JP5299626B2 - 半導体装置およびその製造方法、並びに、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法、並びに、電子デバイスの製造方法に関する。

電子デバイスを小型化するためには、半導体装置の外形は小さい方が好ましい。しかし、半導体装置の役割が多様化するにつれ、半導体チップに形成される集積回路の高集積化が進み、これに伴って、半導体チップのピン数の増加が進んでいる。すなわち、現在では、半導体装置の小型化と、集積回路の高集積化及び電極の増加という要求を同時に満たすことが可能な半導体装置の開発が進んでいる。

この要求に応えることができる半導体装置として、半導体チップ上に配線が形成されたタイプの半導体装置が注目を集めている。このタイプの半導体装置では、半導体装置の外形を半導体チップの外形とほぼ同じにすることができるため、半導体装置の小型化が可能である。このような小型化、高集積化した半導体装置では、配線基板等に実装して電子デバイスを製造する際に、電気的接続の信頼性を確保することが重要である（例えば、特許文献１）。

特開２００６−９１２３４号公報

本発明の目的の一つは、電気的接続の信頼性が高い電子デバイスを製造することが可能な半導体装置、およびその製造方法を提供することにある。また、本発明の目的の一つは、上記半導体装置を用いた電子デバイスの製造方法を提供することにある。

本発明に係る半導体装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板の第１の面の上に設けられた電極と、
前記第１の面の上に設けられ、第１の方向に沿って延びる樹脂突起であって、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延びる窪み部を有する前記樹脂突起と、
前記電極と電気的に接続され、少なくとも前記樹脂突起の前記窪み部の上に形成された配線と、
を含む。

本発明によれば、電気的接続の信頼性が高い電子デバイスを製造することが可能な半導体装置を提供することができる。

本発明に係る半導体装置において、
前記樹脂突起の前記窪み部は、第１の高さを有し、
前記窪み部と連続する前記樹脂突起の平坦部は、前記第１の高さよりも高い第２の高さを有し、
前記配線は、前記窪み部の上から前記平坦部の上に至るように形成されていることができる。

本発明に係る半導体装置において、
前記樹脂突起は、前記窪み部の前記第２の方向の幅が前記平坦部の前記第２の方向の幅よりも狭いことができる。

本発明に係る半導体装置において、
前記樹脂突起は、複数の前記窪み部を有し、
前記配線は、少なくとも前記複数の窪み部の上に形成されていることができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、
半導体基板と、前記半導体基板の第１の面の上に設けられた電極と、を有する構造体を用意する工程と、
前記第１の面の上に、第１の方向に沿って延び、かつ、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延びる窪み部を有する樹脂突起を設ける工程と、
少なくとも前記窪み部の上に、前記電極と電気的に接続される配線を設ける工程と、
を含む。

本発明によれば、電気的接続の信頼性が高い電子デバイスを製造することができる半導体装置の製造方法を提供することができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記樹脂突起を設ける工程は、
第１の樹脂材料と第２の樹脂材料を、前記第１の面の上に前記第１の方向に沿って並び、かつ、前記第１の樹脂材料と前記第２の樹脂材料が第１の距離だけ離れるように形成する工程と、
前記第１の樹脂材料及び前記第２の樹脂材料を融解して、前記第１の樹脂材料と前記第２の樹脂材料を接触させる工程と、
を有することができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記樹脂突起を設ける工程は、
前記第１の面の上に、樹脂材料を、前記第１の方向に沿って延び、かつ、前記樹脂材料の第１の部分の前記第２の方向の幅が、前記樹脂材料の第２の部分の前記第２の方向の幅よりも狭くなるように形成する工程と、
前記樹脂材料を融解する工程と、
を有することができる。

本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
ベース基板と、前記ベース基板の上に設けられた配線パターンとを有する配線基板を用意する工程と、
半導体基板と、前記半導体基板の第１の面の上に設けられた電極と、前記第１の面の上に設けられ、第１の方向に沿って延びる樹脂突起であって、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延びる窪み部を有する前記樹脂突起と、前記電極と電気的に接続され、少なくとも前記樹脂突起の前記窪み部の上に形成された配線と、を有する半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に、前記半導体装置を搭載して、前記配線パターンと前記配線とを接触させて電気的に接続する工程と、
を含む。

本発明に係る電子デバイスの製造方法によれば、電気的接続の信頼性が高い電子デバイスを製造することができる。

本発明に係る電子デバイスの製造方法において、
前記樹脂突起の前記窪み部は、第１の高さを有し、
前記窪み部と連続する前記樹脂突起の平坦部は、前記第１の高さよりも高い第２の高さを有し、
前記配線パターンと前記配線とを接触させて電気的に接続する工程は、
前記窪み部の前記第１の高さと前記平坦部の前記第２の高さとが、同じ高さになるように前記樹脂突起を弾性変形させる工程を有することができる。

本実施形態に係る半導体装置の構成について説明するための図。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図。 本実施形態に係る電子デバイスの一例としての表示デバイスを示す図。 本実施形態に係る電子機器の一例を示す図。 本実施形態に係る電子機器の一例を示す図。 本実施形態の第１の変形例に係る半導体装置を説明するための図。 本実施形態の第２の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図。

以下、本発明を適用した実施形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。

１．半導体装置
以下、本発明を適用した実施形態に係る半導体装置１について説明する。図１〜図７は、本実施形態に係る半導体装置の構成、およびその製造方法について説明するための模式図である。

（１）半導体装置の構成
以下、本発明を適用した実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｄ）は、半導体装置１の構成を説明するための模式図である。ここで、図１（Ａ）は、半導体装置１を模式的に示す平面図であり、図１（Ｂ）は、半導体装置１の斜視図の一部拡大図であり、図１（Ｃ）は、図１のIC−IC線断面の一部拡大図であり、図１（Ｄ）は、図１のID−ID線断面の一部拡大図である。

本実施形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）に示すように、第１の面１５上に複数の電極１２が形成された半導体基板１０を含む。半導体基板１０は、例えばシリコン基板であってもよい。半導体基板１０は、チップ状をなしていてもよい。この場合、半導体基板１０における電極１２が形成された第１の面１５の外形は、図１（Ａ）に示すように、矩形（長方形又は正方形）であってもよい。ただし、半導体基板１０は、ウエハー状をなしていてもよい（図２参照）。半導体基板１０には、１つ又は複数の（半導体チップには１つの、半導体ウエハーには複数の）集積回路１４が形成されていてもよい（図１（Ｃ）及び図１（Ｄ）参照）。集積回路１４の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。

半導体基板１０には、図１（Ａ）及び図１（Ｄ）に示すように、電極１２が形成されている。電極１２は、半導体基板１０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極１２は、集積回路１４と電気的に接続されていてもよい。あるいは、半導体基板１０に複数の電極１２が形成されているとき、複数の電極１２は集積回路１４に電気的に接続されていない電極１２を含んでいてもよい。電極１２は、半導体基板１０の内部配線の一部であってもよい。このとき、電極１２は、半導体基板１０の内部配線のうち、外部との電気的な接続に利用される部分であってもよい。電極１２は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。

半導体基板１０は、図１（Ｃ）及び図１（Ｄ）に示すように、パッシベーション膜１６を有していてもよい。パッシベーション膜１６は、電極１２を露出させるように形成される。パッシベーション膜１６には、電極１２を露出させる開口が形成されていてもよい。すなわち、半導体基板１０の内部配線のうち、パッシベーション膜１６からの露出部を指して、電極１２と称してもよい。パッシベーション膜１６は、例えば、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、パッシベーション膜１６は、ポリイミド樹脂などの有機絶縁膜であってもよい。

本実施形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）に示すように、樹脂突起２０を含む。樹脂突起２０は、半導体基板１０の第１の面１５上に形成されている。樹脂突起２０は、図１（Ｃ）及び図１（Ｄ）に示すように、パッシベーション膜１６上に形成されていてもよい。

樹脂突起２０は、図１（Ａ）に示すように、第１の方向Ａに沿って延びる形状をなしている。なお、第１の方向Ａは、半導体基板１０の第１の面１５のいずれかの辺と平行な方向であってもよい。例えば、第１の面１５の外形が長方形である場合、第１の方向Ａは、長方形の長辺（当該長方形が、第１の長さを有し互いに平行な一対の辺と、第１の長さよりも長い第２の長さを有し互いに平行な一対の辺と、で形成されている場合、第２の長さを有する一対の辺のうちいずれかの辺）と平行な方向であってもよい。この場合、樹脂突起２０は、当該長辺の周辺領域に（当該長辺に近接するように）配置されていてもよい。ただし、第１の方向Ａは、第１の面１５の短辺（当該長方形が、第１の長さを有し互いに平行な一対の辺と、第１の長さよりも長い第２の長さを有し互いに平行な一対の辺と、で形成されている場合、第１の長さを有する一対の辺のうちいずれかの辺）と平行な方向であってもよい。あるいは、樹脂突起２０は、平面図において円形をなしていてもよい。この場合、樹脂突起２０は、半球状をなしていてもよい。なお、ここでいう半球状とは、厳密な半球形状のみならず、これに類する形状を含むものとする。

樹脂突起２０は、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）に示すように、第１の方向Ａと交差する第２の方向Ｂに沿って延びる窪み部２２を有する。なお、第２の方向Ｂは、第１の方向Ａと交差する方向である。第１の方向Ａと第２の方向Ｂとは、垂直に交差する方向であってもよい。例えば、第１の面１５の外形が長方形である場合、第２の方向Ｂは、長方形の短辺と平行な方向であってもよい。樹脂突起２０において、窪み部２２と平坦部２４とは連続している。窪み部２２は、平坦部２４に対して窪んでいる領域であってもよい。

図１（Ｃ）に示すように、窪み部２２は、第１の高さｈ１を有し、樹脂突起２０の平坦部２４は、第１の高さｈ１よりも高い第２の高さｈ２を有している。なお、ここでいう高さとは、樹脂突起２０の、半導体基板１０の厚み方向、すなわち、第１の面１５と直交する方向Ｃ（図１（Ａ）参照）の幅であってもよい。そして、第１の高さｈ１とは、平坦部２４の頂点を含む断面（図１（Ｃ）参照）において、第１の面１５（パッシベーション膜１６）から窪み部２２の最も窪んでいる箇所までの距離であってもよい。第２の高さｈ２とは、第１の面１５（パッシベーション膜１６）から平坦部２４の頂点までの距離であってもよい。

窪み部２２の高さｈ１は、半導体装置１を配線基板等に実装する際の、樹脂突起２０のつぶれ量に基づいて設計してもよい。後述するように、半導体装置１は、実装される際に、窪み部２２から電気的接続部３２上の接着材料７２を排出しつつ、徐々に電気的接続部３２を配線パターン５４に接触させる。最終的に、窪み部２２の第１の高さｈ１と平坦部２４の第２の高さｈ２が、等しい高さになるように樹脂突起２０を弾性変形させてもよい。これにより、電気的接続部３２と配線パターン５４間の接着剤料７２の残留を防ぐことができるため、電気的接続の信頼性を高めることができる。そのため、窪み部２２の高さｈ１を、樹脂突起２０のつぶれ量に基づいて設計することで、電気的接続の信頼性が高い電子デバイスを製造することが可能な半導体装置を提供することができる。例えば、第１の高さｈ１と、第２の高さｈ２は、（２／３）×ｈ２≦ｈ１＜ｈ２の関係を満たしていてもよい。

樹脂突起２０は、平面的に見て（図１（Ａ）参照）、窪み部２２の第２の方向Ｂの幅ｗ１が、平坦部２４の第２の方向Ｂの幅ｗ２よりも狭くてもよい。なお、ここでいう窪み部２２の第２の方向Ｂの幅とは、平面的に見て、窪み部２２の第２の方向Ｂに対向する辺が、最も近接している箇所の、当該対向する辺の間の第２の方向Ｂの距離をいってもよい。若しくは窪み部２２の第１の面（パッシベーション膜１６）と接する面の、第２の方向Ｂに対向する辺が、最も近接している箇所の、当該対向する辺の間の第２の方向Ｂの距離をいってもよい。平坦部２４の第２の方向Ｂの幅とは、平面的に見て、平坦部２４の第２の方向Ｂに対向する辺の間の第２の方向Ｂの距離をいってもよい。若しくは平坦部２４の第１の面（パッシベーション膜１６）と接する面の、第２の方向Ｂに対向する辺の間の第２の方向の距離をいってもよい。

平坦部２４の上面は、凸曲面をなしていてもよい。平坦部２４の上面は、円弧の一部であってもよい。あるいは、平坦部２４の上面は、楕円弧の一部であってもよい。窪み部２２は、第１の方向Ａから見た断面（図１（Ｄ）参照）は、凸曲面をなし、第２の方向Ｂから見た断面（図１（Ｃ）参照）は、凹曲面をなしていてもよい。

樹脂突起２０の材料は特に限定されるものではなく、既に公知となっているいずれかの材料で構成されていてもよい。樹脂突起２０は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成してもよい。

本実施形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）に示すように、配線３０を含む。配線３０は、電極１２と電気的に接続されている。配線３０は、少なくとも樹脂突起２０の窪み部２２の上に形成されている。配線３０は、電極１２上から、樹脂突起２０の窪み部２２上を通り、パッシベーション膜１６上まで形成されていてもよい。すなわち、配線３０は、第２の方向Ｂに沿って延びていてもよい。また、配線３０は、図１（Ｃ）に示すように、窪み部２２上から平坦部２４上に至るように形成されていてもよい。すなわち、配線３０の一部は、平坦部２４上に形成されていてもよい。配線３０は、電極１２上から、樹脂突起２０の窪み部２２上及び平坦部２４上を通り、パッシベーション膜１６上まで形成されていてもよい。

配線３０は、樹脂突起２０上に配置された電気的接続部３２を有することができる。すなわち、配線３０のうち、樹脂突起２０上（樹脂突起２０の上面）に配置された領域を指して、電気的接続部３２と称してもよい。なお、電気的接続部３２とは、配線３０のうち、他の電子部品の導電部（配線基板の配線パターンなど）との電気的な接続に利用される部分である。本実施形態では、配線３０のうち、窪み部２２の第１の高さｈ１よりも高い位置に配置された領域を指して、電気的接続部３２と称してもよい。

配線３０に適用可能な材料は特に限定されるものではない。配線３０は、例えば、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、鉛フリーはんだなどによって構成されていてもよい。また、配線３０の構造も特に限定されるものではない。例えば、配線３０は複数層で形成されていてもよい。このとき、配線３０は、チタンタングステン（ＴｉＷ）によって形成された第１の層と、金（Ａｕ）によって形成された第２の層とを含んでいてもよい（図示せず）。あるいは、配線３０は、単層で形成されていてもよい。

本実施形態に係る半導体装置は以上の構成を備えていてもよい。なお、半導体装置１が奏する作用効果については後述する。

（２）半導体装置の製造方法
以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図２〜図６は、半導体装置１の製造方法について説明するための図である。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図２及び図３に示す、構造体１１を用意することを含む。ここで、図２は構造体１１の概略図であり、図３は構造体１１の断面図の一部拡大図である。なお、図３（Ａ）に示す断面図は、図１（Ｃ）に対応し、図３（Ｂ）に示す断面図は、図１（Ｄ）に対応している。

構造体１１は、図２に示すように、ウエハー状をなす。そして、ウエハー状の構造体１１は、複数の半導体チップ（半導体基板１０）となる領域１００を有する。ただし、半導体基板として半導体チップ（図１（Ａ）参照）を用意して以下の各工程を行ってもよい。

構造体１１には、図３（Ｂ）に示すように、電極１２が形成されている。構造体１１は、電極１２の少なくとも一部の上に位置する開口部を有するパッシベーション膜１６を有していてもよい。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図４〜図６に示すように、樹脂突起２０を形成することを含む。なお、図４、図５（Ａ）及び図６に示す断面図は、図１（Ｃ）に対応している。図５（Ｂ）は、半導体装置の製造工程を示す平面図の一部拡大図である。

はじめに、図４に示すように、半導体基板１０に樹脂材料２５を設ける。その後、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、樹脂材料２５の一部を除去して、樹脂材料２５をパターニングする。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて行うことができる。その後、樹脂材料２５を溶融させた後に硬化させることによって、樹脂突起２０を形成してもよい。本実施形態では、このとき、樹脂材料２５の溶融条件や、硬化条件を調整することによって、樹脂突起２０の形状（上面の形状）を制御することができる。例えば、樹脂材料２５を、表面のみが溶融し、中心が溶融しないように（半溶融状態まで）加熱し、その後硬化させることによって、上面が凸曲面となるように、樹脂突起２０を形成することができる。

なお、本実施形態では、樹脂材料２５を、第１の方向Ａに沿って、所定の間隔を有する（複数の樹脂材料２５が第１の距離だけ離れる）ようにパターニングして形成してもよい（図５（Ａ）及び図５（Ｂ）参照）。このようにパターニングされた樹脂材料２５を溶融することにより、樹脂材料２５が互いに接触して、窪み部２２を有する樹脂突起２０を形成することができる（図６参照）。

ただし、樹脂突起２０を形成する方法はこれに限られるものではない。例えば、樹脂突起２０は、型成型によって形成してもよい。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図７に示すように、配線３０を形成することを含む。図７は、配線３０を形成する工程の一例を説明するための模式図である。なお、図７に示す断面図は、図３（Ａ）に対応している。

本工程は、図７に示すように、金属層３５を形成することを含む。金属層３５は、電極１２、パッシベーション膜１６、樹脂突起２０を覆うように形成してもよい。金属層３５は、例えばスパッタリングによって形成することができる。金属層３５は、単層の金属層であってもよく、複数層の金属層であってもよい。次に金属層３５上にマスク３７を形成する。マスク３７は、金属層３５のうち、配線３０となる領域のみを覆うようにパターニングされていてもよい。金属層３５におけるマスク３７からの露出領域を除去することによって、配線３０を形成することができる。

ただし、配線３０を形成する方法はこれに限られるものではなく、既に公知となっているいずれかの方法を適用してもよい。配線３０は、例えば、インクジェット法やメッキ法を適用して形成してもよい。

そして、半導体基板１０を切断する工程や、検査工程などをさらに経て、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）に示す、半導体装置１を製造することができる。

２．電子デバイス
以下、本発明を適用した実施形態に係る電子デバイス２について説明する。図８（Ａ）〜図１３は、本発明を適用した実施形態に係る電子デバイス２の構成、およびその製造方法について説明するための模式図である。

（１）電子デバイスの製造方法
本実施形態に係る電子デバイス２の製造方法は、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程を含む。以下、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程について説明する。図８（Ａ）〜図１０（Ｂ）は、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程について説明するための模式図である。図８（Ａ）、図９（Ａ）および図１０（Ａ）に示す断面図は、図１（Ｃ）に対応している。図８（Ｂ）、図９（Ｂ）および図１０（Ｂ）に示す断面図は、図１（Ｄ）に対応している。

はじめに、配線基板５０の構成について説明する。配線基板５０は、ベース基板５２と、配線パターン５４とを含む。ベース基板５２（配線基板５０）は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。このとき、ベース基板５２は、例えば、セラミック基板やガラス基板であってもよい。また、配線パターン５４の材料についても特に限定されるものではないが、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｃｒ、Ａｌなどの金属膜、金属化合物膜、又は、これらの複合膜によって形成されていてもよい。なお、配線パターン５４は、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されていてもよい。ただし、配線基板５０は、樹脂基板であってもよい。

半導体装置１を配線基板５０に実装する工程では、はじめに、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、半導体装置１と配線基板５０とを間隔をあけて対向させる。ここでは、半導体装置１を、半導体チップ１０の第１の面１５が配線基板５０を向くように配置する。また、半導体装置１の電気的接続部３２（配線３０）と配線基板５０の配線パターン５４とが対向（重複）するように、半導体装置１と配線基板５０との位置合わせをする。例えば、図示しない治具（ボンディングツール）によって、半導体装置１を保持し、半導体装置１と配線基板５０との位置合わせを行ってもよい。このとき、半導体装置１を、第１の面１５が配線基板５０と平行になるように保持してもよい。なお、治具にはヒータが内蔵されていてもよく、これにより、半導体装置１を加熱してもよい。半導体装置１を加熱することによって、電気的接続部３２が加熱され、電気的接続部３２と配線パターン５４とを確実に電気的に接続することができる。

なお、半導体装置１と配線基板５０との間には、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、予め、接着材料７２を設けておいてもよい。接着材料７２は、ペースト状あるいはフィルム状で設けてもよい。接着材料７２は、導電粒子などを含まない絶縁性の材料（ＮＣＰ，ＮＣＦ）であってもよい。接着材料７２は、例えば、配線基板５０上に設けてもよい。

その後、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）、あるいは、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、半導体装置１と配線基板５０とを近接させて電気的接続部３２と配線パターン５４とを接触させて、両者を電気的に接続する。本工程では、半導体基板１０と配線基板５０とによって樹脂突起２０を押しつぶして、樹脂突起２０を弾性変形させてもよい（図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ））。これによると、樹脂突起２０の弾性力によって、電気的接続部３２と配線パターン５４とを押し付けることができるため、電気的な接続信頼性の高い電子機器を製造することができる。

本工程では、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、半導体装置１と配線基板５０とを近接させると、平坦部２４上の電気的接続部３２ａが配線パターン５４と接触する。ここで、窪み部２２上の電気的接続部３２ｂは、配線パターン５４と接触していない。さらに、半導体装置１と配線基板５０とを近接させると、窪み部２２から電気的接続部３２上の接着材料７２を排出しつつ、窪み部２２上の電気的接続部３２ｂが配線パターン５４と徐々に接触する。最終的に、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、電気的接続部３２の全面が、配線パターン５４と接触するように樹脂突起２０を弾性変形させてもよい。窪み部２２の第１の高さｈ１と平坦部２４の第２の高さｈ２が、同じ高さになるように樹脂突起２０を弾性変形させてもよい。本工程において、半導体装置１は、窪み部２２から電気的接続部３２上の接着材料７２を排出しつつ、徐々に電気的接続部３２を配線パターン５４に接触させることができるため、電気的接続部３２と配線パターン５４間の接着剤料７２の残留を防ぐことができる。特に、平坦部２４上の電気的接続部３２ａと窪み部２２上の電気的接続部３２ｂの境界は、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示す電気的接続部３２と配線パターン５４とが接触した状態において、樹脂突起２０の変形量が大きく、かつ、接着材料７２を窪み部２２から排出することができるため、より接着材料７２の残留を防ぐことができる。

図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、半導体装置１と配線基板５０との間に、接着剤７０を形成する。接着剤７０は、接着材料７２を硬化させることによって形成することができる。接着剤７０によって、半導体装置１と配線基板５０とを接着（固着）する。接着剤７０によって、半導体基板１０と配線基板５０との間隔を維持してもよい。すなわち、接着剤７０によって、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持してもよい。例えば、樹脂突起２０が弾性変形した状態で接着剤７０を形成することで、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持することができる。

以上の工程によって、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示す、電子デバイス２を製造してもよい。

（２）電子デバイスの構成
電子デバイス２は、配線基板５０を有する。配線基板５０は、ベース基板５２と配線パターン５４とを含む。電子デバイス２は、半導体装置１を有する。そして、電子デバイス２によると、半導体装置１は、配線基板５０に搭載されている。半導体装置１は、電気的接続部３２が配線パターン５４と接触するように配線基板５０に搭載されている。半導体装置１は、配線３０における、窪み部２２の第１の高さｈ１よりも高い位置に配置された領域の少なくとも一部が配線パターン５４と接触するように、配線基板５０に搭載されていてもよい。電子デバイス２は、半導体装置１と配線基板５０とを接着する接着剤７０を含む。

電子デバイス２は、表示デバイス（パネルモジュール）であってもよい。図１１には、表示デバイスとしての電子デバイス２の概略図を示す。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置１（半導体チップ）は、表示デバイスを制御するドライバＩＣであってもよい。

また、図１２及び図１３には、電子デバイス２を有する電子機器の一例として、ノート型パーソナルコンピュータ１０００及び携帯電話２０００を示す。

３．効果
以下、本発明を適用した実施形態に係る半導体装置１が奏する作用効果について説明する。

本実施形態に係る半導体装置は、樹脂突起２０の延びる第１の方向Ａと交差する第２の方向Ｂに延びる窪み部２２を有することができる。これにより、電子デバイス２を実装する際の、半導体装置１と配線基板５０とを電気的に接続する工程において、窪み部２２から電気的接続部３２（配線３０）上の接着材料７２を排出しつつ、徐々に電気的接続部３２を配線パターン５４に接触させることができる。したがって、電気的接続部３２と配線パターン５４間の接着剤料７２の残留を防ぐことができるため、電気的接続部３２と配線パターン５４間の抵抗の上昇を抑制し、電気的接続の信頼性を高めることができる。本実施形態によれば、電気的接続の信頼性が高い電子デバイスを製造することができる半導体装置を提供することができる。なお、窪み部２２の第２の方向Ｂの幅が、平坦部２４の第２の方向Ｂの幅よりも狭くてもよい。これにより、窪み部２２の第２の方向Ｂの幅が、平坦部２４の第２の方向Ｂの幅と同じ場合と比較して、より接着剤料７２の残留を防ぐことができる。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、樹脂突起２０の窪み部２２が、樹脂材料２５をフォトリソグラフィ技術等によりパターニングし、融解させることにより形成することができる。すなわち、樹脂突起２０の窪み部２２は、公知の半導体製造装置を用いて容易に形成することができる。本実施形態の製造方法によれば、電気的接続の信頼性が高い電子デバイスを製造することができる半導体装置を容易に製造することができる。

本実施形態に係る電子デバイスの製造方法では、上述したように、電気的接続の信頼性が高い電子デバイスを製造することができる半導体装置１を配線基板５０に実装することにより製造できる。したがって、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法によれば、電気的接続の信頼性が高い電子デバイスを製造することができる。

４．変形例
本実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の変形例について説明する。なお、上述した実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。

（１）まず、第１の変形例について説明する。

図１４は、第１の変形例に係る半導体装置３について説明するための模式図である。図１４に示す断面図は、図１（Ｃ）に対応している。

半導体装置１の例では、１つの窪み部２２上に１つの配線３０が形成されている場合について説明した。これに対し、本変形例では、複数（図示の例では２つ）の窪み部２２上に１つの配線３０が形成されていることができる。これによっても、半導体装置１と同様の作用効果を奏することが可能となる。

（２）次に、第２の変形例について説明する。

図１５は、第２の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための模式図である。図１５（Ａ）に示す断面図は、図５（Ａ）に対応している。図１５（Ｂ）に示す平面図の一部拡大図は、図５（Ｂ）に対応している。

半導体装置１の製造方法の例では、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、樹脂材料２５を、第１の方向Ａに沿って、所定の間隔で形成する場合について説明した。本変形例では、第１の部分２５ａと第２の部分２５ｂとを有する樹脂材料２５を、第１の面１５上に、第１の方向Ａに沿って延び、かつ、樹脂材料２５の第１の部分２５ａの第２の方向Ｂの幅が、樹脂材料２５の第２の部分２５ｂの第２の方向Ｂの幅よりも狭くなるようにパターニングし、形成することができる。これによっても、半導体装置１の製造方法の例と同様に樹脂突起２０の窪み部２２を形成することができる。

上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。

１ 半導体装置、２ 電子デバイス、３ 半導体装置、１０ 半導体基板、１１ 構造体、１２ 電極、１４ 集積回路、１５ 第１の面、１６ パッシベーション膜、２０ 樹脂突起、２２ 窪み部、２４ 平坦部、２５ 樹脂材料、３０ 配線、３２ 電気的接続部、３５ 金属層、３７ マスク、５０ 配線基板、５２ ベース基板、５４ 配線パターン、７０ 接着剤、７２ 接着材料、１００ 領域

Claims (8)

1. 半導体基板と、
   前記半導体基板の第１の面の上に設けられた複数の電極と、
   前記第１の面の上に設けられ、前記第１の面に対して平行な第１の方向に沿って長尺状に延びる樹脂突起であって、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延び前記第１の面からの高さが第１の高さである複数の窪み部を有し、前記窪み部と連続する前記樹脂突起の平坦部は、前記第１の面からの高さが前記第１の高さよりも高い第２の高さである、前記樹脂突起と、
   前記電極と電気的に接続され、少なくとも前記樹脂突起の前記窪み部の上に形成された複数の配線と、
   を含む、半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記配線は、前記窪み部の上から前記平坦部の上に至るように形成されている、半導体装置。
3. 請求項２記載の半導体装置において、
   前記樹脂突起は、前記窪み部の前記第２の方向の幅が前記平坦部の前記第２の方向の幅よりも狭い、半導体装置。
4. 半導体基板と、前記半導体基板の第１の面の上に設けられた複数の電極と、を有する構造体を用意する工程と、
   前記第１の面の上に、前記第１の面に対して平行な第１の方向に沿って長尺状に延びる樹脂突起であって、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延び前記第１の面からの高さが第１の高さである複数の窪み部、を有し、前記窪み部と連続する前記樹脂突起の平坦部は、前記第１の面からの高さが前記第１の高さよりも高い第２の高さである、前記樹脂突起、を設ける工程と、
   少なくとも前記窪み部の上に、前記電極と電気的に接続される複数の配線を設ける工程と、
   を含む半導体装置の製造方法。
5. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
   前記樹脂突起を設ける工程は、
   第１の樹脂材料と第２の樹脂材料を、前記第１の面の上に前記第１の方向に沿って並び、かつ、前記第１の樹脂材料と前記第２の樹脂材料が第１の距離だけ離れるように形成する工程と、
   前記第１の樹脂材料及び前記第２の樹脂材料を融解して、前記第１の樹脂材料と前記第２の樹脂材料を接触させる工程と、
   を有する半導体装置の製造方法。
6. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
   前記樹脂突起を設ける工程は、
   前記第１の面の上に、樹脂材料を、前記第１の方向に沿って延び、かつ、前記樹脂材料の第１の部分の前記第２の方向の幅が、前記樹脂材料の第２の部分の前記第２の方向の幅よりも狭くなるように形成する工程と、
   前記樹脂材料を融解する工程と、
   を有する半導体装置の製造方法。
7. ベース基板と、前記ベース基板の上に設けられた複数の配線パターンとを有する配線基板を用意する工程と、
   半導体基板と、前記半導体基板の第１の面の上に設けられた複数の電極と、
   前記第１の面の上に設けられ、前記第１の面に対して平行な第１の方向に沿って長尺状に延びる樹脂突起であって、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延び前記第１の面からの高さが第１の高さである窪み部を有し、前記窪み部と連続する前記樹脂突起の平坦部は、前記第１の面からの高さが前記第１の高さよりも高い第２の高さである、前記樹脂突起と、
   前記電極と電気的に接続され、少なくとも前記樹脂突起の前記窪み部の上に形成された複数の配線と、
   を有する半導体装置を用意する工程と、
   前記配線基板に、前記半導体装置を搭載して、前記配線パターンと前記配線とを接触させて電気的に接続する工程と、
   を含む電子デバイスの製造方法。
8. 請求項７記載の電子デバイスの製造方法において、
   前記配線パターンと前記配線とを接触させて電気的に接続する工程は、
   前記窪み部の前記第１の高さと前記平坦部の前記第２の高さとが、同じ高さになるように前記樹脂突起を弾性変形させる工程を有する電子デバイスの製造方法。

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