向中完全包圍著該載體之導體。於此，橫向方向是平行於半導體晶片之主延伸方向而延伸的方向。於此，各導體可完全穿過型體。各導體可在該載體之面向半導體本體之上側上和該載體之遠離半導體本體之一側上與型體齊平。
型體可形成在導體上。特別是，在型體和導體之間存在著一種直接的邊界面。例如，型體的材料在形成在導體上時是可流動的且在形成之後固定著不動。型體使第一導體和第二導體在電性上互相絕緣，這樣就可經由導體來達成半導體本體的電性連接。載體的側面使載體的上側和下側互相連接，所述側面例如可完全以 型體來形成，使得只有在該載體之遠離半導體本體之下側上才可接近各導體以作後續的接觸。型體可以單件方式形成。型體能以一種母材(matrix material)來形成，該母材例如包括熱塑性材料及/或硬塑性材料(duroplast)及/或環氧化物材料及/或矽樹脂材料。母材中可加入填料，其會影響型體的機械性、熱性及/或光學特性。
依據半導體晶片之至少一實施形式，半導體晶片包括一電性絕緣層，其包括至少一第一開口和至少一第二開口。此電性絕緣層係例如以介電質來形成。此電性絕緣層例如可包含以下材料之一種或由以下材料之至少一種構成：氧化物、氮化物、矽樹脂、環氧樹脂、聚合物。特別是，此電性絕緣層亦可由與型體相同的材料來形成或由與型體的母材相同的材料來形成。此電性絕緣層中的開口完全穿過此電性絕緣層。開口之區域中不存在此電性絕緣層的材料。
此電性絕緣層在與橫向方向成垂直而延伸的垂直方向中具有一種厚度，其小於型體的厚度。例如，此電性絕緣層的厚度最多是型體的厚度之10%。以此方式，此電性絕緣層幾乎不會對熱能造成妨礙，熱能經由導體和型體而到達此電性絕緣層。
依據半導體晶片之至少一實施形式，半導體晶片包括至少一可導電的第一終端區和至少一可導電的第二終端區。該些終端區用於由外部來與半導體晶片接觸且例如配置在一共同面上，例如，配置在半導體晶片之下側。半導體晶片在此種情況下特別是可為表面安裝 的晶片。該些終端區以可導電的材料來形成且可包括一種或多種金屬。特別是，該些終端區可具有一遠離半導體本體之外表面，其特徵是良好的可連接性，例如，良好的可焊接性。
依據半導體晶片之至少一實施形式，載體機械地與半導體本體固定地連接著，即，載體只有在破壞半導體晶片的情況下才可由半導體本體分離。例如，載體經由一連接區而與半導體本體連接。在該連接區中可存在著接觸層和絕緣層，藉此使電流由導體而導引至半導體本體之活性區中。例如，載體在其面向半導體本體之上側上直接鄰接於該連接區且該連接區在其遠離載體之上側上直接鄰接於半導體本體。
依據半導體晶片之至少一實施形式，第一終端區經由第一開口而可導電地與第一導體連接且第二終端區經由第二開口而可導電地與第二導體連接。在半導體晶片包括多於一個的第一終端區及/或多於一個的第二終端區之情況下，該些終端區可經由對應的其它開口而與對應的一個或多個導體連接。
特別是，該些終端區之材料可將該電性絕緣層中所屬的開口完全地或局部地填滿且可與所屬的導體直接相接觸。
依據半導體晶片之至少一實施形式，第一導體至第二導體的距離為第一距離且第一終端區至第二終端區的距離為第二距離，其中第一距離小於第二距離。換言之，例如在一種平行於半導體晶片之主延伸面的平 面中第一導體和第二導體之間較第一終端區和第二終端區之間更靠近地定位著。
依據半導體晶片之至少一實施形式，設有：- 一半導體本體，其包括一活性區，- 一載體，其包括一第一導體、一第二導體、及一型體，- 一電性絕緣層，其包括一第一開口和一第二開口，- 一可導電的第一終端區，以及- 一可導電的第二終端區，其中- 該載體機械地與半導體本體連接，- 該活性區可導電地與第一導體及第二導體連接，- 該電性絕緣層覆蓋該載體之遠離半導體本體之此側上的載體，- 第一終端區經由第一開口而可導電地與第一導體連接，- 第二終端區經由第二開口而可導電地與第二導體連接，- 第一導體與第二導體的距離為第一距離，- 第一終端區與第二終端區的距離為第二距離，以及- 第一距離小於第二距離。
另外，基於此處描述的半導體晶片可確認：導體之在平行於半導體晶片之主延伸面的平面中的一橫切面對該半導體晶片之熱性是有決定性的。導體之該橫切面越大，則熱能可越良好地由活性區經由導體排出。特別是，各導體之間較大的距離將導致半導體本體不均 勻地排熱且因此造成效率的損失。此外，不均勻地排熱會造成不均勻的發光圖像以及在半導體晶片中造成局部提高的溫度，這樣最後會造成半導體晶片快速的老化。
另一方面，若由於各導體之間的距離而可由外部直接來接觸半導體晶片，該些導體因此裸露在半導體晶片之下側，則該距離不可選擇成太小，否則就不能維持一種例如在藉由焊接來連接半導體晶片時所需要的最小距離。此處描述的半導體晶片現在以令人驚異的方式使上述相違背的二種需求可互相協調，該二種需求是各導體之間較小的距離以使熱性獲得改善、以及各終端區之間較大的距離使連接過程，特別是焊接過程，更容易。
第一距離，即，各導體之間的距離，於此例如是至少10微米且最多100微米。特別是，各導體之間的距離可以是至少40微米且最多60微米。
各終端區之間的第二距離例如可以是至少30微米且最多250微米，特別是至少60微米且最多150微米。
特別是，第二距離可以是第一距離的至少1.45倍。
此處描述的半導體晶片中，在該載體之遠離半導體本體之下側上施加一絕緣層，其使遠離半導體本體之下側上的導體絕緣且形成該半導體晶片之一新的、電性絕緣的後側。此電性絕緣層在形成著多個終端區的區域上形成有開口且該些終端區經由該開口而與電性導 體連接。以此方式，則可以儘可能小的距離來形成導體而不必在稍後的連接過程中注意各種限制。
這樣可製成一種具有最佳化的熱性之半導體晶片且因此具有最佳化的效率。
依據半導體晶片之至少一實施形式，該電性絕緣層以區域方式直接鄰接於導體、終端區和型體。即，在該電性絕緣層和導體、終端區、型體之間形成一種邊界面，其中該電性絕緣層直接與半導體晶片之組件接觸。例如，於此須選擇該電性絕緣層之材料，使特別對該型體達成特別良好的黏合。這例如藉由”該型體和該電性絕緣層包含相同的材料或由相同的材料構成”來達成。以此方式，則該電性絕緣層由載體分離的危險性將下降。各終端區係與開口之區域中的電性絕緣層以及該電性絕緣層之遠離半導體本體之下側上的電性絕緣層都直接相接觸。
依據半導體晶片之至少一實施形式，型體在橫向方向中完全包圍著導體。換言之，導體埋置於型體中。導體之側面例如未在任何區域裸露，使導體除了型體以外只鄰接於一連接區，該連接區配置在半導體本體和載體之間且與該電性絕緣層及配屬於半導體本體之終端區相鄰接。以此方式可確保：導體機械地與型體固定地連接著，這樣在整體上可使載體且因此使半導體晶片的機械穩定性提高。此外，可確保：導體在半導體晶片之邊緣上不會在任何區域上裸露且以此方式使半導體晶片不可在邊緣側被接觸。
依據半導體晶片之至少一實施形式，至少一個導體包括一突起。此突起例如在橫向方向中延伸，即，在平行於半導體晶片之主延伸面的方向中延伸。例如，該突起依據切口的形式而形成，其在垂直方向，即，垂直於橫向方向的方向，中完全沿著導體而延伸且在導體的橫切面中平行於半導體晶片之主延伸面而形成齒尖。特別是，導體可具有二個或更多的上述突起，其可分別在垂直方向中經由導體之整個長度而延伸。導體例如可在平行於半導體晶片之主延伸面的橫切面中至少近似地具有”F”、”E”、梳形(其具有多個尖齒)及/或星(star)形的形式。特別是，導體之基面在平行於半導體晶片之主延伸面的橫切面中單純地相連著且成星形。
依據半導體晶片之至少一實施形式，各導體之至少一導體在至少一導體之遠離半導體本體的下側之俯視圖中具有星形或梳形的形式，其中該至少一導體具有至少二個突起，其例如形成梳形的形式之尖齒，且在各突起之間形成拉回的區域，其未具備該至少一導體的材料。換言之，在平行於半導體晶片之主延伸面的平面中之橫切面中設有至少一導體，其具有多個突起。每一突起都具有一主延伸方向，所述突起的沿著此一主延伸方向延伸。不同突起之主延伸方向於此可互相平行而延伸。在各突起之間不存在導體的材料而是存在著拉回的區域，其未具備該至少一導體的材料且其在該載體中例如以型體的材料來填充。
具有星形或梳形之形式的導體之特徵是特別大的表面，在該表面上該導體可與載體之型體直接相接觸。由於此種大的接觸面以及此種事實「梳形或星形結構的突起將導體固定在型體中」，則載體以及因此具有這樣所形成的導體之該半導體晶片都具有更佳的機械穩定性。依據半導體晶片之至少一實施形式，至少一突起由至少一導體(其中形成有一突起)開始而在另一導體的方向中延伸至載體中。即，該至少一導體的至少一部份在另一導體的方向中延伸，這樣就可在各導體之間達成特別小的距離。
依據半導體晶片之至少一實施形式，至少二個導體在該至少一導體之遠離半導體本體之下側上的俯視圖中具有星形或梳形的形式，其中一導體之至少一突起突出至另一導體之拉回的區域中。換言之，一導體之各突起可以成對(pair)方式而突出至另一導體之拉回的區域中，以便沿著一條「在平行於半導體晶片之主延伸面的橫切面中延伸於該些導體之間的」線交替地配置該導體之突起和該另一導體之突起。以此方式，可在該面中沿著至少一橫向方向使各導體之間距離為零。
各導體以此方式特別近地相鄰配置著且由於星形或梳形的形式而具有特別大的面。以此方式，將造成半導體本體之特別均勻的熱能，此乃因在二個導體之間的區域中亦存在所述導體的材料。與此方式形成的導體之大的面一起作用，這樣可使半導體本體達成特別有效且均勻的排熱。
由於該電性絕緣層且可經由該電性絕緣層中的開口來接觸所述導體，則該些終端區可依其幾何形式以獨立於導體之造型而形成，這樣可實現良好的接觸且同時具有良好的熱性。
換言之，由各突起而相互交錯地形成的導體係互相嚙合地形成，其中各導體之間的空出區以型體的材料來填入。各導體的嚙合令人驚異地帶來的優點是：載體傾向於機械碎裂之可能性下降。因此，特別是於該載體的中央區中，在平行於半導體晶片之主延伸方向的面中，未形成一條只在型體的材料中延伸的直線。反之，在平行於半導體晶片之主延伸方向的面中每一條直線至少在該載體的中央區中經由至少一導體而延伸。該載體之沿著各導體之間的線所造成之分裂因此被排除。
依據半導體晶片之至少一實施形式，至少一導體以多個部份來形成。該導體在此種情況下例如以多個全本體來形成，該些全本體相鄰地配置著，特別是未直接相接觸地互相配置著。該導體之各個部份可與相同的終端區連接。此外，在此種情況下該些終端區亦可以多個部份來形成，且例如第一導體之每一部份都與第一終端區連接，全部的第一終端區在半導體晶片操作時都位於相同的電位。相對應的情況亦適用於第二導體的各個部份及所屬的第二終端區。本實施形式中，特別是亦可使一導體以多個部份來形成且另一導體以單一部份來形成。
依據半導體晶片之至少一實施形式，第一終端區以一部份分別覆蓋第一導體和第二導體。此外，第二終端區可以一部份分別覆蓋第一導體和第二導體。這在當各導體互相嚙合地配置時即屬此種情況。第一終端區甚至只與第一導體可導電地連接著，但須配置在該電性絕緣層之遠離各導體之此側上，使除了第一導體之外第二導體的一些區域亦被覆蓋著。相對應的情況亦適用於第二終端區。
依據半導體晶片之至少一實施形式，第一開口具有的橫切面小於第一終端區及/或第二開口具有的橫切面小於第二終端區。即，各終端區例如在半導體晶片之下側上分別具有一個基面，其大於所屬的開口之基面。換言之，只須選擇各開口成足夠大，以便在終端區和所屬的導體之間達成足夠良好的電性接觸即可。該電性絕緣層中的各開口就其橫切面而言保持成儘可能小，這樣對該電性絕緣層的機械穩定性有貢獻。
依據半導體晶片之至少一實施形式，第一終端區在橫向方向中由第一開口包圍著且具有的橫切面小於第一開口及/或第二終端區在橫向方向中由第二開口包圍著且具有的橫切面小於第二開口。例如，各開口藉由遮罩技術和隨後的同向蝕刻(例如，濕式化學蝕刻)而產生。在使用相同的遮罩下，各終端區例如可藉由適當的沈積方法(例如，蒸鍍)而產生於各開口中。各終端區於此可在橫向方向中分別具有一種至該電性絕緣層的距離，使所屬的開口包圍著該終端區，且該終端區未完全 填滿所屬的開口。在此種情況下，該電性絕緣層可在橫向方向中完全包圍著各終端區的邊緣且該電性絕緣層在垂直方向中突出於終端區。該些終端區在此種情況下甚至不是形成為特別大，但可特別良好地被該電性絕緣層保護著。
以下將依據各實施例及所屬的圖式來詳述此處描述的半導體晶片。
1‧‧‧半導體晶片
11‧‧‧第一導電區
12‧‧‧活性區
13‧‧‧第二導電區
2‧‧‧連接區
21‧‧‧第一接觸層
22‧‧‧第二接觸層
23‧‧‧絕緣層
24‧‧‧穿孔接觸區
3‧‧‧載體
31‧‧‧第一導體
32‧‧‧第二導體
33‧‧‧型體
4‧‧‧電性絕緣層
41‧‧‧第一開口
42‧‧‧第二開口
51‧‧‧第一終端區
52‧‧‧第二終端區
D1‧‧‧第一距離
D2‧‧‧第二距離
311、312、321、322‧‧‧突起
323‧‧‧拉回的區域
V‧‧‧垂直方向
L‧‧‧橫向方向
第1A圖顯示此處描述的半導體晶片之一實施例之示意的剖面圖。
第1B圖和第1C圖顯示此處描述的半導體晶片之一實施例的下側之示意的俯視圖。
第2圖顯示此處描述的半導體晶片之另一實施例之示意的剖面圖。
第3圖顯示此處描述的半導體晶片之另一實施例之示意的俯視圖。
各圖式中相似、相同形式或作用相同的各元件分別設有相同的參考符號。各圖式和各圖式中所示的各元件之間的大小比例未依比例繪出。反之，為了更清楚及/或更易於理解，各別元件可予以放大地顯示出。
在與第1A圖之示意的剖面圖相結合下詳述此處描述的半導體晶片之一實施例。半導體晶片包括一半導體本體1、一連接區2和一載體3。半導體本體1經由該連接區2而與該載體3機械地且電性地相連接。
半導體本體1例如包括：一第一導電區11，其例如可形成為具n-導電性；一活性區12；以及一第二導電區13，其例如可形成為具p-導電性。在半導體晶片操作時，在活性區中進行半導體晶片之功能。例如，半導體晶片可以是可發出輻射的半導體晶片，其在操作時在活性區中產生光。
半導體本體經由連接區2而機械固定地且可導電地與載體3相連接。該連接區2例如包括：一第一接觸層21，經由此第一接觸層21可接觸半導體本體之第二導電區13，以及一第二接觸層22，經由此第二接觸層22可接觸第一導電區11。例如，由第二接觸層22經由一穿孔接觸區24來與第一導電區11接觸。該穿孔接觸區24和第二接觸層22可藉由一絕緣層23而與第一接觸層21在電性上相隔開。該穿孔接觸區24於此係由半導體本體1之面向載體3之此側經由第二導電區13和活性區12而延伸至第一導電區11中。
第1A圖之實施例中，第一接觸層21和第二接觸層22部份地互相平行而延伸且在垂直方向V(其垂直於橫向方向L而延伸)中重疊著，該橫向方向L平行於半導體晶片之主延伸面而延伸。
該連接區2於此包括其它的層，其在半導體晶片中用於電流導引及/或其它功能，例如，用於使電磁輻射反射。
此外，半導體本體1和該連接區2可形成為與所示者不同。例如，可在未具備穿孔接觸區下接觸該 半導體本體1或該連接區2之各接觸層在垂直方向中未重疊。
半導體本體1經由該連接區2而在機械上不可鬆開地與載體相連接。即，半導體本體1可以只有在被破壞的情況下使半導體晶片之至少一組件由載體3分離。本實施例中，載體3包括一第一導體31和一第二導體32。第一導體31可導電地連接至第一接觸層21，第二導體32可導電地連接至第二接觸層22。導體31、32例如以一種金屬來形成且以電鍍方式產生，其中該連接區2之一層可作為導體之電鍍沈積用的種子層(seed layer)。此外，導體可形成為全本體，其經由焊接層而與半導體本體連接，所述焊接層同樣可以是該連接區2的一部份。
導體31、32在橫向方向L中完全由型體33包圍著且在載體3之面向半導體本體1之上側上以及載體3之遠離半導體本體1之下側上分別與型體33齊平。
導體31、32於此係互相之間以距離D1而配置著。
半導體晶片另外包括一電性絕緣層4，其配置在載體3之遠離半導體本體1之下側上且完全覆蓋該下側(除了開口41、42以外)。直接與導體31、32相鄰的開口41、42中配置著對應的終端區51、52，其例如以金屬來形成且在該些開口中係與導體31、32直接相接觸。各終端區51、52在半導體晶片之下側上具有橫切面，其小於導體31、32之橫切面。開口41、42之橫切面則小於終端區51、52之橫切面。
終端區51、52互相之間以距離D2配置著，該距離D2大於導體31、32之間的距離D1。
此處描述的半導體晶片中，導體31、32可特別互相靠近地配置著，不必特別注意載體3之下側上各導體31、32之不發生短路的可焊接性。為了連接半導體晶片而形成各終端區51、52，其配置成相互之間的距離大於導體31、32的距離。
為了製造半導體晶片，首先須製備半導體本體1，其下側上具有連接層2。然後，可產生或施加多個導體31、32且例如藉由澆鑄來施加型體33。在這樣所製成的載體上在下側上例如藉由濺鍍、蒸鍍、澆鑄或壓製來製成電性絕緣層4。在製造時在電性絕緣層4中釋出開口41、42或事後產生開口41、42。各開口中產生第一和第二終端區51、52。
第1B圖顯示半導體晶片之遠離半導體本體1之下側的俯視圖。第1B圖之實施例中於此可看出：導體31、32具有一橫切面，其大於終端區51、52之橫切面，但開口41、42之橫切面小於終端區51、52之橫切面。
與第1C圖之示意的俯視圖相結合來詳述此處描述的半導體晶片之另一實施例。本實施例中，導體31、32分別具有突起311、312、321、322，其在另一導體的方向中延伸。該些突起突出於各別的其它導體31、32之拉回的區域323中。以此方式，沿著虛線S交替地配置著第一導體31和第二導體32之突起。介於各突起之間的區域以型體33之材料來填入，該材料使導體31、32在電性上互相絕緣。
第1C圖之實施例中，以梳形來形成導體31、32，此時各突起形成梳形結構之尖齒。於此，須配置各導體，使其互相嚙合。在一橫向方向L中，導體31、32相互之間具有的距離因此為零。以此方式，亦可在各導體之間的區域中配置著導體的材料，使半導體本體在該區域(其不同於第1A圖、第1B圖之實施例中者)中是有功效的。此外，型體中固定的突起提高該載體3之機械穩定性且因此亦提高半導體晶片之機械穩定性。
整體而言，此處描述的半導體晶片之特徵是很良好的熱穩定性以及高的機械穩定性。
第2圖顯示此處描述的半導體晶片之另一實施例的示意之剖面圖。在半導體晶片之本實施例中，第一終端區51在橫向方向L中由第一開口41包圍著且具有一小於第一開口41之橫切面。第二終端區52可與第1B圖相結合時所示那樣地形成或第二終端區52同樣在橫向方向L中由第二開口42包圍著且因此具有一小於第二開口42之橫切面。
各終端區51、52因此可在橫向方向L中分別具有一種至該電性絕緣層4之距離，使所屬的開口41、42包圍著所屬的終端區51、52，且各終端區51、52未完全填滿所屬的開口41、42。在此種情況下，該電性絕緣層4可在橫向方向L中完全包圍著各終端區51、52的邊緣且該電性絕緣層4在垂直方向V中突出於各終端區51、52。
第3圖顯示此處描述的半導體晶片之另一實施例的示意之俯視圖。本實施例中，第一導體31以二個部份來形成。該電性絕緣層4中形成二個第一開口41，其中第一導體31之二個部份裸露出來且可由唯一的第一終端區51來達成接觸。然而，於此亦可將一特定的第一終端區51配屬於第一導體31之每一部份，該特定的第一終端區51例如就像第2圖所示那樣可具有一橫切面，其小於所屬之第一開口41。第二導體32在第3圖之實施例中以單一部份來形成且沿著線S配置在第一導體31之二個部份之間。
本發明不限於依據各實施例所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各請求項中各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各請求項中或各實施例中時亦屬本發明。
本專利申請案主張德國專利申請案10 2015 113 310.5之優先權，其已揭示的內容收納於此以作為參考。
1‧‧‧半導體晶片
11‧‧‧第一導電區
12‧‧‧活性區
13‧‧‧第二導電區
2‧‧‧連接區
21‧‧‧第一接觸層
22‧‧‧第二接觸層
23‧‧‧絕緣層
24‧‧‧穿孔接觸區
3‧‧‧載體
31‧‧‧第一導體
32‧‧‧第二導體
33‧‧‧型體
4‧‧‧電性絕緣層
41‧‧‧第一開口
42‧‧‧第二開口
51‧‧‧第一終端區
52‧‧‧第二終端區
D1‧‧‧第一距離
D2‧‧‧第二距離
V‧‧‧垂直方向
L‧‧‧橫向方向

Claims (14)

  1. 一種半導體晶片，具有：- 一半導體本體(1)，其包括一活性區(12)，- 一載體(3)，其包括一第一導體(31)、一第二導體(32)、及一型體(33)，- 一電性絕緣層(4)，其包括一第一開口(41)和一第二開口(42)，- 一可導電的第一終端區(51)，以及- 一可導電的第二終端區(52)，其中- 該載體(3)機械地與該半導體本體(2)連接，- 該活性區(12)可導電地與該第一導體(31)及該第二導體(32)連接，- 該電性絕緣層(4)係覆蓋在該載體(3)之遠離該半導體本體(1)之一側上，- 第一終端區(51)經由第一開口(41)而可導電地與第一導體(31)連接，- 第二終端區(52)經由第二開口(42)而可導電地與第二導體(32)連接，- 該第一導體(31)與該第二導體(32)的距離為第一距離(D1)，- 該第一終端區(51)與該第二終端區(52)的距離為第二距離(D2)，以及- 該第一距離(D1)小於該第二距離(D2)。
  2. 如請求項1之半導體晶片，其中該電性絕緣層(4)以區域方式直接鄰接於導體(31、32)、終端區(51、52)和型體(33)。
  3. 如請求項1或2之半導體晶片，其中此型體(33)在橫向方向中完全包圍著該導體(31、32)。
  4. 如請求項1至3中任一項之半導體晶片，其中該導體(31、32)中之至少一導體包括至少一突起(311、312、321、322)。
  5. 如請求項1至4中任一項之半導體晶片，其中該導體(31、32)之中至少一導體，在該至少一導體(31、32)之遠離半導體本體(1)之下側的俯視圖中具有星形及/或梳形的形式，其中該至少一導體(31、32)具有至少二個突起(311、312、321、322)，其可形成梳形的形式之尖齒，且在各突起(311、312、321、322)之間形成拉回的區域(323)，其未具備該至少一導體(31、32)的材料。
  6. 如請求項1至5中任一項之半導體晶片，其中至少一突起(311、312、321、322)由至少一導體(31、32)延伸至另一導體(32、31)之方向中。
  7. 如請求項1至6中任一項之半導體晶片，其中至少二個導體(31、32)具有星形及/或梳形的形式，其中該導體(31、32)之該至少一突起(311、312、321、322)突出至另一導體(31、32)之拉回的區域(323)中。
  8. 如請求項1至7中任一項之半導體晶片，其中至少二個該導體(31、32)互相嚙合而配置著。
  9. 如請求項1至8中任一項之半導體晶片，其中該第一終端區(51)以一部份分別覆蓋該第一導體(31)和該第二導體(32)。
  10. 如請求項1至9中任一項之半導體晶片，其中該第二終端區(51)以一部份分別覆蓋該第一導體(31)和該第二導體(32)。
  11. 如請求項1至10中任一項之半導體晶片，其中該第一開口(41)具有的橫切面小於該第一終端區(51)及/或該第二開口(42)具有的橫切面小於該第二終端區(52)。
  12. 如請求項1至11中任一項之半導體晶片，其中該第一終端區(51)在橫向方向(L)中由該第一開口(41)包圍著且具有的橫切面小於該第一開口(41)及/或該第二終端區(52)在橫向方向(L)中由該第二開口(42)包圍著且具有的橫切面小於該第二開口(42)。
  13. 如請求項1至12中任一項之半導體晶片，其中該導體(31、32)中之至少一個導體係以多個部份來形成。
  14. 如請求項1至13中任一項之半導體晶片，其中該第二距離(D2)是該第一距離(D1)的至少1.45倍。
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