JP2007281216A

JP2007281216A - 半導体装置及びその製造方法、並びに、電子機器

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Publication number: JP2007281216A
Application number: JP2006105975A
Authority: JP
Inventors: Nobuaki Hashimoto; 伸晃橋元
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-04-07
Filing date: 2006-04-07
Publication date: 2007-10-25
Anticipated expiration: 2026-04-07
Also published as: JP5098204B2

Abstract

【課題】信頼性の高い半導体装置及びその製造方法、並びに、電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、開口１８が形成されたパッシベーション膜１６と、開口１８から露出する電極１４とを有する半導体基板１０を用意する工程と、パッシベーション膜１６上に、パターニングされた樹脂材料２０を、開口１８が露出するように設ける工程と、樹脂材料２０を硬化させることによって、樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０を形成する工程と、樹脂突起３０上に配置された電気的接続部５２を有する、電極１４と電気的に接続された配線５０を、樹脂パッシベーション膜４０に接触しないように形成する工程と、樹脂パッシベーション膜４０をエッチングして、樹脂パッシベーション膜４０の厚みを、樹脂突起３０における電気的接続部５２と重複する重複部３２よりも薄くするエッチング工程と、を含む。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法、並びに、電子機器に関する。

電子部品を小型化するためには、半導体装置の外形は小さい方が好ましい。しかし、半導体装置の役割が多様化するにつれ、半導体チップに形成される集積回路の高集積化が進んでいる。すなわち、現在では、半導体装置の小型化と、集積回路の高集積化という２つの要求を同時に満たすことが可能な半導体装置の開発が進んでいる。

この要求に応えることができる半導体装置として、半導体チップ上に配線が形成されたタイプの半導体装置が注目を集めている。このタイプの半導体装置では、半導体装置の外形を半導体チップの外形とほぼ同じにすることができるため、半導体装置の小型化が可能である。

しかし、この半導体装置であっても、電子部品の信頼性を確保するために、高い信頼性が要求される。また、この半導体装置を、信頼性を確保しつつ、効率よく製造する方法の開発が望まれている。
特開平２−２７２７３７号公報

本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法、並びに、電子機器を提供することにある。

（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
開口が形成されたパッシベーション膜と、前記開口から露出する電極とを有する半導体基板を用意する工程と、
前記パッシベーション膜上に、パターニングされた樹脂材料を、前記開口が露出するように設ける工程と、
前記樹脂材料を硬化させることによって、樹脂突起及び樹脂パッシベーション膜を形成する工程と、
前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線を、前記樹脂パッシベーション膜に接触しないように形成する工程と、
前記樹脂パッシベーション膜をエッチングして、前記樹脂パッシベーション膜の厚みを、前記樹脂突起における前記電気的接続部と重複する重複部よりも薄くするエッチング工程と、
を含む。

本発明によると、樹脂パッシベーション膜を有する信頼性の高い半導体装置を、効率よく製造することができる。

（２）この半導体装置の製造方法において、
前記エッチング工程で、前記樹脂突起における前記配線からの露出部をエッチングして薄くしてもよい。

これによると、実装性に優れた半導体装置を効率よく製造することができる。

（３）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂パッシベーション膜及び前記露出部が同じ厚みになるように、前記エッチング工程を行ってもよい。

（４）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂突起と前記樹脂パッシベーション膜とを、同じ材料で形成してもよい。

（５）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板には集積回路が形成されており、
前記樹脂パッシベーション膜を、前記集積回路の形成領域を覆うように形成してもよい。

（６）この半導体装置の製造方法において、
前記パッシベーション膜は、少なくとも表面が無機材料で形成されていてもよい。

（７）この半導体装置の製造方法において、
前記配線を、先端が前記パッシベーション膜上に配置されるように形成してもよい。

（８）本発明に係る半導体装置は、
開口が形成されたパッシベーション膜と、前記開口から露出する電極とを有する半導体基板と、
前記パッシベーション膜上に形成された樹脂突起と、
前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
前記パッシベーション膜上に、前記配線と接触しないように形成された樹脂パッシベーション膜と、
を含み、
前記樹脂パッシベーション膜の厚みは、前記樹脂突起における前記配線と重複する重複部よりも薄い。

本発明によると、信頼性及び実装性に優れた半導体装置を提供することができる。

（９）この半導体装置において、
前記樹脂突起における前記配線からの露出部は、前記樹脂パッシベーション膜と同じ厚みであってもよい。

（１０）この半導体装置において、
前記樹脂突起と前記樹脂パッシベーション膜とは、同じ材料で形成されていてもよい。

（１１）この半導体装置において、
前記半導体基板には集積回路が形成されており、
前記樹脂パッシベーション膜は、前記集積回路の形成領域を覆うように形成されていてもよい。

（１２）この半導体装置において、
前記パッシベーション膜は、少なくとも表面が無機材料で形成されていてもよい。

（１３）この半導体装置において、
前記配線は、先端が前記パッシベーション膜上に配置されるように形成されていてもよい。

（１４）本発明に係る電子機器は、
パッシベーション膜及び電極を有する半導体チップと、前記パッシベーション膜上に形成された樹脂突起と、前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記パッシベーション膜上に、前記配線と接触しないように形成された樹脂パッシベーション膜と、を含む半導体装置と、
前記半導体装置が搭載された配線基板と、
前記半導体装置と前記配線基板とを接着する接着剤と、
を含み、
前記半導体装置は、前記樹脂パッシベーション膜が前記配線基板と対向するように前記配線基板に搭載されており、
前記接着剤は、前記配線基板と前記樹脂パッシベーション膜との間に形成され、
前記樹脂パッシベーション膜は、前記パッシベーション膜よりも線膨張係数が大きく、かつ、前記接着剤よりも線膨張係数が小さい。

本発明によると、半導体装置と接着剤とが剥離しにくい、信頼性の高い電子機器を提供することができる。

以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。

１．半導体装置の製造方法
以下、図１（Ａ）〜図６（Ｂ）を参照して、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１０を用意することを含む。図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、半導体基板１０について説明するための図である。図１（Ａ）は、半導体基板１０の概略図であり、図１（Ｂ）は、半導体基板１０の上視図の一部拡大図である。また、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）のIC−IC線断面の一部拡大図である。

半導体基板１０は、例えばシリコン基板であってもよい。半導体基板１０は、ウエハ状をなしていてもよい（図１（Ａ）参照）。ウエハ状の半導体基板１０は、複数の半導体装置となる領域１１を含む。ただし、半導体基板１０は、チップ状をなしていてもよい（図８参照）。半導体基板１０には、１つ又は複数の（半導体チップには１つの、半導体ウエハには複数の）集積回路１２が形成されていてもよい。集積回路１２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。

半導体基板１０は、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、電極１４を有する。電極１４は、半導体基板１０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極１４は、集積回路１２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路１２に電気的に接続されていない導電体を含めて、電極１４と称してもよい。電極１４は、半導体基板の内部配線の一部であってもよい。このとき、電極１４は、半導体基板１０の内部配線のうち、外部との電気的な接続に利用される部分であってもよい。電極１４は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。

半導体基板１０は、図１（Ｃ）に示すように、パッシベーション膜１６を有する。パッシベーション膜１６には、開口１８が形成されている。開口１８は、電極１４を露出させるように形成されている。開口１８は、例えば、電極１４の中央領域を露出させるように形成されていてもよい。なお、パッシベーション膜１６は、電極１４を部分的に覆うように形成されていてもよい。パッシベーション膜１６は、電極１４の周縁部を覆うように形成されていてもよい。ただし、半導体基板１０の内部配線のうち、開口１８からの露出部を指して電極１４と称してもよい。パッシベーション膜１６は、少なくとも表面が無機材料で形成されていてもよい。このとき、パッシベーション膜１６の表面は、例えば、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。ただし、パッシベーション膜１６は、有機絶縁膜であってもよい。このとき、パッシベーション膜１６は、後述する樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０と同じ材料で形成されていてもよく、異なる材料で形成されていてもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、半導体基板１０に、樹脂材料２０を設けることを含む。なお、樹脂材料２０は、樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０の材料である。樹脂材料２０は、パッシベーション膜１６上に設ける。樹脂材料２０は、パッシベーション膜１６上に直接（パッシベーション膜１６に接触するように）設けてもよい。あるいは、樹脂材料２０は、パッシベーション膜１６上に設けられた他の部材を介して、パッシベーション膜１６の上方に設けてもよい（図示せず）。

樹脂材料２０はパターニングされている。詳しくは、樹脂材料２０は、樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０を形成するための領域のみに配置されるようにパターニングされている。樹脂材料２０は、また、電極１４（パッシベーション膜１６の開口１８）を露出させるように設ける。樹脂材料２０を設ける方法は特に限定されるものではない。樹脂材料２０を設ける工程は、例えば、半導体基板１０の表面の全面を覆うように樹脂材料２０を設ける工程と、これをパターニングする工程とを含んでいてもよい。あるいは、樹脂材料２０は、選択的に塗布することによって設けてもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、樹脂材料２０を硬化させて（キュアして）、図３に示すように、樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０を形成することを含む。樹脂材料２０は、溶融させ、その後に硬化させてもよい。これにより、樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０を、表面の少なくとも一部が曲面状になるように形成することができる。樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０は、パッシベーション膜１６上に形成する。本工程で、樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０を同時に形成する。本工程で、樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０は、同じ厚みになるように形成してもよい。例えば、樹脂材料２０を均一の厚みに設けることで、樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０を同じ厚みに形成することができる。

樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０の形状や形成領域は、特に限定されるものではない。例えば、樹脂突起３０は、半導体基板１０の領域１１の外周に沿って延びる形状をなしていてもよい。あるいは、樹脂突起３０は、領域１１の１つの辺に沿って、複数の樹脂突起３０が間隔をあけて配列されるように形成してもよい（図示せず）。また、半導体基板１０に集積回路１２が形成されている場合、樹脂パッシベーション膜４０は、集積回路１２の形成領域を覆うように形成してもよい。これにより、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、樹脂パッシベーション膜４０は、樹脂突起３０と間隔をあけて（非接触に）形成してもよい。

樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０（樹脂材料２０）の組成は特に限定されるものではなく、既に公知となっているいずれかの材料を適用することができる。樹脂突起３０及び樹脂パッシベーション膜４０（樹脂材料２０）は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂であってもよい。なお、樹脂パッシベーション膜４０は、パッシベーション膜１６よりも線膨張係数が大きい材料で形成してもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、電極１４に電気的に接続された配線５０を形成することを含む。配線５０は、電極１４上から、樹脂突起３０上に至るように形成する。配線５０は、樹脂突起３０を乗り越えるように形成してもよい。配線５０は、樹脂突起３０上に配置された電気的接続部５２を有する。すなわち、配線５０のうち、樹脂突起３０上に配置された領域を指して、電気的接続部５２と称してもよい。なお、電気的接続部５２は、配線５０のうち、他の電子部品の電極（配線基板の電極など）との電気的な接続に利用される部分である。本実施の形態では、配線５０は、樹脂パッシベーション膜４０に接触しないように形成する。これにより、後述するエッチング工程で、樹脂パッシベーション膜４０を、効率よく確実にエッチングすることができる。なお、配線５０は、その先端が、パッシベーション膜１６上に配置されるように（パッシベーション膜１６と接触するように）形成してもよい。パッシベーション膜１６の表面が無機材料で形成されている場合、配線５０を、先端がパッシベーション膜１６と接触するように形成することで、配線５０とパッシベーション膜１６との密着性が高まり、配線５０の剥離を防止することが可能になる。配線５０は、樹脂突起３０の両側で、パッシベーション膜１６に接触するように形成してもよい。これにより、配線５０を、さらに剥離しにくくすることができる。なお、本実施の形態では、樹脂突起３０のうち、配線５０（電気的接続部５２）と重複する部分を、重複部３２と称する。また、樹脂突起３０のうち、配線５０（電気的接続部５２）から露出する部分を、露出部３４と称する。

配線５０を形成する方法は特に限定されない。例えば、スパッタリングによって金属箔を形成し、その後、該金属箔をパターニングすることによって配線５０を形成してもよい。配線５０の材料及び構造も特に限定されるものではない。配線５０は、例えば、複数層で形成されていてもよい。このとき、配線５０は、チタンタングステンによって形成された第１の層と、金によって形成された第２の層とを含んでいてもよい（図示せず）。あるいは、配線５０は、単層で形成されていてもよい。

なお、電極１４の表面に酸化膜が形成されている場合、該酸化膜を除去する工程を行った後に、配線５０を形成する工程を行ってもよい。これによると、電極１４と配線５０とを、確実に電気的に接続することができる。なお、酸化膜を除去する方法は、既に公知となっているいずれかの方法を利用してもよいが、例えば、Ａｒガスを利用してエッチングする方法を適用してもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図５に示すように、樹脂パッシベーション膜４０をエッチングして、樹脂パッシベーション膜４０の厚みを、樹脂突起３０の重複部３２よりも薄くするエッチング工程を含む。本工程で、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、樹脂突起３０の露出部３４をエッチングして薄くしてもよい。例えば配線５０を形成する工程の後に、半導体基板１０をプラズマの雰囲気中にさらすことによって、露出部３４及び樹脂パッシベーション膜４０をエッチングして、薄くしてもよい。なお、露出部３４及び樹脂パッシベーション膜４０は、同じ厚みになるようにエッチングしてもよい。樹脂突起３０と樹脂パッシベーション膜４０とを同じ材料で形成することで、露出部３４と樹脂パッシベーション膜４０とを同じ厚みにすることができる。なお、樹脂パッシベーション膜４０の厚みとは、樹脂パッシベーション膜４０の、半導体基板１０の表面（パッシベーション膜１６が形成された面）と直交する方向への幅を指していてもよい。

以上の工程によって、あるいは、半導体基板１０を個片に切断する工程や検査工程などをさらに経て、半導体装置１を製造してもよい。

上述した製造方法によると、樹脂突起３０と樹脂パッシベーション膜４０とを同時に形成することができるため、半導体装置を効率よく製造することができる。また、樹脂パッシベーション膜４０の厚みを樹脂突起３０の重複部３２よりも薄くすることで、電気的接続部５２と他の電子部品の電極（例えば、後述する、配線基板６０の電極６２）とを接触させることができるため、電気的な接続信頼性の高い電子機器を製造することが可能になる。また、樹脂パッシベーション膜４０を薄くする工程で、樹脂突起３０の露出部３４を薄くすることができるため、これらを別工程とする必要がなくなり、半導体装置の製造効率を高めることができる。

２．電子機器の製造方法
以下、図７（Ａ）〜図８を参照して、電子機器を製造する方法について説明する。

本実施の形態に係る電子機器の製造方法は、半導体装置１を用意することを含む。半導体装置１は、半導体基板１０を含む。半導体基板１０は、開口１８が形成されたパッシベーション膜１６と、開口１８から露出する電極１４とを有する。なお、半導体基板１０は、半導体チップであってもよい。半導体装置１は、パッシベーション膜１６上に形成された樹脂突起３０を含む。半導体装置１は、電極１４と電気的に接続された配線５０を含む。配線５０は、樹脂突起３０上に配置された電気的接続部５２を有する。半導体装置１は、パッシベーション膜１６上に形成された樹脂パッシベーション膜４０を含む。樹脂パッシベーション膜４０は、樹脂突起３０と間隔をあけて（接触しないように）形成されている。樹脂パッシベーション膜４０は、配線５０と接触しないように形成されている。樹脂パッシベーション膜４０の厚みは、樹脂突起３０における配線５０（電気的接続部５２）と重複する重複部３２よりも薄い。また、樹脂突起３０における配線５０からの露出部３４は、重複部３２よりも厚みが薄く（高さが低く）なっていてもよい。このとき、露出部３４は、樹脂パッシベーション膜４０と同じ厚みをなしていてもよい。半導体装置１は、上述したいずれかの方法で製造することができる。

本実施の形態に係る電子機器の製造方法は、配線基板６０を用意することを含む（図７（Ａ）〜図８参照）。配線基板６０には、電極６２が形成されている。配線基板６０は、セラミックス基板やガラス基板であってもよい。このとき、配線基板６０は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。また、電極６２は、配線基板６０に形成された配線パターンの一部であってもよい。電極６２は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｃｒ、Ａｌなどの金属膜、金属化合物膜、又は、これらの複合膜によって形成されていてもよい。このとき、電極６２は、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されていてもよい。あるいは、配線基板６０は、樹脂基板であってもよい。配線基板６０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムであってもよい。あるいは、配線基板６０として、ポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてFPC(Flexible Printed Circuit)や、TAB(Tape Automated Bonding)技術で使用されるテープを使用してもよい。このとき、電極６２は、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）のうちのいずれかを積層して形成されていてもよい。

本実施の形態に係る電子機器の製造方法は、半導体装置１を配線基板６０に搭載することを含む。本工程では、半導体装置１を配線基板６０に搭載して、電気的接続部５２と電極６２とを接触させて電気的に接続させる。以下、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）を参照して、半導体装置１を配線基板６０に搭載する工程について説明する。

はじめに、図７（Ａ）に示すように、半導体装置１を配線基板６０上に配置して、半導体装置１の電気的接続部５２（樹脂突起３０）と配線基板６０の電極６２とが対向するように位置合わせをする。

このとき、図示しない治具（ボンディングツール）によって、半導体装置１を保持してもよい。治具にはヒータが内蔵されていてもよく、これにより、半導体装置１（電気的接続部５２）を加熱してもよい。半導体装置１を加熱することによって、電気的接続部５２が加熱され、電気的接続部５２と電極６２とを確実に電気的に接続することができる。

なお、図７（Ａ）に示すように、半導体装置１と配線基板６０との間には、予め、接着材料７０を設けておいてもよい。接着材料７０は、ペースト状あるいはフィルム状で設けてもよい。

その後、図７（Ｂ）に示すように、半導体装置１と配線基板６０とを近接させて、電気的接続部５２と電極６２とを接触させる。これにより、電気的接続部５２と電極６２とを電気的に接続する。なお、半導体装置１によると、樹脂パッシベーション膜４０の厚みは、樹脂突起３０の重複部３２よりも薄い。そのため、電気的接続部５２と電極６２とを、容易に接触させることができ、信頼性の高い電子機器を製造することができる。また、樹脂突起３０の露出部３４が重複部３２よりも薄い（高さが低い）場合には、接着材料７０の流動性が高まり、半導体装置１を配線基板６０に搭載する工程を、効率よく行うことができる（図６（Ｂ）参照）。

なお、本工程では、半導体基板１０と配線基板６０とによって樹脂突起３０を押しつぶして、樹脂突起３０を弾性変形させてもよい。これにより、樹脂突起３０の弾性力によって、電気的接続部５２と電極６２とを押し付けることができるため、電気的な接続信頼性の高い電子機器を製造することができる。

その後、図７（Ｃ）に示すように、半導体装置１と配線基板６０との間に、接着剤７２を形成する。接着剤７２は、接着材料７０を硬化させることによって形成する。接着剤７２によって、半導体装置１と配線基板６０とを接着（固着）する。接着剤７２によって、半導体基板１０と配線基板６０との間隔を維持してもよい。すなわち、接着剤７２によって、樹脂突起３０が弾性変形した状態を維持してもよい。例えば、樹脂突起３０が弾性変形した状態で接着剤７２を形成することで、樹脂突起３０が弾性変形した状態を維持することができる。

なお、接着剤７２（接着材料７０）の種類は特に限定されるものではないが、例えば樹脂系の材料であってもよい。接着剤７２は、また、樹脂パッシベーション膜４０よりも線膨張係数が小さい材料を適用してもよい。

以上の工程によって、図８に示す、電子機器１０００を製造してもよい。電子機器１０００は、表示デバイスであってもよい。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置１（半導体チップ１１）は、表示デバイスを制御するドライバＩＣであってもよい。

電子機器１０００によると、接着剤７２が、樹脂パッシベーション膜４０と配線基板６０との間に配置される。通常、樹脂材料（有機材料）は、無機材料よりも接着剤との密着力が高いため、電子機器１０００によると、接着剤７２と半導体装置１との密着性が高い、信頼性の高い電子機器を提供することができる。また、樹脂パッシベーション膜４０を、パッシベーション膜１６よりも線膨張係数が大きく、かつ、接着剤７２よりも線膨張係数が小さい材料で形成することで、接着剤７２と半導体装置１との剥離が生じにくい、信頼性の高い電子機器を提供することができる。

なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

半導体装置の製造方法を説明するための図である。半導体装置の製造方法を説明するための図である。半導体装置の製造方法を説明するための図である。半導体装置の製造方法を説明するための図である。半導体装置の製造方法を説明するための図である。半導体装置の製造方法を説明するための図である。電子機器の製造方法を説明するための図である。電子機器の概略図である。

符号の説明

１…半導体装置、１０…半導体基板、１１…領域、１２…集積回路、１４…電極、１６…パッシベーション膜、１８…開口、２０…樹脂材料、３０…樹脂突起、３２…重複部、３４…露出部、４０…樹脂パッシベーション膜、５０…配線、５２…電気的接続部、６０…配線基板、６２…電極、７０…接着材料、７２…接着剤

Claims

開口が形成されたパッシベーション膜と、前記開口から露出する電極とを有する半導体基板を用意する工程と、
前記パッシベーション膜上に、パターニングされた樹脂材料を、前記開口が露出するように設ける工程と、
前記樹脂材料を硬化させることによって、樹脂突起及び樹脂パッシベーション膜を形成する工程と、
前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線を、前記樹脂パッシベーション膜に接触しないように形成する工程と、
前記樹脂パッシベーション膜をエッチングして、前記樹脂パッシベーション膜の厚みを、前記樹脂突起における前記電気的接続部と重複する重複部よりも薄くするエッチング工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記エッチング工程で、前記樹脂突起における前記配線からの露出部をエッチングして薄くする半導体装置の製造方法。
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂パッシベーション膜及び前記露出部が同じ厚みになるように、前記エッチング工程を行う半導体装置の製造方法。
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂突起と前記樹脂パッシベーション膜とを、同じ材料で形成する半導体装置の製造方法。
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板には集積回路が形成されており、
前記樹脂パッシベーション膜を、前記集積回路の形成領域を覆うように形成する半導体装置の製造方法。
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記パッシベーション膜は、少なくとも表面が無機材料で形成されている半導体装置の製造方法。
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線を、先端が前記パッシベーション膜上に配置されるように形成する半導体装置の製造方法。
開口が形成されたパッシベーション膜と、前記開口から露出する電極とを有する半導体基板と、
前記パッシベーション膜上に形成された樹脂突起と、
前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
前記パッシベーション膜上に、前記配線と接触しないように形成された樹脂パッシベーション膜と、
を含み、
前記樹脂パッシベーション膜の厚みは、前記樹脂突起における前記配線と重複する重複部よりも薄い半導体装置。
請求項８記載の半導体装置において、
前記樹脂突起における前記配線からの露出部は、前記樹脂パッシベーション膜と同じ厚みである半導体装置。
請求項８又は請求項９記載の半導体装置において、
前記樹脂突起と前記樹脂パッシベーション膜とは、同じ材料で形成されている半導体装置。
請求項９から請求項１０のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板には集積回路が形成されており、
前記樹脂パッシベーション膜は、前記集積回路の形成領域を覆うように形成されている半導体装置。
請求項８から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置において、
前記パッシベーション膜は、少なくとも表面が無機材料で形成されている半導体装置。
請求項８から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置において、
前記配線は、先端が前記パッシベーション膜上に配置されるように形成されている半導体装置。
パッシベーション膜及び電極を有する半導体チップと、前記パッシベーション膜上に形成された樹脂突起と、前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記パッシベーション膜上に、前記配線と接触しないように形成された樹脂パッシベーション膜と、を含む半導体装置と、
前記半導体装置が搭載された配線基板と、
前記半導体装置と前記配線基板とを接着する接着剤と、
を含み、
前記半導体装置は、前記樹脂パッシベーション膜が前記配線基板と対向するように前記配線基板に搭載されており、
前記接着剤は、前記配線基板と前記樹脂パッシベーション膜との間に形成され、
前記樹脂パッシベーション膜は、前記パッシベーション膜よりも線膨張係数が大きく、かつ、前記接着剤よりも線膨張係数が小さい電子機器。