以下、本発明を配線基板に具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
図1に示されるように、本実施形態の配線基板10は、ICチップ搭載用の配線基板である。配線基板10は、略矩形板状の樹脂コア基板11と、樹脂コア基板11のコア主面12(図1では上面)上に形成される第1ビルドアップ層31と、樹脂コア基板11のコア裏面13(図1では下面)上に形成される第2ビルドアップ層32とからなる。
樹脂コア基板11のコア主面12上に形成された第1ビルドアップ層31は、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる2層の樹脂層間絶縁層33,35と、銅からなる導体層42とを交互に積層した構造を有している。第2層の樹脂層間絶縁層35の表面上における複数箇所には、端子パッド44がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層35の表面は、ソルダーレジスト37によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト37の所定箇所には、端子パッド44を露出させる開口部46が形成されている。端子パッド44の表面上には、複数のはんだバンプ45が配設されている。各はんだバンプ45は、矩形平板状をなすICチップ21の面接続端子22に電気的に接続されている。なお、各端子パッド44及び各はんだバンプ45からなる領域は、ICチップ21を搭載可能なICチップ搭載領域23である。ICチップ搭載領域23は、第1ビルドアップ層31の表面39に設定されている。また、第2層の樹脂層間絶縁層35内における複数箇所にはビア導体43が形成されている。各ビア導体43の下端となる箇所は、樹脂層間絶縁層33の表面上に形成された導体層42に接続されており、各ビア導体43の上端となる箇所は、樹脂層間絶縁層35の表面上に形成された端子パッド44に接続されている。このビア導体43は、導体層42及び端子パッド44を相互に電気的に接続している。
図1に示されるように、樹脂コア基板11のコア裏面13上に形成された第2ビルドアップ層32は、上述した第1ビルドアップ層31とほぼ同じ構造を有している。即ち、第2ビルドアップ層32は、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる2層の樹脂層間絶縁層34,36と、導体層42とを交互に積層した構造を有している。第1層の樹脂層間絶縁層34内における複数箇所にはビア導体47が形成されている。各ビア導体47の下端となる箇所は、樹脂層間絶縁層34の下面上に形成された導体層42に接続されている。第2層の樹脂層間絶縁層36内における複数箇所にはビア導体43が形成されており、樹脂層間絶縁層36の下面上において各ビア導体43の下端となる箇所には、ビア導体43を介して導体層42に電気的に接続されるBGA用パッド48が格子状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層36の下面は、ソルダーレジスト38によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト38の所定箇所には、BGA用パッド48を露出させる開口部40が形成されている。BGA用パッド48の表面上には、図示しないマザーボードに対して電気的に接続可能な複数のはんだバンプ49が配設されている。そして、各はんだバンプ49により、図1に示される配線基板10は図示しないマザーボード上に実装される。
本実施形態の樹脂コア基板11は、縦50mm×横50mm×厚さ0.90mmの平面視略矩形板状である。樹脂コア基板11は、ガラスエポキシからなる基材161と、基材161の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材164と、同じく基材161の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層163とによって構成されている。また、樹脂コア基板11には、複数のスルーホール導体16がコア主面12、コア裏面13及び導体層163を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体16は、樹脂コア基板11のコア主面12側とコア裏面13側とを接続導通するとともに、導体層163に電気的に接続している。なお、スルーホール導体16の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体17で埋められている。スルーホール導体16の上端は、樹脂層間絶縁層33の表面上にある導体層42の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体16の下端は、樹脂層間絶縁層34の下面上にある導体層42の一部に電気的に接続されている。また、樹脂コア基板11のコア主面12及びコア裏面13には、銅からなる導体層41がパターン形成されており、各導体層41は、スルーホール導体16に電気的に接続されている。さらに、樹脂コア基板11は、コア主面12の中央部及びコア裏面13の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部90を1つ有している。即ち、収容穴部90は貫通穴である。なお、収容穴部90は、四隅に面取り寸法0.1mm以上2.0mm以下の面取り部を有している。
そして、収容穴部90内には、図2,図3等に示すセラミックコンデンサ101(セラミック部品)が、埋め込まれた状態で収容されている。即ち、セラミックコンデンサ101は、配線基板10に内蔵された状態で使用される配線基板内蔵用部品である。なお、セラミックコンデンサ101は、コンデンサ主面102をコア主面12と同じ側に向け、かつ、コンデンサ裏面103をコア裏面13と同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のセラミックコンデンサ101は、縦20.0mm×横20.0mm×厚さ0.8mmの平面視略矩形板状である。セラミックコンデンサ101は、樹脂コア基板11において前記ICチップ搭載領域23の真下の領域に配置されている。なお、ICチップ搭載領域23の面積(ICチップ21において面接続端子22が形成される面の面積)は、セラミックコンデンサ101のコンデンサ主面102の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ101の厚さ方向から見た場合、ICチップ搭載領域23は、セラミックコンデンサ101のコンデンサ主面102内に位置している。
図1等に示されるように、収容穴部90の内面と、セラミックコンデンサ101のコンデンサ側面106との隙間は、高分子材料(本実施形態ではエポキシ等の熱硬化性樹脂)からなる樹脂充填部92によって埋められている。この樹脂充填部92は、セラミックコンデンサ101を樹脂コア基板11に固定する機能を有している。なお、セラミックコンデンサ101は、四隅に面取り寸法0.55mm以上(本実施形態では面取り寸法0.6mm)の面取り部を有している。これにより、セラミックコンデンサ101を配線基板10に内蔵するときや、温度変化に伴う樹脂充填部92の変形時において、セラミックコンデンサ101の角部への応力集中を緩和できるため、樹脂充填部92のクラックの発生を防止できる。
図1〜図3等に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ101は、いわゆるビアアレイタイプのセラミックコンデンサである。セラミックコンデンサ101を構成するセラミック焼結体104は、基板主面である1つのコンデンサ主面102(図1では上面)、基板裏面である1つのコンデンサ裏面103(図1では下面)、及び、4つのコンデンサ側面106(図1では左面、右面)を有する板状物である。
図2に示されるように、セラミック焼結体104は、セラミック誘電体層105を介して電源用内部電極層141(内部電極)とグランド用内部電極層142(内部電極)とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層105は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層141及びグランド用内部電極層142間の誘電体(絶縁体)として機能する。電源用内部電極層141及びグランド用内部電極層142は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体104の内部において一層おきに配置されている。
図1,図2等に示されるように、セラミック焼結体104には、多数のビアホール130が形成されている。これらのビアホール130は、セラミック焼結体104をその厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体104の全面にわたって格子状(アレイ状)に配置されている。各ビアホール130内には、セラミック焼結体104のコンデンサ主面102及びコンデンサ裏面103間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体131,132が、ニッケルを主材料として形成されている。なお本実施形態において、ビアホール130の直径は100μmに設定されているため、コンデンサ内ビア導体131,132の直径も100μmに設定されている。各電源用コンデンサ内ビア導体131は、各電源用内部電極層141を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体132は、各グランド用内部電極層142を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体131及び各グランド用コンデンサ内ビア導体132は、全体としてアレイ状に配置されている。
そして図2,図3等に示されるように、セラミック焼結体104のコンデンサ主面102上には、複数の主面側電源用電極111(外部電極)と複数の主面側グランド用電極112(外部電極)とが設けられている。各電極111,112は、コンデンサ主面102においてアレイ状に配置されており、直径350μm、厚さ25μmの円形状をなしている(図3参照)。主面側電源用電極111は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体131におけるコンデンサ主面102側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用電極112は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体132におけるコンデンサ主面102側の端面に対して直接接続されている。
また、図2等に示されるように、セラミック焼結体104のコンデンサ裏面103上には、複数の裏面側電源用電極121(外部電極)と複数の裏面側グランド用電極122(外部電極)とが設けられている。各電極121,122は、コンデンサ裏面103においてアレイ状に配置されており、直径350μm、厚さ25μmの円形状をなしている。裏面側電源用電極121は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体131におけるコンデンサ裏面103側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用電極122は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体132におけるコンデンサ裏面103側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用電極111,121は電源用コンデンサ内ビア導体131及び電源用内部電極層141に導通しており、グランド用電極112,122はグランド用コンデンサ内ビア導体132及びグランド用内部電極層142に導通している。
図4に示されるように、電極111,112,121,122は、第1の金属層であるメタライズ導体層151と、第2の金属層であるめっき層152とからなっている。メタライズ導体層151は、前記コンデンサ主面102及びコンデンサ裏面103の上に配置されるとともに、ニッケル(第1の金属材料)を主材料として形成されている。めっき層152は、ニッケルよりも導電性の高い銅(第2の金属材料)からなり、メタライズ導体層151の表面を全体的に被覆している。さらに、めっき層152の表面は粗化されており、めっき層152の表面の算術平均粗さRaは0.4μmに設定されている。なお、「算術平均粗さRa」とは、JIS B0601で定義されている算術平均粗さRaである。算術平均粗さRaの測定方法はJIS B0651に準じるものとする。
図1〜図4に示されるように、各電極111,112,121,122上には、それぞれ突起状導体50が突設されている。そして、突起状導体50の数は、前記コンデンサ内ビア導体131,132の数と等しくなっており、本実施形態では25となっている。また、各突起状導体50は、電解銅めっきによって形成された円柱状導体(銅ポスト)である。即ち、突起状導体50は、めっき層152と同じ金属材料である銅を主体として円柱状に形成されている。各突起状導体50の直径は、電極111,112,121,122の直径(350μm)よりも小さく、かつ、コンデンサ内ビア導体131,132の直径(100μm)よりも大きく設定されており、本実施形態では250μmに設定されている。また、突起状導体50の高さは、100μmに設定されている。
図1〜図4に示されるように、各突起状導体50の高さ(厚さ)は、前記樹脂層間絶縁層33の厚さとほぼ等しくなっており、電極111,112上に突設された突起状導体50の頂部52の表面は、樹脂層間絶縁層33の表面と同じ位置にある。さらに、各突起状導体50の表面は粗化されている。突起状導体50の表面の算術平均粗さRaは、前記めっき層152の表面の算術平均粗さRaと等しく、具体的には0.4μmに設定されている。そして、電極111,112上に突設された突起状導体50は、樹脂層間絶縁層33の表面上に形成された導体層42に接続される。一方、電極121,122上に突設された突起状導体50は、前記樹脂層間絶縁層34内における複数箇所に形成されたビア導体47に接続される。
図1に示されるように、コンデンサ主面102側にある電極111,112は、突起状導体50、導体層42、ビア導体43、端子パッド44、はんだバンプ45及びICチップ21の面接続端子22を介して、ICチップ21に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面103側にある電極121,122は、突起状導体50、ビア導体47、導体層42、ビア導体43、BGA用パッド48及びはんだバンプ49を介して、図示しないマザーボードが有する電極に対して電気的に接続される。
例えば、マザーボード側から電極121,122を介して通電を行い、電源用内部電極層141−グランド用内部電極層142間に電圧を加えると、電源用内部電極層141に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層142に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ101がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ101では、電源用コンデンサ内ビア導体131及びグランド用コンデンサ内ビア導体132がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体131及びグランド用コンデンサ内ビア導体132を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
次に、本実施形態のセラミックコンデンサ101の製造方法について述べる。
まず、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料のグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層141となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層142となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。
さらに、レーザ加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール130を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール130内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように電極111,112のメタライズ導体層151を形成する。また、グリーンシート積層体の上面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にマーキング158(図10等参照)のメタライズ導体層151を形成する。さらに、グリーンシート積層体の下面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように電極121,122のメタライズ導体層151を形成する。
この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各メタライズ導体層151をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体104となる。なお、本実施形態のセラミック焼結体104は、縦120mm×横120mm×厚さ0.8mmの平面視略矩形板状であり、セラミック焼結体104の平面方向における寸法ばらつきは、±0.25%(=±250μm)である。また、セラミック焼結体104は、セラミックコンデンサ101となるべき製品領域155が平面方向に沿って縦横に複数配列され、それら製品領域155を分割するためのブレイク溝156が形成された多数個取り用セラミック基板である(図5参照)。
次に、得られたセラミック焼結体104が有する各メタライズ導体層151に対して無電解銅めっき(厚さ15μm)を行う。その結果、各メタライズ導体層151の上にめっき層152が形成されることで、各電極111,112,121,122及びマーキング158が形成される。
次に、図6に示されるように、セラミック焼結体104のコンデンサ主面102上及びコンデンサ裏面103上に、感光性を有する厚さ100μmのネガ型フォトレジストフィルム180(めっきレジスト用ドライフィルム)をラミネートする(フィルム貼付工程)。
なお図7に示されるように、フォトレジストフィルム180における露光領域183は、縦100mm×横100mmの平面視正方形状である。そして、露光領域183を分割することにより、当該露光領域183よりも面積の小さい25個の分割露光領域184を5列×5列に設定している。よって、各分割露光領域184は、縦20.0mm×横20.0mmの平面視正方形状となる。なお本実施形態の各分割露光領域184は、互いに同じ形状であって、互いに同じ面積となっている。また、分割露光領域184は前記製品領域155と同数存在し、分割露光領域184の面積は製品領域155の面積と等しくなっている。
次に、フォトレジストフィルム180がラミネートされたセラミック焼結体104を、ステッパー露光機201のX−Yステージ204上に固定する(図8参照)。なお、ステッパー露光機201は、X−Yステージ204の他に、紫外光202を照射する光源203、光源203から照射された紫外光202が通過するレンズ208、レンズ208を通過した紫外光202の照度や照射範囲を調節するレチクル209、レチクル209を通過した紫外光202を被照射物としてのセラミック焼結体104に縮小投影するための投影光学系200、水平方向のX方向及びY方向にX−Yステージ204を移動させる駆動装置205、撮像手段の一種であるCCDカメラ206などを備えている。また、ステッパー露光機201は、光源203、レチクル209、駆動装置205及びCCDカメラ206を制御するための制御装置207などを備えている。
図8,図9に示されるように、レチクル209は、互いに接離可能な一対の絞り板210からなる絞り機構211を2組有している。各絞り機構211は、互いに直交するように配置されており、モータなどのアクチュエータ(図示略)によって投影光学系200の光軸に垂直な面内でXY方向に移動可能となっている。
次に、図8,図9〜図12に示されるように、フォトレジストフィルム180の上方に、マスクパターン形成部191を1つのみ有するガラスマスク190(フォトマスク)を位置合わせした状態で配置する(マスク配置工程)。詳述すると、まず、ガラスマスク190を、X−Yステージ204とは別の支持部材(図示略)によって支持する。また、前記制御装置207は、今回露光する分割露光領域184の四隅に記されたマーキング158(図5等参照)を前記CCDカメラ206で撮影する制御を行い、撮影したマーキング158の位置に基づいて、今回露光する分割露光領域184の位置を検出する。次に、制御装置207は、検出された分割露光領域184の位置に基づいて、駆動装置205を駆動してX−Yステージ204(及びセラミック焼結体104)を移動させる制御を行い、今回露光する分割露光領域184の上方にガラスマスク190を配置する。さらに、制御装置207は、ガラスマスク190のマスクパターン形成部191を介して今回露光する分割露光領域184のマーキング158をCCDカメラ206で撮影する制御を行う。なお図8では、CCDカメラ206が今回露光する分割露光領域184とは別の分割露光領域184を撮影しているが、実際には今回の露光する分割露光領域184を撮影している。そして、判定手段でもある制御装置207は、マスクパターン形成部191の四隅に設けられた円環状の位置合わせマーク195とマーキング158との位置を判定する。制御装置207は、判定結果に基づいて駆動装置205を駆動する制御を行って、各位置合わせマーク195と各マーキング158との位置ずれ距離が最小となるようにX−Yステージ204を移動させ、今回露光する分割露光領域184とマスクパターン形成部191とを位置合わせする(図11参照)。なお、X−Yステージ駆動方式以外の方法、例えば、投影光学系200及びガラスマスク190を移動して位置合わせを行っても勿論よい。
図8,図9〜図12に示されるように、ガラスマスク190のマスクパターン形成部191は、縦20.0mm×横20.0mmの平面視正方形状であり、分割露光領域184と同一面積及び同一形状をなしている。また、マスクパターン形成部191は、紫外光202を透過可能とする複数の光透過部192、紫外光202を透過不能とする非透過部193、及び、位置合わせマーク195からなっている。各光透過部192は、直径250μmの円形状をなしており、フォトレジストフィルム180に開口部182(図13,図14参照)を形成するためのものである。なお、本実施形態で用いられるガラスマスク190は、ステッパー露光法の一種であるステップ・アンド・リピート露光法を行う際に用いられるものである。
そして、図8に示すステッパー露光機201を用いて、フォトレジストフィルム180をラミネートしたセラミック焼結体104のコンデンサ主面102に対して、ガラスマスク190のマスクパターン形成部191を介して紫外光202を照射し、フォトレジストフィルム180(今回露光する分割露光領域184)を露光する(露光工程)。また、セラミック焼結体104のコンデンサ裏面103に対しても同様に、マスクパターン形成部191を介して紫外光202を照射し、フォトレジストフィルム180を露光する。
その後、今回露光する分割露光領域184に対する露光が終了すると、次に露光する分割露光領域184に対するマスク配置工程及び露光工程を行う。即ち、前記制御装置207は、次に露光する分割露光領域184の四隅に記されたマーキング158を前記CCDカメラ206で撮影する制御を行い、撮影したマーキング158の位置に基づいて、次に露光する分割露光領域184の位置を検出する。次に、制御装置207は、検出された分割露光領域184の位置に基づいて、駆動装置205を駆動してX−Yステージ204を矢印F1方向(図11では左方向)に移動させる制御を行う。その結果、ガラスマスク190が矢印F1方向とは反対方向(図11では右方向)に移動し、次に露光する分割露光領域184の上方にガラスマスク190が配置される。さらに、制御装置207は、マスクパターン形成部191を介して次に露光する分割露光領域184のマーキング158をCCDカメラ206で撮影する制御を行う。そして、判定手段でもある制御装置207は、前記位置合わせマーク195とマーキング158との位置を判定する。制御装置207は、判定結果に基づいて駆動装置205を駆動する制御を行って、各位置合わせマーク195と各マーキング158との位置ずれ距離が最小となるようにX−Yステージ204を移動させ、次に露光する分割露光領域184とマスクパターン形成部191とを位置合わせする(図12参照)。そして、ステッパー露光機201を用いて、次に露光する分割露光領域184に対して、マスクパターン形成部191を介して紫外光202を照射し、フォトレジストフィルム180を露光する。
その後、マスク配置工程及び露光工程を繰り返すことにより、残りの分割露光領域184に対する露光を行う。即ち、マスク配置工程及び露光工程は、分割露光領域184の数(本実施形態では25個)と同じ回数だけ繰り返して実施される。詳述すると、マスク配置工程では、分割露光領域184ごとにセラミック焼結体104とガラスマスク190との位置合わせを行う。また、露光工程では、1種類の共通したガラスマスク190を用いて分割露光領域184ごとに露光を行う。
次に、図13に示されるように、露光工程によって露光されたフォトレジストフィルム180を現像して、電極111,112,121,122を露出させるための開口部182(内径250μm)を有しためっきレジスト181(厚さ100μm)を形成する(現像工程)。ここで、前記セラミック焼結体104の平面方向における寸法ばらつきの量をA、開口部182の位置の実測値と設計値とのズレの許容量をB、分割露光領域184を構成する最も大きい辺の長さ(本実施形態では、分割露光領域184の縦及び横の長さ)をCとしたとき、Cの値はB/A以下となるように設定されている。例えば、Aを0.25%、Bを50μmとしたとき、Cの値は20mm以下となるように設定される。なお本実施形態では、Cの値の上限値(20mm)が分割露光領域184の縦及び横の長さとなっている。
次に、図14に示されるように、めっきレジスト181の開口部182を介して露出する電極111,112,121,122に対して電解銅めっきを行う(導体形成工程)。さらに、めっきレジスト181を除去する(剥離工程)。その結果、図15に示されるように、電極111,112,121,122上に、高さ100μmの突起状導体50が形成される。なお、突起状導体50は、1つの分割露光領域184内に25個存在し、前記露光領域183内に625個存在している。さらに、セラミック焼結体104のブレイク溝156で各製品領域155を分割することにより、25個のセラミックコンデンサ101が完成する。
次に、本実施形態の配線基板10の製造方法について述べる。
まず、コア基板準備工程では、樹脂コア基板11の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
樹脂コア基板11の中間製品は以下のように作製される。まず、縦400mm×横400mm×厚さ0.65mmの基材161の両面に銅箔が貼付された銅張積層板(図示略)を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って導体層163を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材161の上面及び下面と導体層163とを粗化した後、基材161の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム(厚さ80μm)を熱圧着により貼付し、サブ基材164を形成する。
次に、上側のサブ基材164の上面及び下側のサブ基材164の下面に導体層41(厚さ50μm)をパターン形成する。具体的には、上側のサブ基材164の上面及び下側のサブ基材164の下面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。次に、基材161及びサブ基材164からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部90となる貫通孔を所定位置に形成し、樹脂コア基板11の中間製品を得る(図16参照)。なお、樹脂コア基板11の中間製品とは、樹脂コア基板11となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
続く収容工程では、マウント装置(ヤマハ発動機株式会社製)を用いて、コア主面12とコンデンサ主面102と同じ側に向け、かつ、コア裏面13とコンデンサ裏面103とを同じ側に向けた状態で収容穴部90内にセラミックコンデンサ101を収容する(図17参照)。この状態において、コンデンサ主面102側の突起状導体50の頂部52の表面は、導体層41の表面よりも上方に位置している。なお、収容穴部90のコア裏面13側開口は、剥離可能な粘着テープ171でシールされている。この粘着テープ171は、支持台(図示略)によって支持されている。かかる粘着テープ171の粘着面には、セラミックコンデンサ101が貼り付けられて仮固定されている。
そして、この状態において、収容穴部90の内面とセラミックコンデンサ101のコンデンサ側面106との隙間に、ディスペンサ装置(Asymtek社製)を用いて、熱硬化性樹脂製の樹脂充填部92(株式会社ナミックス製)を充填する。その後、加熱処理を行うと、樹脂充填部92が硬化して、セラミックコンデンサ101が収容穴部90内に固定される(図18参照)。そして、この時点で、粘着テープ171を剥離する。その後、電極111,112,121,122を構成するめっき層152の表面と、突起状導体50の表面とを粗化する(図4参照)。
次に、従来周知の手法に基づいてコア主面12の上に第1ビルドアップ層31を形成するとともに、コア裏面13の上に第2ビルドアップ層32を形成する。具体的に言うと、まず、コア主面12及びコンデンサ主面102上に感光性エポキシ樹脂を被着して露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層33を形成する(図19参照)。このとき、セラミックコンデンサ101の各突起状導体50が樹脂層間絶縁層33に噛み込むことにより、セラミックコンデンサ101の位置決めが図られる。また、コア裏面13及びコンデンサ裏面103に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層34を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマー(LCP:Liquid Crystalline Polymer)を被着してもよい。
さらに、YAGレーザまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザ孔あけ加工を行い、ビア導体47が形成されるべき位置にビア孔を形成する。具体的には、樹脂層間絶縁層34を貫通するビア孔を形成し、電極121,122上に突設された突起状導体50の頂部52の表面を露出させる。
さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、樹脂コア基板11及び樹脂層間絶縁層33,34を貫通する貫通孔(図示略)を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、樹脂層間絶縁層33,34の表面上、ビア孔の内面、及び、貫通孔の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂層間絶縁層33上に導体層42が形成されるとともに、樹脂層間絶縁層34上に導体層42がパターン形成される。これと同時に、貫通孔内にスルーホール導体16が形成されるとともに、各ビア孔の内部にビア導体47が形成される。その後、スルーホール導体16の空洞部を絶縁樹脂材料(エポキシ樹脂)で穴埋めし、閉塞体17を形成する。
次に、樹脂層間絶縁層33,34上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体43が形成されるべき位置にビア孔(図示略)を有する樹脂層間絶縁層35,36を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザ加工機などにより、ビア導体43が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔の内部にビア導体43を形成するとともに、樹脂層間絶縁層35上に端子パッド44を形成し、樹脂層間絶縁層36上にBGA用パッド48を形成する。
次に、樹脂層間絶縁層35,36上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト37,38を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト37,38に開口部40,46をパターニングする。さらに、端子パッド44上にはんだバンプ45を形成し、かつ、BGA用パッド48上にはんだバンプ49を形成する。なお、この状態のものは、配線基板10となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板10が多数個同時に得られる。
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
(1)本実施形態の場合、セラミックコンデンサ101の製造時において、ステッパー露光機201を用いて紫外光202を照射することにより、フォトレジストフィルム180の露光が行われる。そして、そのフォトレジストフィルム180を現像することにより、電極111,112,121,122を露出させる開口部182を有しためっきレジスト181が形成される。この場合、ガラスマスク190を用いて複数の分割露光領域184を1つずつ露光している。即ち、セラミック焼結体104の縦及び横の長さが120mmであることでセラミック焼結体104の寸法ばらつきが顕著になったとしても、分割露光領域184内においては寸法ばらつきが小さいため、本実施形態のように分割露光領域184を1つずつ露光すれば、開口部182を正確に形成することができる。また、セラミック焼結体104が反ることでめっきレジスト181とガラスマスク190との間に隙間が生じたとしても、本実施形態のように分割露光領域184を1つずつ露光すれば、開口部182を正確に形成することができる。しかも本実施形態では、分割露光領域184ごとにセラミック焼結体104とガラスマスク190との位置合わせを行っているため、開口部182の位置精度が向上する。ゆえに、開口部182を介して露出する電極111,112,121,122に対して電解銅めっきを施すことにより、電極111,112,121,122上に突起状導体50を位置ズレがなく正確に設けることができる。その結果、高い歩留まりを実現することができ、セラミックコンデンサ101の製造コストを抑えることができる。
因みに、本発明者は、従来のコンタクト露光法によって直径250μm、高さ100μmの円柱状導体を形成した従来のセラミックコンデンサを比較例として作製し、円柱状導体の位置ズレ不良率を確認した。位置ズレ不良率は、電極111,112,121,122からの円柱状導体のはみ出しがあるか否か(即ち、開口部182の位置の実測値と設計値とのズレの許容量Bが50μm以上であるか否か)で判定し、比較例の場合の位置ズレ不良率は50%であった。これに対して、本実施形態のセラミックコンデンサ101では、位置ズレ不良率を0%に抑えることができた。
(2)なお、Siウェハーの分野(製造工程)では、ステッパー露光機による分割露光が一般的に行われている。しかし、Siウェハーはそもそも寸法ばらつきが小さいため、最初に露光領域全体の位置合わせを行った後、等ピッチで投影光学系を移動させながら露光を行うだけで、正確な位置に導体などを形成することができる。一方、本実施形態では、焼成時に寸法ばらつきが発生しやすいセラミック焼結体104に対して露光を行っているため、Siウェハーの製造工程と同様に露光領域全体の位置合わせを行うだけでは、正確な位置に突起状導体50を形成することができない。そこで本実施形態では、分割露光領域184ごとに位置合わせを行って分割露光領域184を1つずつ露光している。これにより、正確な位置に開口部182を形成することができ、ひいては正確な位置に突起状導体50を形成することができる。
(3)本実施形態のセラミック焼結体104には、製品領域155を分割するためのブレイク溝156がある。よって、ガラスマスクをセラミック焼結体104に接触させる従来のコンタクト露光法を用いて露光を行うと、セラミック焼結体104に割れやクラックが発生するため、高い歩留まりを実現できなかった。一方、本実施形態では、ガラスマスク190をセラミック焼結体104に接触させないステッパー露光機201を用いて露光を行っているため、ガラスマスク190の接触に起因したセラミック焼結体104の割れやクラックを防止することができる。ゆえに、セラミックコンデンサ101の製造コストをよりいっそう抑えることができる。
(4)本実施形態では、フォトレジストフィルム180の露光に、紫外光202の照射範囲が狭いステッパー露光機201を用いているため、分割露光領域184のような狭い領域を確実に露光することができる。ゆえに、特定の分割露光領域184を露光する際に、1つのマスクパターン形成部191のみを露出させるマスクをガラスマスク190上に配置するなどして、紫外光202が他の分割露光領域184に照射されるのを防止しなくても済む。よって、セラミックコンデンサ101の製造コストをよりいっそう抑えることができる。
(5)本実施形態のセラミックコンデンサ101では、突起状導体50が、電解銅めっきからなる直径250μm、高さ100μmの円柱状導体であるため、配線基板10の導体層42やビア導体47に電極111,112,121,122を確実に接続することができる。また、突起状導体50は、表面粗化に適した銅からなるため、粗化を行うことにより、セラミックコンデンサ101と樹脂層間絶縁層33との密着性を向上させることができる。しかも、各電極111,112は、複数の突起状導体50が突設されているために比較的面積が大きく、しかも表面が粗化されている。従って、セラミックコンデンサ101と樹脂層間絶縁層33との密着性がよりいっそう向上する。
(6)本実施形態の配線基板10では、セラミックコンデンサ101がICチップ搭載領域23に搭載されたICチップ21の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ101とICチップ21とを接続する導通経路が短くなり、インダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ101によるICチップ21のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。
(7)本実施形態の配線基板10では、ICチップ搭載領域23がセラミックコンデンサ101の真上の領域内に位置しているため、ICチップ搭載領域23に搭載されるICチップ21は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ101によって支持される。よって、上記ICチップ搭載領域23においては、第1ビルドアップ層31が変形しにくくなるため、ICチップ搭載領域23に搭載されるICチップ21をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するICチップ21のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ICチップ21として、熱膨張差による応力(歪)が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい10mm角以上の大型のICチップや、脆いとされるLow−k(低誘電率)のICチップを用いることができる。
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
・上記実施形態のマスク配置工程では、マスクパターン形成部191を1つのみ有し、ステッパー露光法の一種であるステップ・アンド・リピート露光法を行う際に用いられるガラスマスク190をフォトレジストフィルム180の上方に配置していた。しかし図20に示されるように、マスクパターン形成部191が平面方向に沿って縦横に複数配列され、ステッパー露光法の一種であるステップ・アンド・ステップ露光法を行う際に用いられるガラスマスク194をフォトレジストフィルム180の上方に配置するようにしてもよい。この場合も、マスク配置工程において、分割露光領域184ごとにセラミック焼結体104とガラスマスク194との位置合わせを行い、露光工程において、1種類の共通したガラスマスク194を用いて分割露光領域184ごとに露光を行う。
・上記実施形態では、分割露光領域184が製品領域155と同数存在していたが、分割露光領域184は、製品領域155よりも多くてもよいし少なくてもよい。また、上記実施形態の分割露光領域184は平面視正方形状であったが、平面視長方形状、平面視円形状などの他の形状であってもよい。
・上記実施形態のセラミックコンデンサ101は樹脂コア基板11内に収容されていた。しかし、上記実施形態のセラミックコンデンサ101などよりも薄いセラミックコンデンサ303(厚さ0.08mm)を形成し、そのセラミックコンデンサ303を第1ビルドアップ層310内(例えば図21参照)に収容してもよい。この場合、樹脂コア基板11のコア主面12上に樹脂シート(未硬化状態の樹脂層間絶縁層30)をラミネートし、樹脂シートが硬化する前に、マウント装置(ヤマハ発動機株式会社製)を用いて、突起状導体50を形成したセラミックコンデンサ303を樹脂シート上に配置する。このとき、加圧しながらセラミックコンデンサ303の一部(コンデンサ裏面103側の電極121,122及び突起状導体50)を樹脂シート内に潜り込ませるようにする。これにより、突起状導体50が樹脂シートに噛み込むため、セラミックコンデンサ303が位置決めされる。その後、樹脂シートを硬化させて樹脂層間絶縁層30とする。さらに、樹脂層間絶縁層30及び導体層42を交互に形成すれば、第1ビルドアップ層310が完成する。
このようにすれば、セラミックコンデンサ101が樹脂コア基板11内に収容される場合に比べて、ICチップ21とセラミックコンデンサ303とを接続する導通経路が短くなる。これにより、インダクタンス成分の増加が防止されるため、セラミックコンデンサ303によりICチップ21のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。なお、薄くしたセラミックコンデンサ303を用いたとしてもセラミックコンデンサ303自体は厚いため、図21では、ビルドアップ層を、上記実施形態よりも肉厚の樹脂層間絶縁層30からなる第1ビルドアップ層310に具体化している。なお、上記実施形態のセラミックコンデンサ101を、上記実施形態と同じ第1ビルドアップ層31内に収容してもよい。
・上記実施形態では、セラミック焼結体104のコンデンサ主面102上に配置された電極111,112上、及び、セラミック焼結体104のコンデンサ裏面103上に配置された電極121,122上に、それぞれ突起状導体50が突設されていた。しかし、電極111,112上及び電極121,122上のいずれか一方のみに突起状導体50が突設されていてもよい。この場合、ICチップ21が搭載されるために高い精度が要求される第1ビルドアップ層31側の電極111,112上のみに、突起状導体50が突設されることが好ましい。このような構成であれば、突起状導体50の数が減るため、配線基板10の製造コスト低減を図ることができる。しかし、より高い信頼性を得るためには、電極111,112上及び電極121,122上の両方に突起状導体50を突設することが好ましい。
・上記実施形態では、電極111,112,121,122上に形成される突起状導体50が円柱形状であったが、これに限定されるものではなく、三角柱形状、四角柱形状などの他の形状であってもよい。また、突起状導体50は、頂部52の径と底部の径とが等しい柱形状であったが、頂部52の径と底部の径とが異なる台形状導体としてもよい。
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
(1)基板主面及び基板裏面を有する平面視矩形状を呈し、最も大きい辺の長さが50mm以上であるセラミック基板と、前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方の上に配置された外部電極と、前記外部電極上に突設された複数の導体とを備えたセラミック部品の製造方法であって、感光性を有する厚さ50μm以上のめっきレジスト用ドライフィルムを、前記セラミック基板上に貼付するフィルム貼付工程と、前記ドライフィルム上にフォトマスクを位置合わせした状態で配置するマスク配置工程と、前記フォトマスクを介して、ステッパー露光機により前記ドライフィルムを露光する露光工程と、露光された前記ドライフィルムを現像して、前記外部電極を露出させるための開口部を有しためっきレジストを形成する現像工程と、前記開口部を介して露出する前記外部電極に対してめっきを施すことにより、前記複数の導体を形成する導体形成工程と、前記導体形成工程後に前記ドライフィルムを除去する剥離工程とを含み、前記ドライフィルムにおける露光領域を分割することにより、当該露光領域よりも面積の小さい複数の分割露光領域を設定し、前記セラミック基板の平面方向における寸法ばらつきの量をA、前記開口部位置の実測値と設計値とのズレの許容量をB、前記分割露光領域を構成する最も大きい辺の長さをCとしたとき、前記Cの値をB/A以下となるように設定し、前記マスク配置工程及び前記露光工程を前記複数の分割露光領域の数だけ繰り返して実施し、前記露光工程では、1種類の共通したフォトマスクを用いて前記複数の分割露光領域ごとに露光を行い、前記マスク配置工程では、前記複数の分割露光領域ごとに前記セラミック基板と前記フォトマスクとの位置合わせを行うことを特徴とするセラミック部品の製造方法。
(2)基板主面及び基板裏面を有する平面視矩形状を呈し、最も大きい辺の長さが50mm以上であるセラミック基板と、前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方の上に配置された外部電極と、前記外部電極上に突設された複数の導体とを備えたセラミック部品の製造方法であって、感光性を有する厚さ50μm以上のめっきレジスト用ドライフィルムを、前記セラミック基板上に貼付するフィルム貼付工程と、前記ドライフィルム上に、光線を透過可能とする光透過部と前記光線を透過不能とする非透過部とからなるマスクパターン形成部を1つのみ有するフォトマスクを、位置合わせした状態で配置するマスク配置工程と、前記マスクパターン形成部を介して、ステッパー露光機により前記ドライフィルムを露光する露光工程と、露光された前記ドライフィルムを現像して、前記外部電極を露出させるための開口部を有しためっきレジストを形成する現像工程と、前記開口部を介して露出する前記外部電極に対してめっきを施すことにより、前記複数の導体を形成する導体形成工程と、前記導体形成工程後に前記ドライフィルムを除去する剥離工程とを含み、前記ドライフィルムにおける露光領域を分割することにより、当該露光領域よりも面積の小さい複数の分割露光領域を設定し、前記マスク配置工程及び前記露光工程を前記複数の分割露光領域の数だけ繰り返して実施し、前記露光工程では、1種類の共通したフォトマスクを用いて前記複数の分割露光領域ごとに露光を行い、前記マスク配置工程では、前記複数の分割露光領域ごとに前記セラミック基板と前記マスクパターン形成部との位置合わせを行うことを特徴とするセラミック部品の製造方法。
(3)基板主面及び基板裏面を有する平面視矩形状を呈し、最も大きい辺の長さが50mm以上であるセラミック基板と、前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方の上に配置された外部電極と、前記外部電極上に突設された複数の導体とを備えたセラミック部品の製造方法であって、感光性を有する厚さ50μm以上のめっきレジスト用ドライフィルムを、前記セラミック基板上に貼付するフィルム貼付工程と、前記ドライフィルム上に、光線を透過可能とする光透過部と前記光線を透過不能とする非透過部とからなるマスクパターン形成部が平面方向に沿って縦横に複数配列されたフォトマスクを、位置合わせした状態で配置するマスク配置工程と、前記マスクパターン形成部を介して、ステッパー露光機により前記ドライフィルムを露光する露光工程と、露光された前記ドライフィルムを現像して、前記外部電極を露出させるための開口部を有しためっきレジストを形成する現像工程と、前記開口部を介して露出する前記外部電極に対してめっきを施すことにより、前記複数の導体を形成する導体形成工程と、前記導体形成工程後に前記ドライフィルムを除去する剥離工程とを含み、前記ドライフィルムにおける露光領域を分割することにより、当該露光領域よりも面積の小さい複数の分割露光領域を設定し、前記マスク配置工程及び前記露光工程を前記複数の分割露光領域の数だけ繰り返して実施し、前記露光工程では、1種類の共通したフォトマスクを用いて前記複数の分割露光領域ごとに露光を行い、前記マスク配置工程では、前記複数の分割露光領域ごとに前記セラミック基板と前記マスクパターン形成部との位置合わせを行うことを特徴とするセラミック部品の製造方法。