KR20180136723A - 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
발광 소자 패키지는 슬릿에 의해 서로 분리된 제1 및 제2 전극부들, 및 상기 슬릿의 하부를 채우고 상기 제1 및 제2 전극부들 각각의 측면 하부를 커버하는 절연 지지 부재를 포함하는 실장 기판, 상기 실장 기판의 상기 제1 및 제2 전극부들 상에 실장되는 발광 소자, 및 상기 실장 기판 상에서 상기 발광 소자를 커버하는 밀봉 부재를 포함한다.
Description
본 발명은 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 자세하게, 본 발명은 리드 프레임을 대신하여 금속 기판에 실장된 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
종래의 발광 소자 패키지의 제조 방법에 있어서, 발광 소자를 리드 프레임에 실장한 후 몰딩하여 패키지를 형성할 수 있다. 하지만, 고집적에 따른 회로 보드 상에 실장되는 발광 소자들의 개수가 증가함에 따라 제품의 신뢰성과 안정성을 보증하기 위한 방열 기술이 요구된다.
본 발명의 일 과제는 우수한 방열성 및 내구성을 갖는 발광 소자 패키지를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 과제는 상술한 발광 소자 패키지를 제조하는 방법을 제공하는 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지는 슬릿에 의해 서로 분리된 제1 및 제2 전극부들, 및 상기 슬릿의 하부를 채우고 상기 제1 및 제2 전극부들 각각의 측면 하부를 커버하는 절연 지지 부재를 포함하는 실장 기판, 상기 실장 기판의 상기 제1 및 제2 전극부들 상에 실장되는 발광 소자, 및 상기 실장 기판 상에서 상기 발광 소자를 커버하는 밀봉 부재를 포함한다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지는 제1 홈에 의해 서로 분리된 제1 및 제2 하부 전극부들, 상기 제1 홈에 연통된 제2 홈에 의해 서로 분리되고 상기 제1 및 제2 하부 전극부들 상에 각각 구비된 제1 및 제2 상부 전극부들, 및 상기 제1 홈을 채우는 절연 지지 부재를 포함하는 실장 기판, 상기 실장 기판의 상기 제1 및 제2 전극부들 상에 실장되는 발광 소자, 상기 발광 소자의 일면을 커버하는 투명 필름, 및 상기 실장 기판 상에서 상기 발광 소자 및 상기 투명 필름을 커버하는 밀봉 부재를 포함한다.
상기 본 발명의 다른 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법에 있어서, 서로 마주하는 제1 면 및 제2 면을 갖는 금속 기판을 제공한다. 상기 금속 기판의 상기 제1 면을 식각하여 제1 홈에 의해 서로 분리된 제1 및 제2 하부 전극부들을 형성한다. 상기 제1 홈을 채우는 절연 지지 부재를 형성한다. 상기 금속 기판의 상기 제2 면을 식각하여 상기 제1 홈에 연통된 제2 홈에 의해 서로 분리되고 상기 제1 및 제2 하부 전극부들 상에 제1 및 제2 상부 전극부들을 형성한다. 상기 제1 및 제2 상부 전극부들 상에 발광 소자를 실장한다. 상기 발광 소자를 커버하도록 상기 절연 지지 부재 및 상기 제1 및 제2 상부 전극부들 상에 밀봉 부재를 형성한다.
예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법에 있어서, 금속 기판을 이용하여 발광 소자를 실장하기 위한 실장 기판을 형성할 수 있다. 상기 실장 기판은 슬릿에 의해 서로 분리된 제1 및 제2 전극부들, 및 상기 슬릿의 하부를 채우고 상기 제1 및 제2 전극부들 각각의 측면 하부를 커버하는 절연 지지 부재를 포함할 수 있다.
상기 절연 지지 부재의 상부면은 상기 제1 및 제2 전극부들의 상면보다 낮게 형성되어, 플립 칩 본딩 공정 중에 상기 솔더 범프의 퍼짐을 방지할 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극부들의 면적은 솔더 범프와의 접합 면적보다 크게 형성되어 우수한 방열성을 제공할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1의 발광 소자 패키지의 저면도이다.
도 5, 도 7, 도 11 및 도 19는 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 평면도들이다.
도 6, 도 8, 도 9, 도 10, 도 12, 도 13, 도 14, 도 15, 도 16, 도 17, 도 18, 도 20, 도 21, 도 22, 도 23 및 도 24는 상기 발광 소자 패키지의 제조 방법의 단계들을 설명하기 위한 단면들이다.
도 25는 도 24의 평면도이다.
도 26은 도 24의 측면도이다.
도 27은 도 24의 저면도이다.
도 28은 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 29 및 도 30은 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 31 내지 도 34는 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 실장 기판을 나타내는 평면도들이다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1의 발광 소자 패키지의 저면도이다.
도 5, 도 7, 도 11 및 도 19는 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 평면도들이다.
도 6, 도 8, 도 9, 도 10, 도 12, 도 13, 도 14, 도 15, 도 16, 도 17, 도 18, 도 20, 도 21, 도 22, 도 23 및 도 24는 상기 발광 소자 패키지의 제조 방법의 단계들을 설명하기 위한 단면들이다.
도 25는 도 24의 평면도이다.
도 26은 도 24의 측면도이다.
도 27은 도 24의 저면도이다.
도 28은 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 29 및 도 30은 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 31 내지 도 34는 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 실장 기판을 나타내는 평면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1의 II-II' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 4는 도 1의 발광 소자 패키지의 저면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광 소자 패키지(10)는 서로 절연된 제1 및 제2 전극부들을 갖는 실장 기판, 상기 실장 기판의 상기 제1 및 제2 전극부들 상에 실장되는 발광 소자(200), 발광 소자(200)의 일면을 커버하는 투명 필름(300), 및 상기 실장 기판 상에서 발광 소자(200) 및 투명 필름(300)을 커버하는 밀봉 부재(400)를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 실장 기판은 발광 소자(200)를 실장시키기 위한 패키지 몸체로서 사용될 수 있다. 상기 실장 기판의 일면은 상기 발광 소자, 다이오드 등을 실장하기 위한 실장 영역을 제공하고, 상기 실장 기판의 타면은 외부 회로 기판과의 전기적 접속을 위한 외부 접합 영역을 제공할 수 있다.
상기 실장 기판은 슬릿에 의해 서로 분리된 상기 제1 및 제2 전극부들, 및 상기 슬릿의 하부를 채우고 상기 제1 및 제2 전극부들 각각의 측면 하부를 커버하는 절연 지지 부재(122)를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극부는 제1 하부 전극부(110a) 및 제1 하부 전극부(110a) 상에 제1 상부 전극부(110b)를 포함하고, 상기 제2 전극부는 제2 하부 전극부(112a) 및 제2 하부 전극부(112a) 상에 제2 상부 전극부(112b)를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극부들은 우수한 전기 전도성 및 방열성을 갖는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속은 구리(Cu), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 절연 지지 부재(122)는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 실리콘 레진(SR) 등과 같은 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 하부 전극부(110a) 및 제2 하부 전극부(112a) 사이에는 제1 홈(120)이 형성되고, 제1 상부 전극부(110b) 및 제2 상부 전극부(112b) 사이에는 제2 홈(130)이 형성되고, 제1 홈(120)과 제2 홈(130)은 서로 연통되어 상기 슬릿을 형성할 수 있다. 제1 홈(120)의 폭은 제2 홈(130)의 폭과 같거나 다를 수 있다.
절연 지지 부재(122)는 제1 홈(120)을 채우며 제1 및 제2 하부 전극부들(110a, 112a)의 측면들을 커버하고, 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)을 노출시킬 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극부들의 상부면들은 상기 제1 및 제2 전극부들 사이의 절연 지지 부재(122)의 상부면보다 더 높을 수 있다. 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)의 상부면들은 제2 홈(130)에 의해 노출된 절연 지지 부재(122)의 상부면보다 더 높을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 발광 소자(200)는 플립 칩 본딩 방식에 의해 상기 실장 기판 상에 실장될 수 있다. 발광 소자(200)의 일면에는 제1 및 제2 전극들(210a, 210b)이 형성될 수 있다. 제1 및 제2 전극들(210a, 210b)이 형성된 면이 상기 실장 기판을 향하도록 발광 소자(200)는 상기 실장 기판 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 전극들(210a, 210b)은 솔더 범프와 같은 접속 부재들(220)에 의해 상기 실장 기판 상에 실장될 수 있다.
서로 마주하는 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)은 상기 발광 소자의 전극들(210a, 210b)과 각각 접합되는 제1 및 제2 접합 영역들(110c, 112c)을 각각 가질 수 있다. 제1 전극(210a)은 접속 부재(220)에 의해 제1 상부 전극부(110b)의 제1 접합 영역(110c)에 접속되고, 제2 전극(210b)은 접속 부재(220)에 의해 제2 상부 전극부(112b)의 제2 접합 영역(110d)에 접속될 수 있다.
발광 소자(200)의 길이 방향이 제1 방향에 평행하게 배치될 수 있다. 복수 개의 제1 전극들(210a)은 제1 상부 전극부(110b)의 복수 개의 제1 접합 영역들(110c)에 대응하도록 발광 소자(200)의 일면 상에서 상기 제1 방향으로 서로 이격 배치될 수 있다. 복수 개의 제2 전극들(210b)은 제2 상부 전극부(112b)의 복수 개의 제2 접합 영역들(112c)에 대응하도록 발광 소자(200)의 일면 상에서 상기 제1 방향으로 배치될 수 있다.
제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)의 표면들에는 제1 리세스들(140)이 각각 형성될 수 있다. 제1 상부 전극부(110b)의 제1 리세스(140)는 제1 접합 영역(110c)에 인접하도록 형성될 수 있다. 제2 상부 전극부(112b)의 제1 리세스(140)는 제2 접합 영역(112c)에 인접하도록 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극부들의 상면보다 낮게 형성된 절연 지지 부재(122)에 의해 플립 칩 본딩 공정 중에 상기 솔더 범프의 퍼짐을 방지할 수 있다. 또한, 제1 리세스들(140)이 제1 및 제2 접합 영역들(110c, 112c) 둘레에 형성되어, 플립 칩 본딩 공정 중에 상기 솔더 범프의 퍼짐을 방지할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(10)는 다이오드(250)를 더 포함할 수 있다. 다이오드(250)는 상기 실장 기판 상에서 발광 소자(200)에 인접하게 배치될 수 있다.
예를 들면, 다이오드(250)는 제너 다이오드(zener diode)를 포함할 수 있다. 상기 제너 다이오드는 역방향 전압 인가시 발생되는 역전류가 발광 소자(200)로 흐르는 것을 차단함으로써 상기 발광 소자의 손상을 방지할 수 있다.
다이오드(250)는 와이어 본딩 방식에 의해 상기 실장 기판 상에 실장될 수 있다. 이와 다르게, 다이오드(250)는 플립 칩 본딩 방식에 의해 상기 실장 기판 상에 실장될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 다이오드(250)는 제2 상부 전극부(112b) 상에 실장될 수 있다. 다이오드(250)는 제1 상부 전극부(110b)와 전기적으로 연결되는 상부 전극 및 제2 상부 전극부(112b)와 전기적으로 연결되는 하부 전극을 포함할 수 있다.
서로 마주하는 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)은 상기 다이오드와의 전기적 연결을 위한 접속 부재들과 각각 접합되는 제3 및 제4 접합 영역들(110d, 112d)을 각각 가질 수 있다. 다이오드(250)의 상기 상부 전극은 본딩 와이어(252)를 통해 제1 상부 전극부(110b)의 제3 접합 영역(110d)에 접속되고, 다이오드(250)의 상기 하부 전극은 도전성 접속 부재를 이용하여 제2 상부 전극부(112b)의 제4 접합 영역(112d)에 접속될 수 있다. 상기 도전성 접속 부재는 도전성 필름을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 투명 필름(300)은 발광 소자(200)의 타면 상에 부착될 수 있다. 투명 필름(300)은 실리콘 필름을 포함할 수 있다. 또한, 투명 필름(300)의 하부면과 발광 소자(200)의 외측면 사이에 접착 필름(310)이 구비될 수 있다.
밀봉 부재(400)는 상기 실장 기판 상에 발광 소자(200) 및 투명 필름(300)을 커버하도록 형성될 수 있다. 밀봉 부재(400)는 투명 필름(300)의 상부면을 노출시키도록 형성될 수 있다. 밀봉 부재(400)는 상기 실장 기판의 상부면, 투명 필름(300)의 측면들 및 발광 소자(200)의 측면들을 커버할 수 있다. 예를 들면, 밀봉 부재(400)는 이산화 티타늄(TiO2)를 포함할 수 있다. 밀봉 부재(400)는 투명 물질을 포함할 수 있다. 또한, 밀봉 부재(400)는 형광체 물질을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 밀봉 부재(400)의 상면 외곽 모서리(410)는 둔각(θ)을 가질 수 있다. 예를 들면, 밀봉 부재(400)의 상면 외곽 모서리(410)의 둔각(θ)은 95도 내지 150도일 수 있다.
이하에서는, 도 1의 발광 소자 패키지를 제조하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 5, 도 7, 도 11 및 도 19는 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 평면도들이다. 도 6, 도 8, 도 9, 도 10, 도 12, 도 13, 도 14, 도 15, 도 16, 도 17, 도 18, 도 20, 도 21, 도 22, 도 23 및 도 24는 상기 발광 소자 패키지의 제조 방법의 단계들을 설명하기 위한 단면들이다. 도 6, 도 8, 도 9, 도 10, 도 12, 도 13, 도 14, 도 16, 도 18, 도 20, 도 22, 도 23 및 도 24는 대응하는 상기 평면도들을 I-I' 선으로 각각 절단한 단면도들이다. 도 15, 도 17 및 도 21은 대응하는 상기 평면도들을 II-II' 선으로 절단한 단면도이다. 도 25는 도 24의 평면도이다. 도 26은 도 24의 측면도이다. 도 27은 도 24의 저면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 먼저, 금속 기판(100)을 마련한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 금속 기판(100)은 발광 소자를 실장시키기 위한 패키지 몸체로서 사용될 수 있다. 금속 기판(100)은 서로 마주하는 제1 면(102) 및 제2 면(104)을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 면(102)은 상기 발광 소자, 다이오드 등을 실장하기 위한 실장 영역을 제공하고, 제2 면(104)은 외부 회로 기판과의 전기적 접속을 위한 외부 접합 영역을 제공할 수 있다.
또한, 금속 기판(100)은 우수한 전기 전도성 및 방열성을 갖는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속은 구리(Cu), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 금속 기판(100)의 제2 면(104) 상에 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 형성할 수 있다.
제1 포토레지스트 패턴(PR1)은 서로 이격된 제1 및 제2 라인 패턴들을 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 라인 패턴들은 상기 패키지 몸체로 사용되는 금속 기판(100)의 전체 영역 상에서 고립된 형상들을 각각 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 라인 패턴들 사이에는 제1 개구(S1)가 형성될 수 있다. 제1 개구(S1)는 제1 방향을 따라 연장할 수 있다.
이와 다르게, 제1 개구(S1)는 서로 연결되고 서로 다른 방향들로 연장하는 제1 연장 부분 및 제2 연장 부분을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 연장 부분은 상기 제1 방향으로 연장하고, 상기 제2 연장 부분은 상기 제1 연장 부분의 일단부로부터 상기 제1 방향과 다른 제3 방향으로 연장할 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(PR1)에 의해 노출된 금속 기판(100)의 일부를 식각하여 금속 기판(100)의 제2 면(104)으로부터 소정 깊이를 갖는 제1 홈(120)을 형성할 수 있다. 이어서, 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 금속 기판(100)으로부터 제거할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 식각 마스크로 이용하여 기판(100)의 일부를 식각하여 금속 기판(100)의 제2 면(104)으로부터 소정 깊이를 갖는 제1 홈(120) 및 제1 가장자리 홈들(121)을 형성할 수 있다. 제1 홈(120) 및 제1 가장자리 홈들(121)에 의해 제1 하부 전극부(110a) 및 제2 하부 전극부(112a)가 정의될 수 있다. 금속 기판(100)의 일부는 등방성 식각 공정에 의해 제거될 수 있다.
예를 들면, 상기 식각 공정에 의해 제1 홈(120) 및 제1 가장자리 홈들(121)은 금속 기판(100)의 제2 면(104)으로부터 기판 두께의 절반의 깊이를 갖도록 형성될 수 있다. 이 경우에 있어서, 제1 및 제2 하부 전극부들(110a, 112a)은 기판(100)의 제2 면(104)으로부터 상기 기판 두께의 절반의 두께를 가질 수 있다.
제1 홈(120)은 상기 제1 방향으로 연장할 수 있다. 이와 다르게, 제1 개구(S1)가 서로 다른 방향들로 연장하는 제1 및 제2 연장 개구 부분들을 가질 때, 상기 제1 홈은 상기 제1 방향으로 연장하는 제1 연장 홈부 및 상기 제2 연장 홈부의 일단부로부터 상기 제1 방향과 다른 제3 방향으로 연장하는 제2 연장 홈부를 가질 수 있다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 제1 홈(120) 및 제1 가장자리 홈들(121)을 채우는 절연 지지 부재(122)를 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 금속 기판(100)의 제2 면(104) 상에 절연 물질을 도포한 후, 상기 도포된 절연 물질의 상부를 제거하여 제1 및 제2 하부 전극부들(110a, 112a)의 표면들을 노출하는 절연 지지 부재(122)를 형성할 수 있다.
절연 지지 부재(122)는 제1 하부 전극부(110a)의 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 절연 지지 부재(122)는 제2 하부 전극부(110a)의 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
절연 지지 부재(122)는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 실리콘 레진(SR) 등과 같은 절연 물질을 포함할 수 있다. 절연 지지 부재(122)의 표면은 제1 및 제2 하부 전극부들(110a, 112a)의 노출된 표면들과 동일 평면을 가질 수 있다. 제1 및 제2 하부 전극부들(110a, 112a)은 후술하는 바와 같이, 외부 회로 기판과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 13, 도 14 및 도 15를 참조하면, 금속 기판(100)의 제1 면(102)을 가공하기 위하여 금속 기판(100)을 뒤집은 후에, 금속 기판(100)의 제1 면(102) 상에 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 형성할 수 있다.
제2 포토레지스트 패턴(PR1)은 제1 포토레지스트 패턴(PR2)과 유사하게 서로 이격된 제3 및 제4 라인 패턴들을 가질 수 있다. 상기 제3 및 제4 라인 패턴들 사이에는 제2 개구(S2)가 형성될 수 있다. 제2 개구(S2)는 상기 제1 방향을 따라 연장할 수 있다. 제2 개구(S2)는 상기 제1 방향과 연장하는 제3 연장 부분 및 상기 제3 연장 부분의 일단부로부터 상기 제1 방향과 다른 제3 방향으로 연장하는 제4 연장 부분을 가질 수 있다.
상기 제3 및 제4 라인 패턴들은 상기 실장되는 발광 소자와 전기적 연결을 위한 접속 부재가 배치되는 영역에 인접한 부분을 노출시키기 위한 제3 개구(S3)를 각각 구비할 수 있다. 제2 개구(S2)는 제1 폭을 가질 수 있고, 제3 개구(S3)는 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭을 가질 수 있다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 제2 포토레지스트 패턴(PR2)에 의해 노출된 금속 기판(100)의 일부를 식각하여 금속 기판(100)의 제1 면(102)으로부터 소정 깊이를 갖는 제2 홈(130)을 형성할 수 있다. 이어서, 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 금속 기판(100)으로부터 제거할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 식각 마스크로 이용하여 기판(100)의 일부를 식각하여 금속 기판(100)의 제1 면(102)으로부터 소정 깊이를 갖는 제2 홈(130), 제2 가장자리 홈들(131) 및 제1 리세스(140)를 형성할 수 있다. 제2 홈(130) 및 제2 가장자리 홈들(131)에 의해 제1 상부 전극부(110b) 및 제2 상부 전극부(112b)가 정의될 수 있다. 금속 기판(100)의 일부는 등방성 식각 공정에 의해 제거될 수 있다.
예를 들면, 상기 식각 공정에 의해 제2 홈(130) 및 제2 가장자리 홈들(131)은 금속 기판(100)의 제1 면(102)으로부터 기판 두께의 절반의 깊이를 갖도록 형성될 수 있다. 이 경우에 있어서, 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)은 기판(100)의 제1 면(102)으로부터 상기 기판 두께의 절반의 두께를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 홈(130)은 제1 홈(120)과 연통되어 금속 기판(100)을 관통하는 슬릿을 형성할 수 있다. 제2 가장자리 홈(131)은 제1 가장자리 홈(121)과 연통될 수 있다. 제2 홈(130)은 절연 지지 부재(122)의 적어도 일부를 노출하도록 형성될 수 있다. 제2 가장자리 홈(131)은 절연 지지 부재(122)의 적어도 일부를 노출하도록 형성될 수 있다.
이에 따라, 금속 기판(100)은 2개의 전극부들, 즉, 제1 전극부 및 제2 전극부로 분리될 수 있다. 상기 제1 전극부는 제1 하부 전극부(110a) 및 제1 상부 전극부(110b)를 포함할 수 있다. 상기 제2 전극부는 제2 하부 전극부(112a) 및 제2 상부 전극부(112b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극부들은 상기 슬릿에 의해 서로 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극부들은 절연 지지 부재(122)에 의해 전기적으로 서로 절연될 수 있다.
제2 홈(130)은 서로 다른 방향으로 연장하는 제3 및 제4 연장 홈부들(130a, 130b, 도 19 참조)을 가질 수 있다. 제3 연장 홈부(130a)는 상기 제1 방향으로 연장하고, 제4 연장 홈부(130b)는 제3 연장 홈부(130a)의 일단부로부터 상기 제1 방향과 다른 제3 방향으로 연장할 수 있다.
제1 홈(120) 및/또는 제2 홈(130)이 서로 다른 방향들로 연장하는 연장 홈부들을 가질 때, 상기 슬릿 역시 서로 다른 방향들로 연장하는 연장 슬릿 부분들을 가질 수 있다.
제1 리세스(140)는 기판(100)의 제1 면(102)으로부터 제2 홈(130)보다 작은 깊이를 가질 수 있다. 제1 리세스들(140)은 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)의 표면들에 각각 형성될 수 있다. 제1 리세스들(140)은 상기 발광 소자가 실장되는 제1 실장 영역 내에 형성될 수 있다.
도 18을 참조하면, 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 금속 기판(100)으로부터 제거하여 상기 발광 소자 및 상기 다이오드를 실장할 수 있는 실장 기판을 형성할 수 있다.
상기 실장 기판은 서로 연통된 제1 및 제2 홈들(120, 130), 즉, 상기 슬릿에 의해 분리된 상기 제1 및 제2 전극부들, 및 상기 제1 및 제2 전극부들 각각의 적어도 측면 하부를 둘러싸며 이들을 지지하는 절연 지지 부재(122)를 포함할 수 있다.
상기 제1 전극부는 제1 하부 전극부(110a) 및 제1 상부 전극부(110b)를 포함할 수 있다. 상기 제2 전극부는 제2 하부 전극부(112a) 및 제2 상부 전극부(112b)를 포함할 수 있다. 절연 지지 부재(122)는 제1 하부 전극부(110a)의 측면을 둘러싸고 제2 하부 전극부(112a)의 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 제1 상부 전극부(110b) 및 제2 상부 전극부(112b)는 절연 지지 부재(122)에 의해 노출될 수 있다. 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b) 사이의 제2 홈(130)에 의해 절연 지지 부재(122)는 노출될 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극부들의 상부면들은 상기 제1 및 제2 전극부들 사이의 절연 지지 부재(122)의 상부면보다 더 높게 위치할 수 있다.
서로 마주하는 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)은 상기 발광 소자의 전극들과 각각 접합되는 제1 및 제2 접합 영역들(110c, 112c)을 각각 가질 수 있다. 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)의 표면들에는 제1 리세스들(140)이 각각 형성될 수 있다. 제1 상부 전극부(110b)의 제1 리세스(140)는 제1 접합 영역(110c)에 인접하도록 형성될 수 있다. 제2 상부 전극부(112b)의 제1 리세스(140)는 제2 접합 영역(112c)에 인접하도록 형성될 수 있다.
서로 마주하는 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)은 상기 다이오드와의 전기적 연결을 위한 접속 부재들과 각각 접합되는 제3 및 제4 접합 영역들(110d, 112d, 도 21 참조)을 각각 가질 수 있다.
도 19, 도 20 및 도 21을 참조하면, 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)의 표면들 상에 도금층(150)을 형성한 후, 상기 실장 기판 상에 발광 소자(200) 및 다이오드(250)를 실장할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도금 공정에 의해 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)의 표면들 상에 도금층(150)을 형성할 수 있다. 추후에 형성되는 밀봉 부재와의 접착력을 향상시키기 위하여 도금층(150)을 표면 처리하여 소정의 거칠기를 가질 수 있다.
발광 소자(200)는 외부에서 인가되는 구동 전원에 의해 소정 파장의 광을 발생시키는 광전 소자일 수 있다. 예를 들어, n형 반도체층 및 p형 반도체층과 이들 사이에 배치된 활성층을 갖는 반도체 발광다이오드(LED) 칩을 포함할 수 있다.
발광 소자(200)는 플립 칩 본딩 방식에 의해 상기 실장 기판 상에 실장될 수 있다. 발광 소자(200)의 일면에는 제1 및 제2 전극들(210a, 210b)이 형성될 수 있다. 제1 및 제2 전극들(210a, 210b)이 형성된 면이 상기 실장 기판을 향하도록 발광 소자(200)는 상기 실장 기판 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 전극들(210a, 210b)은 솔더 범프와 같은 접속 부재들(220)에 의해 상기 실장 기판 상에 실장될 수 있다. 제1 전극(210a)은 접속 부재(220)에 의해 제1 상부 전극부(110b)의 제1 접합 영역(110c)에 접속되고, 제2 전극(210b)은 접속 부재(220)에 의해 제2 상부 전극부(112b)의 제2 접합 영역(110d)에 접속될 수 있다.
발광 소자(200)의 길이 방향이 상기 제1 방향에 평행하게 배치될 수 있다. 복수 개의 제1 전극들(210a)은 제1 상부 전극부(110b)의 복수 개의 제1 접합 영역들(110c)에 대응하도록 발광 소자(200)의 일면 상에서 상기 제1 방향으로 배치될 수 있다. 복수 개의 제2 전극들(210b)은 제2 상부 전극부(112b)의 복수 개의 제2 접합 영역들(112c)에 대응하도록 발광 소자(200)의 일면 상에서 상기 제1 방향으로 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 하부 전극부들(110a, 112a) 사이에는 절연 지지 부재(122)가 배치되고, 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b) 사이에는 절연 지지 부재(122)를 노출시키는 제2 홈(130)이 형성될 수 있다. 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)의 상부면들은 절연 지지 부재(122)의 상부면, 즉, 제2 홈(130)의 저면보다 더 높게 형성될 수 있다.
따라서, 상기 제1 및 제2 전극부들의 상면보다 낮게 형성된 절연 지지 부재(122)에 의해 플립 칩 본딩 공정 중에 상기 솔더 범프의 퍼짐을 방지할 수 있다. 또한, 제1 리세스들(140)이 제1 및 제2 접합 영역들(110c, 112c) 둘레에 형성되어, 상기 솔더 범프의 퍼짐을 방지할 수 있다.
다이오드(250)는 발광 소자(200)에 인접하게 상기 실장 기판의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들면, 다이오드(250)는 제너 다이오드를 포함할 수 있다. 상기 제너 다이오드는 역방향 전압 인가시 발생되는 역전류가 발광 소자(200)로 흐르는 것을 차단함으로써 상기 발광 소자의 손상을 방지할 수 있다.
다이오드(250)는 제2 상부 전극부(112b) 상에 실장될 수 있다. 다이오드(250)는 제1 상부 전극부(110b)와 전기적으로 연결되는 상부 전극 및 제2 상부 전극부(112b)와 전기적으로 연결되는 하부 전극을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 상부 전극은 본딩 와이어(252)를 통해 제1 상부 전극부(110b)의 제3 접합 영역(110d)에 접속되고, 상기 하부 전극은 도전성 접속 부재를 이용하여 제2 상부 전극부(112b)의 제4 접합 영역(112d)에 접속될 수 있다. 상기 도전성 접속 부재는 도전성 필름을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 다이오드는 와이어 본딩 방식에 의해 상기 실장 기판 상에 실장될 수 있다. 하지만, 이에 제한되지 않고, 예를 들면, 상기 다이오드는 플립 칩 본딩 방식에 의해 상기 실장 기판 상에 실장될 수 있다.
도 22 및 도 23을 참조하면, 발광 소자(200)의 타면 상에 투명 필름(300)을 부착한 후, 상기 실장 기판 상에 발광 소자(200) 및 투명 필름(300)을 커버하는 밀봉 부재(400)를 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 발광 소자(200)의 타면 상에 투명 필름(300)을 부착할 수 있다. 투명 필름(300)은 실리콘 필름을 포함할 수 있다. 투명 필름(300)의 하부면과 발광 소자(200)의 외측면 사이에 접착 필름(310)을 형성할 수 있다.
이어서, 상기 실장 기판 상에 발광 소자(200) 및 투명 필름(300)을 커버하도록 밀봉 부재(400)를 디스펜싱할 수 있다. 밀봉 부재(400)는 투명 필름(300)의 상부면을 노출시키도록 형성될 수 있다. 밀봉 부재(400)는 상기 실장 기판의 상부면, 투명 필름(300)의 측면들 및 발광 소자(200)의 측면들을 커버하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 밀봉 부재(400)는 이산화 티타늄(TiO2)를 포함할 수 있다. 밀봉 부재(400)는 투명 물질을 포함할 수 있다. 또한, 밀봉 부재(400)는 형광체 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 디스펜싱된 밀봉 부재(400)는 상기 실장 기판의 주변 영역을 따라 형성된 제2 가장자리 홈들(131)에 의해 주변 영역을 따라 움푹 파인 형상을 가질 수 있다.
도 24 내지 도 27을 참조하면, 상기 실장 기판을 다이싱하여 개별적으로 분리된 발광 소자 패키지를 형성할 수 있다.
상기 발광 소자 패키지의 밀봉 부재(400)의 상면 외곽 모서리(410)는 둔각(θ)을 가질 수 있다. 예를 들면, 밀봉 부재(400)의 상면 외곽 모서리(410)의 둔각(θ)은 95도 내지 150도일 수 있다.
도 28은 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다. 상기 발광 소자 패키지는 제2 절연 지지 부재를 제외하고는 도 1 내지 도 4를 참조로 설명한 발광 소자 패키지와 실질적으로 동일하다. 이에 따라, 동일한 구성요소들에 대해서는 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략한다.
도 28을 참조하면, 발광 소자 패키지(11)의 실장 기판은 슬릿에 의해 서로 분리된 제1 및 제2 전극부들, 상기 슬릿의 하부를 채우고 상기 제1 및 제2 전극부들 각각의 측면 하부를 커버하는 절연 지지 부재(122), 및 상기 슬릿의 상부를 채우는 제2 절연 지지 부재(132)를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극부는 제1 하부 전극부(110a) 및 제1 하부 전극부(110a) 상에 제1 상부 전극부(110b)를 포함하고, 상기 제2 전극부는 제2 하부 전극부(112a) 및 제2 하부 전극부(112a) 상에 제2 상부 전극부(112b)를 포함할 수 있다.
제1 하부 전극부(110a) 및 제2 하부 전극부(112a) 사이에는 제1 홈(120)이 형성되고, 제1 상부 전극부(110b) 및 제2 상부 전극부(112b) 사이에는 제2 홈(130)이 형성되고, 제1 홈(120)과 제2 홈(130)은 서로 연통되어 상기 슬릿을 형성할 수 있다. 제1 홈(120)의 폭은 제2 홈(130)의 폭과 같거나 다를 수 있다.
절연 지지 부재(122)는 제1 홈(120)을 채우며 제1 및 제2 하부 전극부들(110a, 112a)의 측면들을 커버하고, 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)을 노출시킬 수 있다. 제2 절연 지지 부재(132)는 제2 홈(130)을 채우며 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)의 측면들을 커버할 수 있다.
절연 지지 부재(122) 및 제2 절연 지지 부재(132)는 솔더 범프의 퍼짐을 방지할 수 있는 높이를 각각 가질 수 있다.
제2 절연 지지 부재(132)는 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b) 사이의 제2 홈(130)을 채우면서, 플립 칩 본딩 공정 중에 상기 솔더 범프의 퍼짐을 방지할 수 있다.
이하에서는, 도 28의 발광 소자 패키지를 제조하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 29 및 도 30은 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 29 및 도 30을 참조하면, 먼저, 도 5 내지 도 18을 참조로 설명한7을 단계들을 수행하여, 기판(100)의 제1 면(102)을 식각하여 제2 홈(130)에 의해 구분된 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)을 형성할 수 있다.
이어서, 금속 기판(100)의 제1 면(102) 상에 절연 물질을 도포한 후, 상기 도포된 절연 물질의 상부를 제거하여 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)의 표면들을 노출하는 제2 절연 지지 부재(132)를 형성할 수 있다.
제2 절연 지지 부재(132)는 제1 상부 전극부(110b)의 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 제2 절연 지지 부재(132)는 제2 상부 전극부(110b)의 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 제2 절연 지지 부재(132)는 제2 홈(130) 및 제2 가장자리 홈들(131)을 채울 수 있다.
제2 절연 지지 부재(132)는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 실리콘 레진(SR) 등과 같은 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 절연 지지 부재(132)의 표면은 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)의 노출된 표면들과 동일 평면을 가질 수 있다. 이와 다르게, 제2 절연 지지 부재(132)의 표면은 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b)의 노출된 표면들보다 낮거나 더 높을 수 있다.
이어서, 제1 및 제2 상부 전극부들(110b, 112b) 상에 발광 소자(200) 및 다이오드(250)를 실장한 후, 발광 소자(200)의 타면 상에 투명 필름(300)을 부착하고, 발광 소자(200) 및 투명 필름(300)을 커버하는 밀봉 부재(400)를 형성할 수 있다.
도 31 내지 도 34는 예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 실장 기판을 나타내는 평면도들이다.
도 31을 참조하면, 제1 상부 전극부(110b)와 제2 상부 전극부(112b) 사이에는 제2 홈(130)이 형성될 수 있다. 제1 상부 전극부(110b) 아래의 제1 하부 전극부 및 제2 상부 전극부(112b) 아래의 제2 하부 전극부 사이에는 제1 홈(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 절연 지지 부재(122)는 상기 제1 홈(120)을 채우며 상기 제1 및 제2 하부 전극부들의 측면들을 커버할 수 있다.
제2 홈(130)은 상기 제1 홈과 연통되어 실장 기판을 가로지르는 슬릿을 형성할 수 있다. 제2 홈(130)은 제1 방향을 따라 일직선으로 연장할 수 있다. 따라서, 상기 슬릿 역시 상기 제1 방향을 따라 연장하는 형상을 가질 수 있다.
도 32를 참조하면, 제2 홈(130)은 서로 다른 방향으로 연장하는 제3 및 제4 연장 홈부들(130a, 130b)을 가질 수 있다. 제3 연장 홈부(130a)는 제3 방향으로 연장하고, 제4 연장 홈부(130b)는 제3 연장 홈부(130b)의 일단부로부터 상기 제3 방향과 다른 제4 방향으로 연장할 수 있다.
따라서, 슬릿은 상기 제3 방향을 따라 연장하는 제1 연장 슬릿 부분 및 상기 제4 방향을 따라 연장하는 제2 연장 슬릿 부분을 가질 수 있다.
상기 슬릿은 꺽인 부분을 가지므로, 발광 소자가 실장될 때 실장 기판에 가해지는 충격에 의해 상기 실장 기판이 파손되는 것을 방지할 수 있게 된다.
도 33 및 도 34를 참조하면, 제2 홈(130)은 서로 다른 방향으로 연장하는 제3, 제4 및 제5 연장 홈부들(130a, 130b, 130c)을 가질 수 있다. 제3 연장 홈부(130a)는 제3 방향으로 연장하고, 제4 연장 홈부(130b)는 제3 연장 홈부(130b)의 일단부로부터 상기 제3 방향과 다른 제4 방향으로 연장하고, 제5 연장 홈부(130c)는 제4 연장 홈부(130c)의 일단부로부터 상기 제4 방향과 다른 제5 방향으로 연장할 수 있다.
따라서, 슬릿은 상기 제3 방향을 따라 연장하는 제1 연장 슬릿 부분, 상기 제4 방향을 따라 연장하는 제2 연장 슬릿 부분 및 상기 제5 방향을 따라 연장하는 제3 연장 슬릿 부분을 가질 수 있다.
상기 슬릿은 꺽인 부분들을 가지므로, 발광 소자가 실장될 때 실장 기판에 가해지는 충격에 의해 상기 실장 기판이 파손되는 것을 방지할 수 있게 된다.
예시적인 실시예들에 따른 발광 소자 패키지는 다양한 조명 장치에 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 발광 소자 패키지들은 모듈 기판 상에 어레이 형태로 배열되어 조명 장치의 발광 모듈을 구성할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10, 11: 발광 소자 패키지
100: 금속 기판
110a: 제1 하부 전극부 110b: 제1 상부 전극부
110c: 제1 접합 영역 110d: 제3 접합 영역
112a: 제2 하부 전극부 112b: 제2 상부 전극부
112c: 제2 접합 영역 112d: 제4 접합 영역
120: 제1 홈 121: 제1 가장자리 홈
122: 절연 지지 부재 130: 제2 홈
131: 제2 가장자리 홈 132: 제2 절연 지지 부재
140: 제1 리세스 150: 도금층
200: 발광 소자 210a: 제1 전극
210b: 제2 전극 220: 접속 부재
250: 다이오드 252: 본딩 와이어
300: 투명 필름 310: 접착 필름
400: 밀봉 부재
110a: 제1 하부 전극부 110b: 제1 상부 전극부
110c: 제1 접합 영역 110d: 제3 접합 영역
112a: 제2 하부 전극부 112b: 제2 상부 전극부
112c: 제2 접합 영역 112d: 제4 접합 영역
120: 제1 홈 121: 제1 가장자리 홈
122: 절연 지지 부재 130: 제2 홈
131: 제2 가장자리 홈 132: 제2 절연 지지 부재
140: 제1 리세스 150: 도금층
200: 발광 소자 210a: 제1 전극
210b: 제2 전극 220: 접속 부재
250: 다이오드 252: 본딩 와이어
300: 투명 필름 310: 접착 필름
400: 밀봉 부재
Claims (10)
- 슬릿에 의해 서로 분리된 제1 및 제2 전극부들, 및 상기 슬릿의 하부를 채우고 상기 제1 및 제2 전극부들 각각의 측면 하부를 커버하는 절연 지지 부재를 포함하는 실장 기판;
상기 실장 기판의 상기 제1 및 제2 전극부들 상에 실장되는 발광 소자; 및
상기 실장 기판 상에서 상기 발광 소자를 커버하는 밀봉 부재를 포함하는 발광 소자 패키지. - 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극부는 제1 하부 전극부 및 제1 상부 전극부를 포함하고, 상기 제2 전극부는 제2 하부 전극부 및 제2 상부 전극부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 하부 전극부들의 측면들은 상기 절연 지지 부재에 의해 커버되는 발광 소자 패키지.
- 제 2 항에 있어서, 상기 절연 지지 부재는 상기 제1 상부 전극부 및 상기 제2 상부 전극부를 노출시키는 발광 소자 패키지.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제1 하부 전극부 및 상기 제2 하부 전극부 사이에는 제1 홈이 형성되고, 상기 제1 상부 전극부 및 상기 제2 상부 전극부 사이에는 제2 홈이 형성되고, 상기 제1 홈과 상기 제2 홈은 서로 연통되어 상기 슬릿을 형성하는 발광 소자 패키지.
- 제 4 항에 있어서, 상기 절연 지지 부재는 상기 제1 홈을 채우는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 슬릿은 서로 다른 방향으로 연장하는 제1 및 제2 연장 슬릿 부분들을 갖는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극부들의 상부면들에는 상기 발광 소자와의 전기적 접속을 위한 접속 부재가 접합되는 영역에 인접하게 리세스들이 각각 형성되는 발광 소자 패지지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 실장 기판은 상기 슬릿의 상부를 채우는 제2 절연 지지 부재를 더 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 발광 소자의 일면을 커버하는 투명 필름을 더 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 밀봉 부재의 상면 외곽 모서리는 둔각을 갖는 발광 소자 패키지.
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