JP2004140115A - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、内部に集積回路12を有し、集積回路12に電気的に接続された電極14を最表面に有する半導体基板10と、半導体基板10上に形成された表面に凹部33と凸部35とを有する樹脂層20と、樹脂層20の表面に形成された複数の配線30とを有する。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【0002】
【発明の背景】
半導体装置のパッケージとして、CSP(チップスケール/サイズパッケージ)の普及率が高まってきている。また、パッケージをウエハレベルで製造する技術(ウエハレベルパッケージ)が開発されている。この方法で製造されたパッケージ(例えばウエハレベルCSP)は、外部寸法が半導体チップ寸法になっているため、従来のパッケージとは構造が異なっているが、従来のパッケージと同等又はそれ以上の信頼性が要求される。
【0003】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【0004】
(1)本発明に係る半導体装置は、
内部に集積回路を有し、前記集積回路に電気的に接続された電極を最表面に有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、表面に凹部と凸部とを有する樹脂層と、
前記電極に電気的に接続され、前記樹脂層の表面に形成された複数の配線と、
を有する。
【0005】
本発明によれば、樹脂層の表面において隣り合う配線の距離が長くなる。すなわち、上方にさらに別の樹脂層を有する場合に、配線を挟んだ複数の樹脂層の界面における、配線間の距離を長くすることができる。そのため、隣り合う2つの配線間でおこる配線材料等のマイグレーションによる不良が発生しにくくなる。
従って、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。本発明において、半導体基板とは、半導体チップでもよいし、半導体ウエハであってもよい。半導体チップ及び半導体ウエハは、不純物を含む半導体材料からなる基板と、この基板上に設けられ、集積回路に接続された内部配線と、内部配線間を絶縁する層間絶縁膜を有する。電極は、この層間絶縁膜の最外層上に形成されたものである。
【0006】
(2)この半導体装置において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記樹脂層の表面において前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線と、を有し、
前記第1の部分と前記第2の部分とは、前記半導体基板の厚み方向にずれた位置に形成されてもよい。
【0007】
これによれば、樹脂層の表面において隣り合う第1の配線及び第2の配線との距離が長くなる。すなわち、上方にさらに樹脂層を有する場合に、第1の配線及び第2の配線を挟んだ複数の樹脂層の界面における、配線間の距離を長くすることができる。そのため、隣り合う2つの配線間でおこる配線材料等のマイグレーションによる不良が発生しにくくなる。従って、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【0008】
(3)この半導体装置において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記樹脂層の表面において前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線と、を有し、
前記第1の部分は前記樹脂層の凹部内に設けられてなり、
前記第2の部分は前記樹脂層の凸部上に設けられてもよい。
【0009】
これによれば、隣り合う第1及び第2の部分の間で、樹脂層の表面上の距離が長くなる。そのため、隣り合う2つの配線間でおこる配線材料等のマイグレーションによる不良が発生しにくくなり、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【0010】
(4)この半導体装置において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記樹脂層の表面において前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線とを有し、
前記第1の部分及び第2の部分は、それぞれ、前記樹脂層の凸部上に設けられてもよい。
【0011】
これによれば、隣り合う第1及び第2の部分の間で、樹脂層の表面上の距離が長くなる。そのため、隣り合う2つの配線間でおこる配線材料等のマイグレーションによる不良が発生しにくくなり、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【0012】
(5)この半導体装置において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記樹脂層の表面において前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線とを有し、
前記第1の部分及び第2の部分は、それぞれ、前記樹脂層の凹部内に設けられてもよい。
【0013】
これによれば、隣り合う第1及び第2の部分の間で、樹脂層の表面上の距離が長くなる。そのため、隣り合う2つの配線間でおこる配線材料等のマイグレーションによる不良が発生しにくくなり、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【0014】
(6)この半導体装置において、
前記複数の配線は、相互に交差しないように設けられてもよい。
【0015】
(7)この半導体装置において、
前記樹脂層は、第1の樹脂部と前記第1の樹脂部の上に設けられ、前記第1の樹脂部とは異なる材料からなる第2の樹脂部とを含む複数の樹脂部で形成されてなり、
前記凹部の底面の少なくとも一部は、前記第1の樹脂部からなり、
前記凸部の上面の少なくとも一部は、前記第2の樹脂部からなってもよい。
【0016】
(8)この半導体装置において、
前記複数の配線の少なくとも一部を覆うように形成された他の樹脂層をさらに有してもよい。
【0017】
(9)本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されてなる。
【0018】
(10)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【0019】
(11)本発明に係る半導体装置の製造方法は、
内部に集積回路が形成されてなり、前記集積回路に電気的に接続された電極を最表面に有する半導体基板における前記電極が形成された側に樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表面に凹部と凸部とを形成し、
前記樹脂層の表面に複数の配線を形成することを含む。
【0020】
本発明によれば、樹脂層の表面において隣り合う配線の距離を長くすることができる。すなわち、上方にさらに別の樹脂層を有する場合に、配線を挟んだ複数の樹脂層の界面における、配線間の距離を長くすることができる。そのため、隣り合う2つの配線間でおこる配線材料等のマイグレーションによる不良が発生しにくくなる。従って、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0021】
(12)この半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記樹脂層の表面において前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線と、を有し、
前記第1の部分と前記第2の部分とを、前記半導体基板の厚み方向にずれた位置に形成してもよい。
【0022】
これによれば、樹脂層の表面において隣り合う第1の配線及び第2の配線との距離を長くすることができる。すなわち、上方にさらに樹脂層を有する場合に、第1の配線及び第2の配線を挟んだ複数の樹脂層の界面における、配線間の距離を長くすることができる。そのため、隣り合う2つの配線間でおこる配線材料等のマイグレーションによる不良が発生しにくくなる。従って、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0023】
(13)この半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線と、を有し、
前記第1の部分は前記樹脂層の凹部に支持され、前記第2の部分は前記樹脂層の凸部に支持されるように、前記複数の配線を形成してもよい。
【0024】
これによれば、隣り合う第1及び第2の部分の間で、樹脂層の表面上の距離を長くすることができる。そのため、隣り合う2つの配線間でおこる配線材料等のマイグレーションによる不良が発生しにくくなり、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0025】
(14)この半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線と、を有し、
前記第1の部分と前記第2の部分とが、それぞれ、前記樹脂層の凹部に支持されるように、前記複数の配線を形成してもよい。
【0026】
これによれば、隣り合う第1及び第2の部分の間で、樹脂層の表面上の距離を長くすることができる。そのため、隣り合う2つの配線間でおこる配線材料等のマイグレーションによる不良が発生しにくくなり、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0027】
(15)この半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線と、を有し、
前記第1の部分と前記第2の部分とが、それぞれ、前記樹脂層の凸部に支持されるように、前記複数の配線を形成してもよい。
【0028】
これによれば、隣り合う第1及び第2の部分の間で、樹脂層の表面上の距離を長くすることができる。そのため、隣り合う2つの配線間でおこる配線材料等のマイグレーションによる不良が発生しにくくなり、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0029】
(16)この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層の表面に複数の配線を形成する工程よりも後に、前記樹脂層の表面に前記凹部と前記凸部とを形成してもよい。
【0030】
(17)この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層の表面に複数の配線を形成する工程よりも前に、前記樹脂層の表面に前記凹部と前記凸部とを形成してもよい。
【0031】
(18)この半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線を、相互に交差しないように形成することを含んでもよい。
【0032】
(19)この半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線の少なくとも一部を覆うように、他の樹脂層を形成することをさらに含んでもよい。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【0034】
(第1の実施の形態)
図1は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置1を示す図であり、図2は、そのII−II線断面の一部拡大図である。本実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板10を有する。半導体基板10は半導体チップであってもよい。半導体基板10には、1つあるいは複数の集積回路12が形成されている。
集積回路12は、半導体基板10の内部に形成されてもよい。半導体基板10には、集積回路12に電気的に接続された複数の電極14が形成されてもよい。電極14は、半導体基板10の最表面に形成されてもよい。半導体基板10は、不純物を含む半導体材料からなる基板と、この基板上に設けられ、集積回路12に接続された内部配線と、内部配線間を絶縁する層間絶縁膜を有する。電極14は、この層間絶縁膜の最外層上に形成されたものである。図1に示すように、半導体基板10の平行な2辺に沿って端部に配列されていてもよく、4辺に沿って端部に配列されてもよい。電極14は、たとえばAlで形成することができる。電極14を避けて、半導体基板10の表面(電極14が形成された面)には、図示しないパッシベーション膜が形成されてもよい。パッシベーション膜は、電極14上に開口部を有す絶縁膜からなるものである。パッシベーション膜は、SiN、SiO2、MgO等で形成してもよい。
【0035】
半導体基板10の一方の面(例えばパッシベーション膜上)には、樹脂層20が形成されている。樹脂層20は、半導体基板10の電極14が形成された面に形成されてもよい。樹脂層20は応力緩和機能を有してもよい。樹脂層20は、ポリイミド樹脂、シリコーン変形ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変形エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB;benzocyclobutene)、ポリベンゾオキサゾール(PBO;polybenzoxazole)等の樹脂で形成することができる。樹脂層20は、半導体基板10と外部端子16との間に形成されてもよい。すなわち、外部端子16は、半導体基板10上に設けられた樹脂層20の上方に設けられてもよい。外部端子16は、半導体基板10の電極14と電気的に接続した導電部材からなる。樹脂層20は、半導体基板10の端部側よりも、中央側の方が厚くなるように形成されてもよい。この場合、樹脂層20は、半導体基板10の端部側から中央側に向けて厚みが増すように傾斜する部分を有してもよい(図3参照)。なお、後述する凹凸は、樹脂層20の傾斜する部分にのみ形成されてもよい。
【0036】
図2に示すように、樹脂層20は、表面の少なくとも一部が凹凸を有するように形成される。図2に示す例では、樹脂層20は、樹脂部22と樹脂部22上に設けられ、樹脂部22に達する開口部を有する樹脂部24との2層によって形成されている。この場合、樹脂部24を凸部28と称してもよく、樹脂部22における樹脂部24から露出した部分を凹部26と称してもよい。すなわち、樹脂層20は、表面に凹部26と凸部28とを有してもよい。凹部26の底面の少なくとも一部、樹脂部22からなっていてもよく、凸部28の上面の少なくとも一部は、樹脂部24からなっていてもよい。樹脂部22と樹脂部24とは、同じ材料からなるものであってもよいし、異なる材料からなるものであってもよい。異なる材料からなる場合、樹脂部22を構成する材料のエッチングレートと樹脂部24を構成する材料のエッチングレートの比が、3〜5程度のものであってもよい。なお、樹脂部22を第1の樹脂部と称してもよく、樹脂部24を第2の樹脂部と称してもよい。図3に示すように、樹脂層20のうち、傾斜している部分のみに凹凸が形成されてもよい。なお、図3は本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置1から、後述の他の樹脂層18等を取り除いたものの一部拡大図である。また、樹脂層20は、樹脂層20の凸部28の側面が、図2に示すように、半導体基板10の樹脂20が設けられた表面に対し垂直になるように設けられていてもよい。また、樹脂層20は、樹脂層20の凸部28の側面と半導体基板10の樹脂20が設けられた表面とからなる二面体角が、鋭角になるように設けられていてもよいし、鈍角になるように設けられてもよい。なお、図2に示す例では、樹脂層20は、樹脂部22と樹脂部24との2層によって形成されているが、これとは別に樹脂層20を表面に凹凸を有する1つの樹脂部で形成してもよい。あるいは、樹脂層20は、樹脂部22及び樹脂部24以外の層を含む3層以上の層によって形成されてもよい。
【0037】
本実施の形態に係る半導体装置は、複数の配線30を有する。配線30は、電極14に電気的に接続されてなる。また、配線30は樹脂層20の表面に形成されている。複数の配線30は、第1及び第2の配線32、34を含む。ここで、配線30は2つのみならずそれ以上の数であってもよい。第1の配線32は、樹脂層20に支持された第1の部分33を有してもよい。また、第2の配線34は、樹脂層20に支持された第2の部分35を有してもよい。第1及び第2の配線とは、複数の配線30のうち、第1の部分33と第2の部分35が、隣り合う位置に形成された任意の2つの配線を示す。配線30は、一層あるいは複数層の導電層で形成してもよい。導電層は、例えば、金属、合金や金属化合物であってもよい。
【0038】
第1の配線32と第2の配線34とは、少なくともその一部が半導体基板10の厚み方向にずれた位置に形成されてもよい。第1の配線32と第2の配線34とにおける、第1の部分33と第2の部分35とが、半導体基板10の厚み方向にずれた位置に形成されてもよい。これによれば、樹脂20の表面に形成された隣り合う配線間の距離を長くすることができる。そのため、樹脂20と他の樹脂との界面における、第1の配線32と第2の配線34とを構成する導電材料等のマイグレーションによって、第1の配線32と第2の配線34とがショートしにくい。従って、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。ここで、樹脂層20の表面に凹凸を形成したときは、図2又は図3に示すように、第1の配線32(第1の部分33)を、凹部26の底面に支持されるように形成し、第2の配線34(第2の部分35)を、凸部28の上面に支持されるように形成してもよい。言い換えると、第1の部分33は凹部26内に設けられ、第2の部分35は凸部28上に設けられてもよい。これによれば、樹脂層20と後述する他の樹脂層18との界面における、第1の配線32と第2の配線34との距離を長くすることができる。そのため、第1の配線32と第2の配線34とを構成する導体材料等のマイグレーションによる配線のショートが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。なお、複数の配線30は、相互に交差しないように設けられてもよい。
【0039】
半導体基板10には、複数の配線30の少なくとも一部を覆うように絶縁膜からなる保護膜(図示せず)が形成されてもよい。例えば、保護膜は感光性樹脂からなるレジスト層で形成してもよい。配線30の外部端子が設けられた部分を除いた部分を全て保護膜で覆うことで、配線30の酸化、腐食を防止し、さらに電気的不良を防止することができる。
【0040】
本実施の形態に係る半導体装置は、複数の配線30の少なくとも一部を覆う他の樹脂層18を有してもよい。樹脂層18によって、複数の配線30の全てを覆ってもよい。他の樹脂層18を被覆層と称してもよい(図2参照)。他の樹脂層18は外部端子16の根本部を覆ってもよく、これによって外部端子16の少なくとも根本部を補強することができる。他の樹脂層18によって、半導体装置が回路基板に実装された後の外部端子16に応力が集中することを防止することができる。
【0041】
本実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板10(半導体チップ)がベアチップとなり、パッケージサイズが半導体チップにほぼ等しくなり、CSPに分類することができる。あるいは、応力緩和機能を備えるフリップチップであるということもできる。
【0042】
本実施の形態に係る半導体装置1は、上記のように構成されており、以下その製造方法を説明する。図4(A)〜図6(C)は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【0043】
はじめに、半導体基板10に、表面の少なくとも一部に凹凸を有する樹脂層を形成する。図4(A)〜図4(C)は、半導体基板10に、樹脂部22及び樹脂部24を含む樹脂層20を形成する工程を説明するための図である。内部に集積回路12が形成されてなり、集積回路12に電気的に接続された電極14を最表面に有する半導体基板10を用意する。半導体基板10は、半導体チップであってもよい。そして、半導体基板10の一方の面(電極14が形成された面)に樹脂部22を設け、さらに樹脂部24を、樹脂部22上に全面に形成する(図4(A)参照)。なお、樹脂部22と樹脂部24とによって形成される層を、樹脂層20と称してもよい。ただし、樹脂層20は2以上の複数の層から形成されてもよい。ここで、樹脂部24は感光性の樹脂であってもよい。そして、例えば樹脂部24の形成領域上で光等のエネルギーを遮断し、それ以外の領域でエネルギーを通すマスク40を樹脂部24の上方に配置し、エネルギー42を照射する(図4(B)参照)。その後現像することで樹脂部24をパターニングすることができる(図4(C)参照)。これによって、樹脂層20の表面に凹部26と凸部28とを形成してもよい。
【0044】
上述の記載は、エネルギーが照射されると現像液への溶解性が減少するもの(ネガ型レジスト)の場合であるが、エネルギー照射によって現像液への溶解性が増加するもの(ポジ型レジスト)であってもよい。後者の場合は、樹脂部24を形成したい領域上にエネルギーを遮断するマスクを配置して、それ以外の領域にエネルギー42を照射することになる。
【0045】
ただし、表面に凹凸を有する樹脂層20を形成する方法はこれに限られず、例えば表面が平坦な樹脂層に、あらかじめ複数の開口部が設けられた別の樹脂層を搭載して、樹脂層20を形成してもよい。
【0046】
次に、図5(A)〜図5(C)は、レジスト層52を形成し、これをパターニングする工程を説明するための図である。半導体基板10に形成された樹脂層20(樹脂部22及び樹脂部24)にスパッタリングやCVD等で導電膜50を形成し、さらにレジスト層52を、導電膜50上に全面に形成する(図5(A)参照)。そして、マスク44をレジスト層52の上方に配置してエネルギー46を照射し(図5(B)参照)、その後現像することでレジスト層52をパターン化してもよい(図5(C)参照)。図5(C)に示すように、凹部26の底面の一部と凸部28の上面の一部とを除く領域に、レジスト層52を形成してもよい。
例えばレジスト層52は感光性であってもよく、その場合照射するエネルギー56は光であってもよい。レジスト層52の性質も、いわゆるポジ型、ネガ型のいずれであってもよく、それにあわせてマスク44によりエネルギーを遮断する領域を選択してもよい。
【0047】
次に、配線30を形成する。図6(A)〜図6(C)は、第1の部分33を有する第1の配線32と、第2の部分35を有する第2の配線34とを含む配線30を形成する工程を説明するための図である。導電層50における、レジスト層52から露出した部分に配線30を形成する(図6(A)参照)。凹部26の底面の一部と凸部28の上面の一部とを除く領域に、レジスト層52を形成することで、第1の部分33が凹部26に支持された第1の配線32と、第2の部分35が凸部28に支持された第2の配線34とを含む、複数の配線30を形成することができる。また、第1の部分33と第2の部分35とを、半導体基板10の厚み方向にずれた位置に形成することができる。配線30は、例えば導電膜50を利用した電解メッキによって形成することができる。その後、レジスト層52を剥離し(図6(B)参照)、導電膜50をエッチングして(図6(C)参照)、配線30を形成することができる。
【0048】
以上の工程によって形成された配線30に外部端子16等を接続し、他の樹脂層18を形成する等の工程を経て、本実施の形態に係る半導体装置を製造することができる。
【0049】
本実施の形態に係る半導体装置1は、集積回路12及び電極14が形成されてなる半導体基板10を有する。半導体装置1は、半導体基板10に形成された樹脂層20を有する。半導体装置1は、電極14に電気的に接続され、凹凸を有する樹脂層20の表面に形成された隣り合う第1及び第2の部分33、35を含む複数の配線30を有する。第1の配線32と第2の配線34とは、相互に交差しないものでもよい。第1の部分33と第2の部分35とは、半導体基板10の厚み方向にずれた位置に形成されていてもよい。
【0050】
本実施の形態では、凹凸を有する樹脂層20を形成した後に、配線30を形成するものを説明した。本実施の形態は、これに限らず、配線30を形成した後に、樹脂層20に凹凸を形成してもよい。この場合、複数の配線30をマスクとして、自己整合的に樹脂層20をパターニングして、複数の配線30間に凹部を形成してもよい。
【0051】
本発明の実施の形態に係る半導体装置1を有する電子機器として、図7には本実施の形態に係る半導体装置1を実装した回路基板1000が示され、図8にはノート型パーソナルコンピュータ2000が示され、図9には携帯電話3000が示されている。
【0052】
(変形例)
図10(A)〜図11(C)は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を説明するための図である。
【0053】
はじめに、半導体基板10に形成された樹脂層21にレジスト層等のマスクを形成する。図10(A)〜図10(C)は、半導体基板10に形成された樹脂層21に、レジスト層56を形成する工程を説明するための図である。半導体基板10の一方の面に樹脂層21を設け、さらにレジスト層56を樹脂層21上に全面に形成する(図10(A)参照)。そして、例えば凸部27の形成領域上で光等のエネルギーを遮断し、それ以外の領域でエネルギーを通すマスク48をレジスト層56の上方に配置し、エネルギー49を照射する(図10(B)参照)。
その後現像することでレジスト層56をパターニングすることができる(図10(C)参照)。
【0054】
次に、樹脂層21の表面に凹凸を形成する。図11(A)〜図11(C)は樹脂層21の一部を凹ませる工程を説明するための図である。レジスト層56が形成された樹脂層21にドライエッチングを施し(図11(A)参照)、樹脂層21におけるレジスト層56から露出した領域を凹ませる(図11(B)参照)。
ドライエッチングを施す時間を調整することで、樹脂層21の一部を凹ませてもよい。ただし本工程は、ドライエッチングに限られるものではない。そして、レジスト層56を剥離して、表面に凹部25と凸部27とを有する樹脂層21を形成することができる(図11(C)参照)。この方法で樹脂層を形成する場合、樹脂層21は1つの層で形成される。
【0055】
樹脂層21の凹部25及び凸部27に、第1の配線32及び第2の配線34を形成し、さらに、他の樹脂層18等を形成することで半導体装置1を製造することができる。
【0056】
(変形例)
図12及び図13は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を示す図である。図12は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体ウエハの一部拡大図であり、その全体を図13に示す。なお、本実施の形態でも上述した内容を可能な限り適用することができる。
【0057】
本実施の形態に係る半導体ウエハ2は、複数の集積回路12を有してもよい。
半導体ウエハ2には、集積回路12毎に半導体装置1と同様の樹脂層、配線、外部端子等が形成されてもよい。すなわち、半導体ウエハ2には、複数の半導体装置1が形成されてもよい。半導体装置1は、上述のいずれかの方法によって製造してもよい。これによれば、隣り合う配線間でマイグレーションが発生しにくい、信頼性の高い半導体ウエハ2を製造することができる。図15に示すように、半導体ウエハ2を、例えばブレード100によって、それぞれの集積回路12を囲むラインLで切断することで、複数の半導体装置1が得られる。
【0058】
本実施の形態に係る半導体ウエハ2は、複数の集積回路12及び電極14が形成された半導体基板を有する。半導体ウエハ2は半導体基板に形成された樹脂層を有する。半導体ウエハ2は樹脂層に形成された隣り合う第1及び第2の部分を含む複数の配線を有する。第1及び第2の部分は半導体ウエハ2の厚み方向にずれた位置に形成されてなる。複数の配線は相互に交差しないように形成されてもよい。
【0059】
(第2の実施の形態)
図14は、本発明を適用した第2の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。なお、本実施の形態でも、第1の実施の形態で説明した内容を可能な限り適用することができる。
【0060】
本実施の形態に係る半導体装置は樹脂層60を有する。樹脂層60は応力緩和機能を有してもよい。樹脂層60の表面には凹部62と凸部64とを含む凹凸が形成されてもよい。凹凸は樹脂層60の一部にのみ形成されてもよい。樹脂層60は、1つの層で形成してもよく、あるいは2つ以上の層で形成してもよい。図14に示す例では、樹脂層60は1つの層で形成されている。樹脂層60は、上述した樹脂層20あるいは樹脂層21を形成する方法と同様の方法によって形成してもよい。
【0061】
本実施の形態に係る半導体装置は、複数の配線70を有する。図14に示すように、配線70のそれぞれを、少なくともその一部が凸部64の上面に支持されるように形成してもよい。配線70は、上述した配線30を形成する方法と同様の方法で形成してもよく、あるいは、導電ペースト等によって形成してもよい。
なお、複数の配線70のうち、隣り合う任意の2つの配線における凸部64の上面に支持された部分を、第1及び第2の部分72、74と称してもよい。
【0062】
本実施の形態に係る半導体装置において、配線70を支持する樹脂層60は、隣り合う2つの配線70の間(第1の部分72と第2の部分74との間)に凹部62を有する(図14参照)。これにより、隣り合う2つの配線70の間で、樹脂層60と他の樹脂層18との界面の距離を長くすることができる。そのため、マイグレーションが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置3を製造することができる。
【0063】
本実施の形態に係る半導体装置3は、内部に集積回路12を有し、集積回路12に電気的に接続された電極14を最表面に有する半導体基板10を有する。半導体装置3は、半導体基板10上に形成され、表面に凹部62と凸部64とを有する樹脂層60を有する。半導体装置3は、第1の部分72を有する第1の配線と、樹脂層60の表面において第1の部分72と隣り合って設けられた第2の部分74を有する第2の配線とを含む複数の配線70を有する。第1の部分72及び第2の部分74は、それぞれ、樹脂層60の凸部64上に設けられてなる。
【0064】
(第3の実施の形態)
図15は、本発明を適用した第3の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。なお、本実施の形態でも第1の実施の形態及び第2の実施の形態で説明した内容を可能な限り適用することができる。
【0065】
本実施の形態に係る半導体装置は樹脂層80を有する。樹脂層80は応力緩和機能を有してもよい。樹脂層80の表面には凹部82と凸部84とを含む凹凸が形成されてもよい。凹凸は樹脂層80の一部にのみ形成されてもよい。樹脂層80は、1つの層で形成してもよく、あるいは2つ以上の層で形成してもよい。図15に示す例では、樹脂層80は1つの層で形成されている。樹脂層80は、上述した樹脂層20あるいは樹脂層21を形成する方法と同様の方法によって形成してもよい。
【0066】
本実施の形態に係る半導体装置は、複数の配線90を有する。図15に示すように、配線90のそれぞれを、少なくともその一部が凹部82の底面に支持されるように形成してもよい。配線90は、上述した配線30を形成する方法と同様の方法で形成してもよく、あるいは、導電ペースト等によって形成してもよい。
なお、複数の配線90のうち、隣り合う任意の2つの配線における凹部82の底面に支持された部分を、第1及び第2の部分92、94と称してもよい。
【0067】
本実施の形態に係る半導体装置において、配線90を支持する樹脂層80の少なくとも一部は、隣り合う2つの配線90の間(第1の部分92と第2の部分94との間)に凸部84を有する(図15参照)これにより、隣り合う2つの配線90の間の樹脂層80と他の樹脂層18との界面の距離を長くすることができる。そのため、マイグレーションが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置4を製造することができる。
【0068】
本実施の形態に係る半導体装置4は、内部に集積回路12を有し、集積回路12に電気的に接続された電極14を最表面に有する半導体基板10を有する。半導体装置4は、半導体基板10上に形成され、表面に凹部82と凸部84とを有する樹脂80を有する。半導体装置3は、第1の部分92を有する第1の配線と、樹脂層80の表面において第1の部分92と隣り合って設けられた第2の部分94を有する第2の配線とを含む複数の配線90を有する。第1の部分92及び第2の部分94は、それぞれ、樹脂層80の凹部82内に設けられてなる。
【0069】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図2】図2は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図3】図3は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図4】図4(A)〜図4(C)は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図5】図5(A)〜図5(C)は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図6】図6(A)〜図6(C)は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図7】図7は、本発明の実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【図8】図8は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図9】図9は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図10】図10(A)〜図10(C)は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を示す図である。
【図11】図11(A)〜図11(C)は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を示す図である。
【図12】図12は、本発明を適用した半導体ウエハを示す図である。
【図13】図13は、本発明を適用した半導体ウエハを示す図である。
【図14】図14は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図15】図15は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
10 半導体基板、 12 集積回路、 14 電極、 16 外部端子、 18 他の樹脂層、 20 樹脂層、 26 凹部、 28 凸部、 30 配線、 32 第1の配線、 33 第1の部分、 34 第2の配線、 35 第2の部分
Claims (19)
- 内部に集積回路を有し、前記集積回路に電気的に接続された電極を最表面に有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、表面に凹部と凸部とを有する樹脂層と、
前記電極に電気的に接続され、前記樹脂層の表面に形成された複数の配線と、
を有する半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記樹脂層の表面において前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線と、を有し、
前記第1の部分と前記第2の部分とは、前記半導体基板の厚み方向にずれた位置に形成されてなる半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記樹脂層の表面において前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線と、を有し、
前記第1の部分は前記樹脂層の凹部内に設けられてなり、
前記第2の部分は前記樹脂層の凸部上に設けられてなる半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記樹脂層の表面において前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線とを有し、
前記第1の部分及び第2の部分は、それぞれ、前記樹脂層の凸部上に設けられてなる半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記樹脂層の表面において前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線とを有し、
前記第1の部分及び第2の部分は、それぞれ、前記樹脂層の凹部内に設けられてなる半導体装置。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体装置において、
前記複数の配線は、相互に交差しないように設けられてなる半導体装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、第1の樹脂部と前記第1の樹脂部の上に設けられ、前記第1の樹脂部とは異なる材料からなる第2の樹脂部とを含む複数の樹脂部で形成されてなり、
前記凹部の底面の少なくとも一部は、前記第1の樹脂部からなり、
前記凸部の上面の少なくとも一部は、前記第2の樹脂部からなる半導体装置。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体装置において、
前記複数の配線の少なくとも一部を覆うように形成された他の樹脂層をさらに有する半導体装置。 - 請求項1から請求項8のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
- 請求項1から請求項8のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
- 内部に集積回路が形成されてなり、前記集積回路に電気的に接続された電極を最表面に有する半導体基板における前記電極が形成された側に樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表面に凹部と凸部とを形成し、
前記樹脂層の表面に複数の配線を形成することを含む半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記樹脂層の表面において前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線と、を有し、
前記第1の部分と前記第2の部分とを、前記半導体基板の厚み方向にずれた位置に形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線と、を有し、
前記第1の部分は前記樹脂層の凹部に支持され、前記第2の部分は前記樹脂層の凸部に支持されるように、前記複数の配線を形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線と、を有し、
前記第1の部分と前記第2の部分とが、それぞれ、前記樹脂層の凹部に支持されるように、前記複数の配線を形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線は、第1の部分を有する第1の配線と、前記第1の部分と隣り合って設けられた第2の部分を有する第2の配線と、を有し、
前記第1の部分と前記第2の部分とが、それぞれ、前記樹脂層の凸部に支持されるように、前記複数の配線を形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層の表面に前記複数の配線を形成する工程よりも後に、前記樹脂層の表面に前記凹部と前記凸部とを形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層の表面に前記複数の配線を形成する工程よりも前に、前記樹脂層の表面に前記凹部と前記凸部とを形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項11から請求項17のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線を、相互に交差しないように形成することを含む半導体装置の製造方法。 - 請求項11から請求項18のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線の少なくとも一部を覆うように、他の樹脂層を形成することをさらに含む半導体装置の製造方法。
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