JP2015039014A

JP2015039014A - 積層セラミックコンデンサ

Info

Publication number: JP2015039014A
Application number: JP2014205523A
Authority: JP
Inventors: 悟松野; Satoru Matsuno
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2014-10-06
Filing date: 2014-10-06
Publication date: 2015-02-26

Abstract

【課題】接合抵抗が低くかつ優れたシール性を有し、更に、めっき付き性が良好な外部電極を備えた積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】セラミック素体１０は、セラミック層１３と、セラミック層１３間の複数の界面にセラミック層１３を介して互いに対向するように配設されている内部電極１１，１２とで構成された積層構造である。外部電極１５，１６は、内部電極１１に接続するようにセラミック素体１０の端部に設けられている。外部電極１５，１６は、焼き付けられて形成された焼成電極である。外部電極（焼成電極）１５，１６は、第１層２３と、第１層２３の上に配設された第２層２５とを有し、第１層２３はＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスを含み、第２層２５はＢ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスを含み、第２層２５のガラス組成中のＳｉ含有比率が、第１層２３のガラス組成中のＳｉ含有比率より低い。【選択図】図２

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。

一般に、特許文献１などに記載された積層セラミックコンデンサは、内部電極と外部電極との接合抵抗が低いことが好ましい。そして、低い接合抵抗を得るためには、外部電極は、金属占有率が高く、外部電極の材料組成を焼結が進む組成であることが必要である。

特開２０１３−２０１４１７号公報

しかしながら、外部電極の金属占有率を高くし、外部電極の材料組成を焼結が進む組成にすると、外部電極のシール性を確保することが困難になる。

また、外部電極のシール性を確保しようとすると、外部電極を緻密な膜にする必要がある。そうすると、外部電極の表面にガラスが浮くようになり、外部電極の表面に浮いたガラスによって、外部電極の表面をめっき処理する際に、めっき付き性が悪化するという問題が発生する。

それゆえに、本発明の目的は、接合抵抗が低くかつ優れたシール性を有し、更に、めっき付き性が良好な外部電極を備えた積層セラミックコンデンサを提供することである。

本発明の積層セラミックコンデンサは、
セラミック層と、セラミック層間の複数の界面にセラミック層を介して互いに対向するように配設されている第１内部電極および第２内部電極とで構成された、互いに対向する第１主面および第２主面と、互いに対向する第１側面および第２側面と、互いに対向する第１端面および第２端面とを有する積層構造のセラミック素体と、
第１内部電極に接続するようにセラミック素体の第１端面に設けられ、セラミック素体の第１主面および第２主面と第１側面および第２側面とに延在している折り返し部を有する第１外部電極と、
第２内部電極に接続するようにセラミック素体の第２端面に設けられ、セラミック素体の第１主面および第２主面と第１側面および第２側面とに延在している折り返し部を有する第２外部電極と、を備え、
第１外部電極および第２外部電極は、それぞれ、焼き付けられて形成された焼成電極であり、
焼成電極は、第１層と、第１層の上に配設された第２層とを有し、第１層はＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスを含み、第２層はＢ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスを含み、第２層のガラス組成中のＳｉ含有比率が、第１層のガラス組成中のＳｉ含有比率より低いこと、
を特徴とする、積層セラミックコンデンサである。

また、本発明の積層セラミックコンデンサは、
セラミック層と、セラミック層間の複数の界面にセラミック層を介して互いに対向するように配設されている第１内部電極および第２内部電極とで構成された、互いに対向する第１主面および第２主面と、互いに対向する第１側面および第２側面と、互いに対向する第１端面および第２端面とを有する積層構造のセラミック素体と、
第１内部電極に接続するようにセラミック素体の第１端面に設けられ、セラミック素体の第１主面および第２主面と第１側面および第２側面とに延在している折り返し部を有する第１外部電極と、
第１内部電極に接続するようにセラミック素体の第２端面に設けられ、セラミック素体の第１主面および第２主面と第１側面および第２側面とに延在している折り返し部を有する第２外部電極と、
第２内部電極に接続するようにセラミック素体の第１側面に設けられ、セラミック素体の第１主面および第２主面に延在している折り返し部を有する第３外部電極と、
第２内部電極に接続するようにセラミック素体の第２側面に設けられ、セラミック素体の第１主面および第２主面に延在している折り返し部を有する第４外部電極と、を備え、
第１外部電極、第２外部電極、第３外部電極および第４外部電極は、それぞれ、焼き付けられて形成された焼成電極であり、
焼成電極は、第１層と、第１層の上に配設された第２層とを有し、第１層はＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスを含み、第２層はＢ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスを含み、第２層のガラス組成中のＳｉ含有比率が、第１層のガラス組成中のＳｉ含有比率より低いこと、
を特徴とする、積層セラミックコンデンサである。
なお、第１層と第２層との間にガラス接着層が配設されていてもよい。

本発明では、第１層のガラス組成中のＳｉ含有比率が多いため、第１層は高温でのガラス粘度が高く、内部電極との接合を阻害しない。従って、外部電極と内部電極との接合性が良好となり、接合抵抗が低くなる。また、第２層のガラス組成中のＳｉ含有比率が少ないため、第２層は高温でのガラス粘度が低い。従って、第２層の緻密化が促進され、第２層は良好な緻密性（シール性）とめっき付き性が得られる。

本発明によれば、接合抵抗が低くかつ優れたシール性を有し、更に、めっき付き性が良好な外部電極を備えた積層セラミックコンデンサを得ることができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの第１の実施の形態を示す外観斜視図である。図１のＩＩ−ＩＩにおける断面図である。図１のＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。外部電極（焼成電極）を模式的に説明するための説明図である。積層セラミックコンデンサの製造方法の一例を示すフローチャートである。本発明に係る積層セラミックコンデンサの第２の実施の形態を示す外観斜視図である。図６のＶＩＩ−ＶＩＩにおける断面図である。

（第１の実施の形態）
１．積層セラミックコンデンサ
図１は、第１の実施の形態の積層セラミックコンデンサ１を示す外観斜視図である。図２は図１のＩＩ−ＩＩにおける断面図であり、図３は図１のＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。

（ａ）セラミック素体
積層セラミックコンデンサ１は、略直方体状のセラミック素体１０を含む。セラミック素体１０は、複数の積層された第１内部電極１１と第２内部電極１２とセラミック層１３とを含む。セラミック素体１０は、互いに対向する第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂと、互いに対向する第１端面１０ｃおよび第２端面１０ｄと、互いに対向する第１側面１０ｅおよび第２側面１０ｆとを有する。

第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗに沿って延在している。第１端面１０ｃおよび第２端面１０ｄは、それぞれ、幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔに沿って延在している。第１側面１０ｅおよび第２側面１０ｆは、それぞれ、長さ方向Ｌおよび厚み方向Ｔに沿って延在している。
したがって、長さ方向Ｌとは、第１端面１０ｃおよび第２端面１０ｄ同士を結んだ方向であり、幅方向Ｗとは第１側面１０ｅおよび第２側面１０ｆ同士を結んだ方向であり、厚み方向Ｔとは第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂ同士を結んだ方向である。

セラミック素体１０は、コーナー部および稜部が平面状または曲面状に面取りされていることが好ましい。また、主面１０ａ，１０ｂや側面１０ｅ，１０ｆには、凹凸が設けられていてもよい。

セラミック素体１０のセラミック層１３は、誘電体セラミック材料により形成することができる。セラミック層１３の誘電体セラミック材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ＣａＺｒＯ₃などの主成分からなる誘電体セラミックを用いることができる。また、所望する積層セラミックコンデンサ１の特性に応じて、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。

セラミック素体１０の第１内部電極１１と第２内部電極１２の対向部が、誘電体セラミック材料からなるセラミック層１３を介して対向することにより静電容量が形成されている。これにより、積層セラミックコンデンサ１は、コンデンサとして機能する。

セラミック素体１０の内部には、略矩形状の複数の第１内部電極１１および第２内部電極１２が、セラミック素体１０の厚みＴの方向に沿って等間隔に交互に配置されている。

図２に示すように、第１内部電極１１は、一方の引出部がセラミック素体１０の第１端面１０ｃに延びて露出するように形成されており、他方の引出部が第２端面１０ｄに延びて露出するように形成されている。第１内部電極１１は、第１側面１０ｅおよび第２側面１０ｆには露出していない。

図３に示すように、第２内部電極１２は、一方の引出部がセラミック素体１０の第１側面１０ｅに延びて露出するように形成されており、他方の引出部が第２側面１０ｆに延びて露出するように形成されている。第２内部電極１２は、第１端面１０ｃおよび第２端面１０ｄには露出していない。

さらに、第１内部電極１１および第２内部電極１２のそれぞれは、セラミック素体１０の第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂと平行である。

第１内部電極１１および第２内部電極１２は、適宜の導電材料により構成することができる。第１内部電極１１および第２内部電極１２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の１種を含む例えばＡｇ−Ｐｄ合金などの合金により構成することができる。

（ｂ）外部電極
セラミック素体１０の第１端面１０ｃ側および第２端面１０ｄ側には、第１外部電極１５および第２外部電極１６がそれぞれ設けられている。セラミック素体１０の第１側面１０ｅ側および第２側面１０ｆ側には、第３外部電極１７および第４外部電極１８がそれぞれ設けられている。

第１外部電極１５は、第１端面１０ｃにおいて第１内部電極１１に電気的に接続されている。第１外部電極１５には、第１端面１０ｃの表面から主面１０ａ，１０ｂおよび側面１０ｅ，１０ｆに延在している折り返し部１５ａが、主面１０ａ，１０ｂの一部および側面１０ｅ，１０ｆの一部を覆うように設けられている。さらに、第２外部電極１６は、第２端面１０ｄにおいて第１内部電極１１に電気的に接続されている。第２外部電極１６には、第２端面１０ｄの表面から主面１０ａ，１０ｂおよび側面１０ｅ，１０ｆに延在している折り返し部１６ａが、主面１０ａ，１０ｂの一部および側面１０ｅ，１０ｆの一部を覆うように設けられている。

第３外部電極１７は、第１側面１０ｅにおいて第２内部電極１２に電気的に接続されている。第３外部電極１７には、第１側面１０ｅの表面から主面１０ａ，１０ｂに延在している折り返し部１７ａが、主面１０ａ，１０ｂの一部を覆うように設けられている。さらに、第４外部電極１８は、第２側面１０ｆにおいて第２内部電極１２に電気的に接続されている。第４外部電極１８には、第２側面１０ｆの表面から主面１０ａ，１０ｂに延在している折り返し部１８ａが、主面１０ａ，１０ｂの一部を覆うように設けられている。

第１外部電極１５、第２外部電極１６、第３外部電極１７および第４外部電極１８は、それぞれ、ガラスと金属粉とを含む導電性ペーストが焼き付けられて形成された焼成電極である。金属粉の材料は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ合金などの適宜の金属を用いることができる。

外部電極（焼成電極）１５，１６，１７，１８は、図４に一例を示すように、それぞれ、第１層２３と、第１層２３の上に配設された第２層２５と、第２層２５の上に配設された第３層２６と、第１層２３と第２層２５との間に配設されたガラス接着層２４とを有している。なお、本発明において、第３層２６は必ずしも必要なものではない。

第１層２３は、例えば表１に示された組成の第１層用導電性ペーストが焼き付けられて形成されたものである。表１の導電性ペーストの金属粉はＣｕ粉である。Ｃｕ粉は、長径が３．０μｍの扁平粉である。表１の導電性ペーストのガラスはＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスである。このＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスは、例えば表２に示された組成からなる。

第１層２３のＣｕ結晶子３２の大きさは、０．８μｍ以上２．４μｍ以下と大きい傾向にあり、これにより、第１層２３（外部電極１５〜１８）と内部電極１１，１２との接合抵抗が低くなる。第１層２３のガラスドメイン３０の内径の大きさは、１．８μｍ以上３．３μｍ以下である。

第２層２５は、例えば表３に示された組成の導電性ペーストが焼き付けられて形成されたものである。表３の導電性ペーストの金属粉はＣｕ粉である。Ｃｕ粉は、長径が３．０μｍの扁平粉である。表３の導電性ペーストのガラスはＢ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスである。このＢ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスは、例えば表４に示された組成からなる。

第２層２５のＣｕ結晶子３２の大きさは、０．３μｍ以上１．２μｍ以下であり、第１層２３のＣｕ結晶子３２の大きさ（０．８μｍ以上２．４μｍ以下）と比較して小さい傾向にある。これにより、第２層２５のシール性（緻密性）が確保できる。

また、第２層２５のガラスドメイン３０の内径の大きさは、０．７μｍ以上２．４μｍ以下である。従って、第１層２３のガラスドメイン３０の内径の大きさ（１．８μｍ以上３．３μｍ以下）は大きい傾向にあり、第２層２５のガラスドメイン３０の内径の大きさ（０．７μｍ以上２．４μｍ以下）は小さい傾向にある。好ましくは、第１層２３のガラスドメイン３０の内径の大きさは、第２層２５のガラスドメイン３０の内径の大きさの０．７〜４．７倍である。

第１層２３のガラスドメイン３０の内径の大きさが大きい傾向の場合、第１層２３のシール性が良好となる。さらに、仮に、ガラス接着層２４が存在しない場合でも、第２層２５との密着性が良好となる。一方、第２層２５のガラスドメイン３０の内径の大きさが小さい傾向の場合、第２層２５のめっき付き性が良好となる。

また、第２層２５のガラス組成中のＳｉ含有比率は、第１層２３のガラス組成中のＳｉ含有比率より低い。好ましくは、原子数％で、第１層２３のガラス組成中のＳｉ含有比率は、第２層２５のガラス組成中のＳｉ含有比率の６〜１１倍である。第１層２３のガラス組成中のＳｉ含有量が多い場合、第１層２３は高温でのガラス粘度が高くなるため、内部電極１１，１２との接合を阻害しない。従って、外部電極１５〜１８と内部電極１１，１２との接合性が良好となり、接合抵抗Ｒｄｃが低くなる。

一方、第１層２３のガラス組成中のＳｉ含有量が多い場合には、第１層２３のガラス粘度が高くなるため、第１層２３の緻密性やめっき付き性は劣っている。そこで、第２層２５のガラス組成中のＳｉ含有量を少なくすることによって、第２層２５の高温でのガラス粘度を下げる。この結果、第２層２５の緻密化が促進され、第２層２５は良好な緻密性（シール性）とめっき付き性とを得ることができる。

第３層２６は、第２層２５の表面部をサンドブラスト処理などして形成されたものである。第３層２６のＣｕ結晶子３２の大きさは０．３μｍ以下であり、これにより、めっき付き性が更に改善される。第３層２６はガラスを含まない層である。

ガラス接着層２４は、例えば表５に示された組成のＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスを含み、かつ、０．４μｍ以上２．６μｍ以下の厚みを有している。従って、ガラス接着層２４は、第１層２３と第２層２５との間の強固な固着力が得られると共に、第１層２３と第２層２５との間の良好な電気的接続が得られる。ガラス接着層２４の組成は、第１層２３と第２層２５との間の強固な固着力や良好な電気的接続を得るために、第１層２３のガラス組成や第２層２５のガラス組成と類似であることが好ましい。同様に、ガラス接着層２４の高温でのガラス粘度も、第１層２３の高温でのガラス粘度と第２層２５の高温でのガラス粘度との中間であることが好ましい。

一方、ガラス接着層２４の厚みが０．４μｍ未満の場合は、ガラス接着層２４は第１層２３と第２層２５との間の固着力が得られないため、第１層２３と第２層２５とが剥がれる。ガラス接着層２４の厚みが２．６μｍを超える場合は、ガラス接着層２４の導電性が低下する。

ここで、第１層２３、第２層２５および第３層２６のＣｕ結晶子３２の大きさは、以下の方法で測定される。エポキシ樹脂で固められた積層セラミックコンデンサ１が、外部電極１５〜１８の断面が露出するまで粗研磨される。次に、外部電極１５〜１８の断面が鏡面研磨される。次に、鏡面研磨された面がＦＩＢ加工された後、内部電極１１，１２との接合部分の外部電極１５〜１８のＳＩＭ像が取得される。次に、ＳＩＭ像に現れたＣｕ結晶子３２に最も大きく内接する内接円の径が測定される。Ｃｕ結晶子３２の内接円のうち、大きい方の５個が選択され、その平均値がＣｕ結晶子３２の大きさとされる。こうして、第１層２３、第２層２５および第３層２６のＣｕ結晶子３２の大きさが測定される。

また、第１層２３および第２層２５のガラスドメイン３０の内径の大きさは、以下の方法で測定される。エポキシ樹脂で固められた積層セラミックコンデンサ１が、外部電極１５〜１８の断面が露出するまで粗研磨される。次に、外部電極１５〜１８の断面が鏡面研磨される。次に、鏡面研磨された面がＦＩＢ加工された後、内部電極１１，１２との接合部分の外部電極１５〜１８のＳＩＭ像が取得される。次に、ＳＩＭ像に現れたガラスドメイン３０に最も大きく内接する内接円の径が測定される。ガラスドメイン３０の内接円のうち、大きい方の５個が選択され、その平均値がガラスドメイン３０の内径の大きさとされる。こうして、第１層２３および第２層２５のガラスドメイン３０の内径の大きさが測定される。

また、第１層２３、第２層２５およびガラス接着層２４のガラス組成は、以下の方法で測定される。エポキシ樹脂で固められた積層セラミックコンデンサ１が、外部電極１５〜１８の断面が露出するまで粗研磨される。次に、外部電極１５〜１８の断面が鏡面研磨される。次に、鏡面研磨された面のガラス部分がＦＥ−ＷＤＸによる定性／定量分析されて、第１層２３、第２層２５およびガラス接着層２４のガラス組成が測定される。

また、ガラス接着層２４の厚みは、以下の方法で測定される。エポキシ樹脂で固められた積層セラミックコンデンサ１が、外部電極１５〜１８の断面が露出するまで粗研磨される。次に、外部電極１５〜１８の断面が鏡面研磨される。次に、鏡面研磨された面がＦＩＢ加工された後、ＳＩＭ像観察されて、ガラス接着層２４の厚みが測定される。

図示しないけれども、外部電極１５〜１８の表面には、更に、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層とが順に形成されていてもよい。Ｎｉめっき層は、外部電極１５〜１８を保護する。Ｓｎめっき層は、外部電極１５〜１８のはんだ付け性を良好にする。なお、本発明の場合、Ｎｉめっき層やＳｎめっき層は必ずしも必要なものではない。

２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、第１の実施の形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明する。図５は、積層セラミックコンデンサ１の製造方法を示すフローチャートである。

工程Ｓ１で、チタン酸バリウム系材料またはチタン酸ストロンチウム系材料などからなるセラミック粉末に、有機バインダ、分散剤および可塑剤などが添加されて、シート成形用スラリーが作製される。次に、シート成形用スラリーは、ドクターブレード法によって、内層もしくは外層用セラミックグリーンシートに成形される。

次に、工程Ｓ２で、内層用セラミックグリーンシート上に、Ａｇを含有する内部電極ペーストがスクリーン印刷法で塗布され、第１内部電極１１および第２内部電極１２となるべき電極ペースト膜が形成される。

次に、工程Ｓ３で、電極ペースト膜が形成された内層用セラミックグリーンシートは、第１内部電極１１の電極ペースト膜と第２内部電極１２の電極ペースト膜とが交互になるように複数枚積層される。さらに、内部電極の電極ペースト膜が形成されていない複数枚の外層用セラミックグリーンシートが、積層された内層用セラミックグリーンシートを挟むように積層されてプレス圧着される。この積層セラミックグリーンシートは、ダイシングや押切によって個々のセラミック素体１０となるべき外形寸法に切断され、複数の未焼成のセラミック素体１０とされる。

未焼成のセラミック素体１０は、稜線部やコーナー部がバレル研磨されて平面状または曲面状とされる。

次に、工程Ｓ４で、未焼成のセラミック素体１０は、脱バインダ処理された後、焼成され、焼結したセラミック素体１０とされる。焼成温度は、使用するセラミック材料や導電性ペーストの種類により適宜設定することができる。内層用および外層用セラミックグリーンシートと電極ペースト膜とは同時焼成され、内層用セラミックグリーンシートは内層用セラミック層１３となり、外層用セラミックグリーンシートは外層用セラミック層１３となり、電極ペースト膜は第１内部電極１１もしくは第２内部電極１２となる。

次に、焼結したセラミック素体１０の両端部および両側部に、外部電極１５〜１８が形成される。工程Ｓ５で、セラミック素体１０の両側部に、第３外部電極１７および第４外部電極１８の第１層用導電性ペースト（Ｃｕ粉とＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスとのペースト）が、ディッピングなどの方法によって塗布される。次に、工程Ｓ６で、セラミック素体１０に塗布された第１層用導電性ペーストが、乾燥された後、焼付け温度が９５０℃で４５分間焼き付けられる。これにより、第３外部電極１７および第４外部電極１８の第１層２３が形成される。

次に、工程Ｓ７で、セラミック素体１０の両側部に、第３外部電極１７および第４外部電極１８の第２層用導電性ペースト（Ｃｕ粉とＢ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスとのペースト）が、ディッピングなどの方法によって塗布される。次に、工程Ｓ８で、セラミック素体１０に塗布された第２層用導電性ペーストが、乾燥された後、焼付け温度が９００℃で４５分間焼き付けられる。これにより、第３外部電極１７および第４外部電極１８の第２層２５が形成されると共に、第３外部電極１７および第４外部電極１８のガラス接着層２４が形成される。

次に、工程Ｓ９で、セラミック素体１０の両端部に、第１外部電極１５および第２外部電極１６の第１層用導電性ペースト（Ｃｕ粉とＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスとのペースト）が、ディッピングなどの方法によって塗布される。次に、工程Ｓ１０で、セラミック素体１０に塗布された第１層用導電性ペーストが、乾燥された後、焼付け温度が９５０℃で４５分間焼き付けられる。これにより、第１外部電極１５および第２外部電極１６の第１層２３が形成される。

次に、工程Ｓ１１で、セラミック素体１０の両端部に、第１外部電極１５および第２外部電極１６の第２層用導電性ペースト（Ｃｕ粉とＢ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスとのペースト）が、ディッピングなどの方法によって塗布される。次に、工程Ｓ１２で、セラミック素体１０に塗布された第２層用導電性ペーストが、乾燥された後、焼付け温度が９００℃で４５分間焼き付けられる。これにより、第１外部電極１５および第２外部電極１６の第２層２５が形成されると共に、第１外部電極１５および第２外部電極１６のガラス接着層２４が形成される。

次に、工程Ｓ１３で、外部電極１５〜１８の表面がサンドブラスト処理される。例えば、１万個のセラミック素体１０が、ジルコニアビーズ５６Ｋｇが入っている５０Ｌのサンドブラストタンクの中に５０分間投入されて、ジルコニアビーズに衝突される。これにより、外部電極１５〜１８の第２層２５の表面部のＣｕ結晶子３２の大きさが、小さくなって０．３μｍ以下になり、外部電極１５〜１８の第２層２５の表面部は第３層２６とされる。

次に、工程Ｓ１４で、外部電極１５〜１８のそれぞれの表面に、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層が順に形成される。こうして、積層セラミックコンデンサ１が得られる。

（第２の実施の形態）
１．積層セラミックコンデンサ
図６は、第２の実施の形態の積層セラミックコンデンサ１Ａを示す外観斜視図である。図７は図６のＶＩＩ−ＶＩＩにおける断面図である。なお、第２の実施の形態の積層セラミックコンデンサ１Ａにおいて、前記第１の実施の形態の積層セラミックコンデンサ１と同一の部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

（ａ）セラミック素体
積層セラミックコンデンサ１Ａは、略直方体状のセラミック素体１０を含む。セラミック素体１０は、複数の積層された第１内部電極１１と第２内部電極１２とセラミック層１３とを含む。セラミック素体１０は、互いに対向する第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂと、互いに対向する第１端面１０ｃおよび第２端面１０ｄと、互いに対向する第１側面１０ｅおよび第２側面１０ｆとを有する。

セラミック素体１０の第１内部電極１１と第２内部電極１２の対向部が、誘電体セラミック材料からなるセラミック層１３を介して対向することにより静電容量が形成されている。これにより、積層セラミックコンデンサ１Ａは、コンデンサとして機能する。

図７に示すように、第１内部電極１１は、引出部がセラミック素体１０の第１端面１０ｃに延びて露出するように形成されている。第１内部電極１１は、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅおよび第２側面１０ｆには露出していない。

第２内部電極１２は、引出部がセラミック素体１０の第２端面１０ｄに延びて露出するように形成されている。第２内部電極１２は、第１端面１０ｃ、第１側面１０ｅおよび第２側面１０ｆには露出していない。

（ｂ）外部電極
セラミック素体１０の第１端面１０ｃ側および第２端面１０ｄ側には、第１外部電極１５および第２外部電極１６がそれぞれ設けられている。

第１外部電極１５は、第１端面１０ｃにおいて第１内部電極１１に電気的に接続されている。第１外部電極１５には、第１端面１０ｃの表面から主面１０ａ，１０ｂおよび側面１０ｅ，１０ｆに延在している折り返し部１５ａが、主面１０ａ，１０ｂの一部および側面１０ｅ，１０ｆの一部を覆うように設けられている。さらに、第２外部電極１６は、第２端面１０ｄにおいて第２内部電極１２に電気的に接続されている。第２外部電極１６には、第２端面１０ｄの表面から主面１０ａ，１０ｂおよび側面１０ｅ，１０ｆに延在している折り返し部１６ａが、主面１０ａ，１０ｂの一部および側面１０ｅ，１０ｆの一部を覆うように設けられている。

第１外部電極１５および第２外部電極１６は、それぞれ、ガラスと金属粉とを含む導電性ペーストが焼き付けられて形成された焼成電極である。金属粉の材料は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ合金などの適宜の金属を用いることができる。

外部電極（焼成電極）１５，１６は、図４に一例を示すように、それぞれ、第１層２３と、第１層２３の上に配設された第２層２５と、第２層２５の上に配設された第３層２６と、第１層２３と第２層２５との間に配設されたガラス接着層２４とを有している。なお、本発明において、第３層２６は必ずしも必要なものではない。

第１層２３は、例えば前出の表１に示された組成の第１層用導電性ペーストが焼き付けられて形成されたものである。表１の導電性ペーストの金属粉はＣｕ粉である。Ｃｕ粉は、長径が３．０μｍの扁平粉である。表１の導電性ペーストのガラスはＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスである。このＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスは、例えば前出の表２に示された組成からなる。

第１層２３のＣｕ結晶子３２の大きさは、０．８μｍ以上２．４μｍ以下と大きい傾向にあり、これにより、第１層２３（外部電極１５，１６）と内部電極１１，１２との接合抵抗が低くなる。第１層２３のガラスドメイン３０の内径の大きさは、１．８μｍ以上３．３μｍ以下である。

第２層２５は、例えば前出の表３に示された組成の導電性ペーストが焼き付けられて形成されたものである。表３の導電性ペーストの金属粉はＣｕ粉である。Ｃｕ粉は、長径が３．０μｍの扁平粉である。表３の導電性ペーストのガラスはＢ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスである。このＢ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスは、例えば前出の表４に示された組成からなる。

また、第２層２５のガラス組成中のＳｉ含有比率は、第１層２３のガラス組成中のＳｉ含有比率より低い。好ましくは、原子数％で、第１層２３のガラス組成中のＳｉ含有比率は、第２層２５のガラス組成中のＳｉ含有比率の６〜１１倍である。第１層２３のガラス組成中のＳｉ含有量が多い場合、第１層２３は高温でのガラス粘度が高くなるため、内部電極１１，１２との接合を阻害しない。従って、外部電極１５，１６と内部電極１１，１２との接合性が良好となり、接合抵抗Ｒｄｃが低くなる。

ガラス接着層２４は、例えば前出の表５に示された組成のＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスを含み、かつ、０．４μｍ以上２．６μｍ以下の厚みを有している。従って、ガラス接着層２４は、第１層２３と第２層２５との間の強固な固着力が得られると共に、第１層２３と第２層２５との間の良好な電気的接続が得られる。ガラス接着層２４の組成は、第１層２３と第２層２５との間の強固な固着力や良好な電気的接続を得るために、第１層２３のガラス組成や第２層２５のガラス組成と類似であることが好ましい。同様に、ガラス接着層２４の高温でのガラス粘度も、第１層２３の高温でのガラス粘度と第２層２５の高温でのガラス粘度との中間であることが好ましい。

図示しないけれども、外部電極１５，１６の表面には、更に、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層とが順に形成されていてもよい。Ｎｉめっき層は、外部電極１５，１６を保護する。Ｓｎめっき層は、外部電極１５，１６のはんだ付け性を良好にする。なお、本発明の場合、Ｎｉめっき層やＳｎめっき層は必ずしも必要なものではない。

２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、第２の実施の形態の積層セラミックコンデンサ１Ａの製造方法を説明する。図５は、積層セラミックコンデンサ１Ａの製造方法を示すフローチャートである。

次に、焼結したセラミック素体１０の両端部に、外部電極１５，１６が形成される。工程Ｓ９で、セラミック素体１０の両端部に、第１外部電極１５および第２外部電極１６の第１層用導電性ペースト（Ｃｕ粉とＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスとのペースト）が、ディッピングなどの方法によって塗布される。次に、工程Ｓ１０で、セラミック素体１０に塗布された第１層用導電性ペーストが、乾燥された後、焼付け温度が９５０℃で４５分間焼き付けられる。これにより、第１外部電極１５および第２外部電極１６の第１層２３が形成される。

次に、工程Ｓ１３で、外部電極１５，１６の表面がサンドブラスト処理される。例えば、１万個のセラミック素体１０が、ジルコニアビーズ５６Ｋｇが入っている５０Ｌのサンドブラストタンクの中に５０分間投入されて、ジルコニアビーズに衝突される。これにより、外部電極１５，１６の第２層２５の表面部のＣｕ結晶子３２の大きさが、小さくなって０．３μｍ以下になり、外部電極１５，１６の第２層２５の表面部は第３層２６とされる。

次に、工程Ｓ１４で、外部電極１５，１６のそれぞれの表面に、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層が順に形成される。こうして、積層セラミックコンデンサ１Ａが得られる。

なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。

１，１Ａ積層セラミックコンデンサ
１０セラミック素体
１０ａ第１主面
１０ｂ第２主面
１０ｃ第１端面
１０ｄ第２端面
１０ｅ第１側面
１０ｆ第２側面
１１第１内部電極
１２第２内部電極
１３セラミック層
１５第１外部電極
１６第２外部電極
１７第３外部電極
１８第４外部電極
１５ａ，１６ａ，１７ａ，１８ａ折り返し部
２３第１層
２４ガラス接着層
２５第２層
２６第３層
３０ガラスドメイン
３２Ｃｕ結晶子
Ｌ長さ方向
Ｔ厚み方向
Ｗ幅方向

Claims

セラミック層と、前記セラミック層間の複数の界面に前記セラミック層を介して互いに対向するように配設されている第１内部電極および第２内部電極とで構成された、互いに対向する第１主面および第２主面と、互いに対向する第１側面および第２側面と、互いに対向する第１端面および第２端面とを有する積層構造のセラミック素体と、
前記第１内部電極に接続するように前記セラミック素体の前記第１端面に設けられ、前記セラミック素体の前記第１主面および前記第２主面と前記第１側面および前記第２側面とに延在している折り返し部を有する第１外部電極と、
前記第２内部電極に接続するように前記セラミック素体の前記第２端面に設けられ、前記セラミック素体の前記第１主面および前記第２主面と前記第１側面および前記第２側面とに延在している折り返し部を有する第２外部電極と、を備え、
前記第１外部電極および前記第２外部電極は、それぞれ、焼き付けられて形成された焼成電極であり、
前記焼成電極は、第１層と、前記第１層の上に配設された第２層とを有し、前記第１層はＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスを含み、前記第２層はＢ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスを含み、前記第２層のガラス組成中のＳｉ含有比率が、前記第１層のガラス組成中のＳｉ含有比率より低いこと、
を特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
セラミック層と、前記セラミック層間の複数の界面に前記セラミック層を介して互いに対向するように配設されている第１内部電極および第２内部電極とで構成された、互いに対向する第１主面および第２主面と、互いに対向する第１側面および第２側面と、互いに対向する第１端面および第２端面とを有する積層構造のセラミック素体と、
前記第１内部電極に接続するように前記セラミック素体の前記第１端面に設けられ、前記セラミック素体の前記第１主面および前記第２主面と前記第１側面および前記第２側面とに延在している折り返し部を有する第１外部電極と、
前記第１内部電極に接続するように前記セラミック素体の前記第２端面に設けられ、前記セラミック素体の前記第１主面および前記第２主面と前記第１側面および前記第２側面とに延在している折り返し部を有する第２外部電極と、
前記第２内部電極に接続するように前記セラミック素体の前記第１側面に設けられ、前記セラミック素体の前記第１主面および前記第２主面に延在している折り返し部を有する第３外部電極と、
前記第２内部電極に接続するように前記セラミック素体の前記第２側面に設けられ、前記セラミック素体の前記第１主面および前記第２主面に延在している折り返し部を有する第４外部電極と、を備え、
前記第１外部電極、前記第２外部電極、前記第３外部電極および前記第４外部電極は、それぞれ、焼き付けられて形成された焼成電極であり、
前記焼成電極は、第１層と、前記第１層の上に配設された第２層とを有し、前記第１層はＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスを含み、前記第２層はＢ−Ｂａ−Ｚｎ系ガラスを含み、前記第２層のガラス組成中のＳｉ含有比率が、前記第１層のガラス組成中のＳｉ含有比率より低いこと、
を特徴とする、積層セラミックコンデンサ。