JPS62224037A - 半導体装置 - Google Patents
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-
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- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体集積回路のワイヤボンディング部分
の特にポンディングパッド部分を改善した半導体装置に
関する。
の特にポンディングパッド部分を改善した半導体装置に
関する。
［従来の技術］
半導体集積回路において、半導体基板内に形成された回
路素子からの導出端子は、半導体基板表面に形成された
層間絶縁層を形成する絶縁膜上に形成された例えばアル
ミニウム等の金属配線層に接続するようにしている。そ
して、この金属配線層にはワイヤボンディングのパッド
部を形成し、このパッド部に金等でなるボンディングワ
イヤを接続して、このボンディングワイヤを介して上記
導出端子が外部回路に導出されるようにしている。
路素子からの導出端子は、半導体基板表面に形成された
層間絶縁層を形成する絶縁膜上に形成された例えばアル
ミニウム等の金属配線層に接続するようにしている。そ
して、この金属配線層にはワイヤボンディングのパッド
部を形成し、このパッド部に金等でなるボンディングワ
イヤを接続して、このボンディングワイヤを介して上記
導出端子が外部回路に導出されるようにしている。
この場合、上記半導体基板の表面部は、上記金属配線層
を含む状態でパッシベーション膜によって全面被覆され
、保護されるようになっているもので、このパッシベー
ション膜（、二上記ワイヤポンディングパッド部分に対
応して開口を形成し、この開口を介してボンディングワ
イヤを上記パッドに接続するようにしている。
を含む状態でパッシベーション膜によって全面被覆され
、保護されるようになっているもので、このパッシベー
ション膜（、二上記ワイヤポンディングパッド部分に対
応して開口を形成し、この開口を介してボンディングワ
イヤを上記パッドに接続するようにしている。
ここで、上記パッシベーション膜の構造は、リン（Ｐ）
を含むシリケートガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）膜の１層構造、
窒化シリコン（Ｐ−Ｓｉ Ｎ）膜の１層構造等が存在す
るものであるが、その他にも例えば特開昭５２−１０４
０６２号に示されるようなＰＳＧ膜と窒化シリコン膜の
２重措造とすることが考えられている。
を含むシリケートガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）膜の１層構造、
窒化シリコン（Ｐ−Ｓｉ Ｎ）膜の１層構造等が存在す
るものであるが、その他にも例えば特開昭５２−１０４
０６２号に示されるようなＰＳＧ膜と窒化シリコン膜の
２重措造とすることが考えられている。
第４図はこのような半導体装置の特に電極接続部分を取
り出して示しているもので、回路素子等が内部に形成さ
れた半導体基板１１の表面には、層間絶縁層を形成する
絶縁膜１２が形成されている。
り出して示しているもので、回路素子等が内部に形成さ
れた半導体基板１１の表面には、層間絶縁層を形成する
絶縁膜１２が形成されている。
そして、この絶縁膜１２の上にアルミニウムによる金属
配線層１３が形成されるものであり、この金属配線層を
含む上記半導体基板表面部分は、パッシベーション膜１
４によって被覆保護されるようになっている。
配線層１３が形成されるものであり、この金属配線層を
含む上記半導体基板表面部分は、パッシベーション膜１
４によって被覆保護されるようになっている。
この場合、上記パッシベーション膜１４は、絶縁膜１２
上に形成されるＰＳＧ膜による第１のパッシベーション
Ｉｌｌ １４１と、この第１のパッシベーション膜１４
１の上に積層形成され、外部に露出するようになる第２
のパッシベーション膜１４２とによって構成されるもの
で、上記第１のパッシベーション膜１４１はＰＳＧ膜に
よって構成し、また第２のパッシベーション膜１４２は
窒化シリコン膜によって構成されるようになっている。
上に形成されるＰＳＧ膜による第１のパッシベーション
Ｉｌｌ １４１と、この第１のパッシベーション膜１４
１の上に積層形成され、外部に露出するようになる第２
のパッシベーション膜１４２とによって構成されるもの
で、上記第１のパッシベーション膜１４１はＰＳＧ膜に
よって構成し、また第２のパッシベーション膜１４２は
窒化シリコン膜によって構成されるようになっている。
そして、この２層構造でなるパッシベーション膜１４に
、電極層■３のポンディングパッド部分に対応してボン
ディング用開口１５形成し、配線金属層１３のパッド部
分にボンディングワイヤ１６が接続されるようにしてい
るものであり、このボンディングワイヤ１６が接続され
た後は、全体を樹脂等によるケーシングによって被覆し
、水分等の侵入を阻止するようにしている。
、電極層■３のポンディングパッド部分に対応してボン
ディング用開口１５形成し、配線金属層１３のパッド部
分にボンディングワイヤ１６が接続されるようにしてい
るものであり、このボンディングワイヤ１６が接続され
た後は、全体を樹脂等によるケーシングによって被覆し
、水分等の侵入を阻止するようにしている。
しかし、上記のようにケーシングによって保護するよう
にしても、外部の水分１７がケーシングの樹脂を浸透し
、またボンディングワイヤ１６を伝わって配線金属層１
３のパッド部に侵入するものであり、この水分がパッシ
ベーション１１１１４の特に不純物であるリンに作用し
てリン酸１８等ができるようになる。そして、このリン
酸１８が配線金属層１４に作用して、特にそのパッド電
極部分のアルミニウム合金を腐蝕１９するようになる。
にしても、外部の水分１７がケーシングの樹脂を浸透し
、またボンディングワイヤ１６を伝わって配線金属層１
３のパッド部に侵入するものであり、この水分がパッシ
ベーション１１１１４の特に不純物であるリンに作用し
てリン酸１８等ができるようになる。そして、このリン
酸１８が配線金属層１４に作用して、特にそのパッド電
極部分のアルミニウム合金を腐蝕１９するようになる。
［発明が解決しようとする問題点］
この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、特に
ポンディングパッド正に水分が侵入するようなことがあ
っても、パッシベーション膜の影響によって上記パッド
部に悪影響を及ぼすような物質が発生されないようにし
、特にボンディングワイヤ接続部分における信顆性が効
果的に向上されるようにする半導体装置を提供しようと
するものである。
ポンディングパッド正に水分が侵入するようなことがあ
っても、パッシベーション膜の影響によって上記パッド
部に悪影響を及ぼすような物質が発生されないようにし
、特にボンディングワイヤ接続部分における信顆性が効
果的に向上されるようにする半導体装置を提供しようと
するものである。
［問題点を解決するための手段］
すなわち、この発明に係る半導体装置は、半導体基板上
に形成される配線金属層の上に形成されるパッシベーシ
ョン膜を２層構造とし、その基板側の第１のパッシベー
ション膜をシリケートガラスによって形成すると共に、
その上に窒化シリコンによる第２のパッシベーション膜
を積層形成されるようにし、特にポンディングパッド部
に対応するボンディング用開口部分は、第２のパッシベ
ーション膜によって第１のパッシベーション膜が被覆さ
れるようにしているものでる。
に形成される配線金属層の上に形成されるパッシベーシ
ョン膜を２層構造とし、その基板側の第１のパッシベー
ション膜をシリケートガラスによって形成すると共に、
その上に窒化シリコンによる第２のパッシベーション膜
を積層形成されるようにし、特にポンディングパッド部
に対応するボンディング用開口部分は、第２のパッシベ
ーション膜によって第１のパッシベーション膜が被覆さ
れるようにしているものでる。
［作用］
上記のように構成される半導体装置にあっては、ポンデ
ィングパッド部分にリンのような不純物を含む第１のパ
ッシベーション膜が露出されないようになっている。し
たがって、ケーシングを浸透しであるいはボンディング
ワイヤを伝わって配線金属層のパッド部分に水分が浸透
したとしても、リン等の不純物の酸化物が生成されるこ
とがなく、配線金属層が腐蝕から効果的に保護され、ボ
ンディングワイヤ接続部分における信頼性が充分に向上
されるものである。
ィングパッド部分にリンのような不純物を含む第１のパ
ッシベーション膜が露出されないようになっている。し
たがって、ケーシングを浸透しであるいはボンディング
ワイヤを伝わって配線金属層のパッド部分に水分が浸透
したとしても、リン等の不純物の酸化物が生成されるこ
とがなく、配線金属層が腐蝕から効果的に保護され、ボ
ンディングワイヤ接続部分における信頼性が充分に向上
されるものである。
［発明の実施例コ
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第１図はその断面構造を示したもので、トランジスタ等
の回路素子を形成した半導体基板１１の表面には絶縁膜
１２が形成されているもので、この絶縁膜１２の上に電
極配線層Ｉ３が形成されている。そして、この電極配線
層１３を含む半導体基板１１の絶縁膜１２上全面を最終
保護膜となるパッシベーション膜１４で被覆するように
なる。
の回路素子を形成した半導体基板１１の表面には絶縁膜
１２が形成されているもので、この絶縁膜１２の上に電
極配線層Ｉ３が形成されている。そして、この電極配線
層１３を含む半導体基板１１の絶縁膜１２上全面を最終
保護膜となるパッシベーション膜１４で被覆するように
なる。
このパッシベーション膜１４は、例えばリン（Ｐ）ある
いはボロン（Ｂ）等の不純物を含んだシリケートガラス
（ＰＳＧ％ＢＳＧＳＢＰＳＧ等）膜によって構成される
第１のパッシベーション膜１４１と、窒化シリコン（Ｐ
−Ｓｉ Ｎ）膜で構成される第２のパッシベーション膜
１４２の２層構造で構成されるもので、絶縁膜１２上に
アルミニウム合金等でなる配線金属層Ｉ３が形成された
後に、まずＰＳＧによる第１のパッシベーション膜１４
１を形成する。そして、この第１のパッシベーション膜
１４１に、選択エツチングによって配線金属層１３のポ
ンディングパッドに対応する領域を露出するように開口
を形成する。この場合、第１のパッシベーション膜１４
１が、配線金属層１３を一部含むような状態で形成され
ている。
いはボロン（Ｂ）等の不純物を含んだシリケートガラス
（ＰＳＧ％ＢＳＧＳＢＰＳＧ等）膜によって構成される
第１のパッシベーション膜１４１と、窒化シリコン（Ｐ
−Ｓｉ Ｎ）膜で構成される第２のパッシベーション膜
１４２の２層構造で構成されるもので、絶縁膜１２上に
アルミニウム合金等でなる配線金属層Ｉ３が形成された
後に、まずＰＳＧによる第１のパッシベーション膜１４
１を形成する。そして、この第１のパッシベーション膜
１４１に、選択エツチングによって配線金属層１３のポ
ンディングパッドに対応する領域を露出するように開口
を形成する。この場合、第１のパッシベーション膜１４
１が、配線金属層１３を一部含むような状態で形成され
ている。
このようにして第１のパッシベーション膜１４１が形成
された後に、このｍｌのパッシベーション膜１４１の全
面を被覆するようにした第２のパッシベーション膜１４
２を積層形成する。そして、この第２のパッシベーショ
ン膜１４２に、上記第１のパッシベーション＠１４１の
開口部分に対応して選択エツチングによってボンディン
グ用の開口１５を形成する。この場合、この開口１５は
上記第１のパッシベーション膜１４１に形成した開口よ
りも小さな径の開口とするものであり、第１のパッシベ
ーション膜１４１の開口部の周囲が第２のパッシベーシ
ョン膜１４２によって完全に被覆され、特にボンディン
グ用開口Ｉ５の部分で第１のパッシベーション膜１４１
が露出されないようにしている。
された後に、このｍｌのパッシベーション膜１４１の全
面を被覆するようにした第２のパッシベーション膜１４
２を積層形成する。そして、この第２のパッシベーショ
ン膜１４２に、上記第１のパッシベーション＠１４１の
開口部分に対応して選択エツチングによってボンディン
グ用の開口１５を形成する。この場合、この開口１５は
上記第１のパッシベーション膜１４１に形成した開口よ
りも小さな径の開口とするものであり、第１のパッシベ
ーション膜１４１の開口部の周囲が第２のパッシベーシ
ョン膜１４２によって完全に被覆され、特にボンディン
グ用開口Ｉ５の部分で第１のパッシベーション膜１４１
が露出されないようにしている。
そして、上記ボンディング用開口１５によって露出され
ている配線金属層１３のポンディングパッド部分に、ボ
ンディングワイヤｌＧをボンディング接続するものであ
り、このワイヤ１６が接続された後に、樹脂等によるケ
ーシング（図示せず）によって封止する。
ている配線金属層１３のポンディングパッド部分に、ボ
ンディングワイヤｌＧをボンディング接続するものであ
り、このワイヤ１６が接続された後に、樹脂等によるケ
ーシング（図示せず）によって封止する。
すなわち、このように構成される半導体装置にあっては
、例えばケーシングを浸透しあるいはボンディングワイ
ヤ１Ｂを伝わって、外部からポンディングパッド部に水
分が侵入するようなことがあっても、このポンディング
パッド部では、リンあるいはボロン等の不純物を含む第
１のパッシベーション＃ １４１が露出されていない。
、例えばケーシングを浸透しあるいはボンディングワイ
ヤ１Ｂを伝わって、外部からポンディングパッド部に水
分が侵入するようなことがあっても、このポンディング
パッド部では、リンあるいはボロン等の不純物を含む第
１のパッシベーション＃ １４１が露出されていない。
したがって、この不純物を含む第１のパッシベーション
膜１４１に侵入した水分が接触されることがないもので
あり、上記不純物と侵入した水分とが反応することが確
実に阻止されるようになる。このため、配線金属層１３
の特にポンディングパッド部が、腐蝕から確実に保護さ
れ、半導体装置の寿命を充分に向上させるようになり、
特に高湿度の状態での使用に際してその信頼性が著しく
向上させられるものである。
膜１４１に侵入した水分が接触されることがないもので
あり、上記不純物と侵入した水分とが反応することが確
実に阻止されるようになる。このため、配線金属層１３
の特にポンディングパッド部が、腐蝕から確実に保護さ
れ、半導体装置の寿命を充分に向上させるようになり、
特に高湿度の状態での使用に際してその信頼性が著しく
向上させられるものである。
第２図は第２の実施例を示しているもので、この実施例
にあっては第１のパッシベーション膜１４１の開口部を
配線金属層１３のポンディングパッド部の電極より大き
く形成するようにしている。
にあっては第１のパッシベーション膜１４１の開口部を
配線金属層１３のポンディングパッド部の電極より大き
く形成するようにしている。
上記第１の実施例にあっては、ポンディングパッド部の
電極の一部に第１のパッシベーション膜１ｔＬが被さる
ような状態で形成されていた。このような状態とすると
、第２のパッシベーション膜１４２の開口１５部におけ
るステップカバレッジを充分なものとすることができな
い場合があり、クラックの発生原因の１つとなる。もし
、クラックが発生したとすれば、このクラックを介して
水分が侵入し、第１のパッシベーション膜１４１に達す
ることもあるものであるが、この実施例のように構成す
れば、第２のパッシベーション膜１４２におけるステッ
プカバレッジが改善され、より効果的にポンディングパ
ッド電極部を腐蝕から保護できるようになる。
電極の一部に第１のパッシベーション膜１ｔＬが被さる
ような状態で形成されていた。このような状態とすると
、第２のパッシベーション膜１４２の開口１５部におけ
るステップカバレッジを充分なものとすることができな
い場合があり、クラックの発生原因の１つとなる。もし
、クラックが発生したとすれば、このクラックを介して
水分が侵入し、第１のパッシベーション膜１４１に達す
ることもあるものであるが、この実施例のように構成す
れば、第２のパッシベーション膜１４２におけるステッ
プカバレッジが改善され、より効果的にポンディングパ
ッド電極部を腐蝕から保護できるようになる。
尚、この実施例の場合にあっては、第１のパッシベーシ
ョン膜１４１をエツチングするときに、配線金属層１３
を支える絶縁膜１２までもエツチングするおそれがある
。このため、この絶縁膜１２を窒化膜（Ｐ−ＳＩ Ｎ、
Ｓｌ ３ Ｎ４ ）あるいは５１０２膜で構成するこ
とが望ましい。
ョン膜１４１をエツチングするときに、配線金属層１３
を支える絶縁膜１２までもエツチングするおそれがある
。このため、この絶縁膜１２を窒化膜（Ｐ−ＳＩ Ｎ、
Ｓｌ ３ Ｎ４ ）あるいは５１０２膜で構成するこ
とが望ましい。
上記実施例にあっては、絶縁膜１２がエツチングされな
いようにするため、この絶縁膜１２の材料を選択するよ
うに説明したが、この絶縁膜１２を通常の材料で構成す
ることも勿論可能である。しかし、この場合には第３図
で示すように構成することが望ましい。
いようにするため、この絶縁膜１２の材料を選択するよ
うに説明したが、この絶縁膜１２を通常の材料で構成す
ることも勿論可能である。しかし、この場合には第３図
で示すように構成することが望ましい。
すなわち、この第３図で示す実施例にあっては、半導体
基板１１の表面に絶縁層１３を形成し、この絶縁層１２
の上に配線金属層１３を形成するものであるが、この金
属層１３を形成する工程の前に、この配線金属層１３の
特にポンディングパッド電極に対応する部分に、ストッ
パ層２０を形成する。このストッパ層２０は第１のパッ
シベーション膜１４１の開口部より充分に大きな面積で
形成されるもので、例えばＰｏ１）’ −３ｌ 、、Ｓ
ｔ ３ Ｎａ等の膜によってこのストッパ層２０が構成
される。
基板１１の表面に絶縁層１３を形成し、この絶縁層１２
の上に配線金属層１３を形成するものであるが、この金
属層１３を形成する工程の前に、この配線金属層１３の
特にポンディングパッド電極に対応する部分に、ストッ
パ層２０を形成する。このストッパ層２０は第１のパッ
シベーション膜１４１の開口部より充分に大きな面積で
形成されるもので、例えばＰｏ１）’ −３ｌ 、、Ｓ
ｔ ３ Ｎａ等の膜によってこのストッパ層２０が構成
される。
このストッパ層２０は、上記のような第１のパッシベー
ション膜１４１のエツチング時の保護膜として作用する
ばかりでなく、ＷＡＴ時の針の傷、ワイヤボンディング
時の衝撃に対する保護機構としても効果的に作用するよ
うになるものであり、高耐湿の半導体装置が得られるよ
うになるものである。
ション膜１４１のエツチング時の保護膜として作用する
ばかりでなく、ＷＡＴ時の針の傷、ワイヤボンディング
時の衝撃に対する保護機構としても効果的に作用するよ
うになるものであり、高耐湿の半導体装置が得られるよ
うになるものである。
［発明の効果コ
以上のようにこの発明に係る半導体装置にあ７ては、特
にボンディングワイヤの接続される配線金属層のポンデ
ィングパッド電極部が腐蝕から効果的に保護されるよう
になり、特に高湿度の状態で使用する場合のこの半導体
装置に寿命が向上され、その信頼性が著しく向上される
ものである。
にボンディングワイヤの接続される配線金属層のポンデ
ィングパッド電極部が腐蝕から効果的に保護されるよう
になり、特に高湿度の状態で使用する場合のこの半導体
装置に寿命が向上され、その信頼性が著しく向上される
ものである。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置の特にボ
ンディング部分を取出して示す断面構成図、第２図およ
び第３図はそれぞれこの発明の他の実施例を示す断面構
成図、第４図は従来の半導体装置を説明するための断面
構成図である。 １１−・・半導体基板、１２・・・絶縁膜、１３・・・
配線金属層、１４・・・パッシベーション膜、１４１．
１４２ 、・・・第１および第２のパッシベーション膜
、１５・・・ボンディング用開口、２０・・・ストッパ
層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 産業 １ｉ７１ 第 ２ 図 第３図 嬉４図
ンディング部分を取出して示す断面構成図、第２図およ
び第３図はそれぞれこの発明の他の実施例を示す断面構
成図、第４図は従来の半導体装置を説明するための断面
構成図である。 １１−・・半導体基板、１２・・・絶縁膜、１３・・・
配線金属層、１４・・・パッシベーション膜、１４１．
１４２ 、・・・第１および第２のパッシベーション膜
、１５・・・ボンディング用開口、２０・・・ストッパ
層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 産業 １ｉ７１ 第 ２ 図 第３図 嬉４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板の表面に形成される絶縁膜上に形成された金
属配線層と、 この金属配線層の電極接続領域部分に対応して開口が形
成されるように、上記半導体基板の絶縁膜上に形成され
た第１のパッシベーション膜と、この第１のパッシベー
ション膜の上記電極接続領域に対応する開口部の周囲部
分を閉じ込めるようにしてこの開口部内で上記電極接続
領域の金属電極層を露出させ、上記電極接続領域にワイ
ヤボンディグ用開口を形成させるように上記第１のパッ
シベーション膜に積層形成した第２のパッシベーション
膜と、 上記ワイヤボンディング用開口を介して上記金属電極層
の露出される電極接続領域にボンディング接続されるボ
ンディングワイヤとを具備し、上記第１のパッシベーシ
ョン膜はシリケートガラス層によって構成し、第２のパ
ッシベーション膜は窒化シリコンによって構成されるよ
うにし、上記第１のパッシベーション膜は、少なくとも
上記ワイヤボンディング用開口部分で露出されないよう
に第２のパッシベーション膜で被覆されるようにしたこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065941A JPH0648696B2 (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065941A JPH0648696B2 (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62224037A true JPS62224037A (ja) | 1987-10-02 |
| JPH0648696B2 JPH0648696B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=13301493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61065941A Expired - Lifetime JPH0648696B2 (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648696B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02294037A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-05 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
| KR960002734A (ko) * | 1994-06-15 | 1996-01-26 | 문정환 | 반도체 박막소자 |
| EP0831529A2 (en) * | 1996-09-10 | 1998-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2014192189A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795641A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5796542A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-15 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5891651A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-03-26 JP JP61065941A patent/JPH0648696B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795641A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5796542A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-15 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5891651A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH02294037A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-05 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
| KR960002734A (ko) * | 1994-06-15 | 1996-01-26 | 문정환 | 반도체 박막소자 |
| EP0831529A2 (en) * | 1996-09-10 | 1998-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| EP0831529A3 (en) * | 1996-09-10 | 2000-02-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6232656B1 (en) | 1996-09-10 | 2001-05-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor interconnect formed over an insulation and having moisture resistant material |
| KR100411782B1 (ko) * | 1996-09-10 | 2004-04-29 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체장치및그제조방법 |
| USRE39932E1 (en) * | 1996-09-10 | 2007-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor interconnect formed over an insulation and having moisture resistant material |
| USRE41980E1 (en) | 1996-09-10 | 2010-12-07 | Panasonic Corporation | Semiconductor interconnect formed over an insulation and having moisture resistant material |
| JP2014192189A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0648696B2 (ja) | 1994-06-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |