JP4654790B2

JP4654790B2 - 半導体装置及びその製造方法

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Publication number: JP4654790B2
Application number: JP2005178953A
Authority: JP
Inventors: 伸晃橋元
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-06-20
Filing date: 2005-06-20
Publication date: 2011-03-23
Anticipated expiration: 2025-06-20
Also published as: JP2006351996A

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。

電子部品を小型化するためには、半導体装置の外形は小さい方が好ましい。しかし、半導体装置の役割が多様化するにつれ、半導体チップに形成される集積回路の高集積化が進み、これに伴って、半導体チップのピン数の増加が進んでいる。すなわち、現在では、半導体装置の小型化と、集積回路の高集積化という２つの要求を同時に満たすことが可能な半導体装置が求められている。

この要求に応えることができる半導体装置として、半導体チップ上に配線が形成されたタイプの半導体装置が注目を集めている。このタイプの半導体装置では、半導体装置の外形を半導体チップの外形とほぼ同じにすることができるため、従来の半導体パッケージに較べて、半導体装置の小型化が可能である。

しかし、この半導体装置であっても、従来の半導体装置と同等又はそれ以上の信頼性が要求される。また、この半導体装置を、信頼性を確保しつつ、効率よく製造する方法の開発が望まれている。

本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
特開平２−２７２７３７号公報

（１）本発明に係る半導体装置は、電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された樹脂突起と、
前記樹脂突起の基端部を覆うように、かつ、前記樹脂突起の上端部を露出させるように形成された無機絶縁部材と、
前記電極と電気的に接続されてなり、前記無機絶縁部材上を通り、前記樹脂突起の前記上端部に至るように形成された配線と、
を含む。本発明によると、配線が無機絶縁材料と接触している領域を大きくすることができる。配線は、樹脂に較べて、無機絶縁材料との密着性が高いため、本発明によると、配線の剥離が生じにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（２）この半導体装置において、
前記半導体基板はパッシベーション膜を有し、
前記樹脂突起及び前記無機絶縁部材は、前記パッシベーション膜上に形成されていてもよい。
（３）本発明に係る半導体装置の製造方法は、電極を有する半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板上に、樹脂突起を形成する工程と、
前記樹脂突起の基端部を覆う無機絶縁部材を、前記樹脂突起の上端部が露出するように形成する工程と、
前記電極と電気的に接続された配線を、前記無機絶縁部材上を通り、前記樹脂突起の前記上端部に至るように形成する工程と、
を含む。本発明によると、配線の剥離が起こりにくい、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板はパッシベーション膜を有し、
前記樹脂突起及び前記無機絶縁部材を、前記パッシベーション膜上に形成してもよい。
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記パッシベーション膜は、前記電極とオーバーラップする開口を有し、
前記電極における前記開口とオーバーラップする領域には酸化膜が形成されてなり、
前記無機絶縁部材を、前記酸化膜が露出するように形成し、
前記配線を形成する工程の前に、Ａｒガスを利用して、前記酸化膜の少なくとも一部を除去して前記電極を露出させる工程と、
前記配線を、前記酸化膜を除去する工程で前記樹脂突起に形成された炭化層もしくはプラズマ重合層上を通るように形成した後に、前記炭化層もしくはプラズマ重合層における前記配線からの露出部を除去する工程と、
をさらに含んでもよい。
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記無機絶縁部材を形成する工程は、
前記酸化膜、樹脂突起及びパッシベーション膜を覆うように無機絶縁層を形成する工程と、
前記無機絶縁層を部分的に除去して、前記酸化膜及び前記樹脂突起の前記上端部を露出させる工程と、
を含んでもよい。

以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。

（半導体装置）
図１（Ａ）〜図２は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。なお、図１（Ａ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置１の概略図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のIB−IB線断面の一部拡大図である。また、図２は、半導体装置１が実装された電子モジュールを示す図である。

本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、半導体基板１０を含む。半導体基板１０は、例えばシリコン基板であってもよい。半導体基板１０は、チップ状をなしていてもよい（図１（Ａ）参照）。このとき、半導体基板１０の電極１４が形成された面（能動面）は長方形をなしていてもよい。ただし、半導体基板１０の能動面は、正方形をなしていてもよい（図示せず）。あるいは、半導体基板１０は、ウエハ状をなしていてもよい（図３（Ａ）参照）。半導体基板１０には、１つ又は複数の（半導体チップには１つの、半導体ウエハには複数の）集積回路１２が形成されていてもよい（図１（Ｂ）参照）。集積回路１２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。

半導体基板１０は、図１（Ｂ）に示すように、電極１４を有する。電極１４は、半導体基板１０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極１４は、集積回路１２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路１２に電気的に接続されていない導電体を含めて、電極１４と称してもよい。電極１４は、例えば、アルミニウムによって形成されていてもよい。電極１４は、半導体基板の内部配線の一部であってもよい。このとき、電極１４は、半導体基板の内部配線のうち、外部との電気的な接続に利用される部分であってもよい。電極１４は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。

半導体基板１０は、図１（Ｂ）に示すように、パッシベーション膜１６を有していてもよい。パッシベーション膜１６には、開口１７が形成されていてもよい（図３（Ｂ）参照）。開口１７は、電極１４上に配置されていてもよい。すなわち、開口１７は、電極１４とオーバーラップするように形成されていてもよい。開口１７は、電極１４の中央領域とオーバーラップするように形成されていてもよい。パッシベーション膜１６は、電極１４を部分的に覆うように形成されていてもよい。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、パッシベーション膜１６は、ポリイミド樹脂などの有機絶縁膜であってもよい。ただし、本実施の形態に係る半導体装置では、半導体基板１０はパッシベーション膜１６を有していなくてもよい。このときには、後述する無機絶縁部材３０を、パッシベーション膜と称してもよい。

本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、半導体基板１０上に形成された樹脂突起２０を含む。半導体基板１０がパッシベーション膜１６を有する場合、樹脂突起２０は、パッシベーション膜１６上に形成されていてもよい。樹脂突起２０の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を適用してもよい。例えば、樹脂突起２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成してもよい。樹脂突起２０の形状も特に限定されるものではない。例えば、樹脂突起２０は、直線状に形成されていてもよい（図１（Ａ）参照）。半導体基板１０が長方形をなす場合、樹脂突起２０は、半導体基板１０の長辺に沿って延びるように形成されていてもよい。そして、樹脂突起２０の表面は、曲面になっていてもよい。このとき、樹脂突起２０の断面形状は、図１（Ｂ）に示すように、半円状をなしていてもよい。ただし、樹脂突起２０は、半球状をなしていてもよい（図示せず）。

本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ｂ）に示すように、無機絶縁部材３０を含む。無機絶縁部材３０は、樹脂突起２０の基端部２２を覆うように、かつ、樹脂突起２０の上端部２４を露出させるように形成されてなる。半導体基板１０がパッシベーション膜１６を有する場合、無機絶縁部材３０は、パッシベーション膜１６上に（パッシベーション膜１６上を通るように）形成されていてもよい。このとき、無機絶縁部材３０は、パッシベーション膜１６を覆うように形成されていてもよい。あるいは、無機絶縁部材３０は、樹脂突起２０の周囲の領域のみに形成されていてもよい（図示せず）。無機絶縁部材３０の材料は特に限定されるものではない。例えば、無機絶縁部材３０は、シリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物のいずれか１つ又は複数によって形成されていてもよい。無機絶縁部材３０の構造も特に限定されるものではない。無機絶縁部材３０は、図１（Ｂ）に示すように、一層で形成されていてもよいが、２層以上の複数層で形成されていてもよい（図示せず）。無機絶縁部材３０は、図１（Ｂ）に示すように、電極１４を露出させるように形成されていてもよい。例えば、無機絶縁部材３０には、電極１４とオーバーラップする開口が形成されていてもよい。そして、電極１４は、該開口を介して、無機絶縁部材３０から露出していてもよい。

本実施の形態に係る半導体装置は、配線４０を含む。配線４０は、電極１４と電気的に接続されてなる。配線４０は、無機絶縁部材３０上を通り、樹脂突起２０の上端部２４に至るように形成されてなる。配線４０は、無機絶縁部材３０及び樹脂突起２０（樹脂突起２０の上端部２４）と接触するように形成されていてもよい。特に、配線４０は、無機絶縁部材３０における樹脂突起２０の基端部２２を覆う部分（基端部２２の隣の部分）と接触するように形成されていてもよい。このとき、配線４０は、樹脂突起２０の両側で、無機絶縁部材３０に接触するように形成されていてもよい。また、配線４０は、電極１４と接触するように形成してもよい。これにより、配線４０と電極１４とを電気的に接続させてもよい。なお、配線４０の構造及び材料は、特に限定されるものではない。例えば、配線４０は、複数層で形成されていてもよい。このとき、配線４０は、チタンタングステンによって形成された第１の層と、金によって形成された第２の層とを含んでいてもよい（図示せず）。あるいは、配線４０は、単層で形成されていてもよい。

本実施の形態に係る半導体装置１は、以上の構成をなしていてもよい。先に説明したように、半導体装置１によると、樹脂突起２０の基端部２２は、無機絶縁部材３０によって覆われている。そして、配線４０は、無機絶縁部材３０上を通って、樹脂突起２０（上端部２４）上に至るように形成されてなる。これによると、無機絶縁部材３０を有しない場合に較べて、配線４０が無機材料と接触している領域を広くすることができる。ここで、無機材料は、樹脂に較べ、配線との密着性が高い。そのため、配線４０と無機材料との接触領域が広がれば、配線４０が剥離しにくくなる。特に、樹脂突起２０の基端部２２付近では、配線４０の下地の形状が急激に変化するため、樹脂突起２０と配線との剥離が懸念される。しかし、半導体装置１によると、樹脂突起２０の基端部２２において無機絶縁部材３０と配線４０とが接触するため、樹脂突起２０の基端部２２付近で、配線４０が剥離しにくくなる。すなわち、半導体装置１によると、配線４０の剥離が起きにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、無機絶縁部材３０が樹脂突起２０の両側の基端部２２に形成され、配線４０が樹脂突起２０の両側で無機絶縁部材３０と接触している場合には、さらに信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、半導体装置１によると、樹脂突起２０の上端部２４は無機絶縁部材３０から露出しているため、配線４０における樹脂突起２０の上端部２４とオーバーラップする領域を、外部端子として利用することが可能になる。

すなわち、半導体装置１によると、信頼性が高く、かつ、実装性に優れた半導体装置を提供することができる。

そして、図２には、半導体装置１が実装された電子モジュール１０００を示す。図２に示す例では、半導体装置１は、基板２に実装されている。ここで、基板２はリジッド基板（例えばガラス基板、シリコン基板）であってもよいし、フレキシブル基板（例えばフィルム基板）であってもよい。半導体装置１は、配線４０が形成された面が基板２と対向するように搭載されていてもよい。このとき、基板２の配線と半導体装置１の配線４０とは、接触して電気的に接続されていてもよい。詳しくは、基板２の配線と配線４０における樹脂突起２０の上端部２４とオーバーラップする部分とが、接触して電気的に接続されていてもよい。これによると、樹脂突起２０の弾性力によって、配線４０を、基板２の配線に押し付けることができる。そのため、電気的な接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、半導体装置１は、接着剤（樹脂系接着剤）によって、基板２に接着されていてもよい。なお、電子モジュール１０００は、表示デバイスであってもよい。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置１は、表示デバイスを制御するドライバＩＣであってもよい。

（半導体装置の製造方法）
図３（Ａ）〜図７（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す、電極１４を有する半導体基板１０を用意することを含む。半導体基板１０は、例えば、ウエハ状で用意してもよい。ウエハ状の半導体基板１０は、図３（Ａ）に示すように、複数の半導体装置となる領域１１を有していてもよい。半導体基板１０は、図３（Ｂ）に示すように、パッシベーション膜１６を有していてもよい。パッシベーション膜１６には、開口１７が形成されていてもよい。このとき、電極１４には酸化膜１８が形成されていてもよい。酸化膜１８は、電極１４における開口１７とオーバーラップする領域に形成されていてもよい。酸化膜１８は、図３（Ｂ）に示すように、開口１７の内側に形成されていてもよい。ただし、本工程では、パッシベーション膜１６を有しない半導体基板を用意してもよい（図示せず）。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上に樹脂突起２０を形成することを含む（図４（Ｃ）参照）。半導体基板１０がパッシベーション膜１６を有する場合、樹脂突起２０を、パッシベーション膜１６上に形成してもよい。樹脂突起２０を形成する方法は特に限定されるものではないが、以下、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を参照して、樹脂突起２０を形成する方法の一例について説明する。はじめに、図４（Ａ）に示すように、半導体基板１０（パッシベーション膜１６）上に、樹脂材料２１を設ける。そして、図４（Ｂ）に示すように、樹脂材料２１をパターニングする。その後、樹脂材料２１を硬化（例えば熱硬化）させることによって、図４（Ｃ）に示すように、樹脂突起２０を形成してもよい。なお、樹脂突起２０を形成する工程で、樹脂材料２１を溶融させ、その後硬化させることによって、表面が曲面になるように樹脂突起２０を形成することができる。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、無機絶縁部材３０を形成することを含む（図５（Ｂ）参照）。無機絶縁部材３０は、樹脂突起２０の基端部２２を覆うように、かつ、樹脂突起２０の上端部２４を露出させるように形成する。半導体基板１０がパッシベーション膜１６を有する場合、無機絶縁部材３０を、パッシベーション膜１６上に形成してもよい。このとき、無機絶縁部材３０を、パッシベーション膜１６を覆うように形成してもよい。また、電極１４に酸化膜１８が形成されている場合、無機絶縁部材３０は、酸化膜１８を露出させるように形成してもよい。無機絶縁部材３０を、電極１４とオーバーラップする開口３２を有するように形成してもよく、開口３２を介して、無機絶縁部材３０から酸化膜１８を露出させてもよい。

無機絶縁部材３０を形成する方法は特に限定されないが、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）を参照して、無機絶縁部材３０を形成する方法の一例を説明する。本工程は、図５（Ａ）に示すように、無機絶縁層３５を形成することを含んでいてもよい。無機絶縁層３５は、半導体基板１０（酸化膜１８及びパッシベーション膜１６）と樹脂突起２０とを覆うように形成してもよい。無機絶縁層３５を形成する方法は特に限定されないが、例えば、ＣＶＤ法を適用してもよい。そして、本工程は、無機絶縁層３５を部分的に除去して、酸化膜１８及び樹脂突起２０の上端部２４を露出させることを含んでいてもよい。これによって、図５（Ｂ）に示す、無機絶縁部材３０を形成してもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図６に示すように、酸化膜１８の少なくとも一部を除去して、電極１４を露出させることを含んでいてもよい。本工程は、Ａｒガスを利用して行ってもよい。例えば、半導体基板１０をＡｒガスの雰囲気内（Ａｒイオンを含む雰囲気内）に配置し、電位差を利用してＡｒイオンを加速させ、Ａｒイオンを酸化膜１８に衝突させることを含んでいてもよい。このとき、Ａｒイオンを酸化膜１８に衝突させることによって酸化膜１８を飛散させ、電極１４を露出させてもよい。なお、本工程は、無機絶縁部材３０を形成する工程の後に行う。また、本工程は、Ａｒガス以外のガスを利用してもよい。なお、本工程によって、樹脂突起２０の上端部２４の表面を炭化もしくはプラズマ重合させて、炭化層もしくはプラズマ重合層を形成してもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、電極１４と電気的に接続された配線４０を形成することを含む（図１（Ａ）及び図１（Ｂ）参照）。配線４０は、無機絶縁部材３０上を通り、樹脂突起２０の上端部２４に至るように形成する。樹脂突起２０の上端部２４に炭化層もしくはプラズマ重合層が形成されている場合、配線４０は、炭化層もしくはプラズマ重合層上を通るように形成してもよい。配線４０を形成する方法は特に限定されない。例えば、スパッタリングによって金属箔を形成し、その後、該金属箔をパターニングすることによって配線４０を形成してもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線４０を形成する工程の後に、樹脂突起２０の上端部２４の表面に形成された炭化層もしくはプラズマ重合層の、配線４０からの露出部を除去することを含んでいてもよい（図７（Ａ）及び図７（Ｂ）参照）。本工程によって、樹脂突起２０の一部を除去してもよい。これにより、配線４０間に、凹部２５を形成してもよい（図７（Ｂ）参照）。本工程は、例えば、Ｏ_２プラズマを利用して行ってもよい。樹脂突起２０の上端部２４付近では、樹脂突起２０の表面は、半導体基板１０とほぼ同じ方向を向いた面になっている。そのため、Ｏ_２プラズマを利用することによって、上端部２４の表面に形成された炭化層もしくはプラズマ重合層を、効率よく確実に除去することができる。

そして、半導体基板１０を切断する工程や、検査工程等を経て、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示す、半導体装置３を形成してもよい。なお、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のXIIB−XIIB線断面の一部拡大図である。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によると、配線４０の剥離が発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

また、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によると、樹脂突起２０の基端部２２に樹脂層が形成されないように半導体装置を製造することができる。そのため、隣り合う配線４０間で、マイグレーションを原因とする電気的なショートが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を製造することが可能になる。以下、この効果について詳述する。

一般的に、金属は空気（酸素）と接触すると酸化し、酸化膜が形成される。そして、酸化膜は、金属に較べて電気抵抗が高い。そのため、半導体基板の電極の表面に酸化膜が形成されると、電極を他の導電部材と電気的に接続させることが難しくなる。そのため、電極の表面に酸化膜が形成された場合、これを除去する工程の後に、電極と電気的に接続される他の導電部材（本方法では配線４０）を形成する工程が行われていた。そして、酸化膜を除去する方法として、Ａｒガスを利用した方法が広く採用されてきた。

しかし、Ａｒガスは、樹脂に作用して、その表面を炭化させ、炭化層もしくはプラズマ重合層を形成することが知られている。そして、樹脂は、炭化もしくはプラズマ重合による高分子物が形成することによって、絶縁抵抗が低下する。そのため、樹脂表面に複数の配線が引き回される場合には、電極に形成された酸化膜を除去する工程を行うことで、配線間の絶縁抵抗が低下することが予想される。配線間の絶縁抵抗が下がると、例えば、マイグレーションを原因とする配線間の電気的なショートが発生する危険がある。特に、半導体チップの多ピン化や、半導体装置の小型化の要請を受けて、配線の狭ピッチ化が進んだときには、半導体装置の信頼性を確保するためには、樹脂突起の絶縁抵抗を低下させないことが重要である。

ところで、樹脂突起の絶縁抵抗を確保するためには、樹脂突起２０の表面の炭化層もしくはプラズマ重合層における配線４０の間の部分を除去することが考えられる。具体的には、Ｏ_２プラズマを利用して配線４０間の炭化層もしくはプラズマ重合層を除去することによって、配線４０間の絶縁抵抗を確保する技術等が考えられる。しかし、この方法によると、樹脂突起２０の基端部の表面に形成された炭化層もしくはプラズマ重合層を、短時間で完全に除去することは難しい。なぜなら、樹脂突起２０の基端部は、半導体基板１０に対してほぼ垂直の角度を有する場合があるが、直進性を有するＯ_２プラズマ等では、樹脂突起２０の基端部の炭化層もしくはプラズマ重合層に作用させることが難しいためである。

これに対して、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、樹脂突起２０の基端部２２を無機絶縁部材３０で覆った状態で、酸化膜１８を除去する工程を行う（図６参照）。無機絶縁部材３０は、樹脂と異なり、Ａｒガスの作用によって絶縁抵抗が低下することがないため、樹脂突起２０の基端部付近で、配線４０間の絶縁抵抗を確保することができる。そのため、本方法によると、電気的な接続信頼性の高い半導体装置を、効率よく製造することが可能になる。

なお、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、これに限られるものではない。例えば、酸化膜１８を除去する工程は、図８に示すように、樹脂突起２０が無機絶縁層３６によって覆われた状態で行ってもよい。無機絶縁層３５（図５（Ａ）参照）に開口３２を形成することによって、無機絶縁層３６を形成してもよい。樹脂突起２０が無機絶縁層３６に覆われた状態で酸化膜１８を除去する工程を行うことで、樹脂突起２０が炭化することを防止することができる。その後、無機絶縁層３６の一部を除去して樹脂突起２０の上端部２４を露出させる工程や、配線４０を形成する工程などを経て、半導体装置１（図１（Ａ）参照）を製造してもよい。

なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。図２は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。図８は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。

符号の説明

１…半導体装置、２…基板、３…半導体装置、１０…半導体基板、１１…領域、１２…集積回路、１４…電極、１６…パッシベーション膜、１７…開口、１８…酸化膜、２０…樹脂突起、２２…基端部、２４…上端部、３０…無機絶縁部材、３２…開口、３５…無機絶縁層、３６…無機絶縁層、４０…配線

Claims

電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された樹脂突起と、
前記樹脂突起の基端部を覆うように、かつ、前記樹脂突起の上端部を露出させるように形成された無機絶縁部材と、
前記電極と電気的に接続されてなり、前記無機絶縁部材上を通り、前記樹脂突起の前記上端部に至るように形成された配線と、
を含む半導体装置。
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体基板はパッシベーション膜を有し、
前記樹脂突起及び前記無機絶縁部材は、前記パッシベーション膜上に形成されてなる半導体装置。
電極を有する半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板上に、樹脂突起を形成する工程と、
前記樹脂突起の基端部を覆う無機絶縁部材を、前記樹脂突起の上端部が露出するように形成する工程と、
前記電極と電気的に接続された配線を、前記無機絶縁部材上を通り、前記樹脂突起の前記上端部に至るように形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板はパッシベーション膜を有し、
前記樹脂突起及び前記無機絶縁部材を、前記パッシベーション膜上に形成する半導体装置の製造方法。
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記パッシベーション膜は、前記電極とオーバーラップする開口を有し、
前記電極における前記開口とオーバーラップする領域には酸化膜が形成されてなり、
前記無機絶縁部材を、前記酸化膜が露出するように形成し、
前記配線を形成する工程の前に、Ａｒガスを利用して、前記酸化膜の少なくとも一部を除去して前記電極を露出させる工程と、
前記配線を、前記酸化膜を除去する工程で前記樹脂突起に形成された炭化層もしくはプラズマ重合層上を通るように形成した後に、前記炭化層もしくはプラズマ重合層における前記配線からの露出部を除去する工程と、
をさらに含む半導体装置の製造方法。
請求項４又は請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記無機絶縁部材を形成する工程は、
前記酸化膜、樹脂突起及びパッシベーション膜を覆うように無機絶縁層を形成する工程と、
前記無機絶縁層を部分的に除去して、前記酸化膜及び前記樹脂突起の前記上端部を露出させる工程と、
を含む半導体装置の製造方法。