JPH0590814A - 誘電体共振器の電極形成方法 - Google Patents
誘電体共振器の電極形成方法Info
- Publication number
- JPH0590814A JPH0590814A JP27358191A JP27358191A JPH0590814A JP H0590814 A JPH0590814 A JP H0590814A JP 27358191 A JP27358191 A JP 27358191A JP 27358191 A JP27358191 A JP 27358191A JP H0590814 A JPH0590814 A JP H0590814A
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- JP
- Japan
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- copper film
- plating
- dielectric resonator
- electrode
- nickel
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- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐候性、安定性及び信頼性に優れた誘電体共
振器の電極の形成方法を提供する。 【構成】 誘電体セラミックス上に無電解メッキにより
銅皮膜を形成する。酸素分圧が10 -20ppm 〜10 -4ppmで
ある、窒素と水素との混合ガス雰囲気中にて前記銅皮膜
を500 ℃〜700 ℃で熱処理した後、ニッケル系メッキ及
び／または金メッキを施して電極とすることを特徴とす
る誘電体共振器の電極形成法であり、これにより、耐候
性、信頼性に優れ電極特性の劣化がない誘電体共振器の
電極を形成することができる。
振器の電極の形成方法を提供する。 【構成】 誘電体セラミックス上に無電解メッキにより
銅皮膜を形成する。酸素分圧が10 -20ppm 〜10 -4ppmで
ある、窒素と水素との混合ガス雰囲気中にて前記銅皮膜
を500 ℃〜700 ℃で熱処理した後、ニッケル系メッキ及
び／または金メッキを施して電極とすることを特徴とす
る誘電体共振器の電極形成法であり、これにより、耐候
性、信頼性に優れ電極特性の劣化がない誘電体共振器の
電極を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は自動車用電話、通信衛生
放送などの回路素子として用いられるマイクロ波用の誘
電体共振器の電極形成方法に関するものである。
放送などの回路素子として用いられるマイクロ波用の誘
電体共振器の電極形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロ波用の誘電体共振器には
円筒状等の誘電体の内周面、外周面に電極を形成して内
導体、外導体を有する誘電体同軸ＴＥＭ共振器が実用化
されている。また、誘電体基板に導体線を有するストリ
ップライン型誘電体に電極を形成した形のもの（フィル
ター）がある。
円筒状等の誘電体の内周面、外周面に電極を形成して内
導体、外導体を有する誘電体同軸ＴＥＭ共振器が実用化
されている。また、誘電体基板に導体線を有するストリ
ップライン型誘電体に電極を形成した形のもの（フィル
ター）がある。
【０００３】従来、誘電体共振器の電極は、銀系の電極
ペーストを筆塗り、ローラ印刷またはスクリーン印刷に
より塗布し、焼き付けて膜状の電極を形成する方法が一
般に適用されていた。銀系の電極ペーストは銀粉末にガ
ラスフリット、有機バインダ及び溶剤の混合物で、この
ガラスフリットが熱処理により溶融し誘電体表面に銀を
固着させるものである。しかしながらこのようなペース
トの塗布による方法では塗りむらが起こるばかりでな
く、ガラスフリットの混入により導電率を低下させ品質
係数Ｑが低下する。導電率の向上を狙ってガラスフリッ
トの量を少なくすると誘電体への電極膜の密着強度が低
下するという問題が生じる。
ペーストを筆塗り、ローラ印刷またはスクリーン印刷に
より塗布し、焼き付けて膜状の電極を形成する方法が一
般に適用されていた。銀系の電極ペーストは銀粉末にガ
ラスフリット、有機バインダ及び溶剤の混合物で、この
ガラスフリットが熱処理により溶融し誘電体表面に銀を
固着させるものである。しかしながらこのようなペース
トの塗布による方法では塗りむらが起こるばかりでな
く、ガラスフリットの混入により導電率を低下させ品質
係数Ｑが低下する。導電率の向上を狙ってガラスフリッ
トの量を少なくすると誘電体への電極膜の密着強度が低
下するという問題が生じる。
【０００４】銀系の電極ペーストを用いない方法として
銅などを無電界メッキ法により形成する方法が行なわれ
ている。特に無電解メッキにより銅電極を形成したのち
不活性ガス雰囲気中で熱処理する事により銅電極の密着
強度及び電極の品質係数Ｑを改善する方法が提案されて
いる（特公昭63-25723号公報）。さらに、銅電極の熱処
理を微量酸素を含む窒素と水素よりなる混合ガス中で行
なうことにより、品質係数Ｑを向上する方法が提案され
ている（特開平2-130002号）。
銅などを無電界メッキ法により形成する方法が行なわれ
ている。特に無電解メッキにより銅電極を形成したのち
不活性ガス雰囲気中で熱処理する事により銅電極の密着
強度及び電極の品質係数Ｑを改善する方法が提案されて
いる（特公昭63-25723号公報）。さらに、銅電極の熱処
理を微量酸素を含む窒素と水素よりなる混合ガス中で行
なうことにより、品質係数Ｑを向上する方法が提案され
ている（特開平2-130002号）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た電極の形成方法では品質係数Ｑは向上するものの高温
での放置や湿度の高い使用条件下での耐候性に問題があ
った。本発明は上記問題点を解決するためになされたも
のであり、耐候性に優れ品質係数Ｑなどの電極特性の劣
化を防止し安定性及び信頼性に優れた誘電体共振器の電
極形成法を提供することを目的とするものである。
た電極の形成方法では品質係数Ｑは向上するものの高温
での放置や湿度の高い使用条件下での耐候性に問題があ
った。本発明は上記問題点を解決するためになされたも
のであり、耐候性に優れ品質係数Ｑなどの電極特性の劣
化を防止し安定性及び信頼性に優れた誘電体共振器の電
極形成法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の誘電
体共振器の電極形成方法は、誘電体セラミックス上に無
電解メッキにより銅皮膜を形成し、酸素分圧が10-20ppm
〜10-4ppm である、窒素と水素の混合ガス雰囲気中に
て、前記銅皮膜を500 ℃〜700 ℃で熱処理した後、ニッ
ケル系メッキ及び／または金メッキを施して電極とする
ことを特徴とするものである。
体共振器の電極形成方法は、誘電体セラミックス上に無
電解メッキにより銅皮膜を形成し、酸素分圧が10-20ppm
〜10-4ppm である、窒素と水素の混合ガス雰囲気中に
て、前記銅皮膜を500 ℃〜700 ℃で熱処理した後、ニッ
ケル系メッキ及び／または金メッキを施して電極とする
ことを特徴とするものである。
【０００７】以下、本発明についてさらに詳細に説明す
る。銅皮膜を形成する無電解メッキは、一般的な方法で
特に特徴はなく、市販のメッキ液を用いた方法などで行
なうことができる。本発明の銅皮膜の熱処理に用いる雰
囲気を酸素分圧が10-20ppm〜10-4ppm である、窒素と水
素の混合ガス雰囲気中に限定した理由は、酸素分圧が10
-20ppmより低いか、または10-4ppm より高い酸素分圧で
はいずれの場合も品質係数Ｑが低下し好ましくないから
である。銅皮膜の熱処理温度は500 ℃〜700 ℃であり、
500 ℃より低い温度範囲では焼き付けが不十分でセラミ
ックスと銅皮膜との密着が悪く、一方700℃より高い温
度では品質係数Ｑが低下し好ましくない。これは、銅が
セラミックス内部に拡散するためと考えられる。
る。銅皮膜を形成する無電解メッキは、一般的な方法で
特に特徴はなく、市販のメッキ液を用いた方法などで行
なうことができる。本発明の銅皮膜の熱処理に用いる雰
囲気を酸素分圧が10-20ppm〜10-4ppm である、窒素と水
素の混合ガス雰囲気中に限定した理由は、酸素分圧が10
-20ppmより低いか、または10-4ppm より高い酸素分圧で
はいずれの場合も品質係数Ｑが低下し好ましくないから
である。銅皮膜の熱処理温度は500 ℃〜700 ℃であり、
500 ℃より低い温度範囲では焼き付けが不十分でセラミ
ックスと銅皮膜との密着が悪く、一方700℃より高い温
度では品質係数Ｑが低下し好ましくない。これは、銅が
セラミックス内部に拡散するためと考えられる。
【０００８】銅皮膜に施すニッケル系メッキの方法とし
ては、電解メッキ法または無電解メッキ法がある。ニッ
ケル系メッキの種類としてはニッケル単独のものをはじ
めニッケル−リン系、ニッケル−ボロン系などが挙げら
れる。ニッケル系メッキの皮膜の厚みは1 〜5 μm 程度
が耐候性向上に好ましい。数10μm 以上に厚くメッキを
施すことは経済的でない。
ては、電解メッキ法または無電解メッキ法がある。ニッ
ケル系メッキの種類としてはニッケル単独のものをはじ
めニッケル−リン系、ニッケル−ボロン系などが挙げら
れる。ニッケル系メッキの皮膜の厚みは1 〜5 μm 程度
が耐候性向上に好ましい。数10μm 以上に厚くメッキを
施すことは経済的でない。
【０００９】金メッキの方法としては、電解メッキ法ま
たは無電解メッキ法がある。金メッキの皮膜の厚みは0.
01〜1 μm 程度が好ましい。
たは無電解メッキ法がある。金メッキの皮膜の厚みは0.
01〜1 μm 程度が好ましい。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。
する。
【００１１】［実施例１〜７］以下の実施例及び比較例
はBaO-R2O3-TiO2 （R ：稀土類元素）系マイクロ波用誘
電体材料の焼結体を内径7.02 mm 、外径2.12 mm 、高さ
8.74 mm の円筒状に加工した誘電体共振器用セラミック
ス素体を用いて行なった。このセラミクッス素体に無電
解メッキにより銅皮膜を形成し、これを表１に示す酸素
分圧を有する、窒素と水素より成る混合ガス雰囲気中
で、表１に示す温度にて熱処理して銅電極を形成した。
これにニッケルメッキを電解メッキ法により皮膜厚が約
３μm となるように施した。誘電体共振器を構成するた
め図１に示すように円筒の片端面の電極を研削により除
去した（図中の開放端面５）。この共振器の品質係数Ｑ
は、横河ヒューレットパッカード社製ネットワークアナ
ライザー8720B を用いて透過電力特性の測定から算出し
た。耐候性の評価には、250 ℃の空気中にて24時間放置
し、放置後の品質係数Ｑの変化を測定することにより行
なった。その耐候試験前後の品質係数Ｑの減少率を表１
に示す。
はBaO-R2O3-TiO2 （R ：稀土類元素）系マイクロ波用誘
電体材料の焼結体を内径7.02 mm 、外径2.12 mm 、高さ
8.74 mm の円筒状に加工した誘電体共振器用セラミック
ス素体を用いて行なった。このセラミクッス素体に無電
解メッキにより銅皮膜を形成し、これを表１に示す酸素
分圧を有する、窒素と水素より成る混合ガス雰囲気中
で、表１に示す温度にて熱処理して銅電極を形成した。
これにニッケルメッキを電解メッキ法により皮膜厚が約
３μm となるように施した。誘電体共振器を構成するた
め図１に示すように円筒の片端面の電極を研削により除
去した（図中の開放端面５）。この共振器の品質係数Ｑ
は、横河ヒューレットパッカード社製ネットワークアナ
ライザー8720B を用いて透過電力特性の測定から算出し
た。耐候性の評価には、250 ℃の空気中にて24時間放置
し、放置後の品質係数Ｑの変化を測定することにより行
なった。その耐候試験前後の品質係数Ｑの減少率を表１
に示す。
【００１２】［比較例１〜４］表１に示すように銅皮膜
を形成する際の酸素分圧及び熱処理温度を変えた以外
は、実施例１〜７と同様の工程を施し、得られた共振器
を評価した。その結果を表１に示す。実施例と比較して
品質係数Ｑが低いことがわかる。
を形成する際の酸素分圧及び熱処理温度を変えた以外
は、実施例１〜７と同様の工程を施し、得られた共振器
を評価した。その結果を表１に示す。実施例と比較して
品質係数Ｑが低いことがわかる。
【００１３】［比較例５］上記実施例３においてニッケ
ルメッキを行なわなかった以外は、実施例同様に評価し
た。評価結果を表１に示す。耐候性試験の結果、品質係
数Ｑが１５％低下したのが認められた。
ルメッキを行なわなかった以外は、実施例同様に評価し
た。評価結果を表１に示す。耐候性試験の結果、品質係
数Ｑが１５％低下したのが認められた。
【００１４】［実施例８〜１０］上記実施例においてニ
ッケルメッキの代わりに金メッキを電解メッキ法によ
り、皮膜厚約１μm となるように施した。これらの結果
を表１に示した。これらの場合にも実施例１〜７と同様
の良結果が得られた。
ッケルメッキの代わりに金メッキを電解メッキ法によ
り、皮膜厚約１μm となるように施した。これらの結果
を表１に示した。これらの場合にも実施例１〜７と同様
の良結果が得られた。
【００１５】［実施例１１〜１４］実施例１〜７におい
てニッケルメッキを施した後、さらに金メッキを電解メ
ッキ法により皮膜厚約１μm となるように施した。これ
らの場合にも表１に示すように良結果が得られた。
てニッケルメッキを施した後、さらに金メッキを電解メ
ッキ法により皮膜厚約１μm となるように施した。これ
らの場合にも表１に示すように良結果が得られた。
【００１６】
【発明の効果】本発明の方法によれば、高温での放置や
湿度の高い使用条件下でも耐候性に優れ、かつ品質係数
Ｑなどの電極特性の劣化がなく、安定性及び信頼性に優
れた誘電体共振器の電極を形成することができる。
湿度の高い使用条件下でも耐候性に優れ、かつ品質係数
Ｑなどの電極特性の劣化がなく、安定性及び信頼性に優
れた誘電体共振器の電極を形成することができる。
【図１】電極が形成された誘電体共振器の斜視図であ
る。
る。
１： 短絡端面 ２： 貫通孔 ３： 内周面電極 ４： 外周面電極 ５： 開放端面
【表１】
【手続補正書】
【提出日】平成４年４月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】 ［実施例１〜７］以下の実施例及び比較
例はBaO-R2O3-TiO2 （R ：稀土類元素）系マイクロ波用
誘電体材料の焼結体を外形7.02 mm 、内径2.12 mm 、高
さ8.74 mm の円筒状に加工した誘電体共振器用セラミッ
クス素体を用いて行なった。このセラミクッス素体に無
電解メッキにより銅皮膜を形成し、これを表１に示す酸
素分圧を有する、窒素と水素より成る混合ガス雰囲気中
で、表１に示す温度にて熱処理して銅電極を形成した。
これにニッケルメッキを電解メッキ法により皮膜厚が約
３μm となるように施した。誘電体共振器を構成するた
め図１に示すように円筒の片端面の電極を研削により除
去した（図中の開放端面５）。この共振器の品質係数Ｑ
は、横河ヒューレットパッカード社製ネットワークアナ
ライザー8720B を用いて透過電力特性の測定から算出し
た。耐候性の評価には、250 ℃の空気中にて24時間放置
し、放置後の品質係数Ｑの変化を測定することにより行
なった。その耐候試験前後の品質係数Ｑの減少率を表１
に示す。
例はBaO-R2O3-TiO2 （R ：稀土類元素）系マイクロ波用
誘電体材料の焼結体を外形7.02 mm 、内径2.12 mm 、高
さ8.74 mm の円筒状に加工した誘電体共振器用セラミッ
クス素体を用いて行なった。このセラミクッス素体に無
電解メッキにより銅皮膜を形成し、これを表１に示す酸
素分圧を有する、窒素と水素より成る混合ガス雰囲気中
で、表１に示す温度にて熱処理して銅電極を形成した。
これにニッケルメッキを電解メッキ法により皮膜厚が約
３μm となるように施した。誘電体共振器を構成するた
め図１に示すように円筒の片端面の電極を研削により除
去した（図中の開放端面５）。この共振器の品質係数Ｑ
は、横河ヒューレットパッカード社製ネットワークアナ
ライザー8720B を用いて透過電力特性の測定から算出し
た。耐候性の評価には、250 ℃の空気中にて24時間放置
し、放置後の品質係数Ｑの変化を測定することにより行
なった。その耐候試験前後の品質係数Ｑの減少率を表１
に示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 蔭山 俊之 東京都町田市旭町３丁目５番１号 電気化 学工業株式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体セラミックス上に無電解メッキに
より銅皮膜を形成し、酸素分圧が10-20ppm〜10-4ppm で
ある、窒素と水素の混合ガス雰囲気中にて、前記銅皮膜
を500 ℃〜700 ℃で熱処理した後、ニッケル系メッキ及
び／または金メッキを施して電極とすることを特徴とす
る誘電体共振器の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27358191A JPH0590814A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 誘電体共振器の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27358191A JPH0590814A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 誘電体共振器の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590814A true JPH0590814A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17529796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27358191A Pending JPH0590814A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 誘電体共振器の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590814A (ja) |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP27358191A patent/JPH0590814A/ja active Pending
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