JPS63272042A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS63272042A JPS63272042A JP62104725A JP10472587A JPS63272042A JP S63272042 A JPS63272042 A JP S63272042A JP 62104725 A JP62104725 A JP 62104725A JP 10472587 A JP10472587 A JP 10472587A JP S63272042 A JPS63272042 A JP S63272042A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にボンディングパッド部
における耐湿性を向上した半導体装置に関する。
における耐湿性を向上した半導体装置に関する。
従来、半導体基板上に形成されて所要寸法にグイシング
された半導体装置は、ボンディングパッド部に外部引出
し用導線をボンディングしてり−ドフレーム等の外部リ
ードに電気的接続を行い、そのままの状態でパッケージ
に実装される０通常このボンディングパッド部は通常絶
縁保護膜上に開口されたアルミニウム等の金属配線の一
部で構成されているために、ボンディングパッド部は、
外部引出し用導線の周囲に露出面を残したままパッケー
ジ内に封入されている。
された半導体装置は、ボンディングパッド部に外部引出
し用導線をボンディングしてり−ドフレーム等の外部リ
ードに電気的接続を行い、そのままの状態でパッケージ
に実装される０通常このボンディングパッド部は通常絶
縁保護膜上に開口されたアルミニウム等の金属配線の一
部で構成されているために、ボンディングパッド部は、
外部引出し用導線の周囲に露出面を残したままパッケー
ジ内に封入されている。
上述した従来の半導体装置は、絶縁保護膜の開口にボン
ディングパッド部としてのアルミニウム配線等が露呈さ
れた状態でパッケージされるため、パッケージ内に侵入
した水分がバンド部材を直接侵して水酸化物を形成せし
めるか、又は絶縁保護膜に含まれるナトリウム、塩素等
の不純物イオンＮａ”、Ｃｊ！−もしくは絶縁保護膜に
通常用いられるリン硅酸塩イオンＰＯ，’−を生成し、
間接的にパッド部材を溶解する。このため、経時変化に
よってボンディングパッド部が変質または消失され易く
、信頬性上極めて重大な障害がしばしば発生している。
ディングパッド部としてのアルミニウム配線等が露呈さ
れた状態でパッケージされるため、パッケージ内に侵入
した水分がバンド部材を直接侵して水酸化物を形成せし
めるか、又は絶縁保護膜に含まれるナトリウム、塩素等
の不純物イオンＮａ”、Ｃｊ！−もしくは絶縁保護膜に
通常用いられるリン硅酸塩イオンＰＯ，’−を生成し、
間接的にパッド部材を溶解する。このため、経時変化に
よってボンディングパッド部が変質または消失され易く
、信頬性上極めて重大な障害がしばしば発生している。
この障害は特に樹脂封止型のものに多く発生し、半導体
装置の機能を失わせる。
装置の機能を失わせる。
本発明はボンディングパッド部における耐湿性の向上を
図った半導体装置を提供することを目的としている。
図った半導体装置を提供することを目的としている。
本発明の半導体装置は、配線層としての金属膜の一部を
上層の絶縁保護膜の開口内に露呈させてボンディングパ
ッド部を構成し、ここに外部引出し用導線を接続してな
る半導体装置において、外部引出し用導線を接続した領
域以外のボンディングパッド部の露呈面に金属不動態膜
を形成し、この金属不動態膜によってボンディングパッ
ド部の変質や消失を防止する構成としている。
上層の絶縁保護膜の開口内に露呈させてボンディングパ
ッド部を構成し、ここに外部引出し用導線を接続してな
る半導体装置において、外部引出し用導線を接続した領
域以外のボンディングパッド部の露呈面に金属不動態膜
を形成し、この金属不動態膜によってボンディングパッ
ド部の変質や消失を防止する構成としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す部分斜視図、第２図は
第１図のＡＡ線に沿う断面図である。
第１図のＡＡ線に沿う断面図である。
これらの図において、半導体基板１の図外の絶縁膜上に
はアルミニウム配線６が形成されており、このアルミニ
ウム配線６を絶縁保護膜２で被覆している。この絶縁保
護膜２の一部には開口を形成し、この開口から前記アル
ミニウム配線６の一部を露呈してこれをボンディングパ
ッド部３として構成している。そして、このボンディン
グパッド部３には外部引出し用導線４が接続されている
が、この接続部以外の前記パッド部３の露出面には不動
態膜５を形成している。
はアルミニウム配線６が形成されており、このアルミニ
ウム配線６を絶縁保護膜２で被覆している。この絶縁保
護膜２の一部には開口を形成し、この開口から前記アル
ミニウム配線６の一部を露呈してこれをボンディングパ
ッド部３として構成している。そして、このボンディン
グパッド部３には外部引出し用導線４が接続されている
が、この接続部以外の前記パッド部３の露出面には不動
態膜５を形成している。
前記不動態膜５は次の手順によって形成される。
即ち、絶縁膜２の開口内のアルミニウム配線６、即ちボ
ンディングパッド部３に外部引出し導線４をボンディン
グした後、半導体装置を温度４０〜６０℃の純水内に１
０分間浸漬する。これは半導体装置を搭載した図外のリ
ードフレームと一体に処理してもよい。
ンディングパッド部３に外部引出し導線４をボンディン
グした後、半導体装置を温度４０〜６０℃の純水内に１
０分間浸漬する。これは半導体装置を搭載した図外のリ
ードフレームと一体に処理してもよい。
この処理によってボンディングパッド部３の露出面には
厚さ約５００人の緻密なアルミニウム不動態膜が形成さ
れる。この膜質は化学的に安定しているので、ボンディ
ングパッド部３の変質や消失を未然に防止でき、ボンデ
ィングパッド部はもとより半導体装置の耐湿性を改善す
る。
厚さ約５００人の緻密なアルミニウム不動態膜が形成さ
れる。この膜質は化学的に安定しているので、ボンディ
ングパッド部３の変質や消失を未然に防止でき、ボンデ
ィングパッド部はもとより半導体装置の耐湿性を改善す
る。
なお、不動態膜５は次の手順によっても形成できる。
外部引出し用導線４をボンディングした後、温度１００
°Ｃの水蒸気中に１分間置く。この処理によりパッド部
３の表面に上述と同様の不動態膜５が形成される。
°Ｃの水蒸気中に１分間置く。この処理によりパッド部
３の表面に上述と同様の不動態膜５が形成される。
したがって、この半導体装置によれば、従来の工程に加
えて半導体装置を純水に浸漬し、或いは水蒸気中に置く
工程を付加するのみで不動態膜５を形成でき、この不動
態膜５の保護膜作用によってアルミニウム材であるボン
ディングパッド部３における変質や消失を防止でき、半
導体装置の耐湿性を向上できる 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、絶縁保護膜の開口内に形
成したボンディングベッド部の、外部引出し用導線を接
続した領域以外の露呈面に金属不動態膜を形成している
ので、ボンディングパッド部の露出面は実質上絶縁保護
膜と同等の金属不動態膜によって保護され、パッド部材
の変質や消失が防止され耐湿性を向上できる。また、不
動態膜の形成は、温水に浸漬するかスチーム処理をする
簡単な工程で行い得るので、危険な酸等の薬品を使用す
ることなく安価に実施できる効果がある。
えて半導体装置を純水に浸漬し、或いは水蒸気中に置く
工程を付加するのみで不動態膜５を形成でき、この不動
態膜５の保護膜作用によってアルミニウム材であるボン
ディングパッド部３における変質や消失を防止でき、半
導体装置の耐湿性を向上できる 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、絶縁保護膜の開口内に形
成したボンディングベッド部の、外部引出し用導線を接
続した領域以外の露呈面に金属不動態膜を形成している
ので、ボンディングパッド部の露出面は実質上絶縁保護
膜と同等の金属不動態膜によって保護され、パッド部材
の変質や消失が防止され耐湿性を向上できる。また、不
動態膜の形成は、温水に浸漬するかスチーム処理をする
簡単な工程で行い得るので、危険な酸等の薬品を使用す
ることなく安価に実施できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は第１図の
ＡＡ線に沿う縦断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁保護膜、３・・・ボ
ンディングパッド、４・・・外部引出し用導線、５・・
・不動態膜、６・・・アルミニウム配線。
ＡＡ線に沿う縦断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁保護膜、３・・・ボ
ンディングパッド、４・・・外部引出し用導線、５・・
・不動態膜、６・・・アルミニウム配線。
Claims (1)
- （１）配線層としての金属膜の一部を上層の絶縁保護膜
の開口内に露呈させてボンディングパッド部を構成し、
ここに外部引出し用導線を接続してなる半導体装置にお
いて、前記外部引出し用導線を接続した領域以外のボン
ディングパッド部の露呈面に金属不動態膜を形成したこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62104725A JPS63272042A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62104725A JPS63272042A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63272042A true JPS63272042A (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=14388471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62104725A Pending JPS63272042A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63272042A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383909B1 (en) | 2000-05-16 | 2002-05-07 | Nec Corporation | Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method therefor |
| EP1593888A1 (en) * | 2003-02-13 | 2005-11-09 | Fujikin Incorporated | Valve for vacuum discharge system |
| JP2014090077A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜キャパシタおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP62104725A patent/JPS63272042A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383909B1 (en) | 2000-05-16 | 2002-05-07 | Nec Corporation | Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method therefor |
| EP1593888A1 (en) * | 2003-02-13 | 2005-11-09 | Fujikin Incorporated | Valve for vacuum discharge system |
| EP1593888A4 (en) * | 2003-02-13 | 2006-02-01 | Fujikin Kk | VALVE FOR VACUUM DISCHARGE SYSTEM |
| JP2014090077A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜キャパシタおよびその製造方法 |
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