JP4704866B2

JP4704866B2 - 配線基板内蔵用コンデンサ及び配線基板

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Publication number: JP4704866B2
Application number: JP2005267592A
Authority: JP
Inventors: 洋山本; 寿毅関; 淳大塚; 学佐藤
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2005-09-14
Filing date: 2005-09-14
Publication date: 2011-06-22
Anticipated expiration: 2025-09-14
Also published as: JP2007081166A

Description

本発明は、配線基板内蔵用コンデンサ、及びこれを備えた配線基板に関する。

近年、集積回路技術の進歩によりますます半導体チップの動作が高速化している。それに伴い、電源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすことがある。そこで、半導体チップを搭載する配線基板の上面或いは下面にコンデンサを搭載して、ノイズの除去を図っている。

しかしながら、上記の手法では、配線基板の完成後に、別途コンデンサを搭載する必要があるため、プロセス数が多くなってしまう。また、配線基板にコンデンサを搭載する領域を予め確保する必要があり、他の電子部品の自由度を低下させてしまう。さらに、他の配線等に制限されることによりコンデンサと半導体チップとの配線距離が長くなり、配線抵抗やインダクタンスが大きくなってしまう。

このようなことから、配線基板にコンデンサを内蔵させる技術が提案されている。ここで、この技術におけるコンデンサの配置場所としては、コンデンサを半導体チップに近づけた方が配線抵抗やインダクタンスをより低減させることができることから、コア基板上に形成された絶縁層の内部が考えられている。

しかしながら、この場合、コンデンサと絶縁層との密着性を確保することが重要になるが、従来のコンデンサの表面及び裏面の大部分はセラミックが露出しているので、コンデンサと絶縁層との密着性が不十分となっている。その結果、デラミネーション等によりコンデンサと絶縁層との間に隙間ができてしまい、導通不良を引き起こすおそれがある。

なお、基板上に形成された絶縁層にコンデンサを内蔵させる技術が開示されているが、コンデンサと絶縁層との密着性、及びその密着性を向上させる手段については、何等開示されていない（例えば特許文献１参照）。
特開２００４−２２８１９０号公報

本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。即ち、配線基板に内蔵させた場合における導通不良を低減させることが可能な配線基板内蔵用コンデンサ、及びこの配線基板内蔵用コンデンサを内蔵した配線基板を提供することを目的とする。

本発明の一の態様によれば、セラミック材料で各々構成されて積層された複数の誘電体層と、互いに異なる前記誘電体層間に配置された複数の内部電極層と、前記誘電体層の積層方向に位置する第１の主面と、前記第１の主面と反対側の第２の主面とを有するコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の前記第１の主面に形成され、前記内部電極層と電気的に接続された第１の外部電極と、前記コンデンサ本体の前記第２の主面に形成され、前記内部電極層と電気的に接続された第２の外部電極と、前記コンデンサ本体の前記第１の主面に形成され、前記第１の外部電極から離間している第１のダミー電極と、前記コンデンサ本体の前記第２の主面に形成され、前記第２の外部電極から離間している第２のダミー電極と、を具備し、前記第１の外部電極の表面の面積と、前記第１のダミー電極の表面の面積との合計は、前記第１の主面の面積の４５％以上９０％以下であり、かつ前記第２の外部電極の表面の面積と、前記第２のダミー電極の表面の面積との合計は、前記第２の主面の面積の４５％以上９０％以下であり、また、前記第１及び第２の外部電極並びに前記第１及び第２のダミー電極は、Ｎｉを主成分とする導電性材料により構成され、かつこの導電性材料が、前記誘電体層を構成するセラミック材料と同じセラミック材料を含有し、さらに、前記第１及び第２の外部電極並びに前記第１及び第２のダミー電極の各表面上には、銅から構成されるめっき膜が形成され、かつこのめっき膜の表面が粗化されている、ことを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサが提供される。

本発明の他の態様によれば、セラミック材料で各々構成されて積層された複数の誘電体層と、互いに異なる前記誘電体層間に配置された複数の内部電極層と、前記誘電体層の積層方向に位置する第１の主面と、前記第１の主面と反対側の第２の主面とを有するコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の前記第１の主面に形成され、前記内部電極層と電気的に接続され、表面の面積が前記第１の主面の面積の４５％以上９０％以下である第１の外部電極と、前記コンデンサ本体の前記第２の主面に形成され、前記内部電極層と電気的に接続され、表面の面積が前記第２の主面の面積の４５％以上９０％以下である第２の外部電極と、を具備し、前記第１及び第２の外部電極は、Ｎｉを主成分とする導電性材料により構成され、かつこの導電性材料が、前記誘電体層を構成するセラミック材料と同じセラミック材料を含有し、さらに、前記第１及び第２の外部電極の各表面上には、銅から構成されるめっき膜が形成され、かつこのめっき膜の表面が粗化されている、ことを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサが提供される。

本発明の他の態様によれば、配線基板本体と、前記配線基板本体上に形成された複数の絶縁層と複数の配線層とが交互に形成されたビルドアップ層と、前記ビルドアップ層の内部に配置された請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板内蔵コンデンサとを具備することを特徴とする配線基板が提供される。

本発明の一の態様の配線基板内蔵用コンデンサによれば、配線基板内蔵用コンデンサの第１の主面に第１のダミー電極と、第２の主面に第２のダミー電極とが形成されているので、配線基板内蔵用コンデンサを配線基板に内蔵させた場合における導通不良を低減させ、配線基板の信頼性を向上させることができる。

本発明の他の態様の配線基板内蔵用コンデンサによれば、配線基板内蔵用コンデンサの第１の主面に表面の面積が第１の主面の面積の４５％以上９０％以下である第１の外部電極と、第２の主面に表面の面積が第２の主面の面積の４５％以上９０％以下である第２の外部電極とが形成されているので、配線基板内蔵用コンデンサを配線基板に内蔵させた場合における導通不良を低減させ、配線基板の信頼性を向上させることができる。

本発明の他の態様の配線基板によれば、本発明の一及び他の態様の配線基板内蔵用コンデンサを内蔵しているので、導通不良を低減させることができる。

（第１の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第１の実施の形態を説明する。図１は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図であり、図２は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な平面図であり、図３（ａ）及び図３（ｂ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な横断面図である。

図１〜図３（ｂ）に示される配線基板内蔵用コンデンサ１（以下、単に「コンデンサ」と称する。）は、直方体状に形成された積層コンデンサである。コンデンサ１は、コンデンサ１の中核を成すコンデンサ本体２を備えている。コンデンサ本体２は、上下方向に積層された複数のセラミック層３（誘電体層）と、セラミック層３間に配置された複数の内部電極層４，５とから構成されている。

セラミック層３は、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）のような高誘電率セラミック等のセラミック材料から構成されている。

内部電極層（第１内部電極）４と内部電極層（第２内部電極）５とは、セラミック層３の積層方向においてセラミック層３を介して交互に配置されている。内部電極層４と内部電極層５とはセラミック層３で電気的に絶縁されている。

内部電極層４，５の総数は例えば約１０層程度となっている。内部電極層４，５は主にＮｉ等の導電性材料から構成されているが、セラミック層３を構成するセラミック材料と同様のセラミック材料を含有していてもよい。内部電極層４，５の厚さは例えば２μｍ以下となっている。

コンデンサ本体２内には、誘電体層３の積層方向に位置した第１の主面２ａから第１の主面２ａの反対側の第２の主面２ｂにかけて、コンデンサ本体２を貫通したビア導体６，７が形成されている。

ビア導体６，７は、上面が後述する外部電極８に接続され、下面が後述する外部電極９に接続され、側面が内部電極層４，５に接続されている。なお、ビア導体６，７は、後述する図６に示されるように、外部電極９を貫通していてもよい。

ビア導体６，７は、主にＮｉ等の導電性材料から構成されているが、セラミック層３を構成するセラミック材料と同様のセラミック材料を含有している。このようなセラミック材料をそれぞれビア導体６，７に含ませることにより、セラミック層３とビア導体６，７との密着性を高めることができる。なお、ビア導体６，７にこのようなセラミック材料を含有させなくともよい。

ここで、図３（ａ）に示されるように内部電極層４にはビア導体（第２ビア導体）７が貫通する領域にクリアランスホール４ａが形成されており、内部電極層４とビア導体７とは電気的に絶縁されている。また、同様に図３（ｂ）に示されるように内部電極層５にはビア導体（第１ビア導体）６が貫通する領域にクリアランスホール５ａが形成されており、内部電極層５とビア導体６とは電気的に絶縁されている。

コンデンサ本体２の第１の主面２ａには少なくとも１以上の外部電極８（第１の外部電極）が形成されており、コンデンサ本体２の第２の主面２ｂには少なくとも１以上の外部電極９（第２の外部電極）が形成されている。外部電極８，９は、例えば電源供給用電極或いはグランド接続用電極として使用されるものである。外部電極８，９は、それぞれ、ビア導体６を介して内部電極層４に電気的に接続されているものと、ビア導体７を介して内部電極層５に電気的に接続されているものとがある。

外部電極８，９は、主にＮｉ等の導電性材料から構成されているが、セラミック層３を構成するセラミック材料と同様のセラミック材料を含有している。このようなセラミック材料をそれぞれ外部電極８，９に含ませることにより、セラミック層３と外部電極８，９の密着性を高めることができる。なお、外部電極８，９にこのようなセラミック材料を含有させなくともよい。

外部電極８，９の形状としては、特に限定されないが、例えば円形状、三角形状、四角形状、菱形状が挙げられる。外部電極８，９の厚さは例えば２０μｍ以下となっている。

また、コンデンサ本体２の第１の主面２ａには少なくとも１以上のダミー電極１０（第１のダミー電極）が形成されており、コンデンサ本体２の第２の主面２ｂには少なくとも１以上のダミー電極１１（第２のダミー電極）が形成されている。

ダミー電極１０，１１は、それぞれ外部電極８，９から離間しており、外部電極８，９とは電気的に接続されていない。ダミー電極１０とダミー電極１１は、ほぼ同一形状となっているとともに、セラミック層３の積層方向において対称となるように配置されている。なお、本実施の形態では、ダミー電極１０，１１は外部電極８，９を取り囲むような形状となっているが、ダミー電極１０，１１は形状は、特に限定されない。

外部電極８の表面の面積と、ダミー電極１０の表面の面積との合計は、第１の主面２ａの面積の４５％以上９０％以下となっていることが好ましく、６０％以上８０％以下となっていることがより好ましい。この範囲が好ましいとしたのは、４５％未満になると、コンデンサ１の表面におけるセラミック層３の露出面積が増えるので、コンデンサ１と後述する絶縁層４６との密着性を十分に向上させることができなく、また９０％を超えると、外部電極８とダミー電極１０との間隔が狭くなるので、外部電極８とダミー電極１０とが電気的に短絡してしまうおそれがあるからである。

ここで、第１の主面２ａに外部電極８が複数形成されている場合には、「外部電極８の表面の面積」とは、第１の主面２ａに形成されている全ての外部電極８の表面の面積を合計したものを意味し、また第１の主面２ａにダミー電極１０が複数形成されている場合には、上記「ダミー電極１０の表面の面積」とは、第１の主面２ａに形成されている全てのダミー電極１０の表面の面積を合計したもの意味する。

また、外部電極９の表面の面積と、ダミー電極１１の表面の面積との合計は、第２の主面２ｂの面積の４５％以上９０％以下となっていることが好ましく、６０％以上８０％以下となっていることがより好ましい。この範囲が好ましいとしたのは、上記と同様の理由からである。また、第２の主面２ｂに外部電極９及びダミー電極１１が複数形成されている場合における「外部電極９の表面の面積」及び「ダミー電極１１の表面の面積」の意味は、上記と同様である。

ダミー電極１０，１１は、主にＮｉ等の導電性材料から構成されているが、セラミック層３を構成するセラミック材料と同様のセラミック材料を含有している。このようなセラミック材料をそれぞれダミー電極１０，１１に含ませることにより、セラミック層３とダミー電極１０，１１の密着性を高めることができる。なお、ダミー電極１０，１１にこのようなセラミック材料を含有させなくともよい。また、ダミー電極１０，１１の厚さは、外部電極８，９の厚さ（例えば２０μｍ以下）とほぼ同じになっている。

外部電極８，９及びダミー電極１０，１１の表面上には、後述する絶縁層４４，４６との密着性を向上させるための第１のめっき膜（図示せず）が形成されている。第１のめっき膜は、外部電極８，９及びダミー電極１０，１１の酸化防止という機能をも有している。第１のめっき膜は例えばＡｕ、或いはＣｕ等の導電性材料から構成されており、また絶縁層４４，４６との密着性をより向上させるために第１のめっき膜の表面は粗化されている。

外部電極８，９と第１のめっき膜との間及びダミー電極１０，１１と第１のめっき膜との間には、外部電極８，９と第１のめっき膜及びダミー電極１０，１１と第１のめっき膜の密着性の低下を抑制するための第２のめっき膜（図示せず）が形成されている。詳細に説明すると、上記のように外部電極８，９及びダミー電極１０，１１にセラミック材料を含有させると、セラミック材料が外部電極８，９及びダミー電極１０，１１の表面に露出してしまい、外部電極８，９と第１のめっき膜との密着性及びダミー電極１０，１１と第１のめっき膜との密着性が低下するおそれがある。このようなことを抑制するために第２のめっき膜が形成されている。第２のめっき膜は、例えば、外部電極８，９及びダミー電極１０，１１の主成分である導電性材料と同様の導電性材料から構成されていることが好ましい。なお、セラミック材料を添加した外部端子８，９及びダミー電極１０，１１に直接めっき処理ができ、密着強度も高い場合には、上記第２のめっき膜を形成しなくてもよい。

コンデンサ１は、例えば、以下の手順により作製することが可能である。なお、本実施の形態では、複数のコンデンサ１を一度に作製するプロセスについて説明する。図４（ａ）及び図４（ｂ）は本実施の形態に係る内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートの側面図であり、図５（ａ）〜図５（ｃ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した断面図である。

まず、スクリーン印刷等により焼成後内部電極層４となる内部電極パターン２１が形成された焼成後セラミック層３となるセラミックグリーンシート２２（誘電体シート）と、スクリーン印刷等により焼成後内部電極層５となる内部電極パターン２３が形成された焼成後セラミック層３となるセラミックグリーンシート２４（誘電体シート）と複数枚用意する（図４（ａ）及び図４（ｂ））。内部電極パターン２１，２３には、クリアランスホール４ａ，５ａとなるクリアランスホール２１ａ，２３ａが形成されている。

これらのセラミックグリーンシート２２等を用意した後、内部電極パターン２１等が形成されていない所定枚のセラミックグリーンシートを積層して、カバー層２５を作製する。そして、カバー層２５上に内部電極パターン２１が形成されたセラミックグリーンシート２２と内部電極パターン２３が形成されたセラミックグリーンシート２４とを交互に積層し、さらにその上に同様の手順により形成したカバー層２５を積層する。その後、これらを加圧して、焼成後コンデンサ本体２となる積層体２６を形成する（図５（ａ））。

積層体２６を形成した後、積層体２６の第１の主面２６ａから第２の主面２６ｂにかけて貫通するビアホールを形成し、ビアホールに導電性ペーストを圧入して、焼成後ビア導体６，７となるビア導体ペースト２７，２８を形成する（図５（ｂ））。

その後、積層体２６の第１の主面２６ａ及び第２の主面２６ｂに、例えばスクリーン印刷等によりビア導体ペースト２７，２８に接続された焼成後外部電極８，９となる外部電極パターン２９，３０と、焼成後ダミー電極１０，１１となるダミー電極パターン３１，３２を形成する（図５（ｃ）））。

外部電極パターン２９，３０と、ダミー電極パターン３１，３２とは、別々の工程で形成してもよいが、効率の面から同じ導電性ペーストを使用して、同じ工程で形成することが好ましい。

外部電極パターン２９，３０及びダミー電極３１，３２を形成した後、これらを脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成する。この焼成により、セラミックグリーンシート２２等が焼結するとともに内部電極パターン２１等が焼結して、コンデンサ本体２が形成される。また、外部電極パターン２９，３０及びダミー電極パターン３１，３２等が焼結して、外部電極８，９及びダミー電極１０，１１等が形成される。

焼成後、外部電極８，９の表面及びダミー電極１０，１１の表面に例えば無電解めっき等により第２のめっき膜を形成し、さらに第２のめっき膜の表面に例えば無電解めっき等により第１のめっき膜を形成する。その後、第１のめっき膜の表面を例えば溶液等により粗化する。なお、セラミック材料を添加した外部端子８，９及びダミー電極１０，１１に直接めっき処理ができ、密着強度も高い場合には、上記第２のめっき膜を形成しなくともよい。

第１のめっき膜の表面を粗化した後、例えば切断機やレーザ等により隣り合うコンデンサ１を切り離す。これにより、図１に示されるコンデンサ１が複数作製される。

コンデンサ１は、配線基板に内蔵されて使用される。以下、コンデンサ１を内蔵した配線基板について説明する。図６は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサが内蔵された配線基板の模式的な縦断面図である。

図６に示される配線基板４０は、直方体状に形成されたオーガニック基板である。配線基板４０は、例えばセラミック粒子或いは繊維をフィラーとして強化された高分子材料を主体に構成されている。

配線基板４０は、配線基板４０の中核を成すコア基板４１（配線基板本体）を備えている。コア基板４１は、例えばガラス−エポキシ樹脂複合材料等から形成されたコア材４１ａ、及びコア材４１ａの両面に形成され、所望のパターンを有する例えばＣｕ等の配線層４１ｂ等から構成されている。

コア基板４１には、コア基板４１の上下方向に貫通した複数のスルーホールが形成されており、スルーホールには配線層４１ｂに電気的に接続されたスルーホール導体４１ｃが形成されている。

コア基板４１の表面側及びコア基板４１の裏面側には、ビルドアップ層４２，４３が形成されている。ビルドアップ層４２は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から構成された複数の絶縁層４４〜４７と、絶縁層４６，４７間等に形成され、例えばＣｕ等の導電性材料から構成された複数の配線層４８，４９とを備えている。ビルドアップ層４３は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から構成された複数の絶縁層５０〜５２と、絶縁層５０，５１間等に形成され、例えばＣｕ等の導電性材料から構成された複数の配線層５３，５４とを備えている。

コンデンサ１はコア基板４１上に形成されたビルドアップ層４２の内部、具体的には例えば絶縁層４５の厚み内に配置されており、外部電極８及びダミー電極１０は絶縁層４６に密着し、かつ外部電極９及びダミー電極１１は絶縁層４４に密着している。

コンデンサ１は、例えば次の手順により、ビルドアップ層４２の内部に配置することが可能である。まず、コア基板４１上に形成された絶縁層４４上に、外部電極８，９とダミー電極層１０，１１が形成されたコンデンサ本体２を配置する。その後、コンデンサ本体２上に絶縁層４５を配置し、これらを加熱しながら加圧する。これにより、コンデンサ本体２上の絶縁層４５がコンデンサ本体２の側方に流動して、絶縁層４５の厚み内にコンデンサ本体２が配置される。その後、配線層４１ｂの直上に、絶縁層４４，４５、コンデンサ本体２、外部電極８，９を貫通するようにビアホールを形成し、このビアホール内に配線層４１ｂに接続されたビア導体６，７を形成して、コンデンサ１を完成させる。この場合のビア導体６，７は例えば熱硬化後ビア導体６，７となるビアペースト、もしくはめっきを用いることにより形成することができる。さらにその後コンデンサ１上に絶縁膜４６を形成する。なお、配線基板４０に内蔵されたコンデンサ１と図１に示されるコンデンサ１とは若干構造が異なっているが、配線基板４０に図１に示されるコンデンサ１を内蔵させてもよい。

絶縁層４７の表面及び絶縁層５２の表面は、例えば感光性樹脂組成物等からなるソルダーレジスト５５，５６により覆われている。ソルダーレジスト５５，５６には開口が形成されており、開口から半導体チップ（図示せず）に電気的に接続するための端子５７及び例えば主基板（図示せず）等に接続するための端子５８が露出している。端子５７にはビア導体５９等を介して外部電極８及び配線層４１ｂ等が電気的に接続されており、端子５８にはビア導体６０を介して外部電極９及び配線層４１ｂ等が電気的に接続されている。

本実施の形態では、コンデンサ本体２の第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂ上にダミー電極１０，１１を形成しているので、コンデンサ１の表面及び裏面におけるセラミック層３の露出面積を低減させることができる。これにより、コンデンサ１と絶縁層４４，４６との密着性を向上させることができる。それ故、配線基板４０にコンデンサ１を内蔵させた場合における導通不良を低減させ、配線基板４０の信頼性を向上させることができる。なお、ダミー電極１０，１１を形成せずにセラミック層３の表面を粗化して、コンデンサ１と絶縁層４４，４６との密着性を向上させることも考えられるが、セラミック層３の粗化は困難である。また、セラミック層３は極めて薄いのでセラミック層３を粗化すると、セラミック層３の破壊され、内部電極層４，５が露出してしまうおそれがある。

コンデンサの厚さが極めて薄い場合、コンデンサの機械的強度が低下するとともに焼成によりコンデンサに反りやうねりが発生してしまうおそれがある。これに対し、本実施の形態では、第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂにダミー電極１０，１１を形成しているので、コンデンサ１の機械的強度を向上させることができるとともに焼成によりコンデンサ１に発生する反りやうねりを低減させることができる。

本実施の形態では、ダミー電極１０とダミー電極１１とがほぼ同一形状となっているとともに、セラミック層３の積層方向において対称となるように配置されているので、焼成によりコンデンサ１に発生する反りやうねりをより抑制することができる。また、ダミー電極１０，１１を形成することにより、セラミック層３と外部電極８，９の隙間部分への絶縁層４５の流れ込みによる凹みを改善することができる。

本実施の形態では、コア基板４１上に形成されたビルドアップ層４２の内部にコンデンサ１を配置しているので、コンデンサ１と半導体チップとの距離をより短くすることができる。これにより、配線抵抗やインダクタンスをより低減させることができる。

（第２の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第２の実施の形態を説明する。本実施の形態では、外部電極８の表面の面積を第１の主面２ａの面積の４５％以上９０％以下とするとともに外部電極９の表面の面積を第２の主面２ｂの面積の４５％以上９０％以下とした例について説明する。なお、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号が付してあるとともに、第１の実施の形態で説明した内容と重複する内容については下記以外省略する。図７は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図であり、図８は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な平面図である。

図７及び図８に示されるように本実施の形態においては、ダミー電極１０，１１が形成されておらず、外部電極８の表面の面積が第１の主面２ａの面積の４５％以上９０％以下となっており、外部電極９の表面の面積が、第２の主面２ｂの面積の４５％以上９０％以下となっている。

ここで、外部電極８，９の表面の面積をこのような範囲にしたのは、第１の実施の形態における外部電極８の表面の面積とダミー電極１０の表面の面積との合計を第１の主面２ａの面積の４５％以上９０％以下とした理由と同様の理由からである。また、外部電極８，９が複数形成されている場合における「外部電極８，９の表面の面積」の意味は、第１の実施の形態と同様である。

外部電極８の表面の面積は、第１の主面２ａの面積の６０％以上８０％以下が好ましく、外部電極９の表面の面積は、第２の主面２ｂの面積の６０％以上８０％以下が好ましい。外部電極８と外部電極９とはほぼ同一形状となっているとともに、セラミック層３の積層方向において対称となるように配置されている。

本実施の形態では、第１の主面２ａにこのような大きさの外部電極８を形成し、かつ第２の主面２ｂにこのような大きさの外部電極９を形成しているので、第１の実施の形態と同様に、コンデンサ１と絶縁層４４，４６との密着性を向上させることができる。それ故、配線基板４０にコンデンサ１を内蔵させた場合における導通不良を低減させ、配線基板４０の信頼性を向上させることができる。

本実施の形態では、このような大きさの外部電極８，９を形成しているので、第１の実施の形態と同様に、コンデンサ１の機械的強度を向上させることができるとともに焼成によりコンデンサ１に発生する反りやうねりを低減させることができる。さらに、外部電極８と外部電極９とはほぼ同一形状となっているとともに、セラミック層３の積層方向において対称となるように配置されているので、第１の実施の形態と同様に、焼成によりコンデンサ１に発生する反りやうねりをより抑制することができる。

本実施の形態では、このような大きさの外部電極８，９を形成しているので、ビア導体６，７の位置が予定位置から多少ずれた場合であっても、確実にビア導体６，７を外部電極８，９に接続することができる。

本発明は上記実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。

第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図である。第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な平面図である。（ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な横断面図である。（ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートの側面図である。（ａ）〜（ｃ）は第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した断面図である。第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサが内蔵された配線基板の模式的な縦断面図である。第２の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図である。第２の本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な平面図である。

符号の説明

１…コンデンサ、３…セラミック層、４，５…内部電極層、８，９…外部電極、１０，１１…ダミー電極、４０…配線基板、４１…コア基板、４２，４３…ビルドアップ層、４４〜４７，５０〜５２…絶縁層。

Claims

セラミック材料で各々構成されて積層された複数の誘電体層と、互いに異なる前記誘電体層間に配置された複数の内部電極層と、前記誘電体層の積層方向に位置する第１の主面と、前記第１の主面と反対側の第２の主面とを有するコンデンサ本体と、
前記コンデンサ本体の前記第１の主面に形成され、前記内部電極層と電気的に接続された第１の外部電極と、
前記コンデンサ本体の前記第２の主面に形成され、前記内部電極層と電気的に接続された第２の外部電極と、
前記コンデンサ本体の前記第１の主面に形成され、前記第１の外部電極から離間している第１のダミー電極と、
前記コンデンサ本体の前記第２の主面に形成され、前記第２の外部電極から離間している第２のダミー電極と、を具備し、
前記第１の外部電極の表面の面積と、前記第１のダミー電極の表面の面積との合計は、前記第１の主面の面積の４５％以上９０％以下であり、かつ前記第２の外部電極の表面の面積と、前記第２のダミー電極の表面の面積との合計は、前記第２の主面の面積の４５％以上９０％以下であり、
また、前記第１及び第２の外部電極並びに前記第１及び第２のダミー電極は、Ｎｉを主成分とする導電性材料により構成され、かつこの導電性材料が、前記誘電体層を構成するセラミック材料と同じセラミック材料を含有し、
さらに、前記第１及び第２の外部電極並びに前記第１及び第２のダミー電極の各表面上には、銅から構成されるめっき膜が形成され、かつこのめっき膜の表面が粗化されている、
ことを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。
前記第１のダミー電極の形状と前記第２のダミー電極の形状とはほぼ同一となっており、前記第１のダミー電極と前記第２のダミー電極とは前記積層方向において対称となるように配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
セラミック材料で各々構成されて積層された複数の誘電体層と、互いに異なる前記誘電体層間に配置された複数の内部電極層と、前記誘電体層の積層方向に位置する第１の主面と、前記第１の主面と反対側の第２の主面とを有するコンデンサ本体と、
前記コンデンサ本体の前記第１の主面に形成され、前記内部電極層と電気的に接続され、表面の面積が前記第１の主面の面積の４５％以上９０％以下である第１の外部電極と、
前記コンデンサ本体の前記第２の主面に形成され、前記内部電極層と電気的に接続され、表面の面積が前記第２の主面の面積の４５％以上９０％以下である第２の外部電極と、を具備し、
前記第１及び第２の外部電極は、Ｎｉを主成分とする導電性材料により構成され、かつこの導電性材料が、前記誘電体層を構成するセラミック材料と同じセラミック材料を含有し、
さらに、前記第１及び第２の外部電極の各表面上には、銅から構成されるめっき膜が形成され、かつこのめっき膜の表面が粗化されている、
ことを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。
前記第１の外部電極の形状と前記第２の外部電極の形状とはほぼ同一となっており、前記第１の外部電極と前記第２の外部電極とは前記積層方向において対称となるように配置されている
ことを特徴とする請求項３記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
配線基板本体と、
前記配線基板本体上に形成された複数の絶縁層と複数の配線層とが交互に形成されたビルドアップ層と、
前記ビルドアップ層の内部に配置された請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板内蔵コンデンサと
を具備することを特徴とする配線基板。
前記配線基板内蔵コンデンサは前記絶縁層の厚み内に配置されていることを特徴とする請求項５記載の配線基板。